
книги из ГПНТБ / Радиотехнические системы в ракетной технике
..pdfВеличину поглощаемой энергии, зависящей от максимально до пустимой рабочей температуры РПП, обычно характеризуют мак симальной плотностью поглощаемой энергии, которая составляет:
— для обычных радиопоглощающих поверхностей без воздуш ного охлаждения 0,155—0,465 вт/см2;
— для специальных РПП — до 1,55 вт/см2;
— для особо теплостойких РПП на основе пенокерамики — до
7,55 вт/см2.
Рис. 6.7. Зависимость отраженной мощности от угла падения излучения для широкодиапазопного радиопо глощающего материала
Охлаждение РПП со стороны маскируемого объекта увеличи вает количество поглощаемой энергии.
Покрытия, с обратной стороны которых обеспечена циркуляция воздуха, могут работать при температурах от —60 до +650° С.
6.5. Резонансные РПП интерференционного типа (с дипольными решетками)
Наиболее перспективными с точки зрения весовых и габарит ных характеристик являются резонансные покрытия интерферен ционного типа. Напомним, что прототипом простейшего интерфе ренционного покрытия является двухслойная структура, состоя щая из диэлектрика и резистивной пленки (рис. 6.3) с входным сопротивлением нормально отражающей поверхности 377 ом. Экви валентная схема двухслойной структуры (одноконтурного погло тителя) приведена на рис. 6.8а. В схеме постоянное сопротив ление пленки R включено параллельно входу однородной линии
длиной - 1°— . Входное сопротивление г короткозамкнутой линии
с волновым сопротивлением V Т |
равно |
С одной стороны, диапазон работы такого РПП может быть расширен за счет введе ния, например, дополнительно го диэлектрического слоя пе
ред |
двухслойной |
структурой |
и |
обеспечения |
согласования |
на двух частотах. При этом общая толщина покрытия ( ~ Хмакс/4) определится наи большим значением длины вол ны в заданном рабочем диапа зоне. Дальнейшее расширение диапазона поглощаемых ча стот ведет к увеличению тол щины РПП и соответственно
кувеличению его веса.
Сдругой стороны, для рас
ширения |
частотного |
диапазо |
||||||||
на указанной выше схемы РПП |
||||||||||
однородную |
|
|
резистивную |
|||||||
пленку |
можно |
|
заменить |
ре |
||||||
шеткой |
из |
одинаковых |
дипо |
|||||||
лей, |
ориентированных |
парал |
||||||||
лельно вектору |
электрического |
|||||||||
поля. Эквивалентная схема в |
||||||||||
этом |
случае изменяется: по |
|||||||||
стоянное |
|
|
сопротивление |
R |
||||||
(рис. |
6.8а) |
нужно заменить по |
||||||||
следовательным |
|
контуром |
R, |
|||||||
L, |
С |
(рис. 6.86), |
сопротивле |
|||||||
ние |
потерь |
которого |
опреде |
|||||||
лится |
омическим |
сопротивле |
||||||||
нием |
дипольных |
элементов |
и |
|||||||
постоянной решетки; замк |
||||||||||
нутая |
линия |
заменена |
парал |
|||||||
лельным |
резонансным |
конту |
||||||||
ром R', L', С'. |
|
|
|
|
|
|||||
|
Входная |
проводимость ли |
||||||||
нии |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
V |
|
|
ctg |
|
|
|
[6.17] |
|
где |
|
|
|
<Д _ |
>-о |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
«о |
|
X ' |
|
|
|
|
|
Проводимость |
параллель и нпнэжпйшо шнэпппффеоу |
||||||||
ного |
резонансного |
контура |
и |
|
|
0,05, |
$ |
от частоты: 0 = 0,68, d/A.„ = |
|
а Отношение Х0/К |
резонансного РГ1П |
0,35, Ь',Л = 0,035, / Д |
.8. Зависимость коэффициента отражения |
схема; б — двухконтурная схема (А. = 3 см, аг,л„ = |
|
|
Рис. 6 |
одноконтурная |
231
коэффициент отражения такой двухконтурной схемы соответствен но равны:
[6. 18]
Оптимальное согласование двухконтурного поглотителя при R= = R' = z0 и при компенсации мнимых составляющих импеданса обоих контуров
[6.20]
имеет своим условием
Равенство [6.20] выполняется при оптимальных размерах диполь ной решетки (даже в случае отсутствия потерь в Х/4-отрезке линии и при демпфирующем сопротивлении R' = 0).
Исследования зависимости входной проводимости г от относи тельной длины I диполей позволяют заключить, что:
— вещественная часть входной проводимости Re(y0) увеличи вается с уменьшением постоянной решетки а';
—увеличение ширины d дипольных полосок обратно пропор ционально их омическому сопротивлению;
—резонансная длина / диполей обратно пропорциональна уменьшению постоянной а';
—изменение постоянной решетки Ь' уменьшает взаимодействие диполей между собой;
—увеличение диэлектрической постоянной слоя диэлектрика
сокращает резонансную длину диполей пропорционально 1 V е *. Характерный ход кривых Re(y0) и Im(yo) показан на рис. 6.9. Расстояние решетки от металлического корпуса тела опреде
ляется соотношением [6.13] при р=1.
* Т. е. введение диэлектрика s схему приводит к увеличению емкости резо нансного контура.
232
Для практического использования такого РПП чрезвычайно важно, чтобы его эффективность не очень сильно зависела от дли ны дипольных элементов и постоянной решетки а'. Эксперименты показывают, что при изменении I на ± 10% и а' примерно на ±15% отраженная энергия увеличивается менее чем на 10%.
0,2 Oft- 0,6 0,8 W
Относительная длина диполя 1/Л0
Рис. 6.9. Входная проводимость бес конечной простой дипольной решетки
(9=44,4°, *0= 3,2 см, е=1,08, R = 4 0 om)
При отклонении направления падения электромагнитной волны от нормали к поверхности РПП на угол 9, что эквивалентно па раллельному включению полного поверхностного сопротивления ди польной решетки zs с зависящим от 9 индуктивным сопротивле нием zl, входное сопротивление поглотителя
z (?) = |
Ч — 3ZL |
ft |
[ 6.21] |
|
ZS + i h tg P ’ |
||||
|
||||
где |
|
|
|
|
2, = ] /e — sir! |
8 — ^ - V |
e — sin 29 . |
|
|
Л0 |
|
|
233
При вертикальной поляризации плоской электромагнитной волны в целях эффективного поглощения диполи должны быть ориенти рованы параллельно электрическому полю. В этом случае коэф фициент отражения по полю
cos? [6.22]
Ю 20 30 W 50 ВО Угол падения, град
а
Рис. 6.10. Коэффициент отражения простой решетки в функции угла падения электро магнитной волны (поляризация вертикаль ная, плотность распределения диполей опти мальная) :
а — диполи имеют резонансную длину; 6 — длина диполей отлична от резонансной (^Моопт “ 0,66);
диэлектрик с е =.1,08; -3,2 см; параметры про стой решетки; а'/Доопт -0,435, Ь' Д0 —0,935
Коэффициент отражения РПП по мощности в указанных усло виях * определяется выражениями [6.21 и 6.22]:
* г и zs имеют вещественные значения, если резонансная длина диполей
/« V 2.
234
|
R |
» К 8 |
У |
1 |
_1 |
1— Гр 2 |
sin2 9 |
|
|
г2 |
2 |
у ~ Г |
|
|
cos 9 |
1 + r0 |
cos2 tp |
[6.23] |
|
tg, |
* |
К * -sin» у |
|
1 |
1 — r0V |
e — sin2 tp |
|||
|
|
|
|||||||
|
R |
2 |
] / — |
|
|
cos 9 1 + i0/ |
cos2 9 |
|
Значения коэффициента отражения в функции угла падения волны показаны на рис. 6.10. Как видно из рис. 6.10а, при хорошо согласованном покрытии (zs~z0) с резонансной длиной диполей /«Xо/2 отражение энергии менее 2 % по мощности может быть по-
Угол падения
Рис. 6.11. Изменение коэффициента отражения простой дипольной решетки в зависимости от угла падения электромагнитной волны:
/ — £ = 1,08, |
поляризация |
горизонтальная; |
2 — е =2,56, |
поляризация |
горизонтальная; 3 — £ =1,08, |
поляризация |
|
вертикальная; 4 — е *=2,56, |
поляризация вертикальная |
лучено в диапазоне углов падения от 0 до 40°. Использование в решетке расстроенных диполей в настоящее время не позволяет определить коэффициент отражения.
Для исключения дифракции на дипольной решетке при гори зонтальной поляризации облучающей волны * постоянные ди польной решетки должны удовлетворять следующим требованиям:
|
|
V c-'—J L — |
^ |
1 + sin 9 ’ |
|||
|
|
d |
^ |
1 + |
sin 9 ’ |
||
т. е. при |
те |
t |
^ |
^ |
г |
^ |
|
9 = ~ 2 |
а < ! Г > ь < |
1 Г- |
|
||||
Как |
видно из |
схемы |
размещения |
дипольных элементов на |
рис. 6.11, Ь'>Хо/2. В связи с этим зазоры решетки взаимно сме щены на Ь'/2 (дифракция в этом случае изменяется при почти по стоянном входном сопротивлении покрытия). Для горизонтально поляризованных волн по мере возрастания ср наблюдается быстрое
* Т. е. вторичное излучение определяется только законами геометрической оптики.
235
увеличение отражения. При этом в сторону источника первичного излучения отражения энергии может и не быть.
Для согласованного РПП связь между коэффициентом отраже ния и углом поляризации ф выражается следующим образом:
г (ф) = sin2ф. |
[6.24] |
Изменение коэффициента отражения для простой решетки в зави
симости от угла поляризации показано |
на |
рис. 6.12. |
|
|
|
|
|||||
|
|
Для того чтобы эффектив |
|||||||||
|
|
ное |
поглощение |
электромаг |
|||||||
|
|
нитной энергии не зависело от |
|||||||||
|
|
случайной |
ориентации |
маски |
|||||||
|
|
руемого объекта в пространст |
|||||||||
|
|
ве, к имеющейся в схеме РПП |
|||||||||
|
|
простой |
дипольной |
решетке до |
|||||||
|
|
бавляют вторую решетку, по |
|||||||||
|
|
вернутую на 90°. Как видно из |
|||||||||
|
|
рис. 6.12, включение дополни |
|||||||||
|
|
тельных |
дипольных |
элементов, |
|||||||
|
|
развернутых на 90°, не оказы |
|||||||||
|
|
вает на согласованность по |
|||||||||
|
|
крытия заметного влияния |
при |
||||||||
Рис. 6.12. Зависимости коэффициента |
угле ф = 0. |
Иначе говоря, |
коэф |
||||||||
отражения от угла поляризации для |
фициент отражения |
РПП двух |
|||||||||
РПП с вещественным входным со |
контурного |
типа (рис. |
6.86) с |
||||||||
|
противлением: |
крестообразной |
дипольной |
ре |
|||||||
/ —2g > ^0; 2 — zs »z0,простая дипольная |
|||||||||||
шеткой |
практически не |
зави |
|||||||||
решетка] |
= 0,66, а' Х0= 0,42; 3 —z$<z0, |
||||||||||
сит от угла поляризации облу |
|||||||||||
/,Я0= 0,72, |
а'/Х0= 0,213; 4-z$ ~ z0, кресто- |
||||||||||
образная дипольная решетка |
чающего |
сигнала. |
Изменение |
||||||||
|
|
коэффициента |
отражения |
эле |
ментов простых решеток для 1~Хо12 и различных постоянных а', Ь' простой дипольной решетки представлено на рис. 6.13.
Для дальнейшего увеличения частотного диапазона резонанс ного РПП интерференционного типа можно ввести дополнительную дипольную решетку на расстоянии Х/8 от металлической поверхно сти. Эквивалентная схема такого (трехконтурного) поглотителя со держит два последовательных резонансных контура Lb Cj, Ri и
U, С2, R2 (рис. 6.14).
Сопротивления потерь и резонансная частота обоих контуров
для согласованного покрытия |
(s= l) |
определяются выражениями: |
Rx == 1,63 z0; R2=0,795z0; |
|
|
1 _ |
. |
1 _ 2(Og |
к т е “ |
1-б2, К Е А ~ 1'2 ‘ |
Изменение коэффициента отражения в зависимости от длины вол ны приведено на этом же рисунке. Между двумя точками согласо
вания = 1 и -у- = 2^ отражение незначительно увеличивается
(до 16% по полю). Как следует из рис. 6.14, замена дипольных
236
0,6
0,0
Коэффициент отражения г
\ \ |
1/Ао |
г - 0 , 6 |
|
||
---->Оу |
|
То,66 |
|
|
Ч),72 |
г =1,08
а'/А0= 0,391 Ъ'/А0=0,935
сЦко=О,05
S=2,56 а1/А0= 0,069
,Ь/Ав= 0,585 i/A 0= 0,05
£ =3,72
а'/А0= 0,069
ЫА0= 0,069
ЩА„=0,05
|
0,3 |
|
0,2 |
|
0,1 |
|
1' |
--------- Коэф. |
h |
отражения |
О.з |
одноконтурного |
|
поглотителя |
|
(резистивная |
0,2 |
пленка Z =377 om) |
OJ |
|
О
\
1
| |
|
1 |
0,069 \ |
В -■--1,08 |
||
а'iX о |
0,391у*у |
\ |
||||
|
||||||
|
|
|
|
\Ь/Ад --1,935 |
||
|
|
£*$,313 \l/A 0 = 0,66 |
||||
|
|
|
\ |
1 о!Ао~-0,05 |
||
___ _ |
|
|
| |
|
||
|
|
|
|
|
||
— 1— |
п ? |
|
6___ I |
£ =2,56 |
||
а'! К 0 f |
ш |
9,585 |
|
|||
7,069 Ь/А„= 0,585 |
||||||
|
|
/ о / 1391' 1/А0= 0,02 |
7330
й/А0 =0,05
£ =3,72 Ъ'/Ао-= 0,069
1/А0=0,36 0/Аа-=005
1,6 |
29- |
3,2 |
0,0 |
0,8 |
|
|
Длина волны, см |
|
Рис. 6.13. Зависимости изменения |
коэффициента |
отражения простой дипольной решетки от ее |
параметров (поляризация |
|
вертикальная, угол падения волны 10°): |
|
|
а — от длины диполей; б — от констант а' |
и Ь' простой |
дипольной решетки. Пунктиром показаны зависимости |
г одноконтурного погло |
|
|
тителя |
|
Ю
СО
решеток однородными резистивными пленками сужает диапазон-
ность РПП.
Зависимость между резонансной длиной диполей и постоянными простых решеток данной схемы РПП без учета взаимовлияния диполей друг на друга определяется линейными соотношениями:
А |
= |
Q |
с, |
[6.25] |
^0 |
|
V u e / |
V u с 2 |
|
|
|
31 |
C4R2. |
[6.26] |
|
|
t - = C3Ri;- |
Рис. 6.14. Зависимость коэффициента отражения многослой ных и дипольных резонансных РПП от длины волны (трехконтуриая схема, s=l)
Рассмотренное радиопоглощающее покрытие широкого приме нения не находит вследствие нетехнологичности его производства.
6.6. Разработка радиопоглощающих материалов
Высокие скорости полета ракет обусловили необходимость соз дания противорадиолокационных материалов, способных при отно сительно малом весе выдерживать высокие аэродинамические и температурные нагрузки, которые имеют место при движении го ловных частей в плотных слоях атмосферы. Радиопоглощающие материалы, разработанные за рубежом для этих целей и для ма скировки наземных объектов, представляют собой металлические и керамические материалы, а также пластические массы различ
ных типов.
Среди широкодиапазонных радиопоглощающих материалов большое распространение получили керамические ферритовые ма
238
териалы. Покрытия из таких материалов обычно имеют небольшую толщину и отличаются устойчивостью к резкому изменению усло вий окружающей среды. При этом тонкий слой однородного ферри тового материала (много меньше длины волны), покрывающий ме таллическую поверхность, сохраняет свои положительные свойства. Например, при толщине ферритового слоя d = 0,83 см в диапазоне частот 30—300 Мгц коэффициент отражения по полю составляет меньше 10%.
Если ферритовый слой находится на небольшом расстоянии от металлической поверхности, то возможно смещение полосы пропу скания РПП в сторону высоких частот. Так, при толщине ферри тового слоя 0,7 см, ширине воздушного слоя 1,8 см диапазон рабо чих частот для г< 10% составляет 40—800 Мгц.
Рабочий диапазон частот в сторону коротких волн может быть расширен за счет разделения ферритового слоя на два слоя (трех слойное РПП), отличающихся друг от друга толщиной: тонкий ферритовый слой отделен от толстого, лежащего на металлической
поверхности, воздушной подушкой. Для такого РПП при |
10% |
диапазон рабочих частот составлял 20—900 Мгц (толщина первого ферритового слоя 0,2 см, воздушного слоя 4 см, второго феррито вого слоя 0,54 см).
Диапазоны рабочих частот различных никель-цинковых ферри тов, нанесенных непосредственно на металлическую поверхность, приведены в табл. 6.4. Как следует из таблицы, диапазон рабочих частот ферритовых РПП существенно зависит от технологии про
изводства при |
одном |
и том же химическом составе |
(например, |
|||
NZ-01 и NZ-03, |
Р-01 |
и Р-02). |
|
|
||
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а 6.4 |
|
|
Рабочие частоты и |
состав некоторых однослойных ферритовых РПП |
||||
|
Материал |
|
|
Состав |
Температура |
Диапазон частот |
|
|
|
спекания, °С |
при г « 10У0Мгц |
||
С-01 |
(фсррамик Е) |
|
|
N10 — 20%, ZnO — 30%, |
— |
235—750 |
|
|
|
|
Ре20 3 — 50% |
|
|
М-01 (снферрнт 2000Т7) |
|
NiZti — основание |
— |
64—320 |
||
|
N Z -01....................... |
|
|
N10 - 15%, ZnO - 35%, |
1250 |
30—225 |
|
|
|
|
Ре20 3 — 50% |
|
|
NZ- 0 2 ....................... |
|
|
Цинка больше, чем |
1250 |
2 ,8 -6 0 |
|
|
|
|
|
в NZ-01 |
|
|
|
N Z -03....................... |
|
|
Такой же, как в NZ-01 |
1300 |
20—260 |
|
N Z -04....................... |
|
|
Такой же, как в NZ-02 |
1300 |
40-115 |
|
Р-01........................... |
|
|
NiO— 16%, ZnO — 34%, |
1280 |
58—380 |
|
|
|
|
F e,O ,-50% |
|
|
V-01 |
Р-02........................... |
|
|
Такой же, как в Р-01 |
1270 |
50—400 |
(феррокарит File-7) |
|
NiZn — основание |
— |
285—680 |
239