
- •© Издательство «Высшая школа», 1982предисловие
- •Полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •Электропроводность полупроводников
- •Основные свойства и характеристик» полупроводников
- •Электрические переходы
- •1.7. Несимметричный р-л-пере- ход:
- •1 10. Энергетическая зонная диаграм-
- •Особенности и получение реальных р-п-переходов
- •Ние тока при изменении полярности напряжения (б):
- •Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Импульсные диоды
- •Полупроводниковые стабилитроны
- •Туннельные диоды
- •Варикапы
- •Биполярные транзисторы
- •Рнс. 1.26. Эквивалентная схема для постоянного тока транзистора типа р-п-р, включенного по схеме с об
- •Транзистора при эмиттерном управ- лении (схема с об) (а) и базовом управлении (б)
- •§1.8. Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •Тиристоры
- •Полевые транзисторы
- •Особенности компонентов электронных цепей в микроминиатюрном исполнении
- •Глава вторая элементы оптоэлектроники
- •Общие сведения
- •Управляемые источники света в цепях оптоэлектроники
- •Фотоприемники
- •Фоторезисторы
- •Фотодиоды
- •(В) и частотные (г) характеристики
- •Фототранзисторы
- •Световоды и простейшие оптроны
- •Глава третья усилители электрических сигналов
- •Общие сведения об усилителях электрических сигналов, их основных параметрах и характеристиках
- •Основные положения теории обратной связи применительно к усилителям
- •Статический режим работы усилительных каскадов
- •Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •§ 3.5. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим эмиттером
- •Позволяет получить наиболее высокий коэффициент усиления по напряжению:
- •Имеет невысокое входное и относительно большое выходное сопротивление;
- •Вносит фазовый сдвиг 180° в диапазоне «средних; (рабочих) частот.
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общей базой
- •Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим коллектором
- •§ 3.8. Усилительный каскад с эмиттерной связью
- •Дифференциальные усилительные каскады
- •Усилительные каскады с каскодным включением транзисторов
- •Управляемые источники тока и усилительные каскады на их основе
- •Усилительные каскады с трансформаторной связью
- •Мощные усилительные каскады
- •Многокаскадные усилители в интегральном исполнении
- •§ 4.3. Операционные усилители
- •Усилители, управляемые внешними сигналами
- •11 UbIlRi, 1% л# uBllB/r2.
- •£Cjrt Yi
- •Рио. 4.24. Схема сложного активного фильтра (а) и его лачх при снятии сигналов с вЧвыхода (б); нч-выхода (в); полосового выхода (г)
- •Нелинейные преобразователи электрических сигналов
- •Усилители с уменьшенным дрейфом нуля
- •Магнитоэлектронные преобразователи электрических сигналов
- •Выходного каскада усилителя магнитоэлектронного преобразователя (в)
- •.Устойчивость многокаскадных усилителен и коррекция их характеристик
- •Рнс. 4.37. Лачх первого звена (а) 'и лачх второго звена (б) усилителя
- •4.39. Лачх усилительного каскада аппроксимация экспериментально определенной лачх усилителя (б)
- •Глава пятая генераторы синусоидальных колебании
- •Общие сведения о генераторах синусоидальных колебаний
- •Генераторы типа lc
- •Генераторы типа rc
- •Автогенераторы с кварцевой стабилизацией частоты колебаний
- •Глава шестая линейные преобразователи импульсных сигналов
- •Общие сведения об импульсных процессах и устройствах
- •Пассивные линейные интегрирующие цепи
- •Интеграторы на основе операционных усилителей
- •, Рис. 6.15. Схема дифференцирующего устройства, применяемого на практике (а), и его лачх (б):
- •Укорачивающие цепи
- •Передача импульсов через rc-ц'епи
- •Глава седьмая электронные ключи
- •Диодные ключи
- •Рнс. 7.2. Схема диодного ключа, включенного в прямом направлении (а); зависимость распределения зарядов на базе от времени (б); характеристика переходных процессов в диодном ключе (в)
- •Транзисторные ключи
- •Транзисторные прерыватели
- •Анализ переходных процессов в транзисторе методом заряда базы
- •Анализ переходных процессов в транзисторном ключе
- •4 _ Циала (ж)
- •Ненасыщенные ключи
- •Транзисторные ключи на полевых транзисторах с управляющим р-л-переходом
- •— К'вост/'в нач
- •Ключи на мдп-транзисторах
- •Переходные процессы в ключах на полевых транзисторах с управляющим р-л-переходом
- •Переходные процессы в ключах на мдп-транзисторах
- •Глава восьмая нелинейные формирователи импульсов
- •§ 8.1. Ограничители на пассивных элементах
- •Ограничители на операционных усилителях
- •Общие сведения о логических элементах
- •Рис, 8.13. Передаточные характеристики неинвертирующего (а) и инвертирующего (б) логических элементов
- •Активные логические элементы
- •Триггеры
- •Триггер с эмиттерной связью
- •Формирователи напряжения прямоугольной формы на основе оу
- •Компараторы напряжения
- •Генераторы импульсов
- •Одновибраторы на основе логических элементов
- •А * с повышенной длительностью выходного импульса; б — на основе rs-триггера; в — с повышенной длительностью выходного импульса и малой длительностью стадии восста* новления
- •Одновибраторы на основе операционных усилителен
- •Мультивибраторы на основе логических элементов
- •«Вх! —Uaep — £ /вх Ai Al „ ,d 6 их л1
- •Генераторы прямоугольного напряжения на основе операционных усилителей
- •Генераторы линейно н ступенчато изменяющихся напряжений а
- •Размахом выходного напряжения Umi
- •Длительностью рабочего хода т9;
- •Длительностью обратного хода или временем воовтановления Tj
- •Рве. 9.14. Структурная (а) в принципиальная (б) схемы глин с кон- денсаторной ос в его диаграмма вапряжений(в)
- •Рис, 9.17. Принципиальная (в) я эквивалентная (б) схемы блэ- иинг-генератора
- •§ 9.7. Блокииг-генератор с трансформатором на сердечнике с прямоугольной петлей гистерезиса
- •Заключение
- •Литература
- •*Алфавитный указатель
- •4Оглавление
§ 3.5. Усилительный каскад на биполярном транзисторе с общим эмиттером
Анализ работы транзисторного усилительного каскада о общим эмиттером (ОЭ) (рис. 3.20, а) будем вести, используя полученную в § 1.7 эквивалентную схему транзистора, причем для простоты анализа не будем учитывать обратную связь. Это допущение справедливо в подавляющем большинстве случаев.
Составим три эквивалентные схемы для соответствующих диапазонов частот: средних, низких (больших времен), высоких (малых времен).
Эквивалентные схемы для области средних частот (средних времен) каскада с ОЭ приведены на рис. 3.20, б, в. При их построении учтено, что значения емкостей С19 С2, Сэ выбираются такими, чтобы их сопро
г* /сдиф
Рис. 3.20. Усилительный каскад с общим эмиттером: полная (а), эквивалентная (б) и упрощенная (в) схемы усилительного каскада для области средних частот
тивления в диапазоне средних частот, под которым обычно понимают диапазон рабочих частот, были достаточно малы и ими в эквивалентной схеме можно было бы пренебречь.
Упрощенная эквивалентная схема (рис. 3.20, в) отличается от полной тем, что в ней не учтено влияние дифференциального сопротивления коллекторного перехода ^.диф, которое достаточно велико и при небольших сопротивлениях Rn (до десятков килоом, а иногда и выше) его можно не учитывать.
. На эквивалентных схемах для переменного тока направления включения генераторов тока зависят от мгновенного значения полярности входного напряжения. Поэтому направления включения генераторов тока, отражающих наличие переменного сигнала, в один полупериод совпадают с направлениями включения генераторов, характеризующих статический режим, а в другой противоположны им. В дальнейшем направление включения генераторов переменного сигнала будем определять, исходя из направления входного тока, задаваемого произвольно. Соответствующие токи и напряжения на эквивалентной схеме будем обозначать малыми буквами.
Так как статический режим каскада с ОЭ подробно рассмотрен в §3.3, найдем параметры каскада, характеризующие его свойства при усилении сигналов переменного тока.
Входное сопротивление. Если не учитывать сопротивление делителя RJI^j, то входное сопротивление каскада определится из соотношения
где ивх — напряжение на зажимах база—эмиттер; ZBI — ток базы.
Входное напряжение, как это видно из эквивалентной схемы (рис. 3.20, в),
«вх ^ ^rg -{■ Zg гв>дИф -f-Zj hzis Г» .диф’
откуда
^вх = ^вх^б Гб 4" 0 4“ ^21 э) Гв<дИф.
Для получения полного входного сопротивления необходимо учесть шунтирующее действие сопротивлений Й1 и R3. Так как для переменного тока они включены параллельно, то
о №Р,)1?.х
вхпол Z?bx4-(/?i||/?1) '
Выходное сопротивление определяют со стороны выходных зажимов при отключенной нагрузке и нулевом входном сигнале. Если не учитывать Гк.днф, ТО /?вых « ₽к-
Выходное напряжение, как это видно из эквивалентной схемы, ^вых —hila Zj(Z?B||/?ц).
Если бы не было делителя Rlt R3 , то входной ток был бы равен ^а ~ ^(Rp 4“ Rbx)-
А так как в реальной схеме этот делитель имеется, то преобразуем источник сигнала с параметрами е3 и Rp о подключенными к нему сопротивлениями делителя Rit R3 с помощью теоремы об эквивалентном генераторе в источник с параметрами
<;=1,г4йг"',:’8'|₽'|1в’
Очевидно, что если в выражение для /б вместо е9 и R9 подставить i и /?J, то ток базы уменьшится (конечно, если сопротивление Я|||₽1 соизмеримое R9). Следовательно, этот делитель снижает коэффициент
усиления каскада. В дальнейшем при анализе для упрощения будем использовать сопротивление Rt и э. д. с. ер.
Коэффициент усиления по напряжению каскада определим как отношение выходного напряжения на нагрузке к э. д. в. источника сигнала. Без учета влияния делителя Rf, Rt
“ <б(Лг+«В1) “ ЛР+«вх '
Если делитель R^, R^ достаточно низкоомный, то вместо ЙР необходимо подставлять R'r, а вместо ег — еЛ
Если /?г = 0 и /?,-> оо, то коэффициент усиления по напряжение будет максимальным:
^и = ^21 э R^/^вх7
Знак минус свидетельствует об изменении фазы выходного напряжения на 180° *.
Из выражения (3.28) следует, что для увеличения коэффициента усиления необходимо увеличивать RK. Однако если использовать полную эквивалентную схему, то станет ясно, что наличие Гк.ДИф существенно ограничивает максимальное значение этого сопротивления.
Следует обратить внимание на то, что в рассматриваемом каскаде имеется внутренняя обратная связь.
Причина ее возникновения заключается в том, что часть коллекторного тока iB ответвляется в цепь базы (в цепь иеточника сигнала) (рис. 3.20, б), что ранее не учитывали. Очевидно, что если бы Гк.ДИф было небольшим, то и часть тока базы ответвлялась бы в цепь коллектора, но так как Гк.диф достаточно велико, то это токораспределение практически отсутствует.
Часть тока, ответвляющаяся в цепь базы, определяется соотношением сопротивлений г3.диф и Rv 4- fi. Эта часть на основании общей теории обратной связи может быть учтена коэффициентом обратной связи
% = Ыб1Ы«>
где Д/б — приращение тока базы, которое получается при независимом изменении тока коллектора на Д/к. Из эквивалентной схемы можно легко найти этот коэффициент:
% = ,
^г+Гб+Г»‘ДИФ
Если бы Rr-+ 0, то обратная связь и ее коэффициент определялись бы только сопротивлениями самого транзистора:
гэ.диФ
%0 М 8
гбт/'э.дифНаличие обратной связи приводит к тому, что на ток базы наклады* кается ток обратной связи, в результате чего ток базы ^ «/б — .—Лгм/бУо нли
««<«/0+^1, ?б). (3.29)
Как видно из выражения (3.29), ток базы уменьшается за счет внутренней обратной связи. Следовательно, уменьшается как выход* ной ток, так и коэффициент усиления каскада.
Рие. 3.21. Эквивалентная схема каскада с ОЭ для области низких частот (а)} влияние переходной емкости С, т X >т, (б) в эмиттерной емкости С» (в) на коэффициент усиления каскада
Можно показать, что коэффициент усиления каскада уменьшается в 1 + ЛягвТо ра32
К #к II ^в •
' +^51, Y0 ^,+^и
Соответственно увеличивается и входное сопротивление каскада.
Наличие внутренней ОС учитывают при подробном анализе работы каскада. При прикидочных расчетах, обычно широко применяемых в инженерной практике, внутренней ОС часто пренебрегают и считают, что весь коллекторный ток протекает в цепи эмиттера.
* При полном анализе приходится учитывать и сопротивление кол* лекторного перехода г* пЯф. В него ответвляется часть тока Азаэ^о* что приводит к уменьшению коллекторного тока. Однако в большинст* ве случаев эта поправка невелика. При необходимости оценка ее легко может быть сделана с помощью полной эквивалентной схемы.
Эквивалентная схема для области низких частот (рис. 3.21, а) учитывает разделительные конденсаторы Ci, Са и конденсатор С„ шунтирующий эмиттерный резистор. Иногда С, называют блокирующей емкостью. Сопротивления делителя R^R^ для упрощения анализа в эквивалентной схеме не учтены. Сопротивление конденсатора С® можно отнести к внутреннему сопротивлению генератора 2,1
4 - Л» + 1/(/<оС.) = (№& + О/ОСх).
В операторном виде выражение для сопротивления генератора име* ет вид
4 (р) « (1 + рС^ЦрС^ = /?, (1 + pi1)Rp'hh
где T2 я Ci,/?,.
Если емкость конденсатора С2 отнесем к сопротивлению нагрузки Rn, то получим значение сопротивления нагрузки в комплексной форме:
ZB = Rn + 1/(/®С2) = (1 + /®С2Ян)/(/®С2);
оно запишется в операторном виде как
Zb (р) — О “Ь pC2Rh)/(pC2) RB (1 4* Р^^Кръ^,
где т2 = C2Ra-
Сопротивление в цепи эмиттера
у _ I РпКР^зУ (гэ.дпф4'^а)'1‘/®^э^з^.диф
Э- э.диф-Ь ^4-1/уас^ l+/wC9/?9
В операторном виде
Z (о) = (^MjiH^H^t^il®^^ =5
1 +рСэ /?э
1 +рс9 _^диф_
, D\ Яэ+Гэ.диф
Теперь, для того чтобы установить влияние конденсаторов Сь С2 и Сэ, в выражения, полученные для каскада, работающего в области средних частот, вместо соответствующих значений активных сопротивлений подставим их значения в операторном виде.
Входное сопротивление будет определяться выражением
ZBI (р) = Гб + (1 + ^ь) (G-диФ + /и (
из которого видно, что входное сопротивление в области больших времен увеличивается. Действительно, если вместор подставить/® и рассмотреть случай, когда со -> 0, то входное сопротивление будет иметь наибольшее значение:
Rn = гб + (1 4-Й21э)(Г8.диф + Яв).
Коэффициент усиления по напряжению получим, подставляя вместо RB, Rv и RBi их значения в операторном виде в области больших времен:
К ^21э (Яд || ZH (р)|
Zp (Р) 4"Zbx (р)
Так как подстановка в общем виде значений сопротивлений приводит к достаточно громоздким выражениям, рассмотрим частные случаи, дающие представление о влиянии емкостей.
Предположим, что С9-> оо и на рассматриваемом участке Zbx (р) Явх»
Тогда
2Г (р) + Z„ (р) = Rr + ри =
РТ1
“ ~ —
где т4 = Сх (Я, 4- Явх);
р 14рСа дн
R*
IIz*
^
= T^?f
=
—rBv
где т„ = Са (Ян + Як).
Соответственно коэффициент усиления каскада
К„ = Я„о у Jl+^slfl!— (3.30)
где у = (Яв + Як)/Ян; Яи, — коэффициент усиления в области средних частот.
Таким образом, для сравнения коэффициента усиления на средних и низких частотах мы выразили соответствующие сопротивления на низких частотах через значения этих сопротивлений на средних ча- етотах.
Выражение (3.30) позволяет оценить изменение коэффициента усиления'на низких частотах по сравнению с его значением на средних частотах.
Если предположить, что и С, -> оо, то
Ки - Ka, рТ4/(1 + /П4).
Оригиналом такого операторного выражения является
Следовательно, при подаче на вход «скачка» напряжения в первый момент каскад ведет себя так же, как на средних частотах, а затем напряжение на выходе начинает уменьшаться по экспоненциальному закону (рис. 3.21, б). Чем больше постоянная времени т4, тем меньше будет величина спада и тем точнее каскад будет передавать форму импульса той же длительности. Так как в транзисторных каскадах в отличие от ламповых входные сопротивления невелики, то т4 увеличивают за счет увеличения переходных емкостей, значения которых достигают десятков и сотен микрофарад.
Очевидно, что указанные емкости ограничивают нижнюю рабочую частоту, на которой обеспечивается заданное значение коэффициента усиления.
Теперь предположим, что Сх-> оо и С2->оо, тогда
^г + ^м (р)
Преобразуем выражение Rv + ZBX (р):
^г + ^вх (Р) = ^г + ^б + (1 +Й21э) (^8. пиф + Яа)Х
1 + Р^Э ^8 J
ИЛИ
^г + 2вх(р) = ^г + Гб + (1 + Аш) ^•ДИф+у^^’ =
= (Яр + явх) + (1 + Аш) Я0/( 1 + рС, RJ.
Тогда коэффициент усиления
КАР)=Ки. j . (3.31)
Н~( + 21э) (Яг-|-/?в1) (1+pCjRj)
Из уравнения (3.31) видно, что коэффициент усиления каскада меняется в зависимости от частоты; в диапазоне низких частот он значительно меньше, чем в диапазоне средних частот. Это легко может быть проверено путем замены р на /со. Если пренебречь единицей в члене (1 + pCaRg) (что не вполне правомерно, но позволяет наглядно уяснить влияние Сэ), то после преобразований получим
„ . , „ Р^а Явх)/(1 + ^о|э) и(Р ~ l+pC,(/?P+RBI)/(i+^19) ’
Ки (р) = Ku„pbJ(\ + pi„),
где т, = р (Яг + Явх) С8/(1 + hiis).
Оригинал данного операторного выражения
(3.32)
Видно, что емкость конденсатора Сд при прочих равных условиях должна быть значительно больше переходных емкостей. Ее приходится брать равной сотням—тысячам микрофарад.
Из переходной характеристики (3.32) следует, что в первый момент после поступления «скачка» напряжения влияние С8 несущественно и каскад ведет себя так же, как и в диапазоне средних частот (рис. 3.21, в). По мере зарядки конденсатора Ся эмиттерный и входной ток уменьшаются, причем эти изменения в первом приближении происходят по экспоненциальному закону. В пределе при большом t конденсатор Сэзарядится полностью и ток через него станет равен нулю. Сопротивление в эмиттерной цепи вместо гэ.дпф примет значение (гэ.ДИф + Я») и входное сопротивление каскада станет максимальным.
Следует обратить внимание на принципиальное отличие влияния на каскад конденсатора С8 в сравнении с влиянием конденсаторов Сп С2
.При зарядке конденсаторов Сь Са соответствующие токи во входной и выходной цепях прекращаются полностью. При зарядке конденсатора Св ток базы, эмиттера и выходное напряжение, хотя и уменьшаются, все же остаются отличными от нуля. В результате этого каскад сохраняет усилительные свойства. Это утверждение следует из (3.30).
Таким образом, низкочастотную часть характеристики усилителя определяют все переходные и блокировочные конденсаторы. Однако если одна из постоянных времени т значительно меньше всех осталь-
Рис. 3.22. Эквивалентная схема каскада с ОЭ для области высоких частот (а); изменение выходного напряжения при подаче ступеньки напряжения (б); частотная характеристика усилительного каскада (в)
вых, то можно считать, что именно она в основном определяет низко, частотную часть характеристики усилителя. Тогда, исходя из требуемого относительного сйада вершины
за время действия прямоугольного импульса длительностью /имп- определяют необходимое значение соответствующей постоянной времени. При этом пользуются упрощенным уравнением
^ ^имп^”1.
Если необходимо учитывать несколько постоянных времени, ввиду того что по условиям работы они близки по значению, то при прикидоч- ных расчетах их считают равными. В этом случае результирующий спад вершины определяется из выражения
® ^вмп^сп»
где тсп « ilm\ т — постоянная времени цепи, влияние которой на спад вершины и оцениваем; т — количество цепей, имеющих постоянную времени т.
Такая оценка значений постоянных времени является сугубо приближенной, но позволяет ориентировочно определить, какие значения реактивных компонентов следует использовать. При этом можно пользоваться и упрощенным соотношением, определяющим нижнюю рабочую частоту каскада, определенную на уровне 0,7: соа « та>{) где wi- е 1/т.
В эквивалентной схеме в области высоких частот (рис. 3.22, а) необходимо учитывать емкость коллекторного перехода Q. Кроме того.
при анализе следует помнить, что в диапазоне малых времен /&» является операторной величиной:
Л21э(Р) = Л21э/(1 +ртц),
где &21Э — коэффициент передачи базового тока на средней частоте; тр = 1/(2л/амэ); Д!19 — предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
Следовательно, iK, Ск и Гк.диф зависят от времени и являются операторными величинами. Оригинал изображения Л21Э (/) имеет вид
Й218(0 = Й218(1-е-‘/'?).
Ограничимся лишь качественной оценкой процессов, происходящих в области малых времен. Пусть задана ступенька входной э. д. с. Тогда в первый момент времени ток базы будет определяться суммой сопротивлений Rr 4- г'б + ra, a G и Гк равны соответственно Ск и гк. Сопротивление /?в||/?п оказывается присоединенным параллельно г3 через Сл и на выходе будет иметь место небольшой скачок напряжения за счет непосредственного прохождения сигнала, причем его полярность совпадает с полярностью напряжения еР (рис. 3.22, б).
По мере нарастания Лгь увеличивается ток коллектора G, часть которого ответвляется из-за наличия обратной связи в цепь базы и уменьшает общий ток последней. Это способствует более быстрому завершению переходного процесса.
При возрастании коэффициента Лгь емкость С$ увеличивается, а сопротивление Гк уменьшается. Значит, все большая часть тока Лш ^ будет ответвляться в цепь Z*. Это ослабляет обратную связь и затягивает переходный процесс.
Используя соответствующие соотношения, можно провести количественный анализ в диапазоне малых времен.
Из вышесказанного ясно, почему усилительный каскад имеет разный коэффициент усиления в различных участках частотного диапазона и его частотная характеристика имеет вид, показанный на рис. 3.22, в. В области низких частот уменьшение коэффициента усиления обусловлено влиянием переходных и блокировочных конденсаторов, входящих в состав каскада. В области высоких частот уменьшение коэффициента усиления связано с инерционными свойствами транзистора, а также с тем, что емкость коллекторного перехода оказыва- ef шунтирующее действие.
Таким образом, усилительный каскад с общим эмиттером: