Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Басалов Ф.А. Некоторые вопросы техники сверхвысоких частот [конспект лекций]

.pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
29.10.2023
Размер:
4.3 Mб
Скачать

цепи с током (цепи разряда накопителя), так как здесь длитель­ ность импульса определяется временем замыкания указанной цепи. В таких условиях в качестве коммутирующих приборов могут работать только электронные лампы.

2. Схемы импульсных модуляторов с частичным разрядом накопительной емкости

Импульсный модулятор с частичным разрядом накопительной емкости находит широкое применение в передатчиках современ­ ных радиотехнических станций.

Такой модулятор формирует импульсы, форма которых близка к прямоугольной. Коммутирующим элементом здесь является электронная лампа, представляюш.ая собой практически

безынерционный прибор, что дает возможность

создать моду­

лятор на любую необходимую

частоту повторения импульсов.

В этом

модуляторе

можно

легко изменять

длительность и

частоту

повторения

импульсов.

схем этих мо­

Наиболее широко применяются два варианта

дуляторов:

 

 

 

1.Импульсный модулятор с частичным разрядом накопи­ тельной емкости и шунтирующим нагрузку активным сопротив­ лением.

2.Импульсный модулятор с частичным разрядом накопи­ тельной емкости и шунтирующей нагрузку индуктивностью.

Рассмотрим работу этих схем.

Импульсный модулятор с частичным разрядом накопительной емкости и шунтирующим нагрузку

активным сопротивлением

Схема

импульсного

модулятора

с

частичным

разрядом

накопительной

емкости

и

шунтирующим

нагрузку

активным

сопротивлением

приведена

на рис. 65.

 

Нагрузкой

модулятора

является магнетронный генератор М.

 

модуляторная

лампа Л

В промежутках между

импульсами

заперта напряжением смещения Es. Накопительная

емкость Сн

заряжается

от

источника

Еи через

сопротивления

R x и Ro,

Сопротивление

R ■> необходимо

для

создания

цепи

заряда

накопительной

емкости,

так

как

магнетрон

обладает

односто­

ронней проводимостью.

 

 

выбирается

в несколько

десят­

Величина сопротивления R-,

ков раз большей, чем сопротивление

магнетрона

постоянному

току

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R2^

(20 -4- 40) Rr.

 

 

 

 

 

Напряжение на накопительной емкости ис возрастает до значения UeaaxE „ .

60

Паразитная емкость С

= Свыхл -f Смонг

заряжается

от

ис­

точника Еи через

сопротивление

до напряжения,

примерно

равного

Еи.

Напряжение

на

магнетроне

иа^ 0

.

Паразитная

емкость

С*п^

Смагн -Ч С^зонт

разряжена.

 

 

 

 

 

При

подаче

на сетку

модуляторной

лампы

Л положитель­

ного прямоугольного

импульса

от подмодулятора

(момент

вре­

мени

рис. 66)

она

открывается.

Через

лампу

Л

будут

про­

текать токи

разряда

паразитной емкости С , накопительной ем­

кости Св и ток источника

Е„

через

сопротивление

R {.

Сопро­

тивление

Ri

необходимо

для

ограничения тока

источника Е„

с.

через открытую

лампу Л и для изоляции источника

от

тока

разряда накопительной емкости Сн. Обычно

R j^ R ,. Нако­

пительная емкость

С„ вначале разряжается через модуляторную

лампу Л, паразитную емкость

СП2 и сопротивление R-,- Разряд

через магнетрон в это время не

происходит, так

как

магнетрон

еще не генерирует

и его дифференциальное сопротивление

ве­

лико (см. рис. 56).

паразитной

емкости Сщ (а следовательно, и

Напряжение

на

на магнетроне)

быстро растет,

и когда оно достигает

значения

UaB (напряжение возбуждения магнетрона), магнетрон начинает

генерировать колебания,

дифференциальное

сопротивление его

становится

малым, и дальнейший

разряд Сн идет

в

основном

через

магнетрон.

При этом

напряжение

на магнетроне

будет

быстро

увеличиваться

от значения

UaB до

номинального

U3U, а

ток магнетрона

будет

нарастать

от

нуля до

номинального зна­

чения

/ ап в

рабочей точке А (см.

рис. 56).

 

 

магнетроне

Длительность

фронта

импульса

напряжения на

ц, зависит

в

основном

от

величины _паразитной

емкости

схемы и от величины

токов,

протекающих

через

паразитные

61

емкости. Длительность фронта уменьшается с уменьшением

паразитной емкости и увеличением тока, протекающего через эти емкости.

После достижения номинального значения CJaHнапряжение на магнетроне начинает медленно уменьшаться за счет частичного разряда накопительной емкости Сн, вызывая уменьшение тока магнетрона.

Спад вершины импульса напряжения на магнетроне умень­ шается с увеличением накопительной емкости С„.

После окончания импульса подмодулятора (момент времени tz — рис. 66) модуляторная лампа Л запирается напряжением

 

Рис. 66.

 

 

 

 

 

смещения Eg, происходит процесс

заряда

паразитной емкости

СП; и накопительной емкости С„, а также процесс

разряда

пара­

зитной емкости Сп. Разряд паразитной емкости

Сп

идет

внача­

ле в основном через магнетрон.

При

этом

напряжение на

магнетроне быстро

уменьшается от

значения Um — hU3 до U3в,

а ток магнетрона

от значения / ан — Д/а спадает до

нуля.

Маг­

нетрон перестает генерировать колебания, дифференциальное

сопротивление его

становится

большим, и дальнейший разряд

паразитной емкости

С идет

через

сопротивления R •> и й,.

При этом напряжение на магнетроне

иа от значения С/ав спадает

до нуля.

 

 

 

62

Длительность

среза .импульса

напряжения

на магнетроне tc

зависит в

основном от

величины

паразитной

емкости

схемы и

от величин

сопротивлений R-, и /?,. Длительность среза

увели­

чивается

с

увеличением

паразитной емкости

схемы

и

сопро­

тивлений

/?,

и R x.

 

рассмотрение работы

схемы

Произведенное

качественное

модулятора

позволяет сделать следующие выводы:

 

 

1.Импульсы напряжения и тока магнетрона имеют форму, отличную от прямоугольной даже в том случае, когда на сетку модуляторной лампы подаются идеально прямоугольные импуль­ сы от подмодулятора. Это является следствием наличия в схеме паразитных емкостей и ограниченной величины накопительной емкости.

2.Длительность импульсов модулятора определяется главным образом длительностью импульсов, подаваемых от подмодуля­ тора на сетку модуляторной лампы.

3.Начало импульса тока магнетрона запаздывает относитель­ но начала импульса напряжения на магнетроне. Это объясня­ ется особенностью вольтамперной характеристики магнетрона и наличием в схеме модулятора паразитных емкостей.

Импульсный модулятор с частичным разрядом накопительной емкости и шунтирующей нагрузку индуктивностью

Импульсный модулятор с частичным разрядом накопительной емкости и шунтирующим нагрузку активным сопротивлением формирует импульс напряжения на магнетроне с большой длительностью среза. В ряде случаев большая длительность среза недопустима, так как некоторые магнетроны на участке среза импульса могут генерировать паразитные колебания

низковольтных видов, а многие магнетроны генерируют

шумы,

что мешает приему и индикации сигналов от целей.

 

С целью получения

импульсов напряжения

на магнетроне

с малой длительностью

среза используют импульсный

модуля­

тор с частичным разрядом накопительной

емкости и шунтирую­

щей нагрузку индуктивностью.

Схема

такого

модулятора

приведена на рис. 67. Эта схема

аналогична схеме модулятора,

приведенной на рис. 65, только

здесь

вместо

сопротивления

R-, параллельно магнетрону поставлена

индуктивность L,

Влиянием индуктивности L на процесс формирования фронта

импульса напряжения

на магнетроне

можно пренебречь, так

как за мдлое время длительности фронта ток в ней не успевает

заметно вырасти.

 

 

импульса

напряжение на

 

Во время формирования вершит,!

магнетроне в этой схеме будет уменьшаться

не только за

счет

частичного разряда накопительной

емкости

С„, но

и за

счет

нарастания тока в

индуктивности

L.

Спад вершины

импульса

W a

уменьшается

с увеличением

индуктивности

,

 

 

-JJ—

 

L .

 

 

у я н

63

Введение в схему индуктивности

L

приводит к изменению

характера процесса

на

участке

среза

импульса

напряжения на

магнетроне. После

окончания

импульса

(при иа< 1 /ав) в коле­

бательном контуре, образованном индуктивностью L и паразит­

ной емкостью

схемы

Сп= Сп — Сп, возникает

колебательный

процесс (рис.

68, кривая 1).

 

 

 

 

В результате наличия колебательного процесса длительность среза импульса уменьшается (чем меньше индуктивность L, тем меньше длительность среза tc), но при этом, во время

действия полупериода

А, существенно

возрастает

напряжение

на модуляторной лампе

Л и она может

пробиться,

а во время

действия полупериода Б возможна повторная генерация магнет­

рона.

Для подавления колебаний в схему модулятора включается диод D. Во время действия импульса наличие диода не сказы­ вается на работе схемы, так как напряжение на аноде диода

64

отрицательно и его

сопротивление

велико. После окончания

импульса (в момент,

когда напряжение на магнетроне «а

меняет знак) диод становится проводящим и шунтирует

контур

L 6 П,

превращая его

из

колебательного в апериодический.

Форма

напряжения

на

магнетроне

при

 

наличии подавляющего диода D показана на

 

рис. 68 (кривая 2).

 

 

 

 

 

 

Схема модулятора с шунтирующей наг­

 

рузку индуктивностью (рис. 67) может быть

 

упрощена

за счет исключения из нее диода D.

 

При

этом

колебательный

контур

LC„

мо­

 

жет

быть превращен

в

апериодический

при

 

внесении

в него активного

сопротивления г

 

(рис. 69) при условии,

что

величина

сопро­

 

тивления

 

 

 

 

 

Р и с.

69.

 

 

 

 

 

 

 

r > 2 \ ' k -

В практических схемах для сопротивления г катушка провода, материал которого ление.

внесения в контур LCn активного индуктивности L наматывается из имеет большое удельное сопротив­

§ 7. УСИЛИТЕЛИ СВЧ С НИЗКИМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ШУМА

Работа ламповых усилителей в диапазоне СВЧ сопровожда­ ется теми же специфическими особенностями, которые были выше (§ 2) проанализированы для ламповых генераторов СВЧ. Указанные особенности ограничивают максимальную частоту,

на которой еще могут быть эффективно использованы ламповые усилители. Поэтому ламповые усилители в качестве УВЧ на практике можно встретить лишь в приемниках метровых волн и, отчасти,— дециметровых волн (верхняя часть диапазона). При­ чем, например, на дециметровых волнах ламповые усилители име­ ют те жеконструктивные особенности, что и ламповые генераторы: используются специальные лампы (маячковые) и колебательные системы в виде отрезков коаксиальных линий.

Кроме того, в диапазоне СВЧ. появляется еще один чрез­ вычайно важный ограничивающий фактор, препятствующий использованию обычных ламповых усилителей в качестве УВЧ приемников -- это уровень собственных шумов. Известно, что приемник сам себе создает помехи — внутриприемные шумы. Эти шумы ограничивают величину минимального сигнала, кото­ рый еще может быть принят, то есть ограничивают чувствитель­

ность приемника, а вместе с нею и дальность действия

радио­

технической станции.

 

5 Ф. А. Баеалов. Зак. J29

65

Внутренние шумы приемника в целом, а также шумы его отдельных каскадов характеризуют коэффициентом шума Ш, который может быть определен как

 

Ш =

 

 

 

где

Рс и Рш — мощности сигнала

и шума

соответственно;

 

вход и выход — относятся, в зависимости

от

рассмотрения,

к отдельному каскаду или к приемнику

в целом

(к его линей­

ной части).

Следовательно, у идеального бесшумного приемника (или его отдельного каскада) коэффициент шума Ш = 1, a v реального —

HI > 1.

Известно, что коэффициент шума приемника Ш может быть следующим образом определен через коэффициенты шумов его каскадов Ш,-

Afj М г --М п_л

где Mf — коэффициент усиления номинальной, мощности г'-го каскада (номинальной мощностью называют максимальную мощность, передаваемую от каскада в его нагрузку при их согласовании).

Из этой формулы видно, что главное влияние на коэффи­ циент шума приемника оказывает его первый каскад. Отсюда же вытекают требования, которые необходимо предъявить к первому каскаду: малый коэффициент шума Ш, и большой коэффициент усиления номинальной мощности — в этом случае коэффициент шума приемника будет определяться прак­ тически только коэффициентом шума первого каскада.

Первым элементом приемника, если не считать входных устройств (это пассивные элементы), имеющих сравнительно низ­ кий уровень собственных шумов, является УВЧ. Следовательно, основным требованием к УВЧ в диапазоне СВЧ является малый уровень собственных шумов (наряду с большим усилением). Основными причинами шумов ламповых усилителей являются дробовой эффект, перераспределение электронов между элект­ родами многоэлектродной лампы и влияние инерции электронов. Причем уровень шумов в диапазоне СВЧ у них значительно увеличивается за счет последней причины. Поэтому обычные ламповые усилители с ростом частоты становятся все менее и менее эффективными, и уже в нижней части диапазона деци­ метровых волн их не применяют. На этих и на более коротких сантиметровых и миллиметровых волнах в качестве УВЧ при­ емников используются усилители на лампе бегущей волны

66

ГЛБВ). в которых инерция электронов является не ограничиваю' гцим, а полезным эффектом. Кроме того, в- последнее время разработаны принципиально новые типы усилителей СВЧ с низким коэффициентом шума: молекулярные и параметрические усилители.

Кратко рассмотрим указанные типы усилителей СВЧ.

1.Усилители СВЧ на ЛБВ

Вусилителе на лампе бегущей волны (ЛБВ) усиление сиг­ налов осуществляется за счет длительного взаимодействия

электронного потока и бегущей волны электромагнитного поля СВЧ, перемещающихся в одном направлении. Благодаря такому принципу действия лампа и получила свое название.

Схема устройства и питания усилителя на ЛБВ приведена на рис. 70. Усилитель состоит из лампы бегущей волны, стек­ лянный баллон 1 которой выполнен в виде длинной трубки,

соленоида

большой длины 2, внутрь которого помещена ЛБВ,

а также

волноводных входа и выхода, имеющих согласующие

устройства 3. Основные элементы самой лампы бегущей волны: электронная пушка, состоящая из катода 4, управляющего электрода 5, первого анода 6 и второго анода 7. замедляющая система 8, выполненная в виде проволочной спирали, и кол­

лектор 9.

Схема питания электродов ЛБВ ясна из рис. 70. Величина питающих напряжений имеет следующий порядок;

Uy — единицы вольт, — десятки вольт,

dj — сотни вольт.

5*

67

Электронная пушка создает узкий электронный поток, кото­ рый движется вдоль оси спирали. Второй анод и спираль соединены между собой, поэтому скорость движения электро­ нов V3 определяется напряжением £/<г, так как (§ 4)

v- = V 2i u.,-

Изменяя и.л , получают нужную величину скорости Уэ.

Электронный поток, пройдя вдоль спирали, поступает на коллектор. Следовательно, цепь постоянного тока в ЛБВ замы­ кается через коллектор, катод и источник напряжения U,и.

ЛБВ помещается внутрь соленоида, имеющего длину лампы. Соленоид питается постоянным током и создает продольное магнитное поле, направленное вдоль оси спирали. Эго магнитное ноле необходимо для фокусировки электронного потока.

Замедляющая система представляет собой отрезок коаксиальной

линии, внутренний провод который свернут

в спираль и укреп­

лен внутри стеклянного баллона. Внешний

провод линии обра­

зуется

металлической

трубой

10,

на

которую

 

сверху одет

соленоид, а внутрь вставлена ЛБВ.

Концы спирали

11 образуют

штыревые антенны, с помощью которых замедляющая

система

связана с входным и выходным

волноводами.

Замедляющая

система используется

для

уменьшения скорости

перемещения

электромагнитной волны вдоль оси спирали.

 

 

согласо­

С помощью согласующих устройств осуществляется

вание на входе и выходе с целью

получения в лампе

режима

бегущих волн.

усилению

сигнал

СВЧ

поступает на входной

Подлежащий

волновод усилителя.

Возбуждая

входную . штыревую антенну,

сигнал

передается в коаксиальную линию и распространяется по

ней в виде бегущей волны электромагнитного поля

к выходно­

му концу ЛБВ.

В этом же направлении по оси спирали движет­

ся поток электронов.

При

определенных

 

условиях

электроны

отдают часть своей кинетической энергии электромагнитному

полю, увеличивая

амплитуду

волны по мере ее

перемещения

к выходу.

Усиленный

сигнал,

возбуждая

вторую

штыревую

..антенну, поступает в выходной

волновод и далее

в нагрузку.

Очевидно, что для обеспечения

взаимодействия

электронов

и бегущей

волны

на

всей длине

лампы

необходимо, чтобы

скорости их перемещения были одинаковы. Известно, что бегущая волна в обычной коаксиальной линии (внутренний провод не свернут в спираль) движется со скоростью света. Электроны, ускоренные напряжением Ua порядка сотен вольт,

движутся со скоростью в несколько десятков раз меньшей, чем скорость света. Следовательно, для выравнивания скоростей нужно в такое же число раз замедлить движение бегущей волны. Для этой цели используется замедляющая система,

68

Действие замедляющей системы можно пояснить следующим образом. Вдоль спирального провода коаксиальной линии бегущая волна движется со скоростью света. Поскольку она вынуждена последовательно обегать виток за витком, то фазовая скорость V.I, ее перемещения вдоль оси спирали становится меньше ско­ рости света С, причем во столько раз, во сколько раз длина одного витка спирали больше шага спирали, то есть

где h и г — шаг

и радиус

витка

спирали

соответственно.

Очевидно, что

структура

электромагнитного

поля

СВЧ в

замедляющей системе будет

другой,

нежели в обычной коак­

сиальной линии.

Здесь

основной интерес представляет

электри­

ческое

поле, так

как

именно с ним осуществляется

энергети­

ческое

взаимодействие

электронов.

Примерное

распределение

г

Р и с . 7 1 .

силовых линий электрического поля СВЧ для некоторого фик­ сированного момента времени приведено на рис. 71, на котором

спираль

показана в разрезе.

Вследствие симметрии

электричес­

кое

поле

на

оси

спирали

будет иметь в основном

только

осевую составляющую Ег. Изменение Ег

вдоль оси спирали z

изображено

на рис.

71 (нижний график),

причем поле,

ускоря­

ющее

электроны,

считается положительным,

■ а

замедля­

ющее — отрицательным.

С

течением времени электрическое

поле,

структура которого

показана на рис. 71, будет

переме­

щаться

вдоль оси

спирали z с фазовой скоростью

Пф.

потока

Рассмотрим

процесс

взаимодействия

электронного

с осевой составляющей электрического поля бегущей волны Ег. Электроны и бегущая волна движутся в одном направлении. При этом электроны, попавшие в область тормозящего поля, будут замедляться и отдавать часть своей кинетической энергии

69