- •© Издательство «Высшая школа», 1982предисловие
- •Полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •Электропроводность полупроводников
- •Основные свойства и характеристик» полупроводников
- •Электрические переходы
- •1.7. Несимметричный р-л-пере- ход:
- •1 10. Энергетическая зонная диаграм-
- •Особенности и получение реальных р-п-переходов
- •Ние тока при изменении полярности напряжения (б):
- •Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Импульсные диоды
- •Полупроводниковые стабилитроны
- •Туннельные диоды
- •Варикапы
- •Биполярные транзисторы
- •Рнс. 1.26. Эквивалентная схема для постоянного тока транзистора типа р-п-р, включенного по схеме с об
- •Транзистора при эмиттерном управ- лении (схема с об) (а) и базовом управлении (б)
- •§1.8. Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •Тиристоры
- •Полевые транзисторы
- •Особенности компонентов электронных цепей в микроминиатюрном исполнении
- •Глава вторая элементы оптоэлектроники
- •Общие сведения
- •Управляемые источники света в цепях оптоэлектроники
- •Фотоприемники
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •(В) и частотные (г) характеристики
- •Фототранзисторы
- •Световоды и простейшие оптроны
- •Глава третья усилители электрических сигналов
- •Общие сведения об усилителях электрических сигналов, их основных параметрах и характеристиках
- •Основные положения теории обратной связи применительно к усилителям
- •Статический режим работы усилительных каскадов
- •Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •§ 3.5. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим эмиттером
- •Позволяет получить наиболее высокий коэффициент усиления по напряжению:
- •Имеет невысокое входное и относительно большое выходное сопротивление;
- •Вносит фазовый сдвиг 180° в диапазоне «средних; (рабочих) частот.
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общей базой
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим коллектором
- •§ 3.8. Усилительный каскад с эмиттерной связью
- •Дифференциальные усилительные каскады
- •Усилительные каскады с каскодным включением транзисторов
- •Управляемые источники тока и усилительные каскады на их основе
- •Усилительные каскады с трансформаторной связью
- •Мощные усилительные каскады
- •Многокаскадные усилители в интегральном исполнении
- •§ 4.3. Операционные усилители
- •Усилители, управляемые внешними сигналами
- •11 UbIlRi, 1% л# uBllB/r2.
- •£Cjrt Yi
- •Рио. 4.24. Схема сложного активного фильтра (а) и его лачх при снятии сигналов с вЧвыхода (б); нч-выхода (в); полосового выхода (г)
- •Нелинейные преобразователи электрических сигналов
- •Усилители с уменьшенным дрейфом нуля
- •Магнитоэлектронные преобразователи электрических сигналов
- •Выходного каскада усилителя магнитоэлектронного преобразователя (в)
- •.Устойчивость многокаскадных усилителен и коррекция их характеристик
- •Рнс. 4.37. Лачх первого звена (а) 'и лачх второго звена (б) усилителя
- •4.39. Лачх усилительного каскада аппроксимация экспериментально определенной лачх усилителя (б)
- •Глава пятая генераторы синусоидальных колебании
- •Общие сведения о генераторах синусоидальных колебаний
- •Генераторы типа lc
- •Генераторы типа rc
- •Автогенераторы с кварцевой стабилизацией частоты колебаний
- •Глава шестая линейные преобразователи импульсных сигналов
- •Общие сведения об импульсных процессах и устройствах
- •Пассивные линейные интегрирующие цепи
- •Интеграторы на основе операционных усилителей
- •, Рис. 6.15. Схема дифференцирующего устройства, применяемого на практике (а), и его лачх (б):
- •Укорачивающие цепи
- •Передача импульсов через rc-ц'епи
- •Глава седьмая электронные ключи
- •Диодные ключи
- •Рнс. 7.2. Схема диодного ключа, включенного в прямом направлении (а); зависимость распределения зарядов на базе от времени (б); характеристика переходных процессов в диодном ключе (в)
- •Транзисторные ключи
- •Транзисторные прерыватели
- •Анализ переходных процессов в транзисторе методом заряда базы
- •Анализ переходных процессов в транзисторном ключе
- •4 _ Циала (ж)
- •Ненасыщенные ключи
- •Транзисторные ключи на полевых транзисторах с управляющим р-л-переходом
- •— К'вост/'в нач
- •Ключи на мдп-транзисторах
- •Переходные процессы в ключах на полевых транзисторах с управляющим р-л-переходом
- •Переходные процессы в ключах на мдп-транзисторах
- •Глава восьмая нелинейные формирователи импульсов
- •§ 8.1. Ограничители на пассивных элементах
- •Ограничители на операционных усилителях
- •Общие сведения о логических элементах
- •Рис, 8.13. Передаточные характеристики неинвертирующего (а) и инвертирующего (б) логических элементов
- •Активные логические элементы
- •Триггеры
- •Триггер с эмиттерной связью
- •Формирователи напряжения прямоугольной формы на основе оу
- •Компараторы напряжения
- •Генераторы импульсов
- •Одновибраторы на основе логических элементов
- •А * с повышенной длительностью выходного импульса; б — на основе rs-триггера; в — с повышенной длительностью выходного импульса и малой длительностью стадии восста* новления
- •Одновибраторы на основе операционных усилителен
- •Мультивибраторы на основе логических элементов
- •«Вх! —Uaep — £ /вх Ai Al „ ,d 6 их л1
- •Генераторы прямоугольного напряжения на основе операционных усилителей
- •Генераторы линейно н ступенчато изменяющихся напряжений а
- •Размахом выходного напряжения Umi
- •Длительностью рабочего хода т9;
- •Длительностью обратного хода или временем воовтановления Tj
- •Рве. 9.14. Структурная (а) в принципиальная (б) схемы глин с кон- денсаторной ос в его диаграмма вапряжений(в)
- •Рис, 9.17. Принципиальная (в) я эквивалентная (б) схемы блэ- иинг-генератора
- •§ 9.7. Блокииг-генератор с трансформатором на сердечнике с прямоугольной петлей гистерезиса
- •Заключение
- •Литература
- •*Алфавитный указатель
- •4Оглавление
Рве. 9.14. Структурная (а) в принципиальная (б) схемы глин с кон- денсаторной ос в его диаграмма вапряжений(в)
связь была отрицательной, число каскадов усилителя должно быть’ нечетным. Так же как и в предыдущем случае, необходимо, чтобы входное сопротивление усилителя было велико (Ли -* со), а выходное — мало (^?вых 0).
Рассмотрим, как влияет обратная связь такого типа на форму выходного напряжения. Будем считать, что источник напряжения дает постоянное напряжение Е. Тогда зарядный ток конденсатора, протекающий через резистор R,
(9.11)
Так как (—^Вых)~^вх> то] уравнение] (9.11)] перепишется в виде
ЕК^и^т /* {LKbsiZi^ ’/a tn\
После преобразований выражения (9.12) получим /?С(14-К) ^+®вых= — (9.13)
ас
Решение дифференциального уравнения (9.13) имеет вид ^«.-ffif.-.™). Р.И)
Из выражения (9.14) видно, что применение конденсаторной обратной связи приводит к увеличению постоянной времени цепи в 1 + К раз. Одновременно и уровень выходного напряжения увеличивается в К раз.;
Коэффициент нелинейности
ЯС (l-ьК)
а коэффициент использования напряжения к ^т .
Б~ Е ~1+К«С\
Таким образом, коэффициент нелинейности уменьшается приблизительно в 1 4- К раз по сравнению с £ для обычной ЯС-цепи. При этом даже при £< 1% Ке & 0,64-0,8.
Схема транзисторного генератора, в которой применена обратная связь рассмотренного вида, показана на рис. 9.14, б. Это транзисторный вариант широко известного интегратора Миллера.
В исходном состоянии транзистор Т2 закрыт положительным смещением Есм, поэтому /к2 (0) « 0 и :82 (0) = 0. Эмиттерный и базовый токи транзистора Д отличны от нуля:
41 (0) = /ci (0) = E/R,
т. е. в исходном состоянии транзистор Tt находится в режиме глубокого насыщения, а Т2— в режиме отсечки.
При подаче на вход отрицательного импульва ивх (рис. 9.14, в) транзистор Tt отпирается, а транзистор 7\ выходит из насыщения. Для обеспечения работы его в активном режиме необходимо, чтобы
«вх — «б2> that + «би
где и,в2 — напряжение между эмиттером и базой открытого транзистора Т2, «61 — потенциал базы транзистора Т2 в активном режиме.
Появившееся приращение тока 1к2 в первый момент времени практически полностью проходит через емкость С в базу транзистора 7*1 навстречу начальному току 1^ (0). Следовательно, в момент прихода запускающего импульса ток базы транзистора Тх изменится скачком: * ' .
<61 (4 Ю) = /б1 (0) - 1К2 (/Ч- 0).
Таким образом, под действием управляющего импульса, во-первых, появляется ток /К1 = /м, во-вторых, уменьшается ток 1^. Это способствует быстрому выходу из насыщения транзистора Ть который во время прямого хода работает в активном режиме.
Изменение тока базы транзистора Tt создает на резисторе R скачок напряжения, которые через конденсатор С передается на коллектор Ть вызывая скачок коллекторного напряжения порядка десятых до- лей вольт. Во время рабочего хода транзисторы 7\ и Та работают в активном режиме и представляют собой обычный усилитель.
Рис. 9.15. Схемы фантастрона на биполярных транзисторах (а) и диаграммы изменения его напряжений (б)
Коэффициент нелинейности в подобной схеме § « 0,5 4-1 %. Длительность выходного напряжения определяется длительностью входного сигнала.
Добавление к рассмотренной цепи порогового устройства позволяет получить линейно изменяющееся напряжение, длительность рабочего цикла которого не зависит от параметров запускающего импульса. Такой генератор линейно изменяющегося напряжения получил название фантастрона. Упрощенная схема фантастрона приведена на рис. 9.15, а. В состав схемы входят интегратор Миллера и дополнительный транзистор Т8, который совместно с транзистором Т3 образует триггер о эмиттерной связью. Роль резистора в эмиттерной цепи выполняет транзистор Т^ Диоды Дц Да предназначены для фиксации коллекторного напряжения «м на уровнях —Et и —E^ причем |£il > |Д«1-
В исходном состоянии транзистор 7\ открыт и насыщен, транзистор Тв закрыт, а транзистор Тв открыт и находится в активной области. Ток транзистора Т# полностью протекает через транзистор Tt. Потенциал эмиттера транзистора Г, близок к нулю. Конденсатор С заряжен до потенциала «в, равного —Ei (рис. 9.15, б).
При подаче короткого запускающего импульса положительной полярности на базу транзистора Та он будет отпираться, а транзистор 7\ выходит из насыщения в активную область. Это приводит к увеличению модуля напряжения ык1, которое является напряжением эмиттера транзистора Тв. Сопротивления резисторов Ra, R^ в базовой
цепи транзистора Tt подобраны так, что приращение эмиттерного напряжения и9я вызывает запирание транзистора Тя. При этом потенциал базы транзистора Га фиксируется на уровне, обевпечивающем работу транзистора Га в активной области. Строго говоря, потенциал изменяется во время цикла разрядки конденсатора.
Разрядка конденсатора С происходит аналогично тому, как это было в интеграторе Миллера, и продолжается до тех пор, пока потенциал коллектора транзистора Т, не достигнет значения —£а. В этот момент времени диод Д! открывается и потенциал коллектора транзистора Тг фиксируется на уровне —Et. Конденсатор С продолжает разряжаться. Так как нка = —Е2, то разрядка конденсатора приводит к уменьшению потенциала базы транзистора 7\ и быстрому увеличению базового тока транзистора Tt. Напряжение на коллекторе транзистора 7\ уменьшается по модулю и через короткий промежуток времени достигает значения, при котором происходит отпирание транзистора Т3. Затем вследствие действия положительной обратной связи происходит обратное опрокидывание транзистора Тя. Транзистор Т\ открывается и насыщается, транзистор Тъ закрывается. После зарядки конденсатора С до напряжения —Ei через резистор /?ка и сопротивление база—эмиттер транзистора Л схема возвращается в исходное состояние.
В последнее время ГЛИН часто выполняют с использованием интеграторов на ОУ. При применении в ОУ эффективных коммутационных элементов, разряжающих конденсатор, удается реализовать высокостабильные генераторы, нелинейности которых не превышают сотых долей процента. Генераторы на дискретных транзисторах целесообразно применять только тогда, когда требуется получить выходное напряжение Um, большее В—10 В.
Генераторы ступенчато изменяющегося напряжения (ГСИН). Работа таких генераторов основана на использовании процесса зарядки (разрядки) высокодобротного конденсатора, а именно зависимости напряжения на конденсаторе от электрического заряда Q, накопленного в нем:
Q = иеС.
Если заряд конденсатора изменять на строго постоянную величину AQ, то выходное напряжение будет получать одинаковые приращения А«ВЫ1. Следовательно, задача построения ГСИН сводится к созданию электрической цепи, обеспечивающей периодическое приращение заряда конденсатора AQ в течение коротких промежутков времени и сохранение заряда Q на конденсаторе во время формирования сигнала очередного приращения заряда.
Схема ГСИН приведена на рио. 9.16, а. В нем роль дозатора заряда AQ выполняет конденсатор Cv Диод Да обеспечивает сохранение заряда на зарядном конденсаторе Са, а транзистор Т разряжает его в определенные моменты времени.
Пусть операционный усилитель Aj близок к идеальному, т. е. имеет малые входные токи /вх->0, высокий коэффициент усиления К -> оо, большое входное /?вх -* оо и малое выходное RUUz -* 0 со-
противления. Тогда дифференциальный входной еигнал Д«в> ОУ, работающего на линейном участке характеристики, етремится к нулю. Входные зажимы генератора ступенчато изменяющегося напряжения подключены к генератору прямоугольного напряжения, обеспечивающего получение знакопеременного напряжения «вх (рис. 9.16, б).
Предположим, что конденсаторы Сх и Са в исходном состоянии разряжены, т. е. Qcj я ~ О*
При подаче первой положительной полуволны входного напряжения длительностью ^ открывается диод Дг и конденсатор Cj заряжается до напряжения
“ci(4)=«bx(1—е"'1/т), ’ где т = RuC^, RB —, выходное сопротивление генератора прямоугольных импульсов.
Если 4 > 5т, то к моменту окончания положительной полуволны напряжение на конденсаторе Сл станет равным входному “лЙ) » «вх* При смене полярности входного сигнала к конденсатору Сх будет приложено напряжение
■Ис! = «вх 4“«ct (У °
■=«вх(2-е~'*'т).
П
Рис. 9.16. Схема ЕЛИН (а)] диаграмм мы изменения его напряжение (б)
ри этом откроется диод Д^ и конденсатор Са начнет заряжаться тем же током, что и конденсатор Сл»-<« (0= +<ci (0 =<о (0) е-"\
где
,e(0)»^»ef(2-e-^.
Е
А«с1»«и (2-е’^) ct.
(9.И)
сли длительность отрицательной полуволны /а такова, что выполняется условие /а » т, то через промежуток времени (3-r5)i <а (0 =» = ^а (0 ** 0» напряжение на конденсаторе ^ изменится на Д«вл, а заряд его получит приращениеИзменение выходного напряжения определится изменением напряжения на конденсаторе С,:
А#вых s ^®с2 e &QcJC2t (9.16)
В идеализированном ОУ токи зарядки конденсаторов Ci и С» равны между собой /С1 = —/с2, а соответственно равны и изменения зарядов на конденсаторах: AQel = AQc2.
Подставив в выражение (9.16) значение AQe2, с учетом (9.15) получим
4Яшх = —авх (2 — "7Г" •
Ч
В следующий период все процессы повторятся, причем так как при положительной полуволне входного напряжения диод Д2 закроется, то заряд конденсатора С2 останется неизменным. Он получит приращение Д^с2 только при следующей отрицательной полуволне. Для получения одинаковых приращений выходного напряжения Аи,Ы| необходимо, чтобы /i > (3-? 5)т. Тогда переходный процесс перезарядки конденсатора Ci будет полностью заканчиваться к моменту изменения полярности входного напряжения и все приращения заряда будут одинаковы.
Для уменьшения длительности процесса приращения выходного напряжения следует уменьшать постоянную времени т за счет умень- шения выходного сопротивления источника прямоугольного напряжения При выполнении этих условий
Днвых= — 2ивх ■ ■ .
Выходное напряжение после л-го периода й«Ы1=ввЫ1(^)4"ПАйвЫ11 где «вых(О) — выходное напряжение в исходном состоянии.
Для возвращения генератора в исходное состояние параллельно конденсатору С2 подключен токовый ключ на полевом транзисторе. Он открывается импульсом иу, подаваемым на его затвор, и разряжает конденсатор С2. В результате выходное напряжение падает до исходного значения (рис. 9.16,6). По окончании импульса иу процесс формирования ступенчатого изменяющегося напряжения повторяется. Импульсы «у подаются или при достижении выходным напряжением определенного уровня, или независимо от него с определенной частотой. «Высоту» ступенек устанавливают подбором напряжения и емкости конденсатора С^ ГСИН используют в качестве источников компенсирующего напряжения, а также как делители частоты и частотные дискриминаторы (устройства, обеспечивающие преобразование частоты в напряжение или ток).f M. БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОР С ТРАНСФОРМАТОРОМ НА НЕНАСЫЩАЮЩЕМСЯ СЕРДЕЧНИКЕ
Блокинг-генератором (БГ) называют релаксационный генератор импульсов, регенеративный процесс в котором осуществляется за счет использования импульсного трансформатора в включенного в схему однокаакадного усилителя, который о помощью этого трансформатора охвачен положительной обратной связью.
Блокинг-генераторы применяют в качестве мощных источников коротких импульсов (длительностью от сотых долей до десятков микросекунд), имеющих большую скважность (Q > 10) и высокую крутизну фронтов. БГ могут работать в различных режимах: ждущем, автоколебательном, режимах синхронизации и деления частоты.
