- •© Издательство «Высшая школа», 1982предисловие
- •Полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •Электропроводность полупроводников
- •Основные свойства и характеристик» полупроводников
- •Электрические переходы
- •1.7. Несимметричный р-л-пере- ход:
- •1 10. Энергетическая зонная диаграм-
- •Особенности и получение реальных р-п-переходов
- •Ние тока при изменении полярности напряжения (б):
- •Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Импульсные диоды
- •Полупроводниковые стабилитроны
- •Туннельные диоды
- •Варикапы
- •Биполярные транзисторы
- •Рнс. 1.26. Эквивалентная схема для постоянного тока транзистора типа р-п-р, включенного по схеме с об
- •Транзистора при эмиттерном управ- лении (схема с об) (а) и базовом управлении (б)
- •§1.8. Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •Тиристоры
- •Полевые транзисторы
- •Особенности компонентов электронных цепей в микроминиатюрном исполнении
- •Глава вторая элементы оптоэлектроники
- •Общие сведения
- •Управляемые источники света в цепях оптоэлектроники
- •Фотоприемники
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •(В) и частотные (г) характеристики
- •Фототранзисторы
- •Световоды и простейшие оптроны
- •Глава третья усилители электрических сигналов
- •Общие сведения об усилителях электрических сигналов, их основных параметрах и характеристиках
- •Основные положения теории обратной связи применительно к усилителям
- •Статический режим работы усилительных каскадов
- •Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •§ 3.5. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим эмиттером
- •Позволяет получить наиболее высокий коэффициент усиления по напряжению:
- •Имеет невысокое входное и относительно большое выходное сопротивление;
- •Вносит фазовый сдвиг 180° в диапазоне «средних; (рабочих) частот.
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общей базой
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим коллектором
- •§ 3.8. Усилительный каскад с эмиттерной связью
- •Дифференциальные усилительные каскады
- •Усилительные каскады с каскодным включением транзисторов
- •Управляемые источники тока и усилительные каскады на их основе
- •Усилительные каскады с трансформаторной связью
- •Мощные усилительные каскады
- •Многокаскадные усилители в интегральном исполнении
- •§ 4.3. Операционные усилители
- •Усилители, управляемые внешними сигналами
- •11 UbIlRi, 1% л# uBllB/r2.
- •£Cjrt Yi
- •Рио. 4.24. Схема сложного активного фильтра (а) и его лачх при снятии сигналов с вЧвыхода (б); нч-выхода (в); полосового выхода (г)
- •Нелинейные преобразователи электрических сигналов
- •Усилители с уменьшенным дрейфом нуля
- •Магнитоэлектронные преобразователи электрических сигналов
- •Выходного каскада усилителя магнитоэлектронного преобразователя (в)
- •.Устойчивость многокаскадных усилителен и коррекция их характеристик
- •Рнс. 4.37. Лачх первого звена (а) 'и лачх второго звена (б) усилителя
- •4.39. Лачх усилительного каскада аппроксимация экспериментально определенной лачх усилителя (б)
- •Глава пятая генераторы синусоидальных колебании
- •Общие сведения о генераторах синусоидальных колебаний
- •Генераторы типа lc
- •Генераторы типа rc
- •Автогенераторы с кварцевой стабилизацией частоты колебаний
- •Глава шестая линейные преобразователи импульсных сигналов
- •Общие сведения об импульсных процессах и устройствах
- •Пассивные линейные интегрирующие цепи
- •Интеграторы на основе операционных усилителей
- •, Рис. 6.15. Схема дифференцирующего устройства, применяемого на практике (а), и его лачх (б):
- •Укорачивающие цепи
- •Передача импульсов через rc-ц'епи
- •Глава седьмая электронные ключи
- •Диодные ключи
- •Рнс. 7.2. Схема диодного ключа, включенного в прямом направлении (а); зависимость распределения зарядов на базе от времени (б); характеристика переходных процессов в диодном ключе (в)
- •Транзисторные ключи
- •Транзисторные прерыватели
- •Анализ переходных процессов в транзисторе методом заряда базы
- •Анализ переходных процессов в транзисторном ключе
- •4 _ Циала (ж)
- •Ненасыщенные ключи
- •Транзисторные ключи на полевых транзисторах с управляющим р-л-переходом
- •— К'вост/'в нач
- •Ключи на мдп-транзисторах
- •Переходные процессы в ключах на полевых транзисторах с управляющим р-л-переходом
- •Переходные процессы в ключах на мдп-транзисторах
- •Глава восьмая нелинейные формирователи импульсов
- •§ 8.1. Ограничители на пассивных элементах
- •Ограничители на операционных усилителях
- •Общие сведения о логических элементах
- •Рис, 8.13. Передаточные характеристики неинвертирующего (а) и инвертирующего (б) логических элементов
- •Активные логические элементы
- •Триггеры
- •Триггер с эмиттерной связью
- •Формирователи напряжения прямоугольной формы на основе оу
- •Компараторы напряжения
- •Генераторы импульсов
- •Одновибраторы на основе логических элементов
- •А * с повышенной длительностью выходного импульса; б — на основе rs-триггера; в — с повышенной длительностью выходного импульса и малой длительностью стадии восста* новления
- •Одновибраторы на основе операционных усилителен
- •Мультивибраторы на основе логических элементов
- •«Вх! —Uaep — £ /вх Ai Al „ ,d 6 их л1
- •Генераторы прямоугольного напряжения на основе операционных усилителей
- •Генераторы линейно н ступенчато изменяющихся напряжений а
- •Размахом выходного напряжения Umi
- •Длительностью рабочего хода т9;
- •Длительностью обратного хода или временем воовтановления Tj
- •Рве. 9.14. Структурная (а) в принципиальная (б) схемы глин с кон- денсаторной ос в его диаграмма вапряжений(в)
- •Рис, 9.17. Принципиальная (в) я эквивалентная (б) схемы блэ- иинг-генератора
- •§ 9.7. Блокииг-генератор с трансформатором на сердечнике с прямоугольной петлей гистерезиса
- •Заключение
- •Литература
- •*Алфавитный указатель
- •4Оглавление
§ 9.7. Блокииг-генератор с трансформатором на сердечнике с прямоугольной петлей гистерезиса
В ряде случаев в импульсных трансформаторах, работающих в схемах блокинг-генераторов, используют ферромагнитные сердечники с прямоугольной петлей гистерезиса (ППГ). При этом основной прин
цип работы блокинг-генератора остается тем же, что и в случае использования в трансформаторе ненасыщающегося сердечника. Одна-
вызванных наличием сердечника с ППГ, поэтому принципиальная схема БГ на сердечнике о ППР (рио. 9.20) несколько отличается от схемы БР, рассмотренной в предыдущем параграфе.
В исходном состоянии транзистор Т, так же как и в БР с нена- сыщающимся сердечником, заперт напряжением, приложенным к базе транзистора. В этом состоянии в его коллекторной цепи протекает ток /кво- Ферромагнитный сердечник а ППР находится в состоянии, характеризуемом индукцией —В., (рис. 9.20, а), которая обусловлена постоянным током /см, подаваемым в обмотку 4. Этот ток создает намагничивающую СИЛУ Рем = /0MW\, которая вызывает появление напряженности магнитного поля
I //ом I ^ I Н> I •
Для восстановления действия положительной обратной связи необходимо открыть транзистор и перевести рабочую точку на ППГ в область Н > Hv Если Н < Hi, изменение индукции при изменении Н незначительно. В идеализированном сердечнике вообще можно считать эту прямую параллельной горизонтальной оси. Следовательно, на плоском участке петли гистерезиса dB/dH -> 0 и в обмотках трансформатора, при изменении напряженности магнитного поля Н со скоростью dH/dt, э. д. с. практически не наводится. Коэффициент ОС на этом участке имеет малое значение, и условия возникновения регенерации не выполняются.
Для восстановления положительной ОС необходимо, чтобы намагничивающий jok создал в сердечнике напряженность
На^Н,+ Hv
На основании закона Ома для магнитной цепи j = (Ht + H^UWlt где I — средняя длина магнитопровода сердечника.
Если не учитывать ток нагрузки, то в момент, восстановления положительной ОС коллекторный ток должен превышать ток намагничивания на величину тока базы, приведенного к коллекторной цепи: <к('п)=/+-^-/в(«.
Так как транзистор в этот момент времени находится в активной области, то ток базы определяется из уравнения
, ^z6(<n) ■
которое и определяет минимальный ток базы, отпирающий транзистор. Следовательно, источник запускающих импульсов должен обеспечить ток базы, определяемый из неравенства
Как только цепь положительной ОС восстановится, транзистор благодаря возникающему регенеративному процессу окажется в стадии насыщения. При этом ток базы транзистора можно считать неизменным в течение всего процесса, пока транзистор насыщен, т. е.
^б в («»— Е&1 (R«1 + ^б)»
где г8б—сумма сопротивлений эмиттерного перехода и базы насы- щенного транзистора.
Постоянное значение тока базы открытого транзистора является одним из существенных отличий от БГ с трансформатором на насыщающемся сердечнике.
Второе отличие заключается в том, что в течение времени, пока транзистор насыщен, ток через него изменяется незначительно. Это обусловлено магнитными свойствами материала сердечника, которые определяют форму петли гистерезиса.
При насыщенном транзисторе формируется вершина импульса ta.
Транзистор находится в насыщенном состоянии до момента, пока намагничивающий ток не создаст магнитную напряженность Н ^ Н„ т. е. / (/щ) = 2HtUWlt что соответствует коллекторному току
Gt (^и)в/Ги) +
В этот момент в обмотках трансформатора перестает индуциро* ваться напряжение, так как dBIdH -> 0. Транзистор выходит из на* сыщения, и действие положительной ОС восстанавливается. Начина* ется процесс регенерации и восстановления исходного состояния, ко* торые в целом аналогичны процессам, рассмотренным ранее.
Таким образом, в блокинг-геиераторе длительность импульса определяет не процесс зарядки конденсатора С, а характеристики ферромагнитного сердечника, имеющего ППГ. Такие БГ иногда называют L-генераторами.
Длительность выходного импульса определяют из выражения
tB » 2WtBsStEtt,
где S — сечение сердечника.
Блокинг-генераторы на сердечнике с ППГ позволяют формировать импульсы более стабильной длительности и получать постоянное значение импульса тока в нелинейной нагрузке. В этом их основные преимущества перед обычными блокинг-генераторами.
