
- •© Издательство «Высшая школа», 1982предисловие
- •Полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •Электропроводность полупроводников
- •Основные свойства и характеристик» полупроводников
- •Электрические переходы
- •1.7. Несимметричный р-л-пере- ход:
- •1 10. Энергетическая зонная диаграм-
- •Особенности и получение реальных р-п-переходов
- •Ние тока при изменении полярности напряжения (б):
- •Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Импульсные диоды
- •Полупроводниковые стабилитроны
- •Туннельные диоды
- •Варикапы
- •Биполярные транзисторы
- •Рнс. 1.26. Эквивалентная схема для постоянного тока транзистора типа р-п-р, включенного по схеме с об
- •Транзистора при эмиттерном управ- лении (схема с об) (а) и базовом управлении (б)
- •§1.8. Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •Тиристоры
- •Полевые транзисторы
- •Особенности компонентов электронных цепей в микроминиатюрном исполнении
- •Глава вторая элементы оптоэлектроники
- •Общие сведения
- •Управляемые источники света в цепях оптоэлектроники
- •Фотоприемники
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •(В) и частотные (г) характеристики
- •Фототранзисторы
- •Световоды и простейшие оптроны
- •Глава третья усилители электрических сигналов
- •Общие сведения об усилителях электрических сигналов, их основных параметрах и характеристиках
- •Основные положения теории обратной связи применительно к усилителям
- •Статический режим работы усилительных каскадов
- •Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •§ 3.5. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим эмиттером
- •Позволяет получить наиболее высокий коэффициент усиления по напряжению:
- •Имеет невысокое входное и относительно большое выходное сопротивление;
- •Вносит фазовый сдвиг 180° в диапазоне «средних; (рабочих) частот.
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общей базой
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим коллектором
- •§ 3.8. Усилительный каскад с эмиттерной связью
- •Дифференциальные усилительные каскады
- •Усилительные каскады с каскодным включением транзисторов
- •Управляемые источники тока и усилительные каскады на их основе
- •Усилительные каскады с трансформаторной связью
- •Мощные усилительные каскады
- •Многокаскадные усилители в интегральном исполнении
- •§ 4.3. Операционные усилители
- •Усилители, управляемые внешними сигналами
- •11 UbIlRi, 1% л# uBllB/r2.
- •£Cjrt Yi
- •Рио. 4.24. Схема сложного активного фильтра (а) и его лачх при снятии сигналов с вЧвыхода (б); нч-выхода (в); полосового выхода (г)
- •Нелинейные преобразователи электрических сигналов
- •Усилители с уменьшенным дрейфом нуля
- •Магнитоэлектронные преобразователи электрических сигналов
- •Выходного каскада усилителя магнитоэлектронного преобразователя (в)
- •.Устойчивость многокаскадных усилителен и коррекция их характеристик
- •Рнс. 4.37. Лачх первого звена (а) 'и лачх второго звена (б) усилителя
- •4.39. Лачх усилительного каскада аппроксимация экспериментально определенной лачх усилителя (б)
- •Глава пятая генераторы синусоидальных колебании
- •Общие сведения о генераторах синусоидальных колебаний
- •Генераторы типа lc
- •Генераторы типа rc
- •Автогенераторы с кварцевой стабилизацией частоты колебаний
- •Глава шестая линейные преобразователи импульсных сигналов
- •Общие сведения об импульсных процессах и устройствах
- •Пассивные линейные интегрирующие цепи
- •Интеграторы на основе операционных усилителей
- •, Рис. 6.15. Схема дифференцирующего устройства, применяемого на практике (а), и его лачх (б):
- •Укорачивающие цепи
- •Передача импульсов через rc-ц'епи
- •Глава седьмая электронные ключи
- •Диодные ключи
- •Рнс. 7.2. Схема диодного ключа, включенного в прямом направлении (а); зависимость распределения зарядов на базе от времени (б); характеристика переходных процессов в диодном ключе (в)
- •Транзисторные ключи
- •Транзисторные прерыватели
- •Анализ переходных процессов в транзисторе методом заряда базы
- •Анализ переходных процессов в транзисторном ключе
- •4 _ Циала (ж)
- •Ненасыщенные ключи
- •Транзисторные ключи на полевых транзисторах с управляющим р-л-переходом
- •— К'вост/'в нач
- •Ключи на мдп-транзисторах
- •Переходные процессы в ключах на полевых транзисторах с управляющим р-л-переходом
- •Переходные процессы в ключах на мдп-транзисторах
- •Глава восьмая нелинейные формирователи импульсов
- •§ 8.1. Ограничители на пассивных элементах
- •Ограничители на операционных усилителях
- •Общие сведения о логических элементах
- •Рис, 8.13. Передаточные характеристики неинвертирующего (а) и инвертирующего (б) логических элементов
- •Активные логические элементы
- •Триггеры
- •Триггер с эмиттерной связью
- •Формирователи напряжения прямоугольной формы на основе оу
- •Компараторы напряжения
- •Генераторы импульсов
- •Одновибраторы на основе логических элементов
- •А * с повышенной длительностью выходного импульса; б — на основе rs-триггера; в — с повышенной длительностью выходного импульса и малой длительностью стадии восста* новления
- •Одновибраторы на основе операционных усилителен
- •Мультивибраторы на основе логических элементов
- •«Вх! —Uaep — £ /вх Ai Al „ ,d 6 их л1
- •Генераторы прямоугольного напряжения на основе операционных усилителей
- •Генераторы линейно н ступенчато изменяющихся напряжений а
- •Размахом выходного напряжения Umi
- •Длительностью рабочего хода т9;
- •Длительностью обратного хода или временем воовтановления Tj
- •Рве. 9.14. Структурная (а) в принципиальная (б) схемы глин с кон- денсаторной ос в его диаграмма вапряжений(в)
- •Рис, 9.17. Принципиальная (в) я эквивалентная (б) схемы блэ- иинг-генератора
- •§ 9.7. Блокииг-генератор с трансформатором на сердечнике с прямоугольной петлей гистерезиса
- •Заключение
- •Литература
- •*Алфавитный указатель
- •4Оглавление
«Вх! —Uaep — £ /вх Ai Al „ ,d 6 их л1
aj тАвым
откуда
?И1 - "Tt 1п (
Длительность стадии квазиравновесия определяется выражением, которое полностью аналогично выражению (9.4), полученному для одновибратора. Поэтому все выводы относительно стабильности длительности импульса и выбора ЛЭ, сделанные для одновибратора, полностью справедливы и для мультивибраторов.
По окончании процесса регенерации в момент времени Т9 оба ЛЭ перейдут в состояния, противоположные тем, которые были в предыдущей стадии квазиравновесия. На выходе ЛЭ установится напряжение t/вых 1 и начнется процесс перезарядки конденсатора Са, определяющий длительность этой стадии квазиравновесия. Он полностью аналогичен процессу перезарядки конденсатора Ct.
Длительность второго еостояния квазиравновесия /на можно найти с помощью выражения
где т$ = (/?2 Ч- ^вых1)^2#
Одновременно с процессом перезарядки конденсатора Сг, который определяет длительность стадии квазиравновесия, идет процесс восстановления исходного напряжения на конденсаторе Ср Это обусловлено тем, что за время предыдущей стадии квазнравновесия падение напряжения на конденсаторе Са изменилось на Дис1.
Эквивалентная схема цепи перезарядки конденсатора Cj приведена на рис. 9.6, г. Если бы параллельно резисторам Ri, Ra не были включены диоды, то постоянная времени, характеризующая стадию восстановления напряжения на соответствующем конденсаторе, была бы- равна постоянной времени, характеризующей стадию квазиравновесия. При этом несколько изменилась бы картина переходных процессов, но сущность работы и приближенные расчетные соотношения остались бы прежними.
Диоды, включенные параллельно резисторам Rlf Ra, открываются только при переходе ЛЭ, к которому подключен соответствующий конденсатор, в состояние «1», так как только в эти моменты к ним будет приложено прямое напряжение. Для диода, шунтирующего резистор R,
^д1 ^ Alic! "Ь t/вых 1 Д19
Сопротивление открытого диода R^ значительно меньше сопротивления резистора Rx (Rn <С Ri), поэтому длительность ta — ta стадии восстановления напряжения на конденсаторе Сх, определяемая постоянной времени тв1 = (Rr + /?вын) Сь значительно меньше длительности стадии квазиравновесия /иа. При этом ток перезарядки конденсатора Сх в промежутке времени ta — /3 создает выброс выходного напряжения ЛЭ Da и входного напряжения ЛЭ Dv
Следует обратить внимание на то, что картина стадии восстановления в ЛЭ на биполярных транзисторах значительно сложнее, чем рассмотренная из-за зависимости входного тока /В1 от приложенного напряжения. Поэтому для них постоянные времени цепей перезарядки конденсаторов на стадиях квазиравновесия и восстановления существенно различаются и при отсутствии диодов, шунтирующих резисторы. Это позволяет в ЛЭ на биполярных транзисторах обойтись без этих дополнительных диодов.
В момент времени tt ЛЭ Da выйдет в активную область, и его выходное напряжение начнет уменьшаться (рис. 9.7). В момент времени /8 напряжение на входе ЛЭ Da возрастает до значения t/Sfpi которое соответствует «вып = (7поР1. Начнется процесс регенерации. В итоге мультивибратор вернется в состояние, в которого началось расвмот- ренйе его работы. После этого все процессы повторяются.
Промежуток времени /(—/, характеризует восстановление исходного напряжения на конденсаторе Са. Он протекает с постоянной времени'жение, по форме близкое к прямоугольному. Частоту следования им» пульсов / определяю! времена /м и /м:
Временная ж температурная стабильность частоты автоколебаний невысока и во многом зависит от характеристик ЛЭ. Так, для ЛЭ на биполярных транзисторах серии 155 нестабильность частоты при изменении напряжения питания на ±5% достигает 5—10%, а при изменении температуры от 5 до 60° С — соответственно ± (10—20)%.
Рис. 9.8. Схемы мультивибраторов: о-с мягким возбуждением; б —с одним времязадающим конденсатором* в —с вапазды* вающей ОС в кольцевой цепи: а — на интегральной микросхеме К263ГФ1
Рассмотренный мультивибратор относится к числу схем с жестким самовозбуждением. Поэтому ему свойственно явление «засыпания», которое характеризуется тем, что на обоих выходах ЛЭ имеется код логического нуля, а автоколебания отсутствуют. Для выведения мультивибратора из этого состояния необходимо на один из входов подать запускающий импульс, который изменит состояние ЛЭ н возбудит незатухающие автоколебания.
Для устранения явления «засыпания» можно ввести дополнительные ЛЭ, например так, как показано на рис. 9.8, а. Если оба ЛЭ D( и Dt окажутся открытыми (f/JMi = (/^2), то выходное напряжение на ЛЭ Dt станет равным (/Ьд. Это вызовет увеличение выходных напряжений ЛЭ Dlt Dit т. е. выход их в область линейной характеристики и возобновление автоколебаний.
Управление частотой автоколебаний осуществляю? с помощью изменения номиналов резисторов ^, Rt и конденсаторов Си Ct. Плавное управление частотой можно Также осуществлять изменением напряжения Е, значение которого влияет на длительность состояний квазиравновесия.
Мультивибраторы на основе ЛЭ могут быть выполнены • одним времязадающим конденсатором (рис. 9.8, б). Здесь три ЛЭ замкнута в кольцо через резистор R, который обеспечивает выведение в активную область транзисторов ЛЭ Du DitDt.Положительная обратная связь введена в помощью конденсатора С, охватывает только ЛЭ DltDa и действует в широкой полове частот. Так как благодаря наличию отрицательной ОС в исходном состоянии все ЛЭ работают на линейном участке характеристик, возбуждение автоколебаний будет мягким.
В ряде случаев используют запаздывающую OG. Для этого нечетное количество ЛЭ соединяют в кольцо и между ними включают конденсаторы, увеличивающие время задержки распространения каждого логического элемента (рио. 9.8, в). Это позволяет создать источники многофазных напряжений, жестко синхронизированные между собой.
Для стабилизации частоты колебаний вместо времязадающего конденсатора иногда включают кварцевый резонатор.
Промышленность выпускает специальные микросхемы мультивибраторов, в которых требумые параметры генерируемого сигнала обеспечиваются подключением внешнего конденсатора, например ИМС К263ГФ1 (рис. 9.8, г). Здесь использована схема с эмиттерной противосвязью. Усилители, охваченные положительной ОС через конденсатор С, выполнены на транзисторах Та, Та. Транзисторы Ти Тл включены эмиттерными повторителями, уменьшающими влияние сопротивлений нагрузки. Изменяя значение емкости конденсатора С, можно менять частоту автоколебаний от долей герц до 80 МГц.
Принцип работы этого мультивибратора аналогичен рассмотренному выше. Выходы усилителей на транзисторах Tat Та соединены с их входами, а перепады напряжений на сопротивлениях, включенных в эмиттерные цепи, передаются с помощью времязадающего конденсатора С и обеспечивают попеременное запирание транзисторов Т я, Тй> при которых формируются перепады коллекторного напряжения этих транзисторов. С выходов эмиттерных повторителей на транзисторах Tj, Т6 снимают напряжения прямоугольной формы, сдвинутые по фазе на 180°.