Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов

..pdf
Скачиваний:
3
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
12.32 Mб
Скачать

режимы эксплуатации программ­

 

 

 

 

 

 

 

ных средств

системы

ПАНИ и

 

 

 

 

 

 

 

уровни ПО [11.11— 11.13].

с

 

 

 

 

f

’1

 

Реализация трансляторов

 

 

 

1

*

‘31

входных

проблемно-ориентиро­

 

 

 

 

 

ванных языков и автоматическая

 

 

 

Г Т 1 _

генерация программ по описанию

 

 

 

 

 

 

П «--»

 

задач на этих

языках

представ­

 

 

г !

 

 

1

ляют

собой

самостоятельную

 

 

 

 

1

 

 

 

 

1

проблему,

решение

которой зна­

 

 

1

т

 

 

Ч

чительно упрощается при исполь­

 

__ 1

 

 

1

зовании

инструментальных

си­

 

231

 

 

 

стем программирования. При соз­

 

 

 

 

 

дания

ПО ПАНИ

используется

 

 

 

 

 

инструментальная

 

система

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПРИЗ,

 

позволяющая

реализо­

900

 

950

 

1000

А

 

 

 

 

 

 

_ 5

вать ПО процесса

исследования

Рис.

11.13.

Гистограммы

распределе­

и построения

моделей

объектов

 

ния

предельного

тока:

проектирования описанного с по­

-----------— приближенное

проектное реше­

мощью

 

аппарата

вычислитель­

ние;

--------------- оптимальное

проектное ре­

 

 

 

 

шение

 

 

 

ных моделей,

в виде интегриро­

 

 

 

 

 

 

 

ванной системы ППП с автоматической генерацией и осуществить (в некоторой степени) принцип независимости моделей от решае­ мых па них задач.

При разработке ПО ПАНИ в первую очередь учитывались сле­ дующие требования к составляющим ее пакетам программ:

максимальное удобство и простота общения пользователя с

ППП;

функциональная полнота и гибкость структуры; эффективность, быстродействие и надежность; наполняемость (расширяемость) ППП без изменения мониторов

иразработанных ранее программ; адаптируемость к изменению потока задач;

обеспечение транспортабельности и др.

Многие характеристики являются противоречивыми (например, эффективность и транспортабельность), поэтому в каждом кон­ кретном случае необходимо принимать компромиссное решение в целях обеспечения достаточно приемлемых значений всех рассма­ триваемых характеристик качества ПО.

Структура и функциональное наполнение системы ПАНИ позво­ ляют решать предусмотренные классы задач независимо от объек­ тов исследования (проектирования). В то же время сгенерирован­ ные специализированные ППП предназначены для решения более узких классов задач, как правило, связанных с конкретными объ­ ектами исследования (проектирования). Поэтому ПАНИ можно считать универсально-специализированной системой, сочетающей в себе свойства универсальных и специализированных программных

средств.

. Программное обеспечение ПАНИ, состав которого изображен

2 6 1 •

Рис. 11.14. Состав ПО подсистемы ПАНИ

на рис. 11.14, разработано в среде ОС ЕС, версия 6.1, и подразде­ ляется на базовое и прикладное. Базовое ПО включает ОС ЕС, си­ стему разделения времени (СРВ) (TSO) инструментальную систе­ му программирования ПРИЗ, пакет научных подпрограмм — биб­ лиотеку института математики (ПНП — БИМ), комплекс графи­ ческих программ ГРАФОР.

Прикладное ПО ПАНИ подразделяется на объектное, инва­ риантное и специализированное.

Основная часть прикладного ПО представляет собой интегриро­ ванный средствами системы ПРИЗ комплекс информационно и про­ граммно совместимых ППП высокого уровня. Языком программи­ рования модулей прикладного ПО является ФОРТРАН-IV.

Объектное ПО включает фрагменты разрабатываемых матема­ тических моделей объектов проектирования, которые обычно явля­ ются копиями соответствующих фрагментов, входящих в ПО объ­ ектно-ориентированных подсистем САПР СПП. Оно используется как в процессе разработки и корректировки самих моделей, так и при генерации специализированных ППП обработки эксперимен­ тальных данных, учитывающих особенности моделей конкретных объектов исследования и проектирования.

Инвариантное ПО системы ПАНИ включает универсальные

ППП обработки экспериментальных данных и планирования экс­ периментов СТАТИСТИКА [11.14], АППРОКС [11.15], ПЛАНЭК, а также библиотеку типовых вспомогательных модмоделей (БИБТИП) [11.16], выполняющую вспомогательные функции и специально разработанную для осуществления процесса генерации специализированных ППП и отдельных программ.

Генерация специализированных ППП и программ, составляю­ щих специализированное прикладное ПО, необходима для повы-

шення эффективности использования разработанных программных средств пользователями-непрограммистами. Применяемая методи­ ка генерации описана в [11.16, 11.17]. Использование средств си­ стемы ПРИЗ позволило реализовать ПАНИ как некоторую мета­ систему, которая в зависимости от категории пользователей может эксплуатироваться в одном из трех режимов, согласно которым ПО ПАНИ условно подразделяется на три уровня.

Режим генерации специализированных ППП и программ кон­ кретного назначения ориентирован на разработчиков системы ПАНИ, он позволяет по заказам физико-экспериментаторов выпол­ нять в сжатые сроки генерацию эффективных специализированных программ обработки. Средства, используемые в этом режиме, об­ разуют первый уровень ПО ПАНИ (уровень разработчика-про- граммиста) и включают объектное и инвариантное прикладное ПО, а также базовое ПО. Средства данного уровня могут применяться также квалифицированными пользователями для обеспечения до­ полнительных возможностей при решении новых разовых задач. Кроме того, разработчик-программист может использовать их для решения задач, предшествующих генерации специализированных пакетов, а также задач, вытекающих из внутренних целей системы ПАНИ (например, для тестирования и отладки новых алгоритмов). Постановка задач в данном режиме осуществляется на входных проблемно-ориентированных языках инвариантных ППП.

Второй режим ориентирован на квалифицированного физикаэкспериментатора, владеющего проблемно-ориентированными язы­ ками ППП (в основном специализированных) системы ПАНИ. В этом режиме пользователь формулирует одну из возможных за­ дач на входном языке специализированного ППП, программа для решения данной задачи генерируется с помощью системы ПРИЗ. Средства, используемые в этом режиме, образуют второй уровень ПО (уровень пользователя широкого профиля) и включает сгене­ рированные с помощью программных средств первого уровня спе­ циализированные ППП для решения задач некоторого класса, а также необходимые средства первого уровня (например, ОС ЕС и ПРИЗ).

Третий режим ориентирован на пользователей, не являющихся специалистами в области вычислительной техники и программиро­ вания. Средства, используемые в этом режиме, образуют третий уровень ПО (уровень пользователя узкого профиля) и включают сгенерированные в первом режиме программы для решения кон­ кретных задач. Исходные данные для этих программ подготавли­ ваются в заранее зафиксированном формате, а сами программы обычно эксплуатируются без использования системы ПРИЗ и вы­ зываются для выполнения средствами ОС ЕС.

Отдельные блоки инвариантных ППП, предназначенные для автономного использования, строятся как процедурно-ориентиро­ ванные ППП со своими управляющими программами без исполь­ зования системы ПРИЗ, поскольку ее применение в этом случае нецелесообразно. Таким образом используются, например, блоки

 

1

''текст

-

1

1

задачи

Г -

 

1

 

;— •

 

 

___

{утреннее /

 

 

писание

 

и

задачи /

Рис. 11.15. Различные режимы использования ПО ПАНИ

линеаризующихся функций общего и специального видов пакета АППРОКС, блок ведения базы данных ППП СТАТИСТИКА и др. Данные ППП также можно условно рассматривать как програм­ мные средства третьего уровня.

Использование ПО системы ПАНИ в различных режимах рабо­ ты иллюстрируется на рис. 11.15. Сплошные одинарные линии со-: ответствуют генерации специализированных ППП (средств второ­ го уровня), штриховые линии — генерации специализированных программ (средств третьего уровня), сплошные двойные линии — использованию специализированных программ и процедурно-ори­ ентированных ППП (средств третьего уровня).

264

Адаптация системы ПАНИ к новым задачам осуществляется за счет расширения функциональных возможностей имеющихся универсальных ППП обработки экспериментальных данных и гене­ рации новых специализированных ПП и отдельных программ.

Средства ПАНИ могут использоваться в интегрированном ре­ жиме совместно с ППП других подсистем САПР СПП, разработан­ ными в рамках системы ПРИЗ и реализующими, например, модели объектов проектирования, методы безусловной оптимизации, нели­ нейного программирования и многокритериальной оптимизации.

Интеграция с ППП, построенными вне системы ПРИЗ, осуще­ ствляется через базу данных системы.

Рассмотрим структуру и входной язык ППП АППРОКС, входя­ щего в состав ПО ПАНИ. ППП АППРОКС разработан как про­ блемно-ориентированный ППП высокого уровня в рамках системы ПРИЗ. Входной язык является расширением базового языка УТОПИСТ, для повышения выразительности входного языка ис­ пользуются макросредства системы ПРИЗ.

ППП АППРОКС выполняет в системе ПАНИ центральную роль в процессе автоматизации построения математических моде­ лей объектов проектирования. Средства этого ППП используются при решении задач идентификации параметров приборов и мате­ риалов, структурной и параметрической идентификации теоретиче­ ских моделей, построении эмпирических моделей, аппроксимации сложных теоретических и алгоритмических моделей простыми за­ висимостями. ППП АППРОКС включает следующие разделы:

1) аппроксимация линеаризующимися формулами общего ви­ да, линеаризующимися формулами специального вида, полинома­ ми, произвольными функциями, линейными по параметрам, про­ извольными функциями, нелинейными по параметрам;

2)сглаживание и сжатие экспериментальных данных;

3)графическое отображение результатов измерений и обра­

ботки.

Третий раздел является вспомогательным и использует также методы сжатия, сглаживания данных, сплайн-интерполяции и ап­ проксимации простыми зависимостями. Пакет АППРОКС реализу­ ет методы математической статистики и аппроксимации, описан­ ные в § 10.4.

Опишем

некоторые задачи на входном языке ППП АППРОКС. Синтаксис

и семантика

входных языков ППП, выполненных в рамках системы ПРИЗ, опре­

деляются описанием соответствующей вычислительной модели предметной обла­

сти и решаемыми на ней задачами.

Описание задачи аппроксимации линеаризующимися функциями общего и специального видов при использовании укрупненного варианта модели и вводе исходных данных внутри программных модулей имеет следующий вид:

PROBLEM’ APPR1;

FROM’ APPROX. GENERAL;

LET’

2 6 5

18-6393

APPRGEN : LINEARIZED IN PU T=M O D U LE, FO M C LA SS=G E N ; APPRSPEC : LINEARIZED IN PU T=M O D U LE, FO R M C LA SS=SPE C ;

ACTIONS:

ON’ APPR1 COMPUTE’ APPRGEN.PARAM ,

APPRSPEC.PARAM ;

END’ ; + + +

Если требуется решить ту же самую задачу с предварительным логарифми­ рованием массива независимых переменных ARRX [т. е. построить эмпирическую зависимость У = /(1 п (X )], то описание на входном языке пакета АППРОКС (при задании исходных данных в этом описании) примет следующий вид:

PROBLEM’ THYRIST;

LET’

ARRX.ARRY.ARRLNX : ROW’ (1 . . . 7) : REAL’ ;

X : REAL’ ;

GIVEN’ A R R X = (2 0 ,50,100,200.300,500,1000),

A R R Y = (0 .0 4 ,0.08, 0.11, 0.17,0.29,0.75,1.10);

+ + +

FROM’ LIBTYPE.FORMING;

LET’ L •ARRAYFUN

PO lN TN U M =7, V A R N U M -1, ARRAYAR=ARRAX,

A R R A YF =A R R L N X ,X=X;

ASSIG N ’ L.Y : = L N ’ L.X;

+ + +

PRO M ’ APPROX.GENERAL; LET’

GEN : LINEARIZED IN PU T=TEXT,PO IN TN U M =7, VAR N U M =1,A R R X =A R R LN X ,A R R Y=A R R Y,

FO RM C O D E = 101,C R ITE R IO N = ’QM R’ ,

,S = ’G *Y ’ ,H E A D = ’BAX ТИРИСТОРА, ОСНОВНАЯ СТРУКТУРА I< = 1 0 0 0 ; U = F (I),U — НАПР ,В’ ;

+ + +

SPEC : LINEARIZED IN PU T =T E XT ,P O IN T N U M =7,V A R N U M =l, A R R X=ARRLN X,ARRY=ARRY,FO RM CO D E=3,

C R ITERIO N = ’QMR’ ,S=G E N .S,H E A D =G E N .H E A D ,T=5r

=*

+ + +

ACTIONS’

ON’ THYRIST COMPUTE' GEN.PARAM .GEN.ERROR.SPEC.PARAM, SPEC. ERROR;

END’ ; + + +

При описании данной задачи аппроксимации для преобразования массива независимых переменных используется понятие ARRAYFUN на подмодели LIBTYPE.FORMING библиотеки БИБТИП, предназначенное для формирования циклов при расчете массива значений функции.

Р и с. 11.16. С хем а под м од ел и вы числительной модели задачи T H Y R IS T

На рис. 11.16 изображена схема подмодели вычислительной модели задачи

THYRIST, на которой выполняются все вычисления, необходимые для определе­ ния выходных параметров задачи. Модель изображается в виде графа, вершинам которого соответствуют переменные и отношения (для простоты здесь не обо ­ значена корневая вершина THYRIST). Отношения типа структуры обозначены знаком * , отношения эквивалентности — знаком = , отношения присваивания —

знаком := . Программные отношения обозначены именами модулей, реализующих эти отношения. Дуга между определяющей переменной и соответствующим условным отношением заканчивается скобкой. Связи между отношениями и вну­ тренними переменными изображены пунктирными линиями. Выходные перемен­ ные задачи отмечены более крупными точками, чем все остальные.

Рассмотрим пример использования ППП АППРОКС для решения'задачи по­ строения эмпирической модели расчета зависимости времени жизни неосновных

носителей

заряда (дырок) в базе полупроводниковой структуры л-типа тр" от

плотности

анодного тока У, А /см 2, и температуры р-п перехода Т, К,

 

тр- = / ( / . Т).

Эта задача решалась при разработке быстродействующих тиристоров типа ТЧ-40.

На основе измерения партии из 15 образцов приборов сформированы два массива: двумерный массив X значений аргументов (У, Т) и одномерный мас­ сив У значений функции трп. Эти массивы занесены в базу данных подсистемы ПАНИ, где они хранятся соответственно под именами T440TALX и T440TALY.

В качестве класса эмпирических моделей рассмотрим все 28 аппроксимирую­ щих функций многих переменных общего вида, заложенных в пакет АППРОКС (см. табл. 10.1, § 10.4). Критерием приближения является среднеквадратичная относительная погрешность.

l e *

267

 

Текст этой

задачи на входном языке ППП АППРОКС (в варианте с рус.

ской лексикой) имеет следующий вид:

ЗДЧ’ TAUPI;

ПО* АППРОКС.УКРУПНЕННАЯ;

ПУСТЬ’ АППР : ЛИНЕАР К Р И Т Е Р И И = ’СР.КВ.ОТН.’ ,

С И Г М А =

’C *Y ’

П О Г Р = (’СР.КВ.ОТН.’ , ’МАКС.ОТН.’ , ’МАКС.АВС’),

Ф О Р М У Л Ы =

’ВСЕ’ , М А С С И В .А РГУМ = ’ТЧ40ТА L X ’ ,

 

М АССИ В.Ф УН К='ТЧ40ТА L У ’ ,

ДЕЙСТВИЯ’

Н А « ’TAUPI ВЫ ЧИСЛИТЬ’ АППР.ПАРАМ ,

АП П Р.П ОГР;

Из описаний следует, что помимо критерия приближения вычисляются и вы­ водятся на печать еще две погрешности приближения: максимальная относитель­ ная и максимальная абсолютная (см. табл. 10.3). В соответствии с алгоритмом, реализованным в ППП АППРОКС, на печать выдаются не все 28, а только

8 лучших по назначенному критерию приближения аппроксимационных моделей. Если для пользователя выбор подходящей модели из 8 предложенных пред­ ставляет затруднения, то можно задать векторный критерий приближения, ком­ понентами которого являются среднеквадратичная относительная погрешность, максимальная относительная погрешность и максимальная абсолютная погреш­ ность. В этом случае процедура многокритериального выбора, реализованная в пакете программ АППРОКС, отберет только неулучшаемые (паретовскне) мо­

дели и выдаст их на печать.

Текст задачи будет иметь следующий вид: ЗДЧ ’TAUPI’ ;

П О ’ АППРОКС.УКРУПНЕННАЯ ПУСТЬ’ А П П Р : ЛИНЕАР К РИ ТЕ РИ И = (’СР.КВ.ОТН.’ ,

МАКС.ОТН.’ , ’МАКС.АБС.’),

СИ Г М А = ’С *У ’

ПО Г Р = (’СР.КВ.ОТН.’ ’МАКС.ОТН.’ , МАКС.АБС.’),

ФО РМ У Л Ы =’ВСЕ’, МАССИВ. А Р Г У М = ’ТЧ40ТАЬХ’ ,

МАССИ В .Ф У Н К =’ТЧ40ТАЬУ’ ,

ДЕЙСТВИЯ

Н А ’ TAUPI ВЫЧИСЛИТЬ’ АППР.ПАРАМ, АППР.ПОГР;

ПОДБОР ЭМПИРИЧЕСКИХ ФОРМУЛ ВРЕМЯ ЖИЗНИ. СРЕДНЕЕ ДЛЯ 15 ПРИБ. ТЧ—10, T A U P =F (J, Т) КРИТЕРИИ АППРОКС, - МВНК С ВЫРАВН. С И Г М А = С *У МАССИВ АРГУМЕНТОВ — ТЧ40ТА L X

 

 

 

 

 

 

СРЕДНЕКВ.

МАКСИМ.

МАКСИМ.

№ ФОРМ.

А1

 

А2

АЗ

ОТНОСИТ.

ОТНОСИТ.

АБСОЛЮТ.

 

 

 

 

 

 

ПОГРЕШИ.

ПОГРЕШИ.

ПОГРЕШИ.

101

.

734

- ,

080

, 283

, 077

.

126

, 428

111

.

136

- ,

136

, 442

, 059

,

129

. 258

ФОРМЛ4.101

Y = A 1 * X 1 * * A 2 * X 2 * * A 3

 

 

 

 

ФОРМУЛ 11

Y=EXP.A1 *X t * * А 2*Х 2* * АЗ)

 

 

 

 

~ £ УЧШ£ Я П

СРЕДНЕКВАДРАТИЧЕСКОЙ ОТНОСИТ. ПОГРЕШИ.

£ 2 Е й -Я -!°! “

ЛУЧШАЯ ПО МАКСИМАЛЬНОЙ ОТНОСИТ. ПОГРЕШИ.

 

ФОРМ.Ы.Ш — ЛУЧШАЯ ПО МАКСИМАЛЬНОЙ АБСОЛЮТНОЙ ПОГРЕШИ.

 

Отсюда следует, что лучшей по среднеквадратичной относительной погреш­ ности эмпирической моделью зависимости времени жизни трп от / и Т является

-0.136Г 0»44

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Кгл. 1

1.1.Носов Ю. Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Математические модели элементов интегральной электроники. М.: Советское радио, 1976.

1.2.Кузьмин В. А. Математические модели силовых полупроводниковых лрнборов// Электротехника. 1978. № 6. С. 10— 14.

1.3.Воронин П. А. Разработка математических моделей мощных вентильных ключей и преобразователей с динамическими режимами эксплуатации тиристо­ ров: Автореф. дис. на соиск. учен, степени канд. техн. наук/ МЭИ. 1983.

1.4.Лабунцов В. А., Тугов Н. М. Динамические режимы эксплуатации мощ­ ных тиристоров. М .: Энергия, 1977.

1.5.Кузьмин В. А., Мустафа Г. М., Минасян В. Л. Моделирование переход­

ного процесса

выключения тиристора//

Электротехническая промышленность.

Сер. Преобразовательная техника. 1978.

№ 3. С. 7— 9.

1.6. Кузьмин В. Л . Математические модели силовых быстродействующих ти­

ристоров для

автоматизированного проектирования// Электротехника. 1978. № 7.

1.7. Системы автоматизированного проектирования. В 9 кн. И. П. Норенков. Кн. 1. Принципы построения и структура. М.: Высшая школа, 1986. 127 с.

Кгл. 2

2.1.Кузьмин В. А. Тиристоры малой и средней мощности. М.: Советское радио, 1971.

2.2.Van Overstracten R., De Man H. Measurement of the ionisation rates in

diffused

silicon p-n

junctions// Sol.-St. Electron. 1970,

№ 5.

P. 583— 607.

2.3.

О коэффициентах ударной ионизации электронов и дырок в кремнии/

B. А.

Кузьмин, Н.

Н. Крюкова, А. <С. Кюрегян и

др .//

ФТП. 1975. № 4.

C.735— 739.

2.4.Определение коэффициентов ударной ионизации в кремнии в мощных •СВЧ-полях./ И. В. Грехов, А. ф. Кардо-Сысоев, А. В. Крикленко, С. В. Шенде-

рей// Тр. Всесоюз. конф. по физике полупроводников. Баку: ЭЛМ. 1982. Т. 2. С. 151— 152.

2.5. Ionisation rates of

holes and electrons in silicon,/ C. A. Lee, R. A. Logan

.and oth.// Phys. Rev. 1964.

Vol. 134A, №> 3. P. 761— 765.

2.6. Расчет силовых

полупроводниковых

приборов/ П. Г. Дерменжи,

В. А. Кузьмин, Н. Н. Крюкова и др. Под ред. В. А. Кузьмина. М.: Энергия, 1980. _2.7. Юрков С. Н. Исследование физических процессов в кремниевых много­ слойных структурах, разработка математических моделей и пакета программ для автоматизации проектирования силовых тиристоров: Автореф. дис. на соиск.

учен, степени канд. техн. наук/ ВЭИ им. В. И. Ленина. 1982.

 

 

2.8. Raderecht Р. S. A review of the

shorted emitter principle

as

applied to

p-n-p-n silicon controlled rectifiers// Int.

J. Electronics. 1971. № 6.

P.

541— 564.

2.9. Дерменжи П. Г., Думаневич A. H.- Эффективность технологической шун-

тировки эмиттерного п+-р перехода в тиристорах// Радиотехника

и

электрони­

ка. 1973. № 4. С. 844— 850.

2.10. Burtscher I., Spenke Е. Kurzschluflemitter und Thyristorziindung// Sie­ mens Forsch. 1974. Nb 4. S. 2 3 4 -2 4 7 .

2.11. Расчет напряжения переключения тиристоров с учетом технологической

шунтировки катода/ В.

А. Кузьмин, С. Н. Ю рков, А. Г. Тандоев, Е. Л. Бала­

ш ов а // Электротехника.

1988. № 7. С. 25— 27.

 

 

 

2.12. Расчет напряжения

загиба мощных

высоковольтных

тиристоров/

Ю. А. Евсеев, А. В. Конюхов,

В. А. Кузьмин, Ю. М. Л октаев// Электротехниче­

ская промышленность. Сер. Преобразовательная

техника. 1979. Вып. 5

(112)

С. 9— 11.

 

 

 

 

 

2.13. Kokosa R. A., Wolley

Е. D. Design criteria Гог amplifying gates on trio-

de thyristors// Int. Electron Devices Meet., Washington, D. C. 1974.

Techn.

Dig.

New York, 1974. P. 431— 434.

с дополнительным

«плавающим» или

с дополни­

2.14. Включение тиристора

тельным «закороченным» эмиттером/ В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Гре­ хов и др.// Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная тех­

ника, 1975. Вып. 9

(68). С.

5— 7.

 

управления р-п-р-п

2.15. Дерменжи

П. Г.,

Евсеев Ю. А. Статические токи

структур большой площади// Радиотехника и электроника.

1972. Т. 17, № 11.

С. 2365— 2373.

 

 

 

 

2.16. Дерменжи П. Г. Статические токи управления р-п-р-п структур, обла­

дающих цилиндрической

симметрией//

Электротехническая

промышленность.

Сер. Преобразовательная техника. 1974.

Вып. 2 (49). С. 5— 6.

2.17.Дерменжи П. Г. Статические токи управления тиристоров с регенера­ тивным управляющим электродом/ Тр. ВЭИ им. В. И. Ленина. Силовое полу­ проводниковое приборостроение. 1980. Вып. 90. С. 57—^66.

2.18.Дерменжи П. Г. Температурная зависимость статических токов управ­ ления р-п-р-п структур большой площади// Электротехническая промышленность. Сер.. Преобразовательная техника. 1976. Вып. 6 (77). С. 1— 3.

2.19.Fulop W., Baxter Р. Е. Gate current flow in cylindrical Thyristors with

partially shorted cathodes — Two and three terminal operation

with inner

and

outer

gate con figu ra tion -T u rn -on area// Solid-State Electronics.

1983. V.

26,

JY° 8.

P.777—785.

2.20.Грехов И. В., Лннийчук И. А. Тиристоры, выключаемые током управ­ ления. Л.: Энергоиздат, 1982.

2.21.Евсеев Ю. А., Дерменжи П. Г. Силовые полупроводниковые приборы. М.: Энергоиздат, 1981.

2.22.Hauser J. R. The effect of distributed base potential on emitter-current injection effective base resistence for stripe transistor geometries// IEEE Trans. Electron Devices. 1964. V. ED-11, l№ 5. P. 238— 242.

2.23.Варламов К- В., Осипов В. В. Шнурование тока в многослойных струк­

турах// ФТП. 1969. Т. 3, № 7. С. 950— 958.

К гл. 3

3.1. Ламперт М.р Марк Т. Инжскционные токи в твердых телах. М.: Мир. 1973.

3.2.Адирович Э. И., Карагеоргий-Алкалаев П. М „ Лейдсрман А. Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Советское радио, 1978.

3.3.Зюганов А. Н., Свечников С. В. Инжекционно-контактные явления в

полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1981.

3.4. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978.

3.5. Kokosa R. A. The potential and

carrier

distribution of a p-n-p-n device in

the on-state// Proc. IEEE. 1967. V. 55, №

6. P.

1389— 1400.

3.6.Блихер А. Физика тиристоров. Л.: Энергоиздат, 1981.

3.7.Блэкмор Дж.. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. М.: Мир, 1964.

3.8.

Tyagi М.

S., Van

Overstraeten R. M inority carrier recombination in hea­

vily doped silicon// Solid-State Electronics. 1983. V . 26, № 6.

P. 577— 597.

 

3.9. Вайткус Юп

Гривицкас

В. Зависимость

интенсивности

зонно-зонной

оже-рекомбинации от

концентрации носителей в

кремнии//

ФТП.

1981.

Т. 15,

№ 10.

С. 1894— 1902.

 

 

 

 

 

 

3.10. Грибников 3.

С., Мельников В. И. Электронно-дырочное рассеяние в

полупроводниках при

высоком

уровне' инжекции// ФТП.

1968.

Т. 2,

№ 9.

С. 1352— 1363.

 

 

 

 

 

 

270

Соседние файлы в папке книги