книги / Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов
..pdfрежимы эксплуатации программ |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
ных средств |
системы |
ПАНИ и |
|
|
|
|
|
|
|
||||
уровни ПО [11.11— 11.13]. |
с |
|
|
|
|
f |
’1 |
|
|||||
Реализация трансляторов |
|
|
|
1 |
* |
‘31 |
|||||||
входных |
проблемно-ориентиро |
|
|
|
|
|
|||||||
ванных языков и автоматическая |
|
|
|
Г Т 1 _ |
|||||||||
генерация программ по описанию |
|
|
|
||||||||||
|
|
|
П «--» |
|
|||||||||
задач на этих |
языках |
представ |
|
|
г ! |
|
|
1 |
|||||
ляют |
собой |
самостоятельную |
|
|
|
|
1 |
||||||
|
|
|
|
1 |
|||||||||
проблему, |
решение |
которой зна |
|
|
1 |
т |
|
|
Ч |
||||
чительно упрощается при исполь |
|
__ 1 |
|
|
1 |
||||||||
зовании |
инструментальных |
си |
|
—231 |
|
|
|
||||||
стем программирования. При соз |
|
|
|
|
|
||||||||
дания |
ПО ПАНИ |
используется |
|
|
|
|
|
||||||
инструментальная |
|
система |
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
ПРИЗ, |
|
позволяющая |
реализо |
900 |
|
950 |
|
1000 |
А |
||||
|
|
|
|
|
|
_ 5 |
|||||||
вать ПО процесса |
исследования |
Рис. |
11.13. |
Гистограммы |
распределе |
||||||||
и построения |
моделей |
объектов |
|
ния |
предельного |
тока: |
|||||||
проектирования описанного с по |
-----------— приближенное |
проектное реше |
|||||||||||
мощью |
|
аппарата |
вычислитель |
ние; |
--------------- оптимальное |
проектное ре |
|||||||
|
|
|
|
шение |
|
|
|
||||||
ных моделей, |
в виде интегриро |
|
|
|
|
|
|
|
ванной системы ППП с автоматической генерацией и осуществить (в некоторой степени) принцип независимости моделей от решае мых па них задач.
При разработке ПО ПАНИ в первую очередь учитывались сле дующие требования к составляющим ее пакетам программ:
максимальное удобство и простота общения пользователя с
ППП;
функциональная полнота и гибкость структуры; эффективность, быстродействие и надежность; наполняемость (расширяемость) ППП без изменения мониторов
иразработанных ранее программ; адаптируемость к изменению потока задач;
обеспечение транспортабельности и др.
Многие характеристики являются противоречивыми (например, эффективность и транспортабельность), поэтому в каждом кон кретном случае необходимо принимать компромиссное решение в целях обеспечения достаточно приемлемых значений всех рассма триваемых характеристик качества ПО.
Структура и функциональное наполнение системы ПАНИ позво ляют решать предусмотренные классы задач независимо от объек тов исследования (проектирования). В то же время сгенерирован ные специализированные ППП предназначены для решения более узких классов задач, как правило, связанных с конкретными объ ектами исследования (проектирования). Поэтому ПАНИ можно считать универсально-специализированной системой, сочетающей в себе свойства универсальных и специализированных программных
средств.
. Программное обеспечение ПАНИ, состав которого изображен
2 6 1 •
Рис. 11.14. Состав ПО подсистемы ПАНИ
на рис. 11.14, разработано в среде ОС ЕС, версия 6.1, и подразде ляется на базовое и прикладное. Базовое ПО включает ОС ЕС, си стему разделения времени (СРВ) (TSO) инструментальную систе му программирования ПРИЗ, пакет научных подпрограмм — биб лиотеку института математики (ПНП — БИМ), комплекс графи ческих программ ГРАФОР.
Прикладное ПО ПАНИ подразделяется на объектное, инва риантное и специализированное.
Основная часть прикладного ПО представляет собой интегриро ванный средствами системы ПРИЗ комплекс информационно и про граммно совместимых ППП высокого уровня. Языком программи рования модулей прикладного ПО является ФОРТРАН-IV.
Объектное ПО включает фрагменты разрабатываемых матема тических моделей объектов проектирования, которые обычно явля ются копиями соответствующих фрагментов, входящих в ПО объ ектно-ориентированных подсистем САПР СПП. Оно используется как в процессе разработки и корректировки самих моделей, так и при генерации специализированных ППП обработки эксперимен тальных данных, учитывающих особенности моделей конкретных объектов исследования и проектирования.
Инвариантное ПО системы ПАНИ включает универсальные
ППП обработки экспериментальных данных и планирования экс периментов СТАТИСТИКА [11.14], АППРОКС [11.15], ПЛАНЭК, а также библиотеку типовых вспомогательных модмоделей (БИБТИП) [11.16], выполняющую вспомогательные функции и специально разработанную для осуществления процесса генерации специализированных ППП и отдельных программ.
Генерация специализированных ППП и программ, составляю щих специализированное прикладное ПО, необходима для повы-
шення эффективности использования разработанных программных средств пользователями-непрограммистами. Применяемая методи ка генерации описана в [11.16, 11.17]. Использование средств си стемы ПРИЗ позволило реализовать ПАНИ как некоторую мета систему, которая в зависимости от категории пользователей может эксплуатироваться в одном из трех режимов, согласно которым ПО ПАНИ условно подразделяется на три уровня.
Режим генерации специализированных ППП и программ кон кретного назначения ориентирован на разработчиков системы ПАНИ, он позволяет по заказам физико-экспериментаторов выпол нять в сжатые сроки генерацию эффективных специализированных программ обработки. Средства, используемые в этом режиме, об разуют первый уровень ПО ПАНИ (уровень разработчика-про- граммиста) и включают объектное и инвариантное прикладное ПО, а также базовое ПО. Средства данного уровня могут применяться также квалифицированными пользователями для обеспечения до полнительных возможностей при решении новых разовых задач. Кроме того, разработчик-программист может использовать их для решения задач, предшествующих генерации специализированных пакетов, а также задач, вытекающих из внутренних целей системы ПАНИ (например, для тестирования и отладки новых алгоритмов). Постановка задач в данном режиме осуществляется на входных проблемно-ориентированных языках инвариантных ППП.
Второй режим ориентирован на квалифицированного физикаэкспериментатора, владеющего проблемно-ориентированными язы ками ППП (в основном специализированных) системы ПАНИ. В этом режиме пользователь формулирует одну из возможных за дач на входном языке специализированного ППП, программа для решения данной задачи генерируется с помощью системы ПРИЗ. Средства, используемые в этом режиме, образуют второй уровень ПО (уровень пользователя широкого профиля) и включает сгене рированные с помощью программных средств первого уровня спе циализированные ППП для решения задач некоторого класса, а также необходимые средства первого уровня (например, ОС ЕС и ПРИЗ).
Третий режим ориентирован на пользователей, не являющихся специалистами в области вычислительной техники и программиро вания. Средства, используемые в этом режиме, образуют третий уровень ПО (уровень пользователя узкого профиля) и включают сгенерированные в первом режиме программы для решения кон кретных задач. Исходные данные для этих программ подготавли ваются в заранее зафиксированном формате, а сами программы обычно эксплуатируются без использования системы ПРИЗ и вы зываются для выполнения средствами ОС ЕС.
Отдельные блоки инвариантных ППП, предназначенные для автономного использования, строятся как процедурно-ориентиро ванные ППП со своими управляющими программами без исполь зования системы ПРИЗ, поскольку ее применение в этом случае нецелесообразно. Таким образом используются, например, блоки
|
1 |
''текст |
- |
1 |
|
1 |
задачи |
|
— |
Г - |
|
1 |
|
;— • |
|
|
|
___ |
{утреннее / |
|
|
|
писание |
|
и |
задачи / |
Рис. 11.15. Различные режимы использования ПО ПАНИ
линеаризующихся функций общего и специального видов пакета АППРОКС, блок ведения базы данных ППП СТАТИСТИКА и др. Данные ППП также можно условно рассматривать как програм мные средства третьего уровня.
Использование ПО системы ПАНИ в различных режимах рабо ты иллюстрируется на рис. 11.15. Сплошные одинарные линии со-: ответствуют генерации специализированных ППП (средств второ го уровня), штриховые линии — генерации специализированных программ (средств третьего уровня), сплошные двойные линии — использованию специализированных программ и процедурно-ори ентированных ППП (средств третьего уровня).
264
Адаптация системы ПАНИ к новым задачам осуществляется за счет расширения функциональных возможностей имеющихся универсальных ППП обработки экспериментальных данных и гене рации новых специализированных ПП и отдельных программ.
Средства ПАНИ могут использоваться в интегрированном ре жиме совместно с ППП других подсистем САПР СПП, разработан ными в рамках системы ПРИЗ и реализующими, например, модели объектов проектирования, методы безусловной оптимизации, нели нейного программирования и многокритериальной оптимизации.
Интеграция с ППП, построенными вне системы ПРИЗ, осуще ствляется через базу данных системы.
Рассмотрим структуру и входной язык ППП АППРОКС, входя щего в состав ПО ПАНИ. ППП АППРОКС разработан как про блемно-ориентированный ППП высокого уровня в рамках системы ПРИЗ. Входной язык является расширением базового языка УТОПИСТ, для повышения выразительности входного языка ис пользуются макросредства системы ПРИЗ.
ППП АППРОКС выполняет в системе ПАНИ центральную роль в процессе автоматизации построения математических моде лей объектов проектирования. Средства этого ППП используются при решении задач идентификации параметров приборов и мате риалов, структурной и параметрической идентификации теоретиче ских моделей, построении эмпирических моделей, аппроксимации сложных теоретических и алгоритмических моделей простыми за висимостями. ППП АППРОКС включает следующие разделы:
1) аппроксимация линеаризующимися формулами общего ви да, линеаризующимися формулами специального вида, полинома ми, произвольными функциями, линейными по параметрам, про извольными функциями, нелинейными по параметрам;
2)сглаживание и сжатие экспериментальных данных;
3)графическое отображение результатов измерений и обра
ботки.
Третий раздел является вспомогательным и использует также методы сжатия, сглаживания данных, сплайн-интерполяции и ап проксимации простыми зависимостями. Пакет АППРОКС реализу ет методы математической статистики и аппроксимации, описан ные в § 10.4.
Опишем |
некоторые задачи на входном языке ППП АППРОКС. Синтаксис |
и семантика |
входных языков ППП, выполненных в рамках системы ПРИЗ, опре |
деляются описанием соответствующей вычислительной модели предметной обла
сти и решаемыми на ней задачами.
Описание задачи аппроксимации линеаризующимися функциями общего и специального видов при использовании укрупненного варианта модели и вводе исходных данных внутри программных модулей имеет следующий вид:
PROBLEM’ APPR1;
FROM’ APPROX. GENERAL;
LET’
2 6 5
18-6393
APPRGEN : LINEARIZED IN PU T=M O D U LE, FO M C LA SS=G E N ; APPRSPEC : LINEARIZED IN PU T=M O D U LE, FO R M C LA SS=SPE C ;
ACTIONS:
ON’ APPR1 COMPUTE’ APPRGEN.PARAM ,
APPRSPEC.PARAM ;
END’ ; + + +
Если требуется решить ту же самую задачу с предварительным логарифми рованием массива независимых переменных ARRX [т. е. построить эмпирическую зависимость У = /(1 п (X )], то описание на входном языке пакета АППРОКС (при задании исходных данных в этом описании) примет следующий вид:
PROBLEM’ THYRIST;
LET’
ARRX.ARRY.ARRLNX : ROW’ (1 . . . 7) : REAL’ ;
X : REAL’ ;
GIVEN’ A R R X = (2 0 ,50,100,200.300,500,1000),
A R R Y = (0 .0 4 ,0.08, 0.11, 0.17,0.29,0.75,1.10);
+ + +
FROM’ LIBTYPE.FORMING;
LET’ L •ARRAYFUN
PO lN TN U M =7, V A R N U M -1, ARRAYAR=ARRAX,
A R R A YF =A R R L N X ,X=X;
ASSIG N ’ L.Y : = L N ’ L.X;
+ + +
PRO M ’ APPROX.GENERAL; LET’
GEN : LINEARIZED IN PU T=TEXT,PO IN TN U M =7, VAR N U M =1,A R R X =A R R LN X ,A R R Y=A R R Y,
FO RM C O D E = 101,C R ITE R IO N = ’QM R’ ,
,S = ’G *Y ’ ,H E A D = ’BAX ТИРИСТОРА, ОСНОВНАЯ СТРУКТУРА I< = 1 0 0 0 ; U = F (I),U — НАПР ,В’ ;
+ + +
SPEC : LINEARIZED IN PU T =T E XT ,P O IN T N U M =7,V A R N U M =l, A R R X=ARRLN X,ARRY=ARRY,FO RM CO D E=3,
C R ITERIO N = ’QMR’ ,S=G E N .S,H E A D =G E N .H E A D ,T=5r
=*
+ + +
ACTIONS’
ON’ THYRIST COMPUTE' GEN.PARAM .GEN.ERROR.SPEC.PARAM, SPEC. ERROR;
END’ ; + + +
При описании данной задачи аппроксимации для преобразования массива независимых переменных используется понятие ARRAYFUN на подмодели LIBTYPE.FORMING библиотеки БИБТИП, предназначенное для формирования циклов при расчете массива значений функции.
Р и с. 11.16. С хем а под м од ел и вы числительной модели задачи T H Y R IS T
На рис. 11.16 изображена схема подмодели вычислительной модели задачи
THYRIST, на которой выполняются все вычисления, необходимые для определе ния выходных параметров задачи. Модель изображается в виде графа, вершинам которого соответствуют переменные и отношения (для простоты здесь не обо значена корневая вершина THYRIST). Отношения типа структуры обозначены знаком * , отношения эквивалентности — знаком = , отношения присваивания —
знаком := . Программные отношения обозначены именами модулей, реализующих эти отношения. Дуга между определяющей переменной и соответствующим условным отношением заканчивается скобкой. Связи между отношениями и вну тренними переменными изображены пунктирными линиями. Выходные перемен ные задачи отмечены более крупными точками, чем все остальные.
Рассмотрим пример использования ППП АППРОКС для решения'задачи по строения эмпирической модели расчета зависимости времени жизни неосновных
носителей |
заряда (дырок) в базе полупроводниковой структуры л-типа тр" от |
плотности |
анодного тока У, А /см 2, и температуры р-п перехода Т, К, |
|
тр- = / ( / . Т). |
Эта задача решалась при разработке быстродействующих тиристоров типа ТЧ-40.
На основе измерения партии из 15 образцов приборов сформированы два массива: двумерный массив X значений аргументов (У, Т) и одномерный мас сив У значений функции трп. Эти массивы занесены в базу данных подсистемы ПАНИ, где они хранятся соответственно под именами T440TALX и T440TALY.
В качестве класса эмпирических моделей рассмотрим все 28 аппроксимирую щих функций многих переменных общего вида, заложенных в пакет АППРОКС (см. табл. 10.1, § 10.4). Критерием приближения является среднеквадратичная относительная погрешность.
l e * |
267 |
|
Текст этой |
задачи на входном языке ППП АППРОКС (в варианте с рус. |
ской лексикой) имеет следующий вид: |
|
ЗДЧ’ TAUPI; |
|
ПО* АППРОКС.УКРУПНЕННАЯ; |
|
ПУСТЬ’ АППР : ЛИНЕАР К Р И Т Е Р И И = ’СР.КВ.ОТН.’ , |
|
С И Г М А = |
’C *Y ’ |
П О Г Р = (’СР.КВ.ОТН.’ , ’МАКС.ОТН.’ , ’МАКС.АВС’), |
|
Ф О Р М У Л Ы = |
’ВСЕ’ , М А С С И В .А РГУМ = ’ТЧ40ТА L X ’ , |
|
М АССИ В.Ф УН К='ТЧ40ТА L У ’ , |
ДЕЙСТВИЯ’
Н А « ’TAUPI ВЫ ЧИСЛИТЬ’ АППР.ПАРАМ ,
АП П Р.П ОГР;
Из описаний следует, что помимо критерия приближения вычисляются и вы водятся на печать еще две погрешности приближения: максимальная относитель ная и максимальная абсолютная (см. табл. 10.3). В соответствии с алгоритмом, реализованным в ППП АППРОКС, на печать выдаются не все 28, а только
8 лучших по назначенному критерию приближения аппроксимационных моделей. Если для пользователя выбор подходящей модели из 8 предложенных пред ставляет затруднения, то можно задать векторный критерий приближения, ком понентами которого являются среднеквадратичная относительная погрешность, максимальная относительная погрешность и максимальная абсолютная погреш ность. В этом случае процедура многокритериального выбора, реализованная в пакете программ АППРОКС, отберет только неулучшаемые (паретовскне) мо
дели и выдаст их на печать.
Текст задачи будет иметь следующий вид: ЗДЧ ’TAUPI’ ;
П О ’ АППРОКС.УКРУПНЕННАЯ ПУСТЬ’ А П П Р : ЛИНЕАР К РИ ТЕ РИ И = (’СР.КВ.ОТН.’ ,
МАКС.ОТН.’ , ’МАКС.АБС.’),
СИ Г М А = ’С *У ’
ПО Г Р = (’СР.КВ.ОТН.’ ’МАКС.ОТН.’ , МАКС.АБС.’),
ФО РМ У Л Ы =’ВСЕ’, МАССИВ. А Р Г У М = ’ТЧ40ТАЬХ’ ,
МАССИ В .Ф У Н К =’ТЧ40ТАЬУ’ ,
ДЕЙСТВИЯ
Н А ’ TAUPI ВЫЧИСЛИТЬ’ АППР.ПАРАМ, АППР.ПОГР;
ПОДБОР ЭМПИРИЧЕСКИХ ФОРМУЛ ВРЕМЯ ЖИЗНИ. СРЕДНЕЕ ДЛЯ 15 ПРИБ. ТЧ—10, T A U P =F (J, Т) КРИТЕРИИ АППРОКС, - МВНК С ВЫРАВН. С И Г М А = С *У МАССИВ АРГУМЕНТОВ — ТЧ40ТА L X
|
|
|
|
|
|
СРЕДНЕКВ. |
МАКСИМ. |
МАКСИМ. |
|
№ ФОРМ. |
А1 |
|
А2 |
АЗ |
ОТНОСИТ. |
ОТНОСИТ. |
АБСОЛЮТ. |
||
|
|
|
|
|
|
ПОГРЕШИ. |
ПОГРЕШИ. |
ПОГРЕШИ. |
|
101 |
. |
734 |
- , |
080 |
, 283 |
, 077 |
. |
126 |
, 428 |
111 |
. |
136 |
- , |
136 |
, 442 |
, 059 |
, |
129 |
. 258 |
ФОРМЛ4.101 |
Y = A 1 * X 1 * * A 2 * X 2 * * A 3 |
|
|
|
|
||||
ФОРМУЛ 11 |
Y=EXP.A1 *X t * * А 2*Х 2* * АЗ) |
|
|
|
|
||||
~ £ УЧШ£ Я П |
СРЕДНЕКВАДРАТИЧЕСКОЙ ОТНОСИТ. ПОГРЕШИ. |
||||||||
£ 2 Е й -Я -!°! “ |
ЛУЧШАЯ ПО МАКСИМАЛЬНОЙ ОТНОСИТ. ПОГРЕШИ. |
|
|||||||
ФОРМ.Ы.Ш — ЛУЧШАЯ ПО МАКСИМАЛЬНОЙ АБСОЛЮТНОЙ ПОГРЕШИ. |
|
Отсюда следует, что лучшей по среднеквадратичной относительной погреш ности эмпирической моделью зависимости времени жизни трп от / и Т является
-0.136Г 0»44
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Кгл. 1
1.1.Носов Ю. Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Математические модели элементов интегральной электроники. М.: Советское радио, 1976.
1.2.Кузьмин В. А. Математические модели силовых полупроводниковых лрнборов// Электротехника. 1978. № 6. С. 10— 14.
1.3.Воронин П. А. Разработка математических моделей мощных вентильных ключей и преобразователей с динамическими режимами эксплуатации тиристо ров: Автореф. дис. на соиск. учен, степени канд. техн. наук/ МЭИ. 1983.
1.4.Лабунцов В. А., Тугов Н. М. Динамические режимы эксплуатации мощ ных тиристоров. М .: Энергия, 1977.
1.5.Кузьмин В. А., Мустафа Г. М., Минасян В. Л. Моделирование переход
ного процесса |
выключения тиристора// |
Электротехническая промышленность. |
Сер. Преобразовательная техника. 1978. |
№ 3. С. 7— 9. |
|
1.6. Кузьмин В. Л . Математические модели силовых быстродействующих ти |
||
ристоров для |
автоматизированного проектирования// Электротехника. 1978. № 7. |
1.7. Системы автоматизированного проектирования. В 9 кн. И. П. Норенков. Кн. 1. Принципы построения и структура. М.: Высшая школа, 1986. 127 с.
Кгл. 2
2.1.Кузьмин В. А. Тиристоры малой и средней мощности. М.: Советское радио, 1971.
2.2.Van Overstracten R., De Man H. Measurement of the ionisation rates in
diffused |
silicon p-n |
junctions// Sol.-St. Electron. 1970, |
№ 5. |
P. 583— 607. |
2.3. |
О коэффициентах ударной ионизации электронов и дырок в кремнии/ |
|||
B. А. |
Кузьмин, Н. |
Н. Крюкова, А. <С. Кюрегян и |
др .// |
ФТП. 1975. № 4. |
C.735— 739.
2.4.Определение коэффициентов ударной ионизации в кремнии в мощных •СВЧ-полях./ И. В. Грехов, А. ф. Кардо-Сысоев, А. В. Крикленко, С. В. Шенде-
рей// Тр. Всесоюз. конф. по физике полупроводников. Баку: ЭЛМ. 1982. Т. 2. С. 151— 152.
2.5. Ionisation rates of |
holes and electrons in silicon,/ C. A. Lee, R. A. Logan |
|
.and oth.// Phys. Rev. 1964. |
Vol. 134A, №> 3. P. 761— 765. |
|
2.6. Расчет силовых |
полупроводниковых |
приборов/ П. Г. Дерменжи, |
В. А. Кузьмин, Н. Н. Крюкова и др. Под ред. В. А. Кузьмина. М.: Энергия, 1980. _2.7. Юрков С. Н. Исследование физических процессов в кремниевых много слойных структурах, разработка математических моделей и пакета программ для автоматизации проектирования силовых тиристоров: Автореф. дис. на соиск.
учен, степени канд. техн. наук/ ВЭИ им. В. И. Ленина. 1982. |
|
|
|
2.8. Raderecht Р. S. A review of the |
shorted emitter principle |
as |
applied to |
p-n-p-n silicon controlled rectifiers// Int. |
J. Electronics. 1971. № 6. |
P. |
541— 564. |
2.9. Дерменжи П. Г., Думаневич A. H.- Эффективность технологической шун- |
|||
тировки эмиттерного п+-р перехода в тиристорах// Радиотехника |
и |
электрони |
ка. 1973. № 4. С. 844— 850.
2.10. Burtscher I., Spenke Е. Kurzschluflemitter und Thyristorziindung// Sie mens Forsch. 1974. Nb 4. S. 2 3 4 -2 4 7 .
2.11. Расчет напряжения переключения тиристоров с учетом технологической
шунтировки катода/ В. |
А. Кузьмин, С. Н. Ю рков, А. Г. Тандоев, Е. Л. Бала |
||||
ш ов а // Электротехника. |
1988. № 7. С. 25— 27. |
|
|
|
|
2.12. Расчет напряжения |
загиба мощных |
высоковольтных |
тиристоров/ |
||
Ю. А. Евсеев, А. В. Конюхов, |
В. А. Кузьмин, Ю. М. Л октаев// Электротехниче |
||||
ская промышленность. Сер. Преобразовательная |
техника. 1979. Вып. 5 |
(112) |
|||
С. 9— 11. |
|
|
|
|
|
2.13. Kokosa R. A., Wolley |
Е. D. Design criteria Гог amplifying gates on trio- |
||||
de thyristors// Int. Electron Devices Meet., Washington, D. C. 1974. |
Techn. |
Dig. |
|||
New York, 1974. P. 431— 434. |
с дополнительным |
«плавающим» или |
с дополни |
||
2.14. Включение тиристора |
тельным «закороченным» эмиттером/ В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Гре хов и др.// Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная тех
ника, 1975. Вып. 9 |
(68). С. |
5— 7. |
|
управления р-п-р-п |
2.15. Дерменжи |
П. Г., |
Евсеев Ю. А. Статические токи |
||
структур большой площади// Радиотехника и электроника. |
1972. Т. 17, № 11. |
|||
С. 2365— 2373. |
|
|
|
|
2.16. Дерменжи П. Г. Статические токи управления р-п-р-п структур, обла |
||||
дающих цилиндрической |
симметрией// |
Электротехническая |
промышленность. |
|
Сер. Преобразовательная техника. 1974. |
Вып. 2 (49). С. 5— 6. |
2.17.Дерменжи П. Г. Статические токи управления тиристоров с регенера тивным управляющим электродом/ Тр. ВЭИ им. В. И. Ленина. Силовое полу проводниковое приборостроение. 1980. Вып. 90. С. 57—^66.
2.18.Дерменжи П. Г. Температурная зависимость статических токов управ ления р-п-р-п структур большой площади// Электротехническая промышленность. Сер.. Преобразовательная техника. 1976. Вып. 6 (77). С. 1— 3.
2.19.Fulop W., Baxter Р. Е. Gate current flow in cylindrical Thyristors with
partially shorted cathodes — Two and three terminal operation |
with inner |
and |
outer |
gate con figu ra tion -T u rn -on area// Solid-State Electronics. |
1983. V. |
26, |
JY° 8. |
P.777—785.
2.20.Грехов И. В., Лннийчук И. А. Тиристоры, выключаемые током управ ления. Л.: Энергоиздат, 1982.
2.21.Евсеев Ю. А., Дерменжи П. Г. Силовые полупроводниковые приборы. М.: Энергоиздат, 1981.
2.22.Hauser J. R. The effect of distributed base potential on emitter-current injection effective base resistence for stripe transistor geometries// IEEE Trans. Electron Devices. 1964. V. ED-11, l№ 5. P. 238— 242.
2.23.Варламов К- В., Осипов В. В. Шнурование тока в многослойных струк
турах// ФТП. 1969. Т. 3, № 7. С. 950— 958.
К гл. 3
3.1. Ламперт М.р Марк Т. Инжскционные токи в твердых телах. М.: Мир. 1973.
3.2.Адирович Э. И., Карагеоргий-Алкалаев П. М „ Лейдсрман А. Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Советское радио, 1978.
3.3.Зюганов А. Н., Свечников С. В. Инжекционно-контактные явления в
полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1981.
3.4. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978.
3.5. Kokosa R. A. The potential and |
carrier |
distribution of a p-n-p-n device in |
the on-state// Proc. IEEE. 1967. V. 55, № |
6. P. |
1389— 1400. |
3.6.Блихер А. Физика тиристоров. Л.: Энергоиздат, 1981.
3.7.Блэкмор Дж.. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. М.: Мир, 1964.
3.8. |
Tyagi М. |
S., Van |
Overstraeten R. M inority carrier recombination in hea |
||||
vily doped silicon// Solid-State Electronics. 1983. V . 26, № 6. |
P. 577— 597. |
|
|||||
3.9. Вайткус Юп |
Гривицкас |
В. Зависимость |
интенсивности |
зонно-зонной |
|||
оже-рекомбинации от |
концентрации носителей в |
кремнии// |
ФТП. |
1981. |
Т. 15, |
||
№ 10. |
С. 1894— 1902. |
|
|
|
|
|
|
3.10. Грибников 3. |
С., Мельников В. И. Электронно-дырочное рассеяние в |
||||||
полупроводниках при |
высоком |
уровне' инжекции// ФТП. |
1968. |
Т. 2, |
№ 9. |
||
С. 1352— 1363. |
|
|
|
|
|
|
270