Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Техника высоких напряжений учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
125
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
28.86 Mб
Скачать

нов в зоне проводимости, увеличению электронной проводимости ди­ электрика и его пробою.

Однако этот механизм возможен лишь в том случае, если электрон при своем движении в зоне проводимости и частичных потерях энергии при взаимодействии с решеткой может попасть в верхнюю часть зоны проводимости. Это возможно лишь при достаточно большом наклоне зон, т. е. при достаточно большой напряженности электрического поля.

Аналогичный процесс возможен вследствие перемещения электро­ нов в нормальной зоне. Так как этот процесс возможен лишь при на­ личии свободных мест в нормальной зоне («дырок»), то в данном слу­ чае следует рассматривать перемещение дырки (рис. 7.13, б), которая

Е Е

Рис. 7.13. Схема ударной ионизации при помощи электрона (а) и дырки (б)

движется от анода к катоду. Потеря энергии электроном соответст­ вует подъему дырки на более высокие энергетические уровни. При своем движении (при достаточно большом наклоне зон) дырка может

попасть в нижнюю часть нормальной зоны. Далее,

при взаимодейст­

вии в точке х2 (см. рис. 7.13, б)

двух

электронов

нормальной зоны

один передает другому энергию

 

Wa+ W 6, достаточную для пе­

рехода на локальный уровень, перемещаясь сам в нижнюю часть нор­ мальной зоны. Такой случай возможен, если ширина нормальной зоны больше ширины запрещенного участка: W2-f-Wб,

е. Энергетический анализ электрической прочности

Существующие квантовомеханические теории пробоя твердых ди­ электриков позволяют производить численные расчеты электрической прочности лишь для диэлектриков простейшей структуры. Произвести подобные расчеты для большинства технических диэлектриков пока не представляется возможным как благодаря сложности расчетов, так и вследствие отсутствия необходимых для подобных расчетов исход­ ных данных.

130-

Ю. Н. Вершининым разработан метод количественного энергети­ ческого анализа импульсной электрической прочности твердых диэлек­ триков. Этот метод основан на следующих представлениях о физичесашх процессах, протекающих в разрядном промежутке. Процесс электрического пробоя начинается с эмиссии первичных носителей заряда из металлического электрода в диэлектрик (автоэлектронная эмиссия с учетом тепловых электронов — термоавтоэлектронная эмис­ сия). При отрицательной полярности острия происходит эмиссия электронов в зону проводимости, а при положительной полярности — дырок в нормальную зону. Механизм электронно-дырочной проводиімости приводит к возникновению на расстоянии в несколько сот микрон <от острия объемного заряда и, как следствие этого, области локального сильного поля с напряженностью, намного превышающей среднюю напряженность в разрядном промежутке.

Область локального сильного поля характеризуется сильным искривлением энергетических зон, в результате чего создаются усло­ вия для туннельных переходов в направлении к острию основных носителей заряда: электронов — к положительному острию и дырок — к отрицательному. Взаимодействие в процессе ударной ионизации электронов и дырок проводимости с электронами, участвующими в •образовании химических связей, приводит к нарушению соответст­ вующих связей и переходу твердого вещества диэлектрика в состояние частично ионизированной газовой плазмы в направлении движения потока носителей заряда. Образуется начальный участок первичного канала пробоя, потенциал электрода выносится в его головную часть, и далее процесс идет непрерывно до тех пор, пока этот канал не пере­ сечет весь разрядный промежуток.

При анализе возможности образования газовой плазмы рассмат­ ривается термодинамический баланс энергии в диэлектрике. Внутрен­ няя часть потока носителей заряда может быть рассмотрена как бы находящейся внутри внешней области, выполняющей роль оболочки, препятствующей обмену энергией между внутренней областью и ве­ ществом диэлектрика вне ее. Такая адиабатическая модель позволяет считать, что кинетическая энергия носителей заряда затрачивается только на изменение внутренней энергии диэлектрика в этой области. При этом для каждого диэлектрика имеет место такое минимальное значение необходимого изменения внутренней энергии единицы объема диэлектрика А с, при котором возникает начальный участок канала неполного пробоя. Таким образом, величина А с может рассматриваться как энергетический критерий пробоя диэлектрика.

Импульсная электрическая прочность (в кв) твердых диэлектриков

Unv = knkpk{%, d)Al'\

(7.20)

где /еп —коэффициент, учитывающий форму поля и полярность им­ пульса; kn— 1 для электродов (+ ) острие— плоскость; Ап= 1,52 для' электродов (—) острие— плоскость: kn= 1,82 для электродов шар — плоскость; kP= 0,75+0,ЪР— коэффициент, учитывающий вероятность пробоя в пределах Р (U ^ f/np) = 0,14-0,9; k(x, d) = 3,55d0,36äT~0,ii— коэффициент, зависящий от толщины диэлектрика d см) и времени

5*

131

воздействия напряжения т (в мксек); Ас— удельная энергетическая характеристика диэлектрика (в ккал/см3); Ас является индивидуаль­ ным признаком твердого диэлектрика, и ее величина рассчитывается с учетом физических свойств и особенностей молекулярного строения диэлектрика. Она численно равна изменению внутренней энергии единицы объема твердого диэлектрика при его переходе в процессе

формирования канала пробоя из твердого состояния

в состояние

частично ионизированной газовой плазмы.

 

В наиболее общем виде удельная энергетическая характеристика

вычисляется по формуле

 

Лс=(1,08уд/М) (AHa + nW

(7.21)

где Ас— в ккал/см3; 1,08 —коэффициент, учитывающий

силы оттал­

кивания в плотной газовой плазме; уа— плотность диэлектрика, г/см3;

М — молекулярный

(формульный)

вес;

АНя—суммарная

энергия

связей атомов

в молекуле, ккал/моль; п —число атомов,

обладающих

минимальной

энергией

ионизации

И7ИМШІ.

 

 

 

Величина

Д #а

слагается из энергии

решетки (для

кристаллов),

энергии сублимации и энергии диссоциации в зависимости

от строе­

ния

диэлектрика.

Так,

например,

для

органических

диэлектриков

 

 

 

 

 

 

 

 

(7.22)

где

D,-—энергия диссоциации связей,

ккал/моль; т;— число диссо­

циированных

связей с энергией Dt. Значения АЯа, D,

Wn являются

физическими константами, которые приведены в соответствующих справочниках.

При расчете Ас диссоциация связей учитывается начиная с ми­ нимальных значений D и производится до тех пор, пока сохраняется условие £> ,< № пмин.

В качестве примера рассмотрим расчет электрической прочности полиэтилена толщиной rf = 0,01 см в слабонеоднородном поле при времени воздействия напряжения 1 мксек. Переход полиэтилена из твердого состояния в состояние частично ионизированной газовой плазмы может быть представлен в следующем виде:

I

Н

I

L. Н

_

В образовавшейся

при

этом газовой плазме в основном будут

ионизированы атомы углерода, обладающие по сравнению с атомами

водорода существенно меньшей энергией ионизации: соответственно

W ис=260 ккал/моль

и Ц7иН = 312,2 ккал/моль. Энергия диссоциации

связей равна: для

связи СН—Н D j= 128 ккал/моль; для связи

С—Н D2 = 81 ккал/моль, для связи С—С D3 = 80,5 ккал/моль. Учитывая, что молекулярный вес рассматриваемой группы, вхо­

дящей в состав молекулы полиэтилена, равен 28 г/моль, а удельная

плотность полиэтилена уд = 0,95 г[см3, в соответствии с формулой (7.22) имеем

Ае= (1,08-0,95/28) (2 • 128 + 2• 81 + 2 • 80,5 + 2 ■260) = 40,5 ккал/см*.

При этом 50%-ное импульсное пробивное напряжение полиэти­ лена в слабонеоднородном поле при d = 0,01 см и т = 1 мксек в со­ ответствии с (7.20)

Unv = 1,82 -1,0 • 3,55 • 0,01 °’308 -1,0- (40,5)1’1 = 70 кв,

а пробивная напряженность

£пр = — = ö7öT= 7-10® кв/см.

Соответствующие эксперименты дают для указанных толщин по­ лиэтилена £ пр = (6 ч - 7) ІО3 ке/слг, что достаточно хорошо соответст­ вует полученным расчетным данным.

§ 7. 4. ТЕПЛОВОЙ ПРОБОЙ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ

Приложенное напряжение вызывает потери энергии в диэлектрике; при постоянном напряжении потери определяются проводимостью

диэлектрика у,

а при

переменном напряжении

тангенсом угла

диэлектрических

потерь

tg б. Так как с

z

ростом температуры величина у, а в об­

 

ласти повышенных температур и величи­

 

на tg б растут, то

при некотором напря­

 

жении возможно возникновение неустой­

 

чивого теплового состояния диэлектрика;

 

возрастание у или tg б с ростом темпе­

 

ратуры в свою очередь вызывают увели­

 

чение выделяющихся в диэлектрике по­

 

терь и вследствие этого

рост темпера­

 

туры. Это приводит к неограниченному

 

росту

температуры и заканчивается теп­

 

ловым

разрушением диэлектрика.

 

Рассмотрим слой однородного диэлектрика толщиной d, находя­ щийся между бесконечными плоскими электродами (рис. 7.14). Со­ ставим дифференциальное уравнение, соответствующее равновесному состоянию системы. В рассматриваемом случае из соображений симмет­ рии будет иметь место плоскопараллельное тепловое поле с градиентом

температуры только по оси Z. Поток тепла, входящий за

1

сек в парал­

лельный электродам слой диэлектрика толщиной dz

и

площадью

1 см", будет отличаться от потока, выходящего из слоя, на

количество

тепла, выделяющегося ежесекундно в этом слое вследствие диэлектри­ ческих потерь:

/ dT

 

+ k f

= У3E*dz,

(7.23)

-/гт~

dz

г -bdz

dz

 

 

где k — коэффициент теплопроводности диэлектрика; уэ—эквивалент­ ная проводимость диэлектрика, 1/(ож-сж); для переменного напряже-

133

иия

[см. (6.13)]

(7.24)

 

Ѵэ = coetg6=e*/: tg 6/1,8- Ю12,

где

е*= е/е0 —относительная диэлектрическая проницаемость.

 

 

Разделив (7.23) на dz, получим

 

 

k(daT/dz*) + yaE* = 0.

(7.25)

Так как теплоотдача системы в окружающую среду происходит через внешние поверхности электродов, то вся система симметрична относительно плоскости z = 0, где температура всегда максимальна

dT

1КС), и, следовательно, ^ = 0. Непрерывность потока

( ^ г = 0 — Т'макс/

тепла на поверхности электрод—диэлектрик дает первое граничное условие:

h

d T

 

dT_

(7.26)

к

dz

/ 2

dz

 

т— z = d

 

z = d / i ,

где — коэффициент теплопроводности

электрода.

Второе граничное условие получается из непрерывности теплового потока на внешней поверхности электрода:

= Ц Т , - Т 0),

(7.27)

\z = ( d / 2 ) + ö

где Т 2—температура наружной поверхности электрода; Т 0—темпе­ ратура окружающей среды; X— коэффициент теплоотдачи с внешней поверхности электрода в окружающую среду; 8Э—толщина электрода.

Кроме того, в электроде практически не происходит выделения тепла, поэтому градиент температуры в нем можно принять постоян­ ным; при этом температура в некоторой точке электрода с коорди­ натой z

 

Т = т' - Ът

г { г ~ т ) -

(7-28)

где

Т-і — температура на

внутренней поверхности

электрода.

 

Из (7.27) и (7.28) имеем:

 

 

 

 

rp

k jT I -f-6Э\ Т 0

\

 

 

 

А, + М8

 

(7.29)

 

Т = Тг- Ь- ^ ^ ( Т , - Т

0),

 

 

где

Ь = Ы /[2(^ +Х6Э)].

 

 

если для зависимости уэ

 

Решение задачи несколько облегчается,

от температуры воспользоваться приближенным выражением, ана­

логичным (6.9),

(7.30)

у э = у эо ехр (а (Т— Т0)].

При интегрировании уравнения (7.25) можно

предположить, что

з диэлектрике при его разогреве напряженность поля не зависит от координаты г. Это допущение можно считать справедливым для пере­ менного напряжения, для которого, пренебрегая током проводимости, имеем

е E —D = const,

134

а величина е для большинства технических диэлектриков слабо за­ висит от температуры при низких частотах.

В результате решения уравнения (7.25) получается зависимость между напряженностью и максимальной температурой в середине слоя диэлектрика (рис. 7.15). Наибольшая возможная по этой зависи­ мости напряженность является напряженностью теплового пробоя, так как незначительное повышение температуры приводит за счет нарастающего выделения тепла к ее неограниченному росту. Эта на-

гемпературой 7’макс

в диэлектрике

Рис. 7.16. Графики функций <р(с) и

(с) к

(Го — температура

окружающей

расчету теплового пробоя

 

среды)

 

 

пряженность и соответственно напряжение теплового пробоя могут быть выражены формулами:

 

с =

£пР

 

£/Пр= К"8й/оуэ0ф(с),

(7.31)

 

 

= \ Ѵ ^ І а у ъ^(,с),

 

 

где

 

k1%d/[2k{k1-\-'kb3)].

Обычно kj:^>X83, и в этом случае

выра­

жение для с может быть упрощено: сж М /2k.

 

 

Входящая в формулы (7.31) функция ср(с) задается графически,

так как

ее вычисление достаточно громоздко. На рис. 7.16 приведен

график ф(с) в диапазоне значений параметра с, представляющем практический интерес.

Для малых с < 0,5

 

ф ( с ) « К с/[(2 + с) е].

(7.32)

При больших толщинах изоляции d и соответственно больших значениях с функция ф(с) стремится к пределу lim ф (с) = 0,662.

 

 

С - * С

Р

 

В этом случае имеем предельное напряжение теплового пробоя

и пѵмакс= 0,662 VWwTo,

'

 

(7.33)

а напряженность теплового пробоя изменяется

обратно

пропорцио­

нально d.

 

 

 

 

Если учесть связь между уэ

и tg 6 по (7.24), то для переменного

напряжения получаем

 

 

 

 

Дпр= 7,8-10° Vk/(az*ftg 60)

ф (с) в тл/сек-град-см).

(7.34)

135

При постоянном напряжении должно выполняться условие у£ = = / = const. Проводимость у зависит от температуры Т и соответст­ венно от координаты г, следовательно, напряженность, поля Е из­ меняется по толщине диэлектрика, причем слон диэлектрика, бли­ жайшие к электродам, нагружаются сильнее, чем центральные. В этом случае напряженность и напряжения теплового пробоя определяются формулами, аналогичными (7.31), в которых изменяется только функция ф(с):

£ np = (l/d )l/’8^/av0cp1(c);

(7.35)

^лР = К8Л/аТоФі(с).

(7.36)

Зависимость срі (с) приведена на рис. 7.16. При d->-оо (с->-оо) ве­ личина ф1(оо)->1,0. Повышение пробивных напряжений для посто­ янного напряжения при тех же d и уэ объясняется уменьшением на­ пряженности в центральной части диэлектрика, т. е. в области наи­ больших температур и развития теплового пробоя.

При малых толщинах диэлектрика (kd<^:4k) на основании (7.31) и (7.32) имеем

Unv = ]/2М/ауэ0е = А Yd,

(7.37)

т. е. пробивное напряжение пропорционально Yd, а пробивная на­

пряженность обратно пропорциональна Yd.

Термическое разрушение диэлектрика может происходить и без неограниченного роста температуры. В стационарном состоянии, когда количество тепла, выделяемого в диэлектрике за счет потерь, равно количеству отводимого через электроды тепла, установившаяся температура в диэлектрике может оказаться слишком высокой. Раз­ рушение в этом случае может наступить в результате оплавления, обугливания и тому подобных процессов, вызванных диэлектрическим нагревом. Это явление называют тепловым пробоем второго рода.

§ 7.5. РАЗРЯД ВДОЛЬ ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОЙ ИЗОЛЯЦИИ В ЖИДКОМ ДИЭЛЕКТРИКЕ

Основные характерные закономерности развития разряда по по­ верхности твердой изоляции одинаковы при жидкой и газообразной (воздушной) среде, окружающей твердый диэлектрик. Абсолютные ве­ личины разрядных напряженностей, как правило, значительно больше в случае жидкой среды, что связано с большей прочностью жид­ кости по сравнению с газом. При больших расстояниях соотношение меняется (рис. 7.17). Это объясняется тем, что при больших напряже­ ниях полному разряду предшествуют скользящие разряды, перекры­ вающие часть расстояния между электродами. В газе канал такого разряда быстро распадается, в жидкости же он сохраняется дольше. В ряде случаев он может сохраняться до момента начала следующего скользящего разряда (в течение того же импульса или того же полупериода напряжения), что облегчает продвижение нового разряда на большую длину в сторону противоположного электрода.

136

Опп I Х0

Величины напряжений скользящего разряда могут быть рассчи­ таны по (2.29). Эмпирические формулы имеют аналогичную структуру. Например, зависимость напряжения появления скользящих разрядов по поверхности Uai от толщины ди­

электрика d в масле

 

 

= 39 d°-

(7.38) JO

 

1

 

 

 

 

где

Uск— в га;

d— в см.

пробоя ^0

'

г

 

Зависимость

напряжения

 

 

по

поверхности от расстояния между

 

 

электродами при небольших размерах W

 

 

имеет вид

 

О

 

 

 

U

= Л /0’5

4

1,СМ

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 7.18. Зависимость напряже­

 

 

 

ния U„р от длины уступа

I при

 

 

 

различных толщинах d, мкм, бу­

 

 

 

мажного

диэлектрика в

мине­

 

 

 

/ —9 x1 2 0 ;

ральном масле:

 

 

 

 

2— 10x50; 3—5 x 5 0 ; 4—.

 

 

 

 

—8 Х 12-

 

1,см

Рис. 7.17.

Разрядные

напряже­

Рис. 7.19. Напряжение разряда

ния по поверхности картона в

Unр по поверхности в масле в за­

зависимости от длины:

висимости

от длины

I масляной,

І — о масле,

импульс

0,5/5 мксек,

части для

изоляции

с конденса­

50%-ные значения; 2—в масле, 60 гц;

торными обкладками:

3 —в воздухе,

импульс

0,5/5 мксек,

/ — закрытые края

изоляций обкла­

50%-ные

значения;

4 — в воздухе,

док; 2 — открытые

края обкладок

импульс 1/50 и//ссе/с,

50%-ные значе­

ния; 5— в воздухе,

60 гц

 

 

 

 

где А — постоянная, зависящая от природы и толщины диэлектрика. Например, при е1 = 4е0 и при толщине диэлектрика 1 мм, по опыт­ ным данным,

£/пр=13,5/«*»,

(7.39)

где ТУ —в кв; I— в см.

На рис. 7.18 приведены зависимости разрядных напряжений по поверхности от расстояния при различных толщинах диэлектрика для системы электродов по рис. 2.£5 при наличии нижнего электрода.

137

Рис. 7.20. Эквивалентная схема при рас­ смотрении частичных разрядов в диэлек­ трике:
Св — емкость элемента диэлектрика, участ­ вующего в частичном разряде (емкость включе­
ния); Сд — емкость диэлектрика, расположен­ ного последовательно с включением; Са —ем­ кость остальной части диэлектрика

Для повышения разрядных напряжений применяются промежу­ точные конденсаторные обкладки, задающие принудительное распре­ деление напряжения по поверхности изоляции (см. § 15.4). Выполне­ ние изоляции с открытыми краями обкладок значительно повышает разрядное напряжение в масле (рис. 7.19).

§7.6. ЧАСТИЧНЫЕ РАЗРЯДЫ В ИЗОЛЯЦИИ

а.Основные характеристики частичных разрядов

Понятие «частичные разряды» (ч. р.) в изоляции охватывает мест­ ные разряды на поверхности или внутри изоляции в виде короны, сколь­ зящих разрядов или частичных пробоев отдельных элементов изоля­ ции. Характеристики частичных разрядов в настоящее время явля­ ются определяющими для выбо­ ра допустимых рабочих и испы­ тательных напряженностей боль­ шинства конструкций внутрен­ ней изоляции при переменном напряжении. Методика измере­ ний ч. р. рассмотрена в § 17.6.

Каждый из единичных раз­ рядов сопровождается нейтрали­ зацией некоторого заряда q в толще диэлектрика. Возникно­ вение частичного разряда при­ водит к изменению напряже­ ния на внешних электродах

всего образца емкостью Сх на некоторую величину AUx=q44 ѴСх. Соотношения между q и q4, р определяются соотношениями между ем­ костью элемента диэлектрика С„, участвующего в частичном разряде, и емкостью элемента диэлектрика Сд, включенного последовательно с

первым.

схема диэлектрика может быть представлена тремя

Эквивалентная

емкостями (рис.

7.20), причем Сл-=Са+ [С вСд/(Сп+ С д)]. Изменение

напряжения на электродах на величину ДUx заканчивается одновре­ менно с погасанием частичного разряда, замыкавшего С„. В резуль­ тате из емкости Са ушел заряд на подзарядку последовательно соеди­

ненных емкостей Св и Сд. Используя

условия равенства

этих заря­

дов, имеем

 

 

q4p = AUxCx = AUB^

^ = q ^ c ; -

(7.40)

Величина q4_р называется кажущимся зарядом ч. р. Нейтрализа­ ция заряда q и связанное с этим изменение напряжения на образце приводят к появлению высокочастотных колебаний в схеме, в которую включен образец. Регистрация этих высокочастотных колебаний специальными усилительными устройствами позволяет исследовать частичные разряды в изоляции (см. § 17.6).

138

Для оценки интенсивности ч. р. может быть принята величина, равная произведению среднего значения заряда q4_р, теряемого в образце при одном импульсе, и среднего числа ч. р. в секунду пЧшр, которая называется током ч. р.: /,ь v=q4, рнч. .

Если плавно повышать напряжение на испытуемом объекте, то при некотором его значении £/н в изоляции появляются ч. р. слабой интенсивности. Это напряжение называется напряжением начальных частичных разрядов. При выдержке напряжения UHв пределах десят­ ков минут они могут прекращаться на некоторый промежуток вре­

мени и появляться вновь. При небольшом снижении

напряжения

U <; Un эти процессы прекращаются. Особенность этих

разрядов со­

стоит в том, что их появление при кратковременном воздействии не приводит к заметному разрушению изоляции и снижению Un. Дли­ тельное существование таких ч. р. определенной интенсивности (в течение тысячи часов и более) приводит к относительно медленному разрушению диэлектрика и сказывается на росте величины tg б изо­ ляции.

Если дальше повышать напряжение U > £УН, то при некотором его значении — напряжении критических частичных разрядоз Дкр — интенсивность ч. р. резко возрастает. Это приводит к заметному раз­ рушению некороностойкой изоляции, сопровождающемуся в ряде случаев быстрым (в течение секунд) снижением £/кр.

Таким образом, можно установить следующие виды частичных разрядов в изоляции: 1) начальные частичные разряды имеют слабую интенсивность и не приводят к заметному разрушению изоляции или уменьшению напряжения ч. р. при кратковременном воздействии; 2) критические частичные разряды имеют значительную интенсив­ ность и вызывают быстрое заметное разрушение некороностойкой изо­ ляции в ряде случаев, сопровождающееся снижением Дкр. Для каж­ дого из обоих видов ч. р. имеет место свое напряжение возникновения

инапряжение погасания.

б.Физическая природа частичных разрядов при переменном

напряжении

Частичные разряды в изоляции могут происходить как в местах. с пониженной электрической прочностью (например, в масляных прослойках бумажно-масляной изоляции), так и в газовых включениях

втолще диэлектрика. В дальнейшем для обоих случаев элемент диэ­ лектрика, участвующий в частичном разряде, будет называться «вклю­ чением».

Характерные осциллограммы ч. р. при переменном напряжении приведены на рис. 7.21.

Возникновение частичного рязряда произойдет тогда, когда напря­ жение на включении (см. рис. 7.20, емкость Св) достигнет пробивного значения £/ВіЭ.. Как показали опыты, пробивное напряжение воздуха

воткрытых и закрытых порах приблизительно одинаково; для поры толщиной 10 50 мкм величина пробивного напряжения соответст­

139

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ