Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет

.pdf
Скачиваний:
37
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
20.93 Mб
Скачать

и дополнительного высокочастотного (ФВЧ) или полоснозаграждающего фильтра (ПЗФ). Такое усложнение коле­ бательной системы оправдывается постоянством к. п. д. транзистора и рассеиваемой на нем мощности во всей по­ лосе частот. Колебания высших гармоник после выпрям­ ления можно направить в цепь питания и тем самым повы­ сить к. п. д. передатчика.

Постоянное на всех гармониках входное активное со­

противление ZH(co) = RH при

одновременной фильтрации

высших гармоник в основной

нагрузке RB обеспечивается

Рис.

1.8. Схема

генератора

с Дополнительным конту­

ром

в коллекторной

цепи,

настроенным

на 2-ю или

3-ю

гармонику

(а) и формы импульсов

коллекторно­

 

го

тока

и напряжения (б).

 

фильтром с бесконечным числом звеньев. Практически мож­ но ограничиться последовательным включением основ­ ного контура и одного дополнительного контура, настроен­ ного на 2-ю или 3-ю гармонику (рис. 1.8) [81. Хотя при этом формы импульсов коллекторного тока и напряжения за­ метно отличаются от прямоугольных, потери в транзисторе увеличиваются незначительно.

К рассматриваемому классу схем относятся двухтакт­ ные схемы с параллельным и последовательным контурами (рис. 1.9) [9, 10]. Эпюры токов и напряжений в этих схемах показывают, что транзисторы в схеме с параллельным кон­ туром должны пропускать меандры тока, а в схеме с после­

довательным контуром синусоидальные

импульсы

тока

с отсечкой 90°. Работа этих схем возможна

как в ключевом,

так и в недонапряженном режиме, причем в последнем

слу­

чае требуется обеспечить соответствующую форму возбуж­ дения и идентичность параметров транзисторов. Практи-

чески используется лишь ключевой режим, так как тогда даже при значительной неидентичности параметров тран­ зисторов удается получить хорошую фильтрацию гармоник при использовании простейшего колебательного контура.

Частотный диапазон этого класса схем ограничен ем­ костью Сх и инерционностью транзистора. Они обуслов­ ливают появление фронтов конечной длительности в им- ( пульсах коллекторного тока и напряжения. Поэтому по-

Рис. 1.9. Двухтактные схемы ключевых генераторов с параллель­ ным (а) и последовательным (б) контурами.

являются интервалы времени, когда транзистор работает при значительной мощности, рассеиваемой на коллекторе.

Эти потери зависят от длительности фронтов, но они не могут быть меньше, чем коммутативные потери [11, 12], определяемые рассеиванием энергии, запасенной в емкости С. В момент перехода транзистора из режима отсечки в ре­ жим насыщения (замыкание ключа на эквивалентной схеме рис. 1.6, в) энергия, накопленная в емкости С, рассеивается в сопротивлении г н а 0 в виде мощности коммутативных по­ терь Рв. Потери растут с увеличением частоты генерируемых колебаний и тем самым ограничивают максимальную рабочую частоту генератора. В частности, для схемы с безынер-

цйонным транзистором, приведенной на рис. 1.7, при ве­ личине допустимых относительных коммутативных потерь Рк/Р„ = 0,01-7-0,05 можно определить допустимое зна­ чение QK [13]:

QK = <oC# a < 0,03 4-0,15.

 

(1.33)

Аналогично в двухтактных схемах емкость

С и инерцион­

ность транзисторов приводят к появлению

фронтов

в им­

пульсах тока (рис. 1.9, а) и фронтов в импульсах

напря­

жения (рис. 1.9, б). Коммутативные потери ограничивают частотный диапазон схемы, приведенной на рис. 1.9, б,

соотношением

(1.33).

2. Схемы

 

при QK « 1. Схема генератора, показанная

на рис. 1.10,

а, по конфигурации не отличается от обычных

схем усилителей с резонансной нагрузкой. Особенность работы этой схемы состоит в форме коллекторного тока и

напряжения. Если ток имеет

форму

импульсов, близкую

к пилообразной

(рис. 1.10, в),

то при

некоторой

расстройке

контура и QK «

1 напряжение на

коллекторе

во время

Р.)

б)

 

 

м

cot

мa>t

Є)

г)

б)

?)

ж)

Рис. 1.10, Схема генератора с LC-контуром (а)

и с дополнительным

фильтрующим контуром (б). Эпюры токов и напряжений при раз­ личных добротностях контура в коллекторной цепи и различном

возбуждении:

в) ф к л ; 1 , qK

< \,

пилообразный импульс тока;

г)

QK > 3, косинусоидальный

импульс тока, критический режим;

д)

QK > 3, qK

> 3, режим перенапряженный; е) QK > 3, qK > З,

 

ключевой

режим; ж) QK

ж 1,

qK < 1, ключевой режим.

импульса тока оказывается весьма малым ик: & гк/"иас- В промежутке между импульсами тока напряжение на кол­ лекторе резко возрастает и имеет форму импульсов, близ­ кую к косинусоидальной. Такой режим обеспечивает малые потери мощности на коллекторе*1 .

В недонапряженном режиме импульсы тока пилообраз­ ной формы обеспечиваются специальной формой возбужде­ ния, что не всегда удобно для практики. В ключевом ре­ жиме при достаточной величине возбуждения форма воз­ буждения и ее амплитуда не имеют значения. По этой при­ чине рассматриваемые схемы используются обычно при клю­ чевом режиме транзистора [И, 12].

В ключевом режиме при соответствующем выборе пара­ метров схемы удается избежать коммутативных потерь. Потери из-за инерционности транзистора проявляются при переходе из области насыщения в область отсечки, когда транзистор на интервале времени ta (рис. 1.10, в) находится в активной области. Однако эти потери могут быть умень­ шены при увеличении возбуждения.

В простейшей схеме (рис. 1.10, а) в нагрузке RH выде­ ляется значительная мощность высших гармоник. Чтобы исключить потери мощности на высших гармониках, не­ обходимо включать дополнительные фильтрующие конту­ ры, например, как показано на рис. 1.10, б. Включение фильтрующего контура приводит к тому, что высшие гар­ моники коллекторного тока и напряжения на коллекторе сдвигаются друг относительно друга на 90° и в нагрузке не выделяется мощность высших гармоник.

3. Схемы при QK >

3. Если в обычной схеме (рис. 1.10, а)

колебательный

контур

LC

имеет высокое значение нагру­

женной добротности и настроен в резонанс

на первую гар­

монику:

 

 

 

 

<?к

= с о С Я в > 3 ;

c o 0 = l / / L C

= o),

то в недонапряженном режиме форма напряжения на кол­

лекторе будет

почти гармонической

(рис. 1.10, г).

Форма

и амплитуда

коллекторного тока

определяются

формой

и амплитудой базового тока или напряжения. На рис. 1.10, г ток коллектора показан в виде отрезка симметричной ко­ синусоиды с углом отсечки в .

*) По параметрам коллекторного контура, форме импульсов напряжения такой генератор близок к ламповому генератору с рас­ строенным анодным контуром [14].

При увеличении возбуждения наступает критический режим, при котором в момент, когда коллекторный ток ста­ новится максимальным / к = ік м а к 0 , точка, отображающая состояние транзистора, попадает на границу между об­ ластью насыщения и активной областью. Дальнейшее уве­ личение возбуждения приводит транзистор в перенапря­ женный режим. Форма коллекторного тока и коллектор­ ного напряжения на этапе насыщения зависит от того, на­ сколько контур шунтируется сопротивлением г н а с .

В случае, если qK — (оСгн а о > 1, контур незначительно шунтируется сопротивлением г н а с . Напряжение на коллек­ торе на этапе насыщения остается гармоническим, а в им­ пульсе коллекторного тока появляется провал косинусоидальной формы (рис. 1.10, д). При дальнейшем увеличении возбуждения длительность этапа насыщения увеличивается,

и в пределе транзистор переходит

в

ключевой режим

(рис. 1.10, е). В этом режиме входная

цепь генератора оп­

ределяет только начало и окончание

импульса коллекторно­

го тока, амплитуда и форма импульса тока определяются коллекторной нагрузкой. Однако в таком ключевом режиме электронный к. п. д. транзистора оказывается низким [15]. Кроме того, в этом случае требуется большая амплитуда возбуждения и, следовательно, оказывается низким коэффи­ циент усиления по мощности.

В случае, если qK = (оСУн а с < 1, на этапе насыщения коллекторный контур закорачивается относительно малым сопротивлением г н а о . В результате форма напряжения на контуре (коллекторе) уплощается. В предельном случае

''нас

- > 0 на этапе насыщения напряжение

на коллекторе

« к =

0, провал в импульсе тока коллектора

имеет пилооб­

разную форму (рис. 1.10,ж). Увеличение возбуждения пере­ водит транзистор в ключевой режим. Однако при QK > 3 в транзисторе остаются значительные коммутативные по­

тери даже при г н а с

0. Поэтому к. п. д. транзистора ока­

зывается

низким [11].

Таким

образом,

при QR > 3 переход в перенапряжен­

ный и ключевой режимы не позволяет существенно умень­ шить потери мощности в транзисторе по сравнению с поте­

рями

в

критическом режиме как при

qK >

1, так и при

<7к<

1.

 

 

 

 

В целях снижения потерь мощности в транзисторе можно

применять

специальный фильтр низких

частот в виде лест­

ничной

схемы (рис. 1.11), начинающейся с

параллельной

емкости

Cv

Такая схема обеспечивает

не только активное

входное сопротивление на основной частоте и заданную фильтрацию всех высших гармоник в нагрузке, но и ак­ тивное входное сопротивление на частоте второй или треть­ ей гармоники (за счет потерь в реактивных элементах). В результате форма коллекторного напряжения уплощает­ ся аналогично тому, как это показано на рис. 1.8, б [8].

Другим способом уменьшения потерь мощности в тран­ зисторе является включение в контур нелинейной емкости (рис. 1.12). В качестве такой емкости может использоваться емкость коллекторного перехода транзистора или емкость дополнительно включенного варикапа [16, 17]. Нелиней­

рис. 1.11.

Схема генератора

со

Рис. 1.12. Схема генератора, в

сложным фильтром,

обеспечи­

котором нелинейная емкость

вающим

необходимые

искаже­

коллекторного

перехода

ис­

ния в форме напряжения

на

пользуется

для

формирова­

 

коллекторе.

 

 

ния упрощенной

формы

кол­

 

 

 

 

лекторного

напряжения.

ность ее зависимости от приложенного к ней напряжения С(и) приводит к уплощению отрицательной полуволны на­ пряжения на коллекторе аналогично тому, как это проис­ ходит в схеме с дополнительным контуром, настроенным на

вторую гармонику. При высоком значении

нагруженной

добротности QK = (оСс р £?н >

3, где С с р

усредненная

по первой гармонике величина

нелинейной емкости С(и),

форма напряжения на коллекторе будет определяться толь­ ко свойствами нелинейной емкости С(и) и не будет зависеть от гармонического состава тока коллектора [17]. Этим ра­ бота таких генераторов выгодно отличается от работы ге­ нераторов, схемы которых показаны на рис. 1.8 и 1.11. Напомним, что в этих схемах для достижения оптимальной формы напряжения на коллекторе необходимо обеспечить вполне определенную форму импульса коллекторного тока. Кроме того, в контурах этих схем рассеивается зна­ чительная мощность высших гармоник.

Сравним рассмотренные схемы и режимы их работы. Высокое значение электронного к. п. д. транзисторного ге­ нератора обеспечивается созданием уплощенной формы на­

пряжения на коллекторе. Переход к негармонической форме напряжения может существенно уменьшить мощность, рас­ сеиваемую на коллекторе, и практически не усложняет схе­ му фильтра нагрузки. Это объясняется тем, что современные высокие требования, предъявляемые к излучению высших гармоник передатчиком, обусловливают всегда сложную схему фильтра. Количество необходимых реактивных эле­ ментов в нем мало меняется при переходе от схемы с гармо­ нической формой к схеме с уплощенной формой напря­ жения.

Рис. 1.13. Графики зависимости электронного

к. п.

д.

от

обобщен­

ных параметров для различных

схем

при

в

=

90°:

а—при заданном напряжении источника питания

Е к ; б—при

заданном макси­

мальном напряжении на коллекторе н

м а к 0 .

 

 

 

Величина электронного к. п. д. в рассмотренных схемах различна, причем при заданном напряжении питания кол­ лектора Ек зависит от обобщенного параметра:

PE = rmoPjEl

(1.34)

Этот параметр можно рассматривать как нормированную колебательную мощность. Зависимости ЦЭ(РЕ) рассчитаны в [13] (рис. 1.13, а). Нумерация кривых на рис. 1.13 соот­

ветствует порядковой

нумерации табл.

1.1. Графики

рис. 1.13, а показывают,

что в генераторах

с уплощенной

формой напряжения на коллекторе значительно повышается к. п. д. при заданной мощности рв-

Для повышения к. п. д. целесообразно полностью ис­ пользовать транзистор по напряжению, т. е. в соответствии с (1.29) принимать максимальное напряжение на коллек­ торе «кмакс Р а Б Н Ь Ш допустимому и к д . При таком выборе

36

режима для сравнения схем удобнее рассматривать зави­ симость к. п. д. от другого обобщенного параметра

Ра ~ гнас Рі/^к макс

(1.35)

Из графика, представленного на рис. 1.13, б, видно, что лишь в некоторых генераторах с уплощенной формой на­ пряжения на коллекторе значительно увеличивается к. п. д. при заданной колебательной мощности ри. Ряд схем це­ лесообразно использовать только при небольших значениях нормированной колебательной мощности ри < 0,01. Это объясняется большим значением пик-фактора*1 формы на­

пряжения на коллекторе П = иКыак0к в этих схемах. Из-за этого в таких генераторах при постоянной величине

"кмако необходимо снижать напряжение коллекторного питания £„, что, в свою очередь, требует увеличения им­ пульса коллекторного тока и при конечном значении со­ противления г н а 0 обусловливает возрастание потерь.

В некоторых частных случаях к. п. д. генератора и мощность, рассеиваемая в транзисторе, не имеют решаю­ щего значения. Так, например, в импульсных передатчи­ ках с большой скважностью средняя мощность, рассеива­ емая на коллекторе, и средняя потребляемая мощность по­ лучаются незначительными и не определяют конструктив­ ных и энергетических показателей передатчика. В этих

случаях, особенно

при малых

значениях сопротивления

г н а с , выбор схемы

определяется

в основном получением

максимальной мощности с одного транзистора при заданных

допустимых

значениях тока

і ' К м а к с

*кд и напряжения

на

коллекторе

 

мк м а к с

и к д .

Для

оценки

различных

схем

в таких случаях

в табл.

1.1

указаны

нормированные

значения

 

максимальной

колебательной

мощности

при

заданном

напряжении

источника

питания Ек или

при

заданном максимальном

напряжении

на коллекторе

« К м а К о :

Р і Е - ' Г

1

^ - '

Рі*=

P l M S K C

П Р И

' н а с ^ О .

(1.36)

'кмаксс к

 

(к максик макс

 

 

 

 

Следует отметить, что для генераторов, требующих выпол­ нения соотношения QK < 1, диапазон частот, в котором они могут быть реализованы, ограничен, даже если в качестве емкости С использовать выходную емкость транзистора

*> Наряду с данным термином в современной литературе по радиоэлектронике широко используют термин «коэффициент ам­ плитуды». (Прим. ред.)

с

схема

с

Тип

ё

1

 

2

 

3

Однотактная

 

4

5

Вид коллекторного

 

контура

Режим

Апериодический

Крити­

контур

ческий,

Qi< < 1

ключевой

Низкодобротный

Крити

контур

ческий,

Q K ~ 0 , 5

ключевой

Высокодобротн ы й

Крити­

контур

ческий

Q K > 3

 

 

 

 

Перенапря­

 

 

женный

 

 

при

 

 

<7к> 3

Высокодобротный

 

контур

Критичес­

Q K >

з

кий

Нелинейная емкость

 

(V =

0,5)

 

Коммутатив­ ные потери

рх/ро

т

0

0

0

0

Потери на активном этапе*)

_ L J a 3 т

0,22

0,22-гО

0,07

6

Двухтактная

Параллельный

Крити­

0

л*

/

/ а

\ 2

 

Последовательный

Крити

я 2

 

 

 

 

 

 

контур

ческий ,

 

6

[

Т

)

 

 

<Эк> 3

ключевой

 

 

 

 

 

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

контур

ческий,

4 C i R "

 

 

 

 

 

 

(•A R„ < 0,1

ключевой

 

 

 

 

 

 

 

 

Т

 

 

 

 

 

При

длительности (а

 

 

 

 

 

 

V

Су

о

 

 

 

 

К

1 =

1 (/?„)

 

к

се

та

я

 

 

 

 

2

г

 

 

 

 

3

г

 

 

 

 

сГ

ч

в

 

 

 

 

 

о.

а

 

 

 

 

0,203

0,1

0,05

1 + V

l

-

19,75ри

 

 

 

3 _ y i

 

_

19,75pu

0,1

0,12

0,013

~1 - 2 9 , 4 р ц

 

 

 

при

р и

< 0,007

0,12

0,06

0,031

1 + У 1 _ 3 2 р й

 

 

 

0./8

 

 

 

 

 

 

3 - 1 / 1 - 3 2 р а

0,12

0,1

0,044

0,78(1 — 12,85р„)

 

 

 

при р и <

0,0275

п - п ( Р и )

4 3 - Т / і _ 1 9 , 7 5 р ц

— 3,56(1

- 1 5 р „ )

при р и

< 0,007"

4 3 - * У 1 - 3 2 р ц

« 2 ( 1 - 5 , 4 6 p u ) при р„ < 0,0275

0,11

0,07

0,027 n _ 3 [ l + V i - 3 5 , 8 p J

16

 

 

 

11 — 5 1 / 1 — 3 5 , 8 р ц

П - 5 1 / 1 —35,8р„

 

 

 

 

0,16

0,12

0,04

1 + 1 / 1 - 2 5 , l p „

6,28

4,14—2,141/1

—25,1р„

4 , 1 4 - 2 , 1 4 1 / 1 - 2 5 , 1 р „

 

 

 

0,16

0,1

0,02

+ V l

- 3 9 , 5 р и

?

 

 

 

 

 

С в ы х = С. Так, например, для известного транзистора типа КТ904 можно получить QK < 0,1 на частотах ниже 10 МГц.' Соответственно схемы, требующие Q„ « 1, могут быть ре­ ализованы лишь на частотах ниже 100 МГц.

Наиболее просто и надежно реализовать высокие зна­ чения к. п. д. в схемах, работающих при QK < 1, можно, используя ключевой режим транзистора. Как уже отме­ чалось, в этом режиме транзисторный генератор отличается малой чувствительностью к форме и амплитуде возбуждения и соответственно к изменению ряда параметров транзисто­ ра, определяющих его усилительные свойства. Как следствие этого можно ожидать повышенную надежность работы ге­ нератора в различных изменяющихся условиях. При этом нужно еще раз подчеркнуть, что ключевой режим неприем­ лем при усилении колебаний, модулированных по ампли­ туде.

В настоящее время находят широкое применение однотактные генераторы с обычной резонансной нагрузкой, работающие в недонапряженном и критическом режимах, и однотактные генераторы, работающие в ключевом ре­ жиме. Именно эти два типа простейших генераторов будут рассматриваться в данной главе.

Другие схемы и режимы работы используются на прак­ тике сравнительно редко, несмотря на ряд очевидных пре­ имуществ. Это, по-видимому, объясняется сравнительной новизной вопросов, возникающих при проектировании та­ ких схем.

1.1.5. Цепь возбуждения

генератора

Входная цепь генератора связана с коллекторной це­ пью предыдущего каскада линейным четырехполюсником (рис. 1.14, а). В теории радиопередающих устройств 118] такой четырехполюсник связи между каскадами обычно представляется эквивалентной схемой с идеальным транс­ форматором, имеющим коэффициент трансформации k, и двумя сопротивлениями: сопротивлением холостого хода Z x x и сопротивлением рассеяния Za (рис. 1.14, б). Коллек­ торная цепь транзистора возбудителя на этом рисунке заме­ нена его эквивалентной схемой (см. рис. 1.6, б). Входная цепь последующего каскада нелинейна, и для простоты она представлена в виде ключа и двух сопротивлений Z B x 0 и

40

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ