- •© Издательство «Высшая школа», 1982предисловие
- •Полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •Электропроводность полупроводников
- •Основные свойства и характеристик» полупроводников
- •Электрические переходы
- •1.7. Несимметричный р-л-пере- ход:
- •1 10. Энергетическая зонная диаграм-
- •Особенности и получение реальных р-п-переходов
- •Ние тока при изменении полярности напряжения (б):
- •Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Импульсные диоды
- •Полупроводниковые стабилитроны
- •Туннельные диоды
- •Варикапы
- •Биполярные транзисторы
- •Рнс. 1.26. Эквивалентная схема для постоянного тока транзистора типа р-п-р, включенного по схеме с об
- •Транзистора при эмиттерном управ- лении (схема с об) (а) и базовом управлении (б)
- •§1.8. Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •Тиристоры
- •Полевые транзисторы
- •Особенности компонентов электронных цепей в микроминиатюрном исполнении
- •Глава вторая элементы оптоэлектроники
- •Общие сведения
- •Управляемые источники света в цепях оптоэлектроники
- •Фотоприемники
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •(В) и частотные (г) характеристики
- •Фототранзисторы
- •Световоды и простейшие оптроны
- •Глава третья усилители электрических сигналов
- •Общие сведения об усилителях электрических сигналов, их основных параметрах и характеристиках
- •Основные положения теории обратной связи применительно к усилителям
- •Статический режим работы усилительных каскадов
- •Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •§ 3.5. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим эмиттером
- •Позволяет получить наиболее высокий коэффициент усиления по напряжению:
- •Имеет невысокое входное и относительно большое выходное сопротивление;
- •Вносит фазовый сдвиг 180° в диапазоне «средних; (рабочих) частот.
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общей базой
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим коллектором
- •§ 3.8. Усилительный каскад с эмиттерной связью
- •Дифференциальные усилительные каскады
- •Усилительные каскады с каскодным включением транзисторов
- •Управляемые источники тока и усилительные каскады на их основе
- •Усилительные каскады с трансформаторной связью
- •Мощные усилительные каскады
- •Многокаскадные усилители в интегральном исполнении
- •§ 4.3. Операционные усилители
- •Усилители, управляемые внешними сигналами
- •11 UbIlRi, 1% л# uBllB/r2.
- •£Cjrt Yi
- •Рио. 4.24. Схема сложного активного фильтра (а) и его лачх при снятии сигналов с вЧвыхода (б); нч-выхода (в); полосового выхода (г)
- •Нелинейные преобразователи электрических сигналов
- •Усилители с уменьшенным дрейфом нуля
- •Магнитоэлектронные преобразователи электрических сигналов
- •Выходного каскада усилителя магнитоэлектронного преобразователя (в)
- •.Устойчивость многокаскадных усилителен и коррекция их характеристик
- •Рнс. 4.37. Лачх первого звена (а) 'и лачх второго звена (б) усилителя
- •4.39. Лачх усилительного каскада аппроксимация экспериментально определенной лачх усилителя (б)
- •Глава пятая генераторы синусоидальных колебании
- •Общие сведения о генераторах синусоидальных колебаний
- •Генераторы типа lc
- •Генераторы типа rc
- •Автогенераторы с кварцевой стабилизацией частоты колебаний
- •Глава шестая линейные преобразователи импульсных сигналов
- •Общие сведения об импульсных процессах и устройствах
- •Пассивные линейные интегрирующие цепи
- •Интеграторы на основе операционных усилителей
- •, Рис. 6.15. Схема дифференцирующего устройства, применяемого на практике (а), и его лачх (б):
- •Укорачивающие цепи
- •Передача импульсов через rc-ц'епи
- •Глава седьмая электронные ключи
- •Диодные ключи
- •Рнс. 7.2. Схема диодного ключа, включенного в прямом направлении (а); зависимость распределения зарядов на базе от времени (б); характеристика переходных процессов в диодном ключе (в)
- •Транзисторные ключи
- •Транзисторные прерыватели
- •Анализ переходных процессов в транзисторе методом заряда базы
- •Анализ переходных процессов в транзисторном ключе
- •4 _ Циала (ж)
- •Ненасыщенные ключи
- •Транзисторные ключи на полевых транзисторах с управляющим р-л-переходом
- •— К'вост/'в нач
- •Ключи на мдп-транзисторах
- •Переходные процессы в ключах на полевых транзисторах с управляющим р-л-переходом
- •Переходные процессы в ключах на мдп-транзисторах
- •Глава восьмая нелинейные формирователи импульсов
- •§ 8.1. Ограничители на пассивных элементах
- •Ограничители на операционных усилителях
- •Общие сведения о логических элементах
- •Рис, 8.13. Передаточные характеристики неинвертирующего (а) и инвертирующего (б) логических элементов
- •Активные логические элементы
- •Триггеры
- •Триггер с эмиттерной связью
- •Формирователи напряжения прямоугольной формы на основе оу
- •Компараторы напряжения
- •Генераторы импульсов
- •Одновибраторы на основе логических элементов
- •А * с повышенной длительностью выходного импульса; б — на основе rs-триггера; в — с повышенной длительностью выходного импульса и малой длительностью стадии восста* новления
- •Одновибраторы на основе операционных усилителен
- •Мультивибраторы на основе логических элементов
- •«Вх! —Uaep — £ /вх Ai Al „ ,d 6 их л1
- •Генераторы прямоугольного напряжения на основе операционных усилителей
- •Генераторы линейно н ступенчато изменяющихся напряжений а
- •Размахом выходного напряжения Umi
- •Длительностью рабочего хода т9;
- •Длительностью обратного хода или временем воовтановления Tj
- •Рве. 9.14. Структурная (а) в принципиальная (б) схемы глин с кон- денсаторной ос в его диаграмма вапряжений(в)
- •Рис, 9.17. Принципиальная (в) я эквивалентная (б) схемы блэ- иинг-генератора
- •§ 9.7. Блокииг-генератор с трансформатором на сердечнике с прямоугольной петлей гистерезиса
- •Заключение
- •Литература
- •*Алфавитный указатель
- •4Оглавление
Транзисторные прерыватели
Транзисторные прерыватели, которые часто называют модулятора ми, широко используют для точного преобразования сравнительно ма: лых постоянных напряжений (токов) в переменные. Транзисторы в прерывателях работают в ключевом режиме, но роль источника напряже ния Е^ выполняет источник преобразуемого сигнала. Значение этого напряжения может быть достаточно мало — десятки милливольт и менее.
П
Рис. 7.6. Схема транзисторного прерывателя (а) и его выходные характеристики (б) при нормальном включении транзистора
усть ключ, изображенный на рис. 7.6, а, заперт по цепи базы управляющим напряжением + еу. Тогда при всех значениях напряжения, при которых |Укэ I <^у» в выходной цепи будет протекать ток, близкий к /кбо, и характеристика /к (t/кэ) идет почти горизонтально (рис. 7.6, б). Назовем линию, по которой перемещается точка а, линией запирания.Пусть теперь в цепи базы задан положительный ток /б = /в = const, причем транзистор находится в состоянии насыщения. Выходное напряжение очень мало и характеристика /к (^кэ) идет почти вертикально. Назовем эту линию линией отпирания.
В идеальном прерывателе линия отпирания и запирания совпадают с осями коор
динат. В транзисторном ключе эти линии имеют небольшой наклон, а их точка пересечения не совпадает с началом координат. В итоге при конечном сигнале UBX1 получается нулевое напряжение на выходе и при нулевом сигнале (7ВХ2 = 0 — соответственно конечное выходное напряжение*).
Таким образом, транзисторному прерывателю свойственны два вида погрешностей: погрешность сдвига и погрешность наклона. Влияние этих погрешностей уменьшается по мере увеличения входного сигнала. Если |^Вх1^>^вхь то общая погрешность невелика и, как видно из выходных характеристик, имеет разный знак в зависимости от полярности входного сигнала.
Для количественной оценки погрешностей необходимо знать координаты точки о и дифференциальные сопротивления обеих характерио- тик. Считая, что наклон линии запирания соответствует некоторому ео- противлению R3 (которое учитывает ток утечки, токи термоген ер ации в переходе и т. д.), получим ток в точке а:
/кБо + (ву//?з).
Напряжения в точке с можно определить из приближенного уравнения
I ^с1«фг/Л21Э/. '
Наклон линии запирания, как правило, весьма мал. Он характеризуется сопротивлением R3, имеющим значение не менее 1 мОм. Наклон линии отпирания определяется сопротивлением насыщенного транзистора RBaC, которое у маломощных транзисторов не превышает нескольких десятков ом.
При этом необходимо обратить внимание на завивимости /с, Uft R3 и ^нас от температуры, что может вызвать температурный дрейф выходного сигнала.
Для улучшения характеристик транзисторного прерывателя часто применяют инверсное включение транзистора (рио. 7.7, а). Оно по «равнению о нормальным включением обеспечивает меньшие токи /0 и на-
Рис. 7.7. Схема транзисторного прерывателя (а) и его выходные характеристики (б) при инверсном включении транзистора; схема компенсированного ключа (в)
пряжение Uo. При инверсном включении ток /е — это ток эмиттера при запертых р-п-переходах, когда на базу подано положительное напряжение еу, а |Уэк| < еу (рио. 7.7, б).
В § 7.2 было показано, что в запертом соотоянии при глубокой отсечке ток эмиттера /э ^ /0 ^ 0- Более точно его значение можно оценить, используя выражение
/0«—^-/КБ0—^-. (7.10)
Напряжение в точке о
(7.11)
Так как h^^h^i^ то напряжение Uc при инверсном включении транзистора получается по крайней мере на порядок меньше, чем при нормальном включении.
В выражении (7.11) не учитывалось падение напряжения при прохождении управляющего тока базы через сопротивления соответствующих слоев: эмиттера (при нормальном включении) и коллектора (при инверсном), при учете которого для напряжения Vz имеем;
"213
где г^ и Гк — соответственно сопротивления областей эмиттера и коллектора.
Так как эмиттер обычно выполняют низкоомным (4 ^ 0,5 Ом), эта поправка для нормального включения несущее!венна. В то же время при инверсном включении (г* » 10 Ом) она является основной составляющей остаточного напряжения, в результате чего при инверсном включении Uc иногда оказывается даже больше, чем для нормального.
Так как с увеличением тока /б напряжение Uc растет, а в области малых токов, как уже говорилось выше, из-за выхода транзистора из области насыщения Uc тоже возрастает, существует оптимальное значение управляющего тока базы
, ~ 1 / ^‘с
(Лад+1);'
для нормального включения и соответственно
. . / ФЛ
/Bopt « |/ (Л81в + 1к'
для инверсного включения.
/б opt находится в пределах нескольких миллиампер и имеет меньшее значение для инверсного включения.
Следует отметить, что температурная стабильность точки С, играющая основную роль при преобразовании малых сигналов, достаточно высока. Так, в инверсном включении при оптимальных токах базы TKU ее порядка нескольких микровольт на градус. Подбором элементов прерывателя и режима работы можно добиться, чтобы в температурном диапазоне от 4- 80 до — 50° С температурный дрейф не превышал 130—200 мкВ.
Временной дрейф напряжения Ue обычно оценивают экспериментально. Он зависит от индивидуальных характеристик транзисторов и изменяется в процессе их работы. Наиболее значительный дрейф наблюдается в течение первого часа после включения и может составить несколько милливольт. При их дальнейшей работе дрейф несколько
уменьшается и находится в предалах нескольких десятков — нескольких сотен микровольт на час.
Погрешность прерывателей может быть существенно уменьшена (в 5—10 раз и больше) при использовании балансных схем, которые в различных модификациях называют компенсированными ключами. Одна из возможных схем компенсированного ключа показана на рис. 7.7, в.
В закрытом состоянии ключа токи эмиттеров транзисторов Тг и Tt направлены в разные стороны вне зависимости от полярности входного напряжения. Если /с обоих транзисторов равны, то результирующий ток через источник сигнала UBI будет равен нулю. Так как остаточное напряжение, как это видно из положения линии отпирания (рис. 7.7, б), не зависит от направления тока, протекающего через транзистор, то при идеальном подборе остаточные напряжения Uc обоих транзисторов взаимно компенсируют друг друга.
Переходные процессы в прерывателях аналогичны переходным процессам в ТК, которые будут рассмотрены в следующем параграфе-
