- •© Издательство «Высшая школа», 1982предисловие
- •Полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •Электропроводность полупроводников
- •Основные свойства и характеристик» полупроводников
- •Электрические переходы
- •1.7. Несимметричный р-л-пере- ход:
- •1 10. Энергетическая зонная диаграм-
- •Особенности и получение реальных р-п-переходов
- •Ние тока при изменении полярности напряжения (б):
- •Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Импульсные диоды
- •Полупроводниковые стабилитроны
- •Туннельные диоды
- •Варикапы
- •Биполярные транзисторы
- •Рнс. 1.26. Эквивалентная схема для постоянного тока транзистора типа р-п-р, включенного по схеме с об
- •Транзистора при эмиттерном управ- лении (схема с об) (а) и базовом управлении (б)
- •§1.8. Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •Тиристоры
- •Полевые транзисторы
- •Особенности компонентов электронных цепей в микроминиатюрном исполнении
- •Глава вторая элементы оптоэлектроники
- •Общие сведения
- •Управляемые источники света в цепях оптоэлектроники
- •Фотоприемники
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •(В) и частотные (г) характеристики
- •Фототранзисторы
- •Световоды и простейшие оптроны
- •Глава третья усилители электрических сигналов
- •Общие сведения об усилителях электрических сигналов, их основных параметрах и характеристиках
- •Основные положения теории обратной связи применительно к усилителям
- •Статический режим работы усилительных каскадов
- •Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •§ 3.5. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим эмиттером
- •Позволяет получить наиболее высокий коэффициент усиления по напряжению:
- •Имеет невысокое входное и относительно большое выходное сопротивление;
- •Вносит фазовый сдвиг 180° в диапазоне «средних; (рабочих) частот.
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общей базой
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим коллектором
- •§ 3.8. Усилительный каскад с эмиттерной связью
- •Дифференциальные усилительные каскады
- •Усилительные каскады с каскодным включением транзисторов
- •Управляемые источники тока и усилительные каскады на их основе
- •Усилительные каскады с трансформаторной связью
- •Мощные усилительные каскады
- •Многокаскадные усилители в интегральном исполнении
- •§ 4.3. Операционные усилители
- •Усилители, управляемые внешними сигналами
- •11 UbIlRi, 1% л# uBllB/r2.
- •£Cjrt Yi
- •Рио. 4.24. Схема сложного активного фильтра (а) и его лачх при снятии сигналов с вЧвыхода (б); нч-выхода (в); полосового выхода (г)
- •Нелинейные преобразователи электрических сигналов
- •Усилители с уменьшенным дрейфом нуля
- •Магнитоэлектронные преобразователи электрических сигналов
- •Выходного каскада усилителя магнитоэлектронного преобразователя (в)
- •.Устойчивость многокаскадных усилителен и коррекция их характеристик
- •Рнс. 4.37. Лачх первого звена (а) 'и лачх второго звена (б) усилителя
- •4.39. Лачх усилительного каскада аппроксимация экспериментально определенной лачх усилителя (б)
- •Глава пятая генераторы синусоидальных колебании
- •Общие сведения о генераторах синусоидальных колебаний
- •Генераторы типа lc
- •Генераторы типа rc
- •Автогенераторы с кварцевой стабилизацией частоты колебаний
- •Глава шестая линейные преобразователи импульсных сигналов
- •Общие сведения об импульсных процессах и устройствах
- •Пассивные линейные интегрирующие цепи
- •Интеграторы на основе операционных усилителей
- •, Рис. 6.15. Схема дифференцирующего устройства, применяемого на практике (а), и его лачх (б):
- •Укорачивающие цепи
- •Передача импульсов через rc-ц'епи
- •Глава седьмая электронные ключи
- •Диодные ключи
- •Рнс. 7.2. Схема диодного ключа, включенного в прямом направлении (а); зависимость распределения зарядов на базе от времени (б); характеристика переходных процессов в диодном ключе (в)
- •Транзисторные ключи
- •Транзисторные прерыватели
- •Анализ переходных процессов в транзисторе методом заряда базы
- •Анализ переходных процессов в транзисторном ключе
- •4 _ Циала (ж)
- •Ненасыщенные ключи
- •Транзисторные ключи на полевых транзисторах с управляющим р-л-переходом
- •— К'вост/'в нач
- •Ключи на мдп-транзисторах
- •Переходные процессы в ключах на полевых транзисторах с управляющим р-л-переходом
- •Переходные процессы в ключах на мдп-транзисторах
- •Глава восьмая нелинейные формирователи импульсов
- •§ 8.1. Ограничители на пассивных элементах
- •Ограничители на операционных усилителях
- •Общие сведения о логических элементах
- •Рис, 8.13. Передаточные характеристики неинвертирующего (а) и инвертирующего (б) логических элементов
- •Активные логические элементы
- •Триггеры
- •Триггер с эмиттерной связью
- •Формирователи напряжения прямоугольной формы на основе оу
- •Компараторы напряжения
- •Генераторы импульсов
- •Одновибраторы на основе логических элементов
- •А * с повышенной длительностью выходного импульса; б — на основе rs-триггера; в — с повышенной длительностью выходного импульса и малой длительностью стадии восста* новления
- •Одновибраторы на основе операционных усилителен
- •Мультивибраторы на основе логических элементов
- •«Вх! —Uaep — £ /вх Ai Al „ ,d 6 их л1
- •Генераторы прямоугольного напряжения на основе операционных усилителей
- •Генераторы линейно н ступенчато изменяющихся напряжений а
- •Размахом выходного напряжения Umi
- •Длительностью рабочего хода т9;
- •Длительностью обратного хода или временем воовтановления Tj
- •Рве. 9.14. Структурная (а) в принципиальная (б) схемы глин с кон- денсаторной ос в его диаграмма вапряжений(в)
- •Рис, 9.17. Принципиальная (в) я эквивалентная (б) схемы блэ- иинг-генератора
- •§ 9.7. Блокииг-генератор с трансформатором на сердечнике с прямоугольной петлей гистерезиса
- •Заключение
- •Литература
- •*Алфавитный указатель
- •4Оглавление
Дифференциальные усилительные каскады
Дифференциальный усилительный каскад (рис. 3.27, а) имеет два входа и усиливает разность напряжений, приложенных к ним. Если на оба входа подать синфазное напряжение, то усиление ■будет чрезвычайно мало.
Дифференциальный усилительный каскад не усиливает синфазное напряжение.
Дифференциальный каскад состоит из двух транзисторов, эмиттеры которых соединены и подключены к общему резистору Ra. Для сигнала UBT1 транзистор 7\ включен по схеме с ОЭ, а транзистор Т, — по схеме с ОБ. Для сигнала {/вха транзистор 7\ включен по схеме с ОБ, а транзистор Т2— по схеме с ОЭ. Анализ работы такого каскада можно провести точно так же, как и анализ работы каскада с эмиттерной связью. Однако, чтобы избежать громоздких промежуточных преобразований, воспользуемся искусственными приемами, позволяющими получить интересующие результаты.
* Считаем, что в режиме покоя через оба транзистора протекают равные токи.
Предположим, что каскад абсолютно симметричен, т. е. сопротивления резисторов, входящих в каждое плечо, и параметры транзисторов Tj и Т2 одинаковы. В этом случае, при равных входных сигналах 1/,й и ^вхз токи транзисторов Тг и Т2 равны между собой, а именно: /ki = /кг! /э1 = /эг; Ли = /в2- Пусть входные напряжения получат одинаковые приращения разных полярностей:
U^x = U9I1 + Д//вх/2;
№2 = Uvx2 - Д^вх/2.
В результате ток одного транзистора увеличится на Д/к, а другого на столько же уменьшится:
/к1 = Ли + Д/к,
/кз = /кг — Д/к-
При этом результирующий ток через резистор R9 останется без изменения. Постоянным будет и падение напряжения на нем. Если входное напряжение изменить только на одном входе на Д(/вх, т- е.
Рис. 3.27. Дифференциальный усилительный каскад:
а — базовая схема; б — схема эквивалентного преобразования; в — схема при подаче синфазного напряжения; а — упрощенная эквивалентная схе* ма для синфазного входного сигнала
f/exi = ^вц+ Д//вх, то эт0 приведет к изменению тока через соот- ветствующий транзистор. Если бы транзистор Т2 отсутствовал, то транзистор Tj был бы включен по схеме с ОЭ и ток в его цепи изменился бы на 2Д/к. При этом падение напряжения на R3 увеличилось бы на величину, близкую к Д€/вх = 2Д/к/?э.
Но увеличение падения напряжения на резисторе Rs приведет к уменьшению разности потенциалов между базой и эмиттером транзистора Т2 и ток его уменьшится, причем изменение тока транзистора
7'2 будет таково, что приращения напряжений эмиттер — база обоих транзисторов будут одинаковы. Следовательно, при увеличении 6/вх1 на ДУВХ потенциал эмиттера увеличится на ДС/вх/2, что эквивалентно увеличению тока через резистор /?э на Д/к. При этом приращение напряжения база — эмиттер для транзистора ^ равно А£7вх/2 и — Д^вх/2 для транзистора Т2 Ток каждого плеча изменится на Д/к. Очевидно, что независимо от того, как на вход каскада подаются напряжения, токи транзисторов меняются одинаково и приращения их вызваны половиной разности напряжений, приложенных между входами. Это дает основание при анализе дифференциального каскада рассматривать только одну половину его, считая, что к входу его приложена половина разности напряжений между входами, а сопротивление в эмиттерной цепи равно нулю (рис. 3.27, б).
Такой подход справедлив для любой схемы подачи напряжения. Напряжения база—эмиттер обоих транзисторов, вызывающие входные токи, равны между собой и равны половине разности входных напряжений Д(7ВХ = (/BXt — i/BX2.
Эквивалентная замена дифференциального каскада на каскад, показанный на рис. 3.27, б, позволяет использовать результаты, полученные для каскада с ОЭ.
Коэффициент усиления по напряжению дифференциального каскада при холостом ходе, определяется как отношение разности выходных напряжений к разности входных:
= (3 38
Из выражения (3.38) видно, что в режиме холостого хода, когда Ru -> оо и RKl = Rk2 = RK, коэффициент усиления по напряжению дифференциального каскада равен коэффициенту усиления каскада с ОЭ, идентичному одному плечу дифференциального каскада.
Выходное сопротивление каскада, если пренебречь сопротивлением коллекторного перехода, в два раза выше, чем у соответствующего каскада с ОЭ
Rbhx 2RK.
Входное сопротивление для разностного сигнала (дифференциальное входное сопротивление каскада) также в два раза больше, чем у каскада с ОЭ
Я;х~^ = 2кЖ1+ЛЬ)гв.яиф1. (3.39) * вх
Как видно из (3.39), входное дифференциальное сопротивление невелико. Для его повышения в цепь эмиттера каждого из транзисторов можно включить равные по значению сопротивления резисторы /?0 так, чтобы Га.диФ стало равным г8,иф + Яо- Можно также снижать коллекторные токи, что ведет к увеличению г,.шф, но при этом снижается коэффициент усиления.
При подключении сопротивления нагрузки йи коэффициент усиления уменьшается. Оценить влияние нагрузки можно, представив вы-
ходную цепь источником напряжения KU&UBT в внутренним сопротивлением Квых. При подключении сопротивления нагрузки на нем будет падать напряжение
и. = киливм(2/?и + Ян),
и если коэффициент усиления по напряжению оценить как
Ки = Ual^BX, (3.40)
то он примет значение
к =__2hi^_ = 1 ^(^kW
(Лг+Лвх) (2«r+«h) 2 /?f+R„ '
При подаче на входы дифференциального каскада синфазного напряжения (рис. 3.27, в) в полностью сбалансированном дифференциальном каскаде напряжения (/ВЫх1 и UBBx2 изменятся, но разность их останется той жэ.
Это еще раз подтверждает, что в идеальном дифференциальном каскаде синфазный входной сигнал не вызывает появления дифференциального выходного сигнала.
Найдем входное сопротивление каждого входа для синфазного входного сигнала. Для этого используем упрощенную эквивалентную схему каскада для средних частот (рис. 3.27, г), в которой не учтено сопротивление эмиттерного перехода г8.диф ввиду его малости по срав^, нению с сопротивлениями RB, RK и <диф.
У идеально сбалансированного каскада параметры плеч равны; /bi ~ f Вз ~ 1ъ\ Гб = ^61 = ^62» ^2хв = ^21э, = ^21э,» ^в.диФ = ^даФ1 в 65 Гк.диф,.
Тогда входное напряжение каскада определится из уравнения
UBI = /в Гб + 2/б (Я, || (гй. дпф/2)] (1 + Л‘218),
ткуда входное сопротивление каждого входа для синфазного сигнала
ЯВХ.сф = ^б 4*2 (1 -}- /t21s) 1^8 || (гИ. Диф/2)1 w
« 2(1-f-/i$l8) ^/2)]. (3.41)
Чем выше Явх.Сф> тем меньше входной ток синфазного сигнала и тем меньше изменения выходных напряжений t/BBXi и £/вых2. Поэтому сопротивление в эмиттерной цепи RB, которое, по существу, определяет входное сопротивление для синфазного сигнала, необходимо увеличивать. Из сравнения выражений (3.41) и (3.39) для синфазного и дифференциального сигналов видно, что они существенно различаются и значение входного сопротивления для синфазного сигнала во много раз выше, чем для дифференциального.
При увеличении сопротивления ₽в приходится вталкиваться а проблемой обеспечения необходимого режима работы транзисторов по постоянному току. Если в статическом режиме значения токов транзи-сторов /ki0 и /кг. выбраны, то по мере увеличения /?э приходитея увеличивать напряжение питания каскада, так как
При значении сопротивления R3) определенного исходя из требуемого входного сопротивления для синфазного сигнала, напряжение пиг тания
Дк » /к. Rk + ^кэо + Ur3;
становится настолько большим, что реализация такого каскада может стать технически нецелесообразной. Кроме того, на резисторе 7?» будет бесполезно рассеиваться электрическая мощность, что снижает к.п.д. каскада.
Для устранения этого недостатка вместо резистора R3 включают транзистор по схеме с ОЭ (рис. 3.28, а). Транзистор Тй выполняет функ-
Рис. 3.28. Дифференциальный каскад с транзисторным источником тока в цепи эмиттера:
а —схема; б — введение ОС по синфазному, сигналу; в, г —включение сопротивлений упрощающих настройку усилителя; б — подача несимметричного входного напряжения ,
ции источника тока. Действительно, если задать в цепи базы транзистора Т3 определенное значение тока /бз, то в- цепи его коллектора будет протекать ток
/к3 = ^К1 + /К2 = ^219 /бз*
Если бы транзистор Т3 был идеальным источником тока, то изменения токов транзисторов 7\ и Т2 не вызвали бы изменения тока через транзистор Тз и можно было бы считать, что в эмиттерную цепь включено бесконечно большое сопротивление.Так как выходное со- 184
противление транзистора 7\ не равно бесконечности и определяется в рассматриваемом елучае дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода г^ диф, то можно считать, что для синфазного сигнала входное сопротивление
^il-сф ^ 2 (1 4“ ^21э) Н к. диф
^ «2(1+й‘т)х
гк. диф 2 ,
^ : ^ ~ гк. днф.
о О
При малых токах транзисторов 7\ и Tt синфазное входное сопротивление находится в пределах десятков—сотен мегом. На высоких частотах, когда сопротивление емкости коллекторного перехода транзисторов G соизмеримо с сопротивлением rj.ut, синфазное входное сопротивление существенно уменьшается. Его можно найти, если вместо гЦдиф подставить
^«. диф — ^к. диф
1
w* *
Хотя в идеальном дифференциальном каскаде синфазный сигнал на его входе не вызывает появления дифференциального выходного сигнала, в реальном каскаде наблюдается небольшой дифференциальный выходной сигнал. Он обусловлен неполной идентичностью характеристик транзисторов, разницей в значениях коллекторных сопротивлений RK1, RK2 и внутренних сопротивлений источников, подключенных к входам каскада.
Неидентичность характеристик транзисторов приводит к тому, что при изменении токов вследствие воздействия синфазного сигнала коэффициенты передачи базового тока и входные сопротивления транзисторов изменяются по-разному. В результате этого коллекторные токи транзисторов также изменяются.
В диапазоне высоких частот существенную роль в разбалансе каскада играют емкости коллекторных переходов. Они являются основной причиной роста усиления синфазного сигнала в диапазоне высоких частот. .
Для количественной характеристики усиления дифференциального и синфазного сигналов используют коэффициент ослабления синфазного входного напряжения Хв0.сФ (коэффициент подавления синфазного сигнала), который показывает, во сколько раз коэффициент усиления дифференциального входного сигнала Ки ааф выше, чем синфазного Киеф:
^00.сф — ^и диф^ К и сф8
Значения коэффициента ослабления синфазного входного напряжения могут достигать нескольких тысяч*).
Следует отметить, что коэффициент ослабления еинфазного сигнала уменьшается в случае несимметричного выхода, когда напряжение снимается только с коллектора одного из транзисторов. В этом случае он будет равен отношению входных сопротивлений для синфазного и дифференциального входных сигналов.
Для повышения стабильности коэффициента усиления синфазного входного напряжения вводят синфазную обратную связь по току (рис. 3.28, б). Для этого к дифференциальному усилительному каскаду подключают аналогичный дифференциальный каскад (транзисторы Тц, Т^, часть напряжения эмиттера которого управляет источником тока на транзисторе Т3. При подаче синфазного сигнала на входные зажимы транзисторов Tl, Т3 токи их изменятся. Соответственно изменятся потенциалы баз транзисторов Tit Т5 и токи через них, что вызовет изменение напряжения на резисторе R3. Это напряжение управляет током транзистора Т3, обеспечивая тем самым отрицательную ОС по синфазному сигналу. ОС уменьшает отклонения токов транзисторов Т^ Т2 от требуемого значения, вызванные синфазным сигналом, и соответственно уменьшает величину разбаланса каскада.
Для примера рассмотрим, как будут протекать процессы при подаче входного синфазного напряжения, уменьшающего токи транзисторов Tlt Тг. Под влиянием этого напряжения потенциалы баз транзисторов Т3, Т2 возрастут, что приведет к увеличению их коллекторных токов. Повысится напряжение и на резисторе Rif что вызовет увеличение тока транзистора Т3 и уменьшение падения напряжения на нем. В свою очередь, увеличится разность потенциалов между базой и эмиттером транзисторов Ти Та и их ток.
ОС по синфазному сигналу поддерживает рабочие точки транзисторов вблизи заданных и тем самым существенно уменьшает разбаланс каскада.
На коэффициент усиления дифференциального сигнала ОС влияния не оказывает. Составив эквивалентную схему каскада, можно количественно оценить влияние ОС по синфазному сигналу.
Дифференциальные каскады достаточно чувствительны к параметрам отдельных элементов и сложны в наладке. Поэтому на практике между эмиттерами транзисторов часто включают небольшие резисторы R3, упрощающие настройку и расширяющие диапазон допустимых входных сигналов (рис. 3.28, в). Однако при этом существенно уменьшается коэффициент усиления каскада.
Если транзисторы дифференциальных каскадов достаточно хорошо подобраны в пары и сопротивления в их коллекторных цепях равны, то влияние изменения температуры на их токи будет одинаково:
5ц^/г1 = S12&/T2I
при этом ток и напряжение в нагрузке останутся неизменными. Поэтому усилительные каскады этого типа находят примецение при построении усилителей постоянного тока (УПТ).
На практике идеальной компенсации обычно добиться не удается, и при изменении температуры наблюдается изменение выходного сигнала.
Если входное напряжение равно нулю, а выходное меняется с изменением температуры, то такое изменение носит название дрейфа нуля. Типовое значение дрейфа нуля для германиевых транзисторов в интервале температур ± 60° С At/вых « 10 мВ. При интегральном исполнении и кремниевых транзисторах дрейф нуля в том же температурном диапазоне 0,1—1,0 мВ.
Если дифференциальный каскад используется в качестве УПТ, то дрейф выходного сигнала может быть вызван и изменениями входных токов транзисторов. Действительно, для нормальной работы каскада в его базовых, цепях должны протекать определенные токи. Если бы они не изменялись, то с помощью дополнительных внешних цепей можно было бы обеспечить практически полное отсутствие входного тока в цепях источника усиливаемого сигнала. Однако значения входных токов транзисторов зависят от изменения температуры и для уменьшения влияния этих изменений приходится принимать специальные меры.
Основным способом уменьшения входного тока является уменьшение тока эмиттера /э. Иногда /э уменьшают до 10—50 мкА, при этом /в«1 мкА и дрейф порядка 0,1—0,2 мкА на каждые 10° С для кремниевых транзисторов. Дополнительное снижение влияния дрейфа тока базы можно получить, применяя специальные типы транзисторов или используя компенсационные схемы.
В одном из простейших вариантов для компенсации изменений входных токов транзисторов дифференциального каскада используют дополнительные транзисторы с электропроводностью противоположного типа (рис. 3.28, г).
Компенсация обеспечивается, если коэффициенты Л219 для транзисторных пар Л— Т2н Т8— Т4 одинаковы, а регулируемые резисторы Ral и R92 настроены так, что /ы = /б2 и /бз = /в<. Неиден- тичность параметров транзисторных пар ограничивает эффективность схемы. При тщательном отборе транзисторов удается в 4—5 раз снизить нестабильность входного тока.
Хорошие результаты дает также включение в эмиттерную цепь вместо резистора R, транзистора Т2, работающего в режиме генератора тока (рис. 3.28, д). При использовании такой схемы существенно уменьшаются изменения входных токов каскада. Для этого транзисторы Tj, Т2, Тя подбираются по возможности идентичными, а сопротивление резистора R\ берется большим. Последнее обеспечивает работу транзистора Т2 в режиме генератора заданного тока.
Если при изменении температуры коэффициенты передачи базового тока й2191 = Л219, = йа181 изменятся одинаково на АЛаи, то одновременно изменятся и эмиттерные токи всех трех транзисторов. Однако базовые токи останутся практически неизменными.
Если при температуре Т выполнялось равенство /в1й2191 = /вз X х А219, == О.б/вгЛахе., которое при Л3191 = Ла191 = ЛЗХ9, имеет вид
If» =* I бЭ = 0,5/б2, то приращение ДЛа1в равных коэффициентов Аа1в при неизменном токе /ва = const приводит к равенству
/в; (Й21э,-h^ae)«/вз (йгц +ЛЛиа) = ^5/Б2(Лгь,-|-ЛЛ11^ или
/в: = /вз я 0,5/в2»
Таким образом, в идеальном симметричном дифференциальном каскаде изменения температуры практически не вызывают изменений входного тока. На практике введение в эмиттерную цепь каскада транзи- • стора позволяет приблизительно в йи, раз уменьшить нестабильность входного тока по сравнению со схемами, где ток в цепи эмиттера остается постоянным.
Дифференциальные усилительные каскады широко применяют для построения усилителей постоянного тока и логических элементов. В настоящее время они являются одними из наиболее распространенных в интегральной схемотехнике.
Таким эЗразом, дифференциальные каскады имеют:
входное сопротивление для дифференциального сигнала, близкое к удвоенному сопротивлению одиночного каскада с ОЭ (без сопротивления в эмиттерной цепи);
высокое входное сопротивление для синфазного сигнала;
коэффициент усиления по напряжению для дифференциального сигнала, соизмеримый с коэффициентом усиления одиночного каскада с ОЭ;
коэффициент усиления для синфазного сигнала, стремящийся к нулю;
выходное сопротивление приблизительно в два раза больше, чем у одиночных каскадов с ОЭ с аналогичными параметрами компонентов.
