книги / Справочник по расчету режимов работы электрических конденсаторов
..pdf_^5 Ti |
f1 P( %i )1ГеХрЛV*~*в!+ <B2\ |
||||||
" « ' с , - e x p ( - ^ ) |
|
l |
1 |
X‘ |
j |
||
|
|
|
|
|
|
я н ; |
|
+ exp |
|
X+ H A + HB |
_______ :____ |
X |
|||
|
(-m |
|
" M |
2 |
(tl + *b*> |
|
|
|
|
1 + " м Г |
|
||||
[1 + exp (-Щ Ч- |
*B1 + *c + |
^B2 |
|
||||
|
|
|
*)+”PKT)]+ |
+ H t 2 [ , _ e lp ( _ ^ ) J
[■-°>(-^)1[I-“II(—V s)!, ад
+
1 — exp I |
( t'“ ) |
■ ~ i - % ) |
|
« V * |
|
8(<ф+я*тЭ |
|
Выражение |
|
(2 63) |
отличается от классической формулы мощно |
|||||||
сти потерь в конденсаторе |
при |
воздействии синусоидального |
напряже |
|||||||
ния и при представлении |
конденсатора |
последовательной |
схемой за |
|||||||
мещения только наличием |
коэффициентов 8 или 4 в знаменателе, кото |
|||||||||
рые появились вследствие |
того, что в конкретном случае через 1/р обо |
|||||||||
значена двойная |
амплитуда (или размах) исходного |
гармонического |
||||||||
колебания (рис. |
2.12). |
|
убедительно |
показывает* |
что |
описанные |
||||
Последняя |
|
операция |
||||||||
аналитические |
методы |
расчета |
потерь |
находятся |
в |
полном |
соответ |
|||
ствии с общей |
теорией |
диэлектрических |
потерь и |
являются |
дальней- |
Рис. 2.13. Зависимость коэффициента потерь N ц |
в устано |
вившемся режиме в t-м релаксаторе при действии |
трапецеи |
дальных импульсов с косинусоидальным изменением напряже ния на фронте и спаде
цдим ее развитием применительно к несинусоидальным режимам рабогы конденсатора.
Расчетные формулы коэффициента потерь Nц для наиболее часто встречающихся в практике форм импульсов приведены в табл. 2.3 [23].
Процесс определения значений N{lt а следовательно, и Дгх для конденсатора в целом, можно значительно упростить, если восполь зоваться предварительно рассчитанными на ЭВМ значениями Nilt представленными в виде номограмм. Так, например, для импульсного напряжения' трапецеидальной формы с косинусоидальным законом изменения фронта и спада [формула (2.61)J, введя обозначения (*и —
— / ф ) / х£ = х, |
(*и - - * ф ) / * ф = |
а , |
получим |
формулу |
коэффициента Nn в |
|
удобном для |
расчета виде |
|
|
|
|
|
|
N‘l = 2 ( 1 + |
ха/а2я 2) {(1 + *2/а2л 2) Х |
|
|||
|
w (ех р х /а+ 1) [exp (а — 1) х /а — Ц |
, х \ |
(2 б41 |
|||
|
Х |
(ехрлг+1) |
|
^ 2а)’ |
|
|
По формуле (2.64) было рассчитано |
семейство |
кривых |
N(x = f(x) |
при разных значениях а == const, показанное на рис. 2.13.
92
3. РАСЧЕТ ПОТЕРЬ В ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ КОНДЕНСАТОРАХ
Спецификой работы высоковольтного импульсного конденсатора является две стадии* электрического нагружения — зарядка и разряд ка. Стадии нагружения отличаются временем воздействия напряжения на изоляцию конденсаторов, временными и амплитудными значениями токов, протекающих через конденсатор.
В зависимости от функционального назначения импульсный кон денсатор может эксплуатироваться в режимах:
1) одиночных импульсов либо импульсов, следующих с большим интервалом (единицы секунды и более); 2) пакета одиночных импуль-
u/U0;i/io
увф ~ ^ ~ Ч=? [ ^ С |
/ |
\ |
/
V й i \
* * __ /__
\ |
'u |
|
|
|
|
|
|
|
f |
A |
|
|
|
|
|
|
|
L |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Г |
Рис. |
2.14 |
Схема и |
кривые |
заряда |
|||
|
||||||||
|
конденсатора от |
источника |
постоян |
|||||
|
ного напряжения |
и |
зависимость на |
|||||
h |
пряжения |
(тока) |
на |
нем |
при |
заряде |
||
t/Tt |
через |
резистор |
(а, |
б) |
и |
зарядный |
||
дроссель |
(в, г) |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
сов с высокой частотой следования импульсов внутри пакета и с боль шим интервалом между пакетами импульсов; 3) непрерывной последо
вательности |
импульсов с высокой |
частотой следования |
импульсов. |
|||
|
Для зарядки высоковольтного |
импульсного конденсатора исполь |
||||
зуются источники питания постоянного, |
переменного и выпрямленного |
|||||
напряжения, |
а также |
постоянного |
тока |
и импульсного |
напряжения |
|
[29, |
421. |
|
питания определяется функциональным назна |
|||
|
Выбор источника |
чением высоковольтной импульсной установки, частотой следования импульсов, продолжительностью зарядки и КПД зарядного устройства.
При зарядке конденсатора от источника постоянного напряжения через зарядный резистор (рис. 2.14, а) напряжение и ток (рис. 2.14, б)
и = |
и0[1 — exp |
( — tlт)]; |
I = u j R exp |
( — t/т) = |
i0exp ( — t/т). |
Эти схемы применяются в технологических и электрофизических уста новках с малой частотой следования импульсов (один разряд за десят ки секунд), несмотря на низкий КПД этой схемы (менее 60 %).
При зарядке конденсатора от источника постоянного напряжения через зарядный дроссель L (рис. 2.14, в) напряжение и ток (рис. 2.14, е) будут:
и = «о |1 — ехр (—0,56(o0t) cos(o0iJ; i = UQ/Z exp (—0,56o)0f) sin co0tf
г д е Z = V W \ « = RfZ\ |
=* 1 / V"LC. |
93
В момент коммутации зарядное напряжение иа конденсаторе
«к = “о Г1+ ехР (—0,55я)] ^ 2 и 0 (1 — бя/4).
Напряжение па конденсаторе при малых потерях в контуре заря да (6 — мало) может достигать 2t/0, КПД — более 90%, однако из-за высоких массогабаритных характеристик зарядного дросселя такие схемы применяются при частоте следования импульсов десятки— сотни герц.
Схема резонансного заряда конденсатора через зарядный дроссель L от источника переменного напряжения и =«[/мsin (<в/+ф) показана
на рис. 2.15, а. При частоте источника питания со, равной частоте собственных колебаний зарядного контура со0, и малом затухании
Рис. 2.15. Схема (а) и кривые заряда конденсатора (б, а) от источника пере менного напряжения через зарядный дроссель
в контуре напряжение на конденсаторе в процессе зарядки и ток через него
u = С/м [1 — exp (—601 cos а>0*/о)0#С; i = £/м [1 — ехр (—6/)] sin сo0t/R.
Коммутация конденсатора при разрядке должна производиться в момент времени, когда ток питающего напряжения проходит через нуль. На рис. 2.15, б, в показаны кривые напряжения иа конденсаторе и тока в нем, когда зарядка производится в течение первого периода напряжения питания, КПД схемы более 80 %. Эти схемы применяют ся при частотах следования импульсов десятки—сотни герц. Основ ное преимущество схемы зарядки — отсутствие зарядного устройства, недостаток — необходимость точной синхронизации частоты и фазы питающего напряжения с частотой следования импульсов.
При зарядке конденсатора через резистор от источника выпрям ленного напряжения (однофазного с однополупериодным, двухполу- г.ериодным выпрямлением и трехфазной мостовой схеме) напряжение на конденсаторе и ток через него (рис. 2.16) определяются по форму лам
|
“ с р = а м П — ехр (—tfmT0)]\ |
|
||
|
1ср = |
(«м/й?) ехР (—^/тТ’о). |
|
|
где т — среднее значение |
коэффициента увеличения длительности за |
|||
рядки |
по сравнению с источником |
постоянного |
напряжения (т *» |
|
2 . . . |
3 — для однополупериодного, |
т = 4 . . , 6 |
Двухполупериод- |
94
ного и m = 1 л . . . 1,2 при мостовой трехфазной схеме вылрямленкя). КПД схемы зарядки составляет от 30 до 50 %. Зарядка конденса торов выпрямленным напряжением широко используется в мощных
емкостных накопителях энергии.
Разрядка высоковольтного импульсного конденсатора. Электри ческие нагрузки высоковольтного импульсного конденсатора по виду получаемой разрядной кривой тока (напряжения), протекающего че рез конденсатор, можно условно разделить на четыре группы.
К первой группе относятся конденсагоры, которые разряжаются на линейную нагрузку либо на на грузку, параметры которой несу-
Рис. 2.16. Зависимость напряже ния (тока) на конденсаторе при заряде однополупериодным напря жением за время периода
щественно изменяются в процессе разрядки. Это — индукторы (при магни!но-импульсной обработке металлов), соленоиды (в системах для создания силовых магнитных поле"й при электрофизических исследо ваниях), импульсные трансформаторы в модуляторах линейных уско рителей, изоляторы, электрические аппараты, трансформаторы (при испытаниях изоляции) и т. д. Разрядная кривая (рис. 2.17, а) харак теризуется отсутствием скачков.
Рис. 2.17. Зависимость напряжения (тока) на конденсаторе при раз ряде на линейную (а) и нелинейную (б) нагрузки при импульсном заряде (в) и частичном разряде (г)
Ко второй группе относятся конденсаторы, которые разряжают ся на нагрузку с резко изменяющимися параметрами в процессе раз ряда. При разрядке в жидкости (установки, использующие электрогидравлический эффект) сначала конденсатор разряжается на боль шое активное сопротивление промежутка (рис. 2.17, б) и ток разрядки мал, а после пробоя промежутка юк резко увеличивается. В уста новках, использующих взрыв тонких проводников или фольги, на пер вой стадии разрядка происходит па закороченный проводником про
95
межуток при значительном протекающем токе, а после взрыва про водника напряжение на промежутке резко возрастает, а ток сни жается.
К третьей группе относятся конденсаторы, работающие в схемах обострения импульсов напряжения или тока ГИНов или ГИТов. Спе цифика режимов работы этой группы состоит в импульсной зарядке конденсатора (за единицы микросекунд), затем в разрядке* на линей ную нагрузку, причем время спада тока (напряжения) может быть
больше времени |
зарядки |
конденсатора (рис. 2.17, а). |
|
|
в им |
||||
К четвертой группе относятся конденсаторы, работающие |
|||||||||
пульсном режиме в схемах |
с |
частичной |
разрядкой |
конденсаторов |
|||||
(рис. 2.17, г). |
схема высоковольтного |
импульсного |
конденсатора |
||||||
Эквивалентная |
|||||||||
представляет собой пассивный двухполюсник, состоящий |
из |
элемен |
|||||||
тов /?, L и С, соединенных таким образом, что реакция эквивалентной |
|||||||||
|
|
|
|
схемы |
на внешнее возмуще |
||||
|
|
Гп |
Го |
ние |
совпадает |
с реакцией |
|||
|
|
конденсатора на то же воз- |
|||||||
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
Рис. |
|
2.18. |
Эквивалентная |
||
|
|
|
|
схема |
токоведущих |
частей |
|||
|
|
|
|
конденсатора |
|
|
|
||
|
|
|
|
Рис. |
|
2.19. |
Эквивалентная |
||
|
|
|
|
схема |
развернутой |
конден |
|||
|
|
|
|
саторной секции |
при часто |
||||
|
|
|
|
тах, |
близких |
к резонансным |
мущение. Эквивалентная схема обычно строится таким образом, чтобы на основании анализа схемы можно было определяй распределение токов
и напряжений 6 конденсаторе как в процессе зарядки, так |
и |
в про |
цессе разрядки. |
на |
пере |
При построении схемы необходимо учитывать влияние |
ходный процесс в конденсаторе соотношения между эквивалентной длиной волны, соответствующей максимальному значению спектра воздействующего^ импульса, и геометрическими размерами секции конденсатора, существенное отличие времен зарядки и разрядки конденсаюра, что не исключает различное представление схемы замеще ния на стадиях зарядки и разрядки. Если геометрические размеры секции конденсатора таковы, что резонансная частота собственных ко лебаний секции существенно выше часюты колебаний тока в контуре
разрядки,*то полную эквивалентную схему конденсатора |
можно пред |
ставить в виде пассивного двухполюсника, состоящего |
из элементов |
Я, I , С (см. рис. 2.8, а). |
|
Сцелью удобства проведения вычислений при определении потерь
вэлементах конденсатора и установления мест выделения энергии, учитывая различную физическую природу потерь в металлических частях и диэлектрике конденсатора, полную эквивалентную схему за
мещения можно разделить на две схемы (см. рис. 2.8, в и 2.18). Схема замещения (рис. 2.18) позволяет определить потери в токо
ведущих частях конденсатора, т. е. в сопротивлениях выводов (гв), соединительных линиях (гш), контактных узлах (гк ), электродах ('о), металлическом корпусе (гвн).
Схема (рис. 2.8, в) учитывает потери в диэлектрике конденсатора и состоит из набора релаксаторов /?*С*. Если частота тока в контуре
96
разряда близка к собственной резонансной частоте секции конденсато ра, то эквивалентная схема замещения крнденсатора представляет со
бой линию (рис. 2.19) с потерями, коюрая характеризуется |
погонным |
|||
активным сопротивлением обкладок конденсатора (г, Ом/м), |
погонной |
|||
индуктивностью обкладок (L, |
Гн/м), |
погонной емкостью секции |
(С, |
|
Ф/м) и погонной проводимостью (g, |
1/Ом X м). |
|
опре |
|
Параметры эквивалентной |
схемы диэлектрика конденсатора |
|||
деляются по частотной зависимости |
tg6 = ф(со). |
|
|
Потери в диэлектрике импульсного конденсатора при зарядке и разрядке
Потери в импульсном конденсаторе при зарядке определяются потерями в диэлектрике конденсатора (Рп д 3), которые составляют
95—97 % от общих потерь, и потерями в металлических частях кон денсатора, составляющими 3—5 % от общих потерь 123, 35]. Потери в диэлектрике конденсатора при зарядке определяются потерями в со противлении изоляции конденсатора сквозному току
т3
Рп.д.о = т ^ j
где Т3— время заряда, и потерями в сопротивлениях отдельных релак саторов схемы замещения
тя
|
|
|
п. д. Г |
L |
f |
dt. |
|
|
|
|
|
|
|
|
T 3R i |
|
|
|
|
Потери в диэлектрике |
конденсатора за один цикл зарядки |
|
|||||||
|
|
Рп.д.з = |
Р п .д О + £ |
Ра. # |
(2.65) |
||||
|
|
|
|
|
|
t*=l |
|
|
|
При зарядке |
конденсатора |
через резистор |
напряжением вида ы = |
||||||
= UM[1 — ехр (—at)] |
коммутация конденсатора производится |
через |
|||||||
время Т3, равное трем—пяти постоянным времени заряда, а потери |
в ре |
||||||||
зисторах R0 и |
эквивалентной |
схемы: |
|
|
|
|
|||
|
рп. ДО= |
(Vk/T3Ro) (Тв - |
1,5/а); |
(2 .6 6 ) |
|||||
|
р „. дI = |
(UlfitftTJ [ « / ( а |
+ |
т ,)] . |
(2 .67) |
||||
Тогда |
|
|
|
|
|
|
|
к |
|
ри. Д. 3 = (Им/W |
|
|
1.5/а) + |
|
|
|
|||
<Та - |
(^2м/2Г3) 2 Ct*/(а + т(). |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
м |
|
Энергия, запасаемая при зарядке всех конденсаторов схемы |
заме |
||||||||
щения, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
« 7 о = ^ [ 1 - е * р ( - « 7 3) р С / 2 .
4 6-398 |
97 |
Относительные потери в диэлектрике |
при зарядке |
|
|||||||
|
|
, 3= Pn . z . J 3Wo. |
|
|
|
||||
При зарядке конденсатора |
через |
индуктивность |
напряжением вида |
||||||
и = £/м (1 — cos сot) |
потери в диэлектрике |
конденсатора |
|
||||||
|
РП. Д. З=Е |
^ С ,/2 T3*t> i = |
|
|
|||||
|
|
i = I |
|
|
|
|
|
|
|
При этом относительные потери |
в диэлектрике конденсатора |
|
|||||||
|
|
Чд. 3 = |
|
£ |
С," |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i=1 |
|
|
|
|
Потери в диэлектрике конденсатора при зарядке через индуктив |
|||||||||
ность можно |
наши |
1 акже по |
формуле |
|
|
|
|
||
р п. Д. 3 = |
(Uh/2n0T3) 0)С tg 6 = |
U fa /2T3n tg |
|
||||||
где n0— число циклов разрядки |
конденсатора |
в единицу времени |
|||||||
|
|
|
пQ= |
со/я. |
|
|
|
(2.68) |
|
Выражением (2.68) удобно |
пользоваться |
при определении |
потерь |
||||||
в диэлектрике |
при |
зарядке и частоте следования |
импульсов |
более |
|||||
10 Гц. Относительные потери |
при |
этом |
|
|
|
|
Чд. 3 = Я М<»-'
Потери в диэлектрике конденсатора при разрядке можно опреде лить аналогично определению потерь при зарядке на основании ана лиза эквивалентной схемы [23, 36]. Для определения мощности потерь от отдельных гармонических составляющих с последующим их сум мированием используют принцип суперпозиции. Тогда мощность по терь в диэлектрике конденсатора при разрядке с учетом того, что основ ная часть потерь в диэлектрике обусловлена релаксационными потеря ми, определяется выражением
|
|
Р п . н . р - Р о / л С 'Х |
\ S k \*tg6k/k, |
(2.69) |
||||
|
|
|
|
&=1 |
|
|
|
|
где |
F0— частота |
следования |
импульсов; |5 ^ | — модуль спектральной |
|||||
функции импульса |
тока k-й гармоники. |
|
|
(2.69), можно пе |
||||
|
Для вычисления суммы, входящей в выражение |
|||||||
рейти к интегральному |
выражению |
суммы, причем при таком пере |
||||||
ходе |
относительная погрешность не |
будет превышать 3 %. Тогда |
||||||
|
Р |
~ |
F_ o jT 1S |
k |
+ |
12 |
Х |
|
|
|
п. д. Р ~ |
JtC |
[J |
dk + |
|||
|
|
|
|
Q |
|
|
|
|
|
XISf^ lI2 —tg 6l +I |
~^ ^— |
1\Ъ2S \I2 |
^ |
^ ^31 |
При колебательном характере разрядки, когда i — *0ехр( — б /) sin©/, потери в диэлектрике конденсатора можно определить заменой
98
Отдельных частей колебательного разряда частями синусоиды длиteльнocтью, равной половине периода колебательной разрядки,
р п. я . |
Р = ^ С /4 я Г р tg ба (Д« - |
1) (4яа - |
In* Д)/Д» In Д, |
|
где Д = |
6/2; |
п — число полупериодов |
кривой |
разряда. |
При |
разрядке конденсатора на контур с |
пренебрежимо малыми |
потерями (активное сопротивление элементов внешнего контура разря да пренебрежимо мало) вся энергия, запасенная в конденсаторе, выде ляется в самом конденсаторе. В случае колебательного разряда на кон тур с соизмеримыми потерями в конденсаторе и во внешнем контуре потери в конденсаторе можно определить
Р п . Д . Р = (^«/Гр) In (ДА/Д0),
где |
Д0 — декремент колебаний в контуре разряда при отсутствии |
|
и при наличии потерь во внешнем контуре (величины |
и Д0 опреде |
|
ляются |
экспериментальным путем). |
|
Потери в электродах и выводах импульсного конденсатора
|
При определении мощности потерь в электродах конденсатора |
||
необходимо учитывать возможность |
неравномерного распределения |
||
тока |
по сечению электрода за |
счет |
явления поверхностного эффекта |
и неравномерность распределе- |
2.4. Глубина проникновения |
||
ния тока по длине электрода. |
|||
Влияние поверхностного эффек- |
электромагнитной волны |
||
та |
характеризуется глубиной |
Для разных металлов |
проникновения |
о электромаг |
|
|
О « |
||
нитной |
волны, |
при которой |
|
Удельное сопротив |
Я |
1 |
|
X |
35 |
||||
амплитуда волны падает в е раз. |
металл |
(У |
|
|||
ление ра, Ом • мм2/м |
|
|
||||
Глубину проникновения можно |
|
|
СП <о |
|||
найги |
по формуле |
|
|
|||
|
|
|
|
|||
6 == (Ю0/2л) Ypdfpr* |
Медь |
0,0175 |
2,11 |
|||
где ра — удельное сопротивле- |
Алюминий |
0,030 |
2,75 |
|||
Латунь |
0,075 |
4,35 |
||||
ние материала электрода, Ом X |
Олово |
0,12 |
5,50 |
|||
X мм2/м; f — частота, кГц; рг— |
Железо |
0,1 при рг = 200 |
0,355 |
|||
относительная |
магнитная про |
|
0,67 при рг=2000 |
0,29 |
ницаемость материала электро-
дов.
В табл. 2.4 [19] приведены значения глубины проникновения металлов, применяемых в конденсаторосгроении. Если толщина элек трода (do6) меньше глубины проникновения, можно считать, что ток
по сечению электрода распределяется равномерно. Неравномерность распределения тока по длине электрода определяется конструкцией секции конденсатора и месгом расположения токопроводов от электро дов. При проведении расчетов по определению потерь неравномерность распределения тока по длине электрода учитывается введением экви валентного сопротивления гэ, которое определяется из выражения
/
= l/7m Jri%М dx*
О
4* |
9Э |
где r = |
2pa I/6do6; |
b — ширина электрода; do6 — толщина электрода; |
» — ток, |
протекающий""через сечение электрода на расстоянии (/ — х) от |
|
места расположения |
вывода; / — длина электрода. |
Мощность потерь в электродах в импульсном режиме определяет ся по формуле
р п .. = 1//„ J rjHOdt .
О
Тепловые потери в выводах конденсатора должны рассчитываться с учетом поверхностного эффекта. Для выводов из двух проводников со встречным направлением тока сопротивление Rm можно найти по фор
муле [16] # ш = ]/Ч я/ра/р0 L'm1 где Ащ — погонная индуктивность оши
новки, Гн/м.
Для двух коаксиально расположенных проводников при резком по верхностном эффекте [16] L'm = (р0/2я) In (д/р), где q и р — внутренний
радиус наружного цилиндра и радиус внутреннего цилиндра.
Для двух параллельно расположенных проводников круглого се чения радиуса г с расстоянием между осями d погонная индуктивность
|
|
|
^ |
= |
(р0/2я) Arch [(d2-r2)/2r2]. |
|
|
|
|||||||
|
Для двух тонких шин сечения b (толщина шины) на с (ширина ши |
||||||||||||||
ны) при весьма высокой частоте |
L'm = р |
(d — b )/с, где d — расстоя |
|||||||||||||
ние между осями шины. |
|
конденсаторной |
секции, |
когда |
собственная |
||||||||||
|
Потери |
в электродах |
|||||||||||||
резонансная |
частота |
колебаний секции со/ соизмерима с |
частотой вы |
||||||||||||
нужденных колебаний тока со в контуре разрядки, определяются |
с уче |
||||||||||||||
том |
неравномерности |
распределения тока по линии (рис. 2.19), |
пред |
||||||||||||
ставляющей |
эквивалентную схему |
замещения |
секции |
конденсатора |
|||||||||||
[21]. |
Параметры |
этой |
эквивалентной схемы |
|
|
|
|
||||||||
|
|
1 = |
М |
|
и |
зС |
= |
2e0e6/6H3; |
Я = 2со С |
tg 6, |
|
|
|||
где jx0 = 4я • 10~7, Гн/м; |
е0 = |
8,851 • 10~12; |
Ф/м, |
биз—-толщина |
изоля |
||||||||||
ции, |
м. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
вынужденных |
колебаний © |
|||
|
При колебательном разряде с частотой |
||||||||||||||
потери в электродах секции конденсатора |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
ра |
|
|
а |
Л |
|
|
sin 2оЛ (А'1— 1) (4л2 + |
In2 А) |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2а |
/ |
|
Д"1пД |
|
|
|
где a = со/©/; © /= |
1 iV L C l; |
In Д |
я / ? к/Гк©; /?к, |
^ — сопротивление |
|||||||||||
и индуктивность в контуре разряда. |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
Относительные потери в электродах |
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
_г |
I f C |
, |
a 3 |
/ |
|
sin 2a\ (A” — 1) (4я2 + |
In2 A) |
|
|||||
|
»1эл2л5 |
V |
L |
1(oS2a V |
|
2a |
) |
|
|
Д" In Д |
|
|
100