*Алфавитный указатель

База 23, 47

Барьер Шоттки 19

Блокинг-генератор

— с трансформатором на ненасыщаю-

щемся сердечнике 479

— с трансформатором на сердечни* ке с прямоугольной петлей гистере­зиса 486

Варикапы 45

Видеоусилители 326

Время диэлектрической релаксации 14

Время жизни носителей заряда 7» 8

Генераторы импульсов 445

Генераторы линейно-нарастающего напряжения 467

Генераторы синусоидальных колеба­ний 292

— с кварцевой стабилизацией ча­стоты 312

- типа LC 297

— типа RC 304

Генераторы ступенчата изменяющего-.!

ся напряжения 476

Динисторы 67

Диоды 36

— выпрямительные 33, 39

— импульсные 39

— туннельные 42

— Шоттки 40

Дифференцирующие цепи 336

Диффузионная длина 7

Емкость р-л-перехода 29

— барьерная 29, 30

— диффузионная 29, 30

Запас устойчивости 137, 138

Заряд базы 361

Зона 6

— запрещенная 6

— проводимости 6, 8

— разрешенная 6

Иммерсионная среда 116

Индуктивности интегральных микро­схем 90

Инжектор 63

Инжекция 23

Интегральные микросхемы 85

Интеграторы 326, 330

Искажения в усилителях 121, 122

— нелинейные 127

— фазовые 125

— частотные 125

Исток 72

Канал 72

Катодное распыление 35

Ключи

— диодные 346

—■ на МДП-транзисторах 375

— на полевых транзисторах 370

— насыщенные 352

—- ненасыщенные 369

- транзисторные 352

Коллектор 47

Компараторы напряжения 441

Компенсация дрейфа нуля усилите­лей 266

Конденсаторы интегральных микро­схем 88

Конденсаторы электролюминесцент­ные 97

Контактная разность потенциалов 22

Концентрация носителей зарядов 11, 12

Коэффициент лавинного умножения 32

— усиления 130 ,

Логические элементы 400

— на МДП-транзисторах 414

— типа ГТ Л 406

— типа ЭСТЛ 411

Ловушка 13

Масса эффективная 11

Напряжение смещения нуля 240

Напыление вакуумное 35

Обратная связь в усилителях 128

— местная 128

« общая 128 ₍

— отрицательная 129

— положительная 129

Ограничил ели на пассивных элемен­тах 388

- — диодные 389

— на операционных усилителях 395

Одновибраторы на основе логиче­ских элементов 445

Одновибраторы на основе операци­

онных усилителей 452

Оптроны 115

— аналоговые 119

— диодные 117

— пленочные 117

— резисторные 119

—- транзисторные 118

Параметры

— биполярных транзисторов 62

— варикапов 45

— диодов выпрямительных 39

— диодов импульсных 40

— полевых транзисторов 84

— стабилитронов 42

— тиристоров 71

— туннельных диодов 44

— фотодиодов 109

— фоторезисторов 104

— фототранзисторов 113

Передача импульсов через /?С-цепи 344

Переходные процессы в диодном ключе 350

Переходные процессы в ключах на

МДП-транзисторах 384

Переходные процессы в ключах иа

полевых транзисторах 38

Переходные процессы в транзистор­

ном ключе 364

Переходы электрические 17, 28

— металл — полупроводник 17

- несимметричные 20

— симметричные 20

— типа п4 28

—• типа п*-п 28

— типа p-i 28

— типа р-п 20

— типа р+-п 28

Подвижность 14

— дырок 14

— электронов 14

Подложка 78

Полупроводник 5

- вырожденный 9

— с собственной электропроводно­стью 7

— с электропроводностью я-типа 10

— с электропроводностью р-типа 9

Пороговое напряжение 80

Потенциал 12

- верхней границы валентной воин 12

— нижней границы зоны проводишь сти 12

— температурный 12

— электростатистический 12

Поток световой пороговый 10в Преобразователи сопротивленяе -i фаза 255 Преобразователи уровня 413 Преобразователи электрических яг» налов 250 Прерыватели транзисторные 358 Примеси 8

— акцепторные 9

— донорные 10 •

Пробой р-я-перехода 31

— лавинный 32

— тепловой 32

— туннельный 31

Режимы работы активных элементов 139

— А 139

- В 140

— С 140

~ Д 141

Резисторы интегральных микросхем

80

Рекомбинация 7

— межзонная 13

- поверхностная 14

— через ловушки 13

Релаксация фотопроводимости 103

Световоды 116

Светодиоды 98

Сток 72

Температурная стабилизация усили­телей 149, 150

Тиристоры 66

— неуправляемые (динисторы) 67

- управляемые (тршшсторы) 69

Ток диффузии 16

Ток дрейфа 8, 16

Травление 36

Транзисторы 46

— биполярные 46

— интегральных микросхем 90

— полевые со структурой металл — диэлектрик — полупроводник 77 — полевые с управляющим ^-«-пере­ходом 72

— с инжекционным питанием 63

— схемы включения 55, 56

— эквивалентные схемы 53

Триггеры 417

Триггеры насыщенные 419 — ненасыщенные 419 ⁴ * с эмиттерной связью 434 — ЯС-типа 422 ~ D-типа 424

— R-гипа 428

- Е-типа 428

— S-типа 428

— TV-типа 428, 430

— Т-типа 429

— JK-типа 430 — DV-типа 428

Укорачивающие цепи 341

Уровень Ферми 11

Усилители многокаскадные 233

• в интегральном исполнении 225

— вычитающие входные сигналы 254

• инвентирующие входной сигнал 252

• операционные 233 ,

• с единичным коэффициентом уснч ления 252

• с избирательными свойствами

• суммирующие входные сигналы 253

— управляемые внешними сигналам ми 247

— устойчивость 280

Усилительные каскады

г- выходные бестрансформаторные 213

— выходные двухтактные 207

— выходные однотактные 202

г- дифференциальные 180

■— каскодные 188

— на основе управляемых источни­ков тока 191

— с общей базой 171

— с общим коллектором 173

— с общим стоком 159

— с общим эмиттером 162

— с трансформаторной связью 196

— с эмиттерной связью 178

Условие электронейтральности 15

Формирователи напряжения 437

Фотодиоды 106

Фотолитография 36

Фотоприемники 102

Фоторезисторы 102

Фототиристоры 115

Фото транзисторы 111

Фотоэффект 102

- в запирающем слое 102

— внешний 102

— внутренний 102

Характеристика ампер-яркостная $6

Характеристика вольт-ампериая 26

— диодов германиевых 38

— диодов кремниевых 38

*• лавинного фотодиода 1Ц

— обращенного диода 45

•— стабилитрона 41

— тиристора диодного 68 тиристора симметричного 70

— тиристора триодного 69

« туннельного диода 41

• — фотодиода 107

• — фоторезистора 104

• - фототранзистора 112

• фототиристора 115

Характеристика вольт-фара дна я 30

.Чувствительность фоторезисторов 105

Ширина запрещенной зоны 11

Эквивалентная схема

— варикапа 46

• диффузионного резистора 87

~ конденсатора интегральных мик-* росхем 89

— светодиода 99

• — транзистора биполярного с ин­

жекционным питанием 65

• транзистора включенного с ОБ (малосигнальная) 59

— транзистора включенного с ОЭ (малосигнальная) 59

— транзистора идеализированного биполярного 51

— транзистора для постоянного то­ка, включенного с ОБ 54.

— транзистора для постоянного то­

ка, включенного с ОЭ 57

• транзистора полевого типа МДП 83

• транзистора полевого с управляю­

щим р-п-переходом 76

Экстракция 27

Эмигтер 23

Эпитаксия 3