Такими методами являются снижение толщины базы, увеличе ние концентрации донорных и акцепторных примесей, применение легирующих веществ, создающих более высокую проводимость базы. Другим возможным решением задачи является применение схем на полевых транзисторах, которые менее чувствительны к радиационному воздействию, чем биполярные.
Как уже упоминалось, в результате поглощения гамма-излуче ния атмосферой на высотах ниже 30 км возникает мощный элек тромагнитный импульс, в результате которого на проводящих по верхностях, например на обшивке корпуса, создаются большие разности потенциалов. При этом удлиненная конструкция ракеты будет вести себя в грубом приближении как приемный диполь. Вследствие низкого характеристического сопротивления диполя (78 ом) в нем будут индуцироваться большие токи на его резо нансной частоте. Эти токи могут проникать в аппаратуру через неоднородности в конструкции корпуса, приводя к перегрузке схем высоковольтными импульсами.
Наиболее эффективным методом защиты электронной аппара туры от электромагнитного импульса считается полное электриче ское экранирование. Поскольку обшивка ракеты не может служить надежным экраном, конструктор должен защищать аппа ратуру с помощью устройств, применяющихся для борьбы с поме хами. Экранируют также наружную проводку и уменьшают раз меры смотровых люков обслуживания, насколько это возможно. Для защиты схем от первичных перегрузок используют токоогра ничивающие импедансы.
Основные эффекты, возникающие в электронных компонентах под действием радиации, сведены в табл. 8.16.
Для оценки радиационной стойкости сложных схем в США применяются методы математического и физического моделиро вания. Программу, построенную в соответствии с математической моделью радиоэлектронных схем с учетом радиационной стойко сти ее отдельных элементов, вводят в ЭВМ, которая должна дать общую картину поведения системы под действием радиации. Та кое моделирование достаточно сложно и вряд ли дает надежные результаты.
Существует более простой способ приближенной оценки ра диационной стойкости компонентов, заключающийся в том, что в лабораторных условиях в отсутствие радиации измеряются опре деленные параметры электронных компонентов, которые затем подставляют в математические уравнения. Эти уравнения выра жают соотношения между параметрами и радиационными воз действиями и позволяют предсказать поведение электронных ком понентов под действием радиации.
Следует отметить, что стоимость радиационно-стойких компо нентов сильно повышается за счет дорогостоящих испытаний, ко торые проводятся на уникальном оборудовании (импульсные ре акторы, линейные ускорители). Например, цена радиационно стойких транзисторов составляет 10—’15 долларов за штуку.
