книги из ГПНТБ / Нечаев А.Н. Устройство и работа электронных цифровых машин
.pdfлюбое такое реле содержит механические части, которые вследствие большой инерции не допускают высокой ско рости переключения в электрических схемах. К тому же при частых переключениях электромагнитные реле бы стро выходят из строя.
Высокое быстродействие современных электронных цифровых машин, достигающее сотен тысяч операций в секунду, стало возможным только благодаря примене нию электронных, практически безынерционных эле ментов.
Электронные лампы
В большинстве ЭЦМ, выпускавшихся до 1958 г., в качестве основных элементов применялись электронные лампы, в которых используются потоки электронов, дви жущихся в вакууме. Электроны, необходимые для рабо ты лампы, получаются в результате нагревания метал-, лов до очень высокой температуры (порядка 2000°С). Излучение раскаленным металлом электронов под дей ствием электрического поля называют э л е к т р о н н о й
эми с с и е й .
Впростейшей электронной лампе, которая называет ся д и од о м, имеется всего два электрода (рис. 8). Один
из них — ка т од , а другой, соединенный с положитель ным полюсом источника тока и представляющий собой металлическую пластинку, называется а н о д о м . Катод лампы соединяют, с отрицательным полюсом источника электропитания. В электронной лампе с помощью нити • накала нагревается катод. Под .влиянием нагревания скорость хаотически движущихся в материале катода
свободных |
электронов увеличивается, и они^вылетают |
из катода. |
......... |
Под действием электрического-- поля, возникающего |
|
в лампе благодаря источнику электропитания, электро |
|
ны, вылетевшие из катода, направляются к аноду. |
Та |
ким образом, в цепи лампы возникает электрический |
ток |
ta. Если же анод лампы присоединить к отрицательно-- му полюсу источника, а катод к положительному, то созданное в лампе электрическое поле будет отталки вать электроны обратно к катоду и тока не будет.
G2
Основное свойство диода — спо собность пропускать, ток только в од ном направлении, или, как говорят, его односторонняя, проводимость. Именно это свойство позволяет ис пользовать диод в схемах ЭЦМ для передачи сигналов только опреде ленной полярности, а также для
преобразования переменного тока |
в |
постоянный, необходимый для пи |
|
тания схем машины. |
Рис. 8. Диод. |
Т р и о д представляет собой трех электродную лампу, в которой между катодом и анодом
помещается третий электрод — у п р а в л я ю щ а я с е т ка (рис. 9). Изменяя потенциал сетки относительно ка тода, можно управлять величиной потока электронов, ле тящих от катода к аноду. Если на сетку подать напряже ние положительное относительно катода, то сетка будет притягивать электроны и тем самым усиливать анодный ток 4- Так как сетка расположена к катоду ближе, чем анод, изменение напряжения на ней оказывает влияние во много раз большее, чем изменение напряжения на ано де. Сетка усиливает ток в цепи лампы за счет энергии того источника тока, к которому она присоединена. Та ким образом, триод может работать как усилитель.
Если в цепь анода лампы поставить сопротивление /?а> то через него будет протекать анодный ток, который создаст на сопротивлении падение напряжения, завися щее от величины тока. Входным сигналом такой схемы является напряжение между катодом и сеткой лампы, а выходным — напряжение между катодом и анодом. От
ношение изменений . напряжения анода и напряжения управляющей сетки, вызывающих одинаковое из менение анодного тока, называется к о э ф ф и ц и е н т о м у с и л е н и я . У разных типов триодов значения коэффициента усиления колеблются от 4 до 100.
Если на сетку лампы подать на пряжение, отрицательное по отно шению к напряжению, поданному на катод, то ток через лампу пре
63
кратится, так как все излучаемые электроны вернутся обратно на катод. Лампа, как говорят, окажется запер той.
В четырехэлектродной |
лампе — т е т р о д е — имеются |
|
две сетки. |
Тетроды обычно используются в качестве |
|
усилителей |
мощности. |
П е н т о д — пятиэлектродная |
лампа — имеет три сетки. Коэффициент усиления пенто дов очень высок и достигает у некоторых образцов не скольких тысяч.
Применение в электронных цифровых машинах дво ичной системы счисления позволяет использовать элек тронные лампы только в двух крайних режимах работы: в одном — лампа полностью заперта, ток через нее не протекает и с анода лампы снимается напряжение, рав ное напряжению источника питания; в другом — лампа открыта, через нее протекает достаточно большой анод ный ток. В последнем случае с анода лампы снимается сигнал низкого уровня напряжения, близкий по вели чине потенциалу катода лампы. Такие режимы облег чают условия использования ламп, позволяют создавать значительные запасы работоспособности деталей схем и тем самым добиться высокой их надежности. Срок служ бы электронных ламп в схемах ЭЦМ составляет около 10 тыс. часов.
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы по сравнению с элек тронными лампами отличаются весьма малыми габа ритами, ничтожным потреблением электроэнергии, не чувствительностью к тряске, вибрациям и ударам, боль шим сроком службы и высокой надежностью.
Во многих машинах, построенных в последние годы
.и разрабатываемых в настоящее время, используются в качестве основных элементов полупроводниковые при боры — триоды ( т р а н з и с т о р ы ) и диоды. Переход от электронных ламп к полупроводниковым приборам по зволил резко уменьшить габариты машин — от десятков кубических метров до нескольких кубических децимет ров, а количество потребляемой энергии — от десятков киловатт до сотен ватт.
64
В настоящее время существуют машины, целиком по строенные на полупроводниковых элементах (например, машины «Минск-2», «Раздан-2» и многие специализиро ванные), которые показали высокую надежность. Прав да, сделаны лишь первые шаги, и пока многие полупро водниковые машины уступают по своим возможностям некоторым машинам, построенным на электронных лам пах. Но развитие полупроводниковой техники и внедре ние полупроводников в электронные цифровые машины идет столь бурными темпами и в столь широких масш табах, что в скором времени они, вероятно, полностью вытеснят лампы из ЭЦМ.
По своей электрической проводимости полупровод ники занимают промежуточное место между проводни ками и непроводниками (изоляторами) электрического тока. Под воздействием электрического поля некоторые электроны могут вырываться из внешней оболочки ато ма полупроводника, на этом месте образуется недоста ток электрона, или, как принято говорить, образуется дырка. Тогда электрон из оболочки соседнего атома пе рескочит на место образовавшейся дырки, а на его ме сте в свою очередь образуется дырка и т. д. Таким образом, будет происходить движение электронов в од ну сторону и дырок — в другую. Движение электронов называется электронной проводимостью (проводимо стью типа п ), а движение дырок — дырочной проводи мостью (проводимостью типа р ) .
В чистых полупроводниках количество образующих ся дырок равно количеству отрывающихся от атомов электронов, т. е. дырочная проводимость равна элек тронной. Примерами полупроводников являются герма ний и кремний.
Для получения полупроводниковых приборов исполь зуют не чистые полупроводники, а полупроводники с примесями. При сплавлении двух полупроводников с различными типами проводимости полученный вновь по лупроводник будет иметь преобладающей либо дыроч ную, либо электронную проводимость. • Добавление к германию индия приведет к получению полупроводни ка, имеющего преобладание'дырочной проводимости, а при добавлении мышьяка — электронной проводимости. Таким образом, вводя соответствующие примеси, полу чают полупроводники, обладающие преимущественно
5 |
А. Нечаев |
65 |
|
|
|
|
|
проводимостью |
tuila |
р |
|||||
|
|
- |
|
+ |
или типа |
«. Полупро |
||||||
я*- |
п |
р |
водниковые диоды и |
|||||||||
+ _ |
-er |
|||||||||||
|
|
— |
|
|
триоды строятся путем |
|||||||
|
|
|
|
|
сочетания в одном эле |
|||||||
|
|
|
+ |
|
менте |
нескольких |
сло |
|||||
|
|
|
|
ев |
полупроводника |
с |
||||||
|
|
|
- 0 |
|
||||||||
|
|
|
|
|
различными |
типами |
||||||
|
|
|
|
|
проводимости. |
|
|
|
||||
Рис. |
10. Полупроводниковый |
диод. |
|
В |
полупроводнико |
|||||||
|
|
|
|
|
вом диоде |
использует |
||||||
дырочный |
переход |
(рис. |
1 0 ). |
ся |
один |
электронно |
||||||
На |
границе |
двух |
полу |
проводников с различными типами проводимости
происходят следующие |
явления. Дырки из р-обла |
|
сти будут проникать в «-область, а электроны |
из «-об |
|
ласти в p-область. В результате на границе в |
«-области |
|
возникает положительный |
заряд, а в р-области — отри |
цательный. Эти заряды будут препятствовать дальней шему проникновению электронов и Дырок в «чужие» области. Величина образовавшегося потенциального барьера зависит от характеристик полупроводников.
При подключении положительного полюса источни ка тока к p-области, а отрицательного к «-области про изойдет пополнение обедненных электронами и дырка ми пограничных областей, уменьшится сопротивление
перехода и потечет ток. |
Граница |
между р-областыо и |
||||
п -областью называет |
|
|
||||
ся |
р — « |
переходом. |
|
|
||
При обратном подклю |
|
|
||||
чении полюсов величи |
|
|
||||
на потенциального |
ба |
|
|
|||
рьера увеличится и ток |
|
|
||||
не пойдет. Такой |
при |
|
|
|||
бор проводит ток толь |
|
|
||||
ко в |
одном |
направле |
|
|
||
нии, |
т. е. |
обладает |
|
|
||
свойствами |
диодов. В |
|
|
|||
полупроводниковом ди |
|
|
||||
оде p-область анало |
|
|
||||
гична |
аноду, |
а «-об |
|
|
||
ласть— катоду |
элект |
Рис. 11.. Полупроводниковый триод: |
||||
ронной лампы. |
|
|
•Э — эмиттер; |
К — коллектор; Б — база. |
66
Если в полупроводник с одним видом проводимости вплавить два полупроводника с другим видом проводи
мости |
(например, |
в |
п -полупроводник вплавить |
два |
|
р-полупроводника), |
|
то получится |
полупроводниковый |
||
прибор, |
аналогичный |
триоду, — так |
называемый т р а н |
||
з ист ор . Одна из p-областей называется эмиттером |
по |
||||
лупроводникового |
триода, другая — коллектором, |
а |
«-область— базой.
Между эмиттером и базой включается небольшое на пряжение Е\ и последовательно с ним то напряжение,
•которое необходимо усилить (рис. 11). Между коллек тором и базой включается большее напряжение Е 2, чем между эмиттером и базой.
Так как в цепи эмиттера положительное напряжение приложено к p-области, то в нем будут образовываться дырки, которые пойдут к базе и к коллектору. К цепи коллектора и p-области присоединен минус источника, поэтому тока в цепи коллектора не будет. Если же включается усиливаемое напряжение, то количество дырок, образующихся под влиянием эмиттера в кол лекторе, увеличивается, и в цепи коллектора возникает ток. Подбором величины напряжений в цепях коллек тора и эмиттера можно добиться, чтобы этот ток был больше усиливаемого.
Мощность, выделяемая в электрической цепи током, прямо пропорциональна сопротивлению этой цепи. Сле довательно, при примерном равенстве токов /э и /к мощ ность будет больше в той из цепей, которая имеет боль шее сопротивление. Поскольку сопротивление нагрузки /?„ во много раз превосходит сопротивление цепи эмит тера, соответственно и мощность в нем превышает мощ ность подводимого к триоду сигнала-. Благодаря этому описанный прибор обладает усилительными свойствами, причем он усиливает входной сигнал не только по на пряжению, но и по мощности. ■
Для работы транзисторов в схемах ЭЦМ характерны два режима: режим полного запирания, при котором коллекторный ток равен нулю, и режим насыщения, при котором коллекторный ток достигает максимального значения.
Недостатком полупроводниковых приборов является сильное изменение их параметров с изменением темпе ратуры. Параметры меняются также и с течением вре
5* |
67 |
мени. Кроме того, характеристики полупроводниковых приборов очень сильно зависят от технологии их изто товления, вследствие чего в одной партии часто нахо дятся приборы с большим разбросом параметров. Даже при использовании полупроводниковых приборов в схе мах ЭЦМ, где они работают только в двух режимах, часто приходится перед установкой в схемы производить их разбраковку по основным характеристикам.
Тем не менее полупроводниковые элементы совершен
но необходимы в машинах, |
которые |
должны обладать |
||
малыми |
габаритами, потреблять мало электроэнергии, |
|||
работать |
при тяжелых |
механических |
воздействиях |
|
(большие ускорения, вибрации и т. |
п.) |
и быть надеж |
ными.
Такие требования в большинстве случаев предъявля ются к электронным цифровым управляющим маши нам, особенно работающим на борту управляемого объекта (поезда, самолета) или в непосредственной бли зости от станков, машин, прокатных станов.
Ферромагнитные элементы
Ферромагнитные элементы применяются в ЭЦМ для построения оперативных запоминающих устройств при мерно с середины 50-х годов. В сочетании с электронны ми лампами и полупроводниковыми диодами они широ ко используются также в логических схемах, производя щих переключения и счет. На таких элементах построе ны, в частности, машины ЛЭМ-1 и «Сетунь».
Ферриты представляют собой материалы, обладаю щие магнитными свойствами. Их приготовляют из смеси окислов некоторых металлов (магния, марганца, никеля и др.) с магнитным железняком. Обычно ферритовые сердечники делают в виде колец с наружным диаметром в 'несколько миллиметров, а иногда даже долей милли метра.
Ферритовые сердечники, применяемые в электронных
цифровых |
машинах, характеризуются |
прямоугольной |
||
петлей |
гистерезиса |
(рис. 1 2 ) — кривой, |
показывающей |
|
зависимость |
между величиной тока, протекающего по |
|||
обмотке |
сердечника |
(или напряженностью магнитного |
||
поля Н ) , |
и величиной магнитной индукции сердечника В . |
68
|
Сердечник |
может нахо |
|
|
|||
диться в одном из двух ус |
|
|
|||||
тойчивых |
состояний |
намаг |
|
|
|||
ниченности, |
следовательно, |
|
|
||||
способен хранить |
двоичные |
|
|
||||
коды цифр. При достаточной |
|
|
|||||
величине напряженности ма |
|
|
|||||
гнитного поля, создаваемого |
|
|
|||||
протекающим через обмотку |
|
|
|||||
током, индукция в сердечник |
|
|
|||||
ке |
достигает |
определенной |
|
|
|||
величины. |
После прекраще |
|
|
||||
ния действия напряженности |
|
|
|||||
магнитного поля в сердечни |
|
|
|||||
ке |
сохраняется |
остаточная |
|
|
|||
индукция В х. |
|
|
сердеч |
|
|
||
|
Таким |
образом, |
|
|
|||
ник из ферромагнитного ма |
Рис. |
12. Петля гистере |
|||||
териала имеет два |
устойчи |
||||||
вых состояния: -{-Вх |
и —- В г. |
зиса |
ферритового сер |
||||
|
дечника. |
||||||
■ Проверка |
того, |
в каком |
|
|
состоянии находится сердечник, а также считывание за писанной в нем информации производятся-путем подачи отрицательного импульса (—Н т). Если сердечник нахо дился в состоянии «О» ( —В х ), то перемагничивания не произойдет, а лишь несколько увеличится его отрицатель ная магнитная индукция и на выходной обмотке появит ся незначительный импульс, представляющий собой по меху. Если же сердечник находился в состоянии «1» (4 Вх), то произойдет полное перемагничивание сердечни ка, изменится знак его магнитной индукции и на выход ной обмотке появится значительный импульс, представ ляющий сигнал.
Чем больше прямоугольность петли гистерезиса, тем выше отношение величины сигнала при перемагничивании сердечника к величине помехи. Время леремагничивания сердечников в зависимости от их размеров и ве личины перемагничивающего тока изменяется от долей микросекунды до нескольких микросекунд. Это позво ляет использовать ферритовые сердечники для создания достаточно быстродействующих логических и запоми нающих схем.
Для того чтобы ускорить процессы леремагничива-
69
ния, сократить расход необходимой для этого электро энергии и уменьшить габариты элементов, стремятся максимально уменьшить размеры сердечников. Чем меньше сердечник и чем тоньше его стенка, тем выше допустимая частота работы, но тем меньше сигнал, ко торый снимается с сердечника при перемагничивании. Однако производство ферритовых колец идентичных па раметров с очень маленьким внешним диаметром связа но со значительными технологическими трудностями.
Ценные качества магнитных сердечников заключают ся в их устойчивости к изменению температуры, доста точно высокой механической прочности и способности длительное время надежно сохранять записанную ин формацию.
Новые элементы ЭЦМ
В электронных цифровых машинах, серийно выпус каемых промышленностью в настоящее время, приме няются электронно-ламповые, .полупроводниковые и ферритовые элементы. Быстродействие логических схем машины с этими элементами составляет: для ламповых— несколько миллионов, для полупроводниковых — не сколько десятков миллионов и для ферритовых—несколь ко сотен тысяч переключений в секунду.
Использование этих элементов не позволяет сущест венно увеличить быстродействие машин без изменения' их структуры и значительного увеличения объема обо рудования. Увеличение количества используемых в ма шине элементов ограничено все еще недостаточной их надежностью: срок службы ламповых элементов состав ляет всего несколько десятков тысяч часов, полупровод никовых и ферритовых— несколько сотен тысяч пасов. Поэтому значительное увеличение быстродействия элек тронных цифровых машин может быть достигнуто лишь при использовании элементов, построенных на других физических принципах ■и обладающих во много раз большей надежностью.
В настоящее время прилагается много усилий к со зданию новых быстродействующих элементов, позволя ющих значительно повысить быстродействие электрон ных цифровых машин, уменьшить их размеры и обеспе чить высокую надежность работы.
70
Наиболее перспективным в этом направлении пред ставляется применение тонких магнитных пленок, ком бинированных полупроводниковых элементов, а также элементов,- основанных на явлении сверхпроводимости. Создание таких элементов связано с большими техноло
гическими трудностями, возникающими при |
изготовле |
|
нии микроминиатюрных элементов |
малым |
разбросом |
параметров, высокой надежностью, |
малой |
мощностью |
рассеяния энергии и т. д. |
|
|
Между скоростью работы элементов и размерами ма шины существует определенная зависимость, обусловлен ная запаздыванием сигналов. Повышение скорости ра боты машины выше определенных пределов неизбежно связано с переходом к микроминиатюрным конструк циям. Так, например, подсчитано, что машина, выпол няющая 1 миллион операций в минуту, может иметь ка налы связи между устройствами длиной до 30 м, машина же, выполняющая 1 миллиард операций в секунду, — не более 3 см.
Для производства миниатюрных элементов должна быть разработана полностью автоматизированная тех нология изготовления и монтажа, потому что сущест вующие в настоящее время приемы окажутся неприем лемыми. Пока здесь наметилось три основных направле ния: микромодули, пленочная электроника и молекуляр
ная электроника. |
стандартных |
|
Построение схем машины из набора |
||
элементов — микромодулей, изготовляемых |
из |
миниа |
тюрных деталей (полупроводниковых триодов, |
диодов, |
ферритов, ламп, сопротивлений, конденсаторов и т. п.), позволяет довести плотность их размещения примерно до 30 деталей в кубическом сантиметре. Сборка схем из микромодулей создает значительные трудности -в автома тизации этого процесса.
Пленочная электроника основана на построении электронных схем путем нанесения различными способа-, ми (химическим, вакуумным осаждением) тонких .пле нок определенных веществ. При последовательном на несении различных материалов, можно, в принципе, стро ить сколь угодно сложные электронные схемы и полу чать как отдельные устройства, так и машину в целом. При этом может быть достигнута плотность, достигаю щая 2 тыс. деталей в кубическом сантиметре.
71