Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Месенжник Я.З. Кабели для нефтегазовой промышленности

.pdf
Скачиваний:
21
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
21.91 Mб
Скачать

тей облученного полимера, условий облучения, давления и т. д. Например, при определенном соотношении испытатель­ ных температур и давлений возможно достижение практи­ ческой независимости RH3 от поглощенной дозы, что наб­ людается, например, у изоляции из ПЭВД радиальной тол­

щиной 0,6 мм,

облученной ? - излучением

Со-60

в

гелии,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

при гидростатическом дав­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

лении

600

кгс/см\

темпе­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ратурах 70,

100

 

и

130°С в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

интервале поглощенных доз

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30-І-120 Мрад.

 

При

облу­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

чении в инертной

среде

на

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

дозную

зависимость

RH3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

влияет

растворенный

в изо­

ЗВ

ВО

 

по

 

wo

 

200

 

ляции

воздух.

 

Так,

при

 

 

 

 

.радиальной толщине изоля­

 

---1---1« , ,1—Л — 1---L.

 

 

 

 

 

 

 

1,2 мм

 

 

 

 

 

 

у Э К Ь

 

 

 

 

 

 

 

т;с

 

ции

температурные

 

 

 

 

5

 

 

 

зависимости

lgpv

образцов,

 

 

 

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

облученных

до доз

100 и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

150 Мрад,

практически

не

 

Ѵ

\

 

 

 

 

 

 

 

отличаются

(igpv

образцов,

; -

 

 

 

 

 

 

 

 

 

облученных

до

дозы

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

? .

 

V

 

 

 

 

 

 

 

Мрад,

незначительно

ниже

-

 

 

 

 

 

 

 

 

lgpv

образцов,

облученных

1 -

 

 

 

 

 

 

 

 

 

до дозы 100 Мрад). Увели­

г о

. в о

, / в о

д о

 

 

 

 

 

 

чение радиальной

толщины

 

180

2 2 0

к о т ,° с

 

приблизительно

 

в

3

раза

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

п о кв ж

500

и д о л е е

500

 

 

 

привело к более существен­

Рис. 29. Температурная зависимость

 

ной разнице в температурной

 

зависимости

lgpv

образцов,

логарифма удельного

сопротивления

 

облученных до тех же доз

изоляции ПЭВД,

облученного 7-из-

 

 

лучением Со60 в среде:

 

 

 

(рис. 29, а ).

 

 

 

 

 

а

гелия до доз, Мрад: 1 — 100; 2 -

150

 

 

Исследования

изоляции

(для 1 и 2 5

=1,2

мм);

3 -

150;

4

200;

 

из ПЭВД и

ПЭНД,

облу­

5 — 100 (для

3, 4 и

5 5

>3,8 мм);

 

 

ченной

в среде

гелия,

по­

б

до доз, Мрад: 7 — 80

(на

воздухе,

 

казали, что RH3 необлучен-

быстрые электроны, мощность дозы 75

ного ПЭНД при 120°С сни­

Мрад'Мик.); 2 — 140 (в аргоне,

7 -излучение);

 

5 — 100 (на воздухе, быстрые электроны, м о щ ­

жается

до 0, а у облучен­

ность дозы 6 Мрадімин.),

 

 

 

 

 

составляет ~

1,2 • ІО12ом-см.

 

ного (120 Мрад)

 

при

160°С

RH3

у

необлученного

ПЭВД

снижается до 0

при

130°С,

а

у

облученного (120 Мрад)

при этой

же

 

температуре

рѵ

составляет

4,3- \0и ом ■см,

при

160°С — ~

10й,

а

при

210°С----- 1012

ом см.

Сле­

довательно, у ПЭНД,

как

необлученного, так

 

и

сшито­

го, зависимость сопротивления изоляции от температуры, определяемая температурным коэффициентом сопротивле­

ния изоляции TKRM, заметно больше, чем у ПЭВД.

210

Радиационное Окисление поверхности и объема поли­ этилена, существенно ухудшающее электрофизические и ме­ ханические характеристики изоляции, заметно влияет не только на такую структурно-чувствительную характеристику, как tgS (приводит к его возрастанию), но и на другие элект­ рофизические характеристики, что особенно проявляется при повышении температуры. Температурные коэффициенты ди­ электрической проницаемости ТКе и удельного сопротивле­ ния изоляции ТКрѵ при облучении на воздухе выше, чем при облучении в инертной среде. В этих случаях сущест­ венно различаются также абсолютные значения г и рѵ (см. рис. 26, б, табл. 21).

Условия облучения этих образцов неодинаковы:образцы № 1 и 2 облучены ускоренными электронами на воздухе при мощностях дозы, отличающихся более чем в Ю раз, в то время как образцы № 3—ц-излучением Со-60 в среде аргона. Облучение на воздухе при высокой мощности дозы

эквивалентно облучению в вакууме,

а при малой не исклю­

чает возможности протекания

процессов с участием кисло­

рода. Видимо,

отмеченное является

причиной

превышения

Т К р ѵ образцов № 2 над Т К р ѵ

образцов № 1.

Приведенные

значения Т К р ѵ

для неокисленного РМПЭ в диапазоне тем­

ператур 230-г150°С соизмеримы с Т К р ѵ резин

в низкотем­

пературной области. Так, при 5-у35°С Т К р ѵ резины ТСШ-35 составляет—0,0372°С~1, ТСШ-50-0,0456°С

Превышение Т К

р ѵ

изоляции,

облученной

f -излучением

в аргоне, над Т К р ѵ

изоляции

в случае облучения

ее

за 1

проход электронами при большой

мощности

дозы,

можно

объяснить окислением

объема толстостенной

изоляции

при

длительном облучении

(610

час.)

вследствие

относительно

большого количества растворенного в ПЭ 0 2 (соотношение тол­ щин изоляции для образцов № I и 3 составляет 0,16).

Независимо от поглощенной дозы и условий облучения кривые зависимости сопротивления изоляции от температу­

ры проходят

выше при снижении ее (обратный ход), чем

при подъеме

(прямой ход*, что является следствием отжи­

га изоляции. Площадь „гистерезисной“ петли уменьшается после повторных нагревов. Обычно наклон кривых прямого хода к оси абсцисс в температурной зоне плавления крис­ таллитов заметно меньше, чем у кривых обратного хода, что может быть связано с рекомбинацией зарядов, захвачен­ ных в кристаллической фазе и высвобождаемых из „лову­ шек“ при плавлении кристаллитов. Характерно, что замет­ ное уменьшение значений „кажущейся“ энергии активации1 наблюдается у сильно радиационно-окисленной изоляции

1 С изменением знака.

211

(см. табл. 21, образцы № 2), т. е. имеющей большое коли­ чество радиационно-стимулированных ловушек (см. рис. 19, кривая 4). Качественно аналогичное явление наблюдается и у образцов № з, где радиационное окисление объема толс­ тостенной изоляции обусловлено растворенным в нем кис­ лородом (см. рис. 19, кривая 3). У тонкостенной неокис­ ленной изоляции (образцы № 1, см. табл. 21) не наблюдается изменений а в зоне плавления кристаллитов.

Т а б л и ц а 21

Средние температурные коэффициенты изоляций РМ ПЭВД

Номер типа образца

1

2

3

 

 

 

 

 

ТКру при

сни­

Условия облучения

 

жении

темпе­

 

ратуры

в

тем­

 

 

 

 

 

пературном ин­

 

 

 

 

 

тервале

 

ЛО-г

і

 

 

 

 

150-С, -С -1

Облучение на воздухе ускоренны­

 

 

 

ми электронами в

1 проход под пуч­

 

 

 

ком, мощность дозы

75 Мрад/мин,

 

 

 

поглощенная

доза

80

Мрад (6И =

0,03

 

= 0,4 мм).

 

 

 

 

 

 

 

 

ускоренны­

 

 

 

Облучение на воздухе

 

 

 

ми электронами в 20 проходов, мощ­

 

 

 

ность дозы 6

Мрад/мин,

поглощен-

 

 

 

ная доза 100 Мрад (&из =

1,3 мм)

0,55

 

Облучение в аргоне у-излучением

 

 

 

Со-60, мощность дозы 0,003 Мрад/мин,

 

 

 

поглощенная доза

140

Мрад (Виз —

 

 

2,4 мм)

 

 

 

 

0,048

Ловушки, стимулированные облучением, являются допол­ нительными релаксационными комплексами, увеличивающими диэлектрические потери. В радиационно-окисленном полиэти­ лене такими комплексами служат карбонильные, карбок­ сильные, альдегидные идругие полярные группы. „Кажущаяся“ энергия активации электропроводности (глубина „ловушек“)

ПЭВД увеличивается

с ростом поглощенной дозы и

для

доз 80,

100 и 140 Мрад до температур

137—147°С

состав­

ляет, соответственно,

1,47;

2,5 и 5,2

эв. Качественно

анало­

гичное явление установлено

Е. И. Книжником и С. Д. Мам-

чичем для политрифторхлорэтилена,

Д.

Кисслингом

для

ПВХ, Укихи Шинохара и др. для ПЭНД [69].

изоля­

Электропроводность облученной

полиэтиленовой

ции в температурном

интервале 80-г260°С

характеризуется

2 — 3

участками со

следующими

энергиями активации1;

1) 80 М рад- 1,47 (80-у 147°С) и 0,875 эз (147 Д 260°С); 2) 100

1 Приводятся абсолютные значения.

212

М р а д -2,5

(80-г137°С), 0,43 (1374-147°С), 0,875 эв (147—

— 260°С); 3)

140 Мрад-Ъ,2 (80^137°С), 0,75 (137-147°С),

0,875 эв (147—260°С). Таким образом, начиная со 137—147°С электропроводность не зависит от условий облучения и пог­ лощенной дозы. Температура 137°С—фазовая характеристика; по Чарльзби [192], температура плавления бесконечно-длин­ ных цепей п-парафинов составляет 136,5°С.

Диэлектрические свойства изоляции зависят от количест­ ва поглощенной влаги. Радиационное окисление увеличи­ вает гидрофильность и влагопроницаемость полиэтилена, вследствие чего сопротивление изоляции резко уменьшается при нахождении под повышенным гидростатическим давле­

нием [109]. Повышение температуры до 120°С и

гидроста­

тического давления до 500 кгс/см1 приводит

к

снижению

рѵ на 8 порядков (с Ю17 ом см при 60°С и

170 кгс/см2 до

ІО9

ом см при 120°С и 500 кгс/см2). В этих

же условиях

рѵ

неокисленной (образцы № 1,3, см. табл.

21)

изоляции

снижается не столь значительно (рис. 29, б,

1, 2), причем

вклад давления (определенный из сравнения рѵ при одина­

ковых температурах и

различных давлениях)

в

образце

№ 1 более значителен,

чем в образце № 3.

Это

хорошо

согласуется с известными представлениями о

зависимости

кинетических процессов от поглощенной дозы, т. е. густоты пространственной сетки. В то же время выявляется, что при облучении изоляции на воздухе при большой мощности дозы (такой, при которой может произойти окисление, в основном, поверхности) и в инертной среде вклад радиаци­ онного окисления в кинетическую характеристику опреде­ ляется соотношением поверхности и объема изоляционной оболочки, а также количеством растворенного в ней кис­ лорода. Резкое снижение сопротивления изоляции образцов с радиационно-окисленной изоляцией наблюдается и при длительной (примерно 420 час.) работе в воде при атмос­ ферном давлении под напряжением 250 и 500 в переменно­ го тока промышленной частоты. При этом основное сниже­ ние сопротивления изоляции происходит за первые 80 час. выдержки.

Сопротивление изоляции образцов, облученных ?-излуче- нием в аргоне, как и фторлона-40111, осталось неизменным.

Резкое снижение сопротивления изоляции

образцов № 2

(см. табл. 21), по-видимому, обусловлено

в основном по­

вышением гидрофильное™ вследствие значительного радиа­ ционного окисления и глубокой окислительной деструк­ цией.

Общей причиной снижения сопротивления изоляции любого диэлектрика является диффузия диссоциирующей жидкости в изоляцию, скорость которой возрастает с увели­

213

чением температуры и гидростатического давления. Влияние

давления резко возрастает при повышении

гидрофильности

изоляции,

вызванной радиационным

окислением.

В случае

отсутствия

последнего радиационно-модифицированная по­

лиэтиленовая изоляция

имеет высокую

баростойкость. Так,

образцы жил с облученной в

аргоне

до

дозы

 

120

Мрад

изоляцией

из ПЭВД

после непрерывного 24-часового пре­

бывания в автоклаве при 150°С и давлении

800

нгс/смг не

претерпели

необратимого

уменьшения

RH3. После более чем

2- часовой

непрерывной

выдержки

при

температуре 200°С

и гидростатическом

давлении

1200 кгс/сма удельное

сопро­

тивление изоляции

составляет

1,6 •

Ю10 ом ■см,

при

подъе­

ме температуры до 250°С—уменьшается

на

2

порядка, но

после снятия давления

и охлаждения

до

20°С восстанавли­

вается до 1016 ом ■см.

Физические характеристики полиэтилена ухудшаются не только при радиационном окислении во время облучения, но и в процессе пребывания на воздухе после прекращения облучения (постэффект). Постэффект обусловлен тем, что облучение полиэтилена при температурах, меньших темпе­ ратуры размягчения, приводит к накоплению радикалов, способных инициировать окислительную деструкцию, и вы­ ражается в постепенном ухудшении физико-механических и электрических характеристик [261] иногда в течение дли­ тельного времени. Рост интенсивности полос поглощения спектра облученных в вакууме пленок, соответствующих карбонильным группам, продолжался еще после 60 суток пребывания образцов на воздухе при комнатной темпера­ туре [58]. Непрерывное ухудшение электрофизических свойств облученного на воздухе ускоренными электронами (мощность дозы 6 Мрад/мин, поглощенная доза 100 Мрад) ПЭВД наблюдалось в течение 4 месяцев. Облученные в ва­ кууме или инертной среде ПЭВД и ПЭНД, подвергнутые отжигу при температуре плавления кристаллитов (~140°С) до контакта с воздухом, практически не обладают постэффек­ том. Без отжига после прекращения облучения постэффект окисления, определяемый по концентрации карбонильных групп, у ПЭНД выражен больше, чем у ПЭВД, а термос­ табильность облученного ПЭНД ниже, чем необлученного и практически такая же, как у сильно разветвленного ПЭВД

[185]. Поскольку ПЭНД уступает ПЭВД

также в других

характеристиках, а облучение практически

стирает различия

в теплостойкости исходных материалов, в дальнейшем наш­ ла преимущественное применение изоляция из радиацион­ но-модифицированного ПЭВД.

На физические характеристики РМПЭ влияет и другой фактор радиационной технологии—газовыделение, резко

214

повышающееся при увеличении мощности дозы и интеграль­ ной дозы. В материале вследствие этого могут образоваться крупные газовые включения, уменьшающие нач льное на­ пряжение ионизации и электрическую, а также механиче­ скую прочность и другие характеристики. При этом своевре­ менный и эффективный отвод газообразных продуктов ра­ диолиза должен, видимо, уменьшать как количество, так и размер газовых включений. Это предположение подтверди­ лось в экспериментах по облучению полиэтиленовой изоля­ ции с использованием различных радиационно-технологи­ ческих схем.

Электропрочностные характеристики изоляции можно дополнительно повысить при условии уменьшения количест­ ва воздушных включений при изготовлении кабеля (гер­ метизация межпроволочных промежутков жилы, вакууми­ рование изоляции и т. п.). Газовыделение при облучении полиэтиленовой изоляции, особенно в тонких слоях, может привести также к повреждениям, образованию сквозных пор

идругих дефектов, резко ухудшающих ее электрические и механические характеристики. Этот эффект наблюдается, в частности, при радиационном облучении тонкостенной изоля­ ции ускоренными электронами. При облучении конденсаторов

изапрессованных трансформаторов причиной разрушения обычно является выделяющийся газ, а не электрический

пробой [263].

С увеличением поглощенной дозы при облучении в инерт­ ной среде зависимость сопротивления изоляции от гидроста­ тического давления уменьшается. Это качественно хорошо согласуется с известными данными об уменьшении прони­ цаемости газов и паров через полиэтилен с увеличением поглощенной дозы (при отсутствии радиационного окисле­ ния).

Поглощенная доза существенно влияет и на зависимость удельного объемного сопротивления и пробивного напря­ жения изоляции от температуры. С увеличением поглощен­

ной дозы средние температурные коэффициенты

удельного

объемного

сопротивления

ТКрѵ и

пробивного напряжения

ТК Unp уменьшаются. Так, для облученных в

неоткачанных

ампулах образцов (8И = 0,30 мм)

до дозы 150

Мрад

эти

коэффициенты меньше в 15 и 3,8 раза, соответственно,

чем

у исходных,

необлученных

образцов.

 

 

 

 

Электропроводность диффундирующей в изоляцию воды

($ = 80)—чисто электролитическая.

С повышением

темпе­

ратуры е уменьшается и электропроводность

воды

падает.

Вязкость воды, в отличие от других жидкостей,

уменьша­

ется с ростом давления (до

1000

кгс/см2) и

температуры.

Поэтому с ростом температуры и давления

увеличивается

2і5

проникающая способность молекул воды. С этой точки зре­ ния испытание изоляции в автоклаве с водой является бо­ лее жестким, чем испытание в буровом растворе.

Электропроводность РМПЭ, как и других полимеров, при постоянном гидростатическом давлении увеличивается с ро­ стом температуры, причем в зависимости lga = f(1/T) при определенной температуре происходит излом, после кото-

Таблица 22

Значения констант Тп , и(р) и UT для полиэтиленов в интервале Т = 20 -г 120°С

Материал

ПЭВД

1 к г с і с м 1

200 к г с / с м 1

ПЭНД

100 к г с / с м 1

150 к г с / с м 1

200 к г с і с м 1

ПЭНД, облученный 7-излучением Со-60 в гелии дозы

120М р а д

1к г с / с м 1 500 к г с і с м 1

800 к г с і с м 1

1000 к г с і с м *

°.(Р)-

"ц рг

т д ч

т > т п ,

 

V е

( о м е м )

(ом.-CM)

Йт> эв

ит , эв

 

 

 

 

 

 

\

1

 

 

1,3 ю -17

 

0,33

 

72

DO 7 Ог i с*

4-10«

0,01

4,35

 

 

5-1021

2,67

5-1028

3,21

78

3,1- іо - 17

1,6-10*

0,09

1,58

50

8,МО“ 14

1,0-101

0,14

1,56

52

1,5-КГ16

6,3- 105

0,10

1,48

78

1,6-ІО“ 17

1,6-1020

0,04

2,64

85

1 8 -ІО-18

4,0-ІО2*

0,02

3,00

* Tnj — точка перелома температурной зависимости з.

рого увеличивается скорость роста о. Эта температура Тп, обычно ниже температуры плавления кристаллитов Тп . В интервале температур 20-f 120°С и постоянных давлениях от 1 до 1000 кгсісм“ электропроводность полиэтилена опи­ сывается двучленной формулой, каждый член которой имеет вид (3—2—4). Некоторые численные значения предэкспоненциальных множителей и энергий активации электропро­ водности приведены в табл. 22 [120]. Сопоставление значе­

ний Тп, для ПЭВД и ПЭНД при давлении 200

кгс/см'3 по­

казывает, что Тп, увеличивается с повышением степени

кри­

сталличности. Данные по ПЭНД, облученному до

дозы

120 Мрад, подтверждают это.

начиная с

Если учесть, что Тп, — температурная точка,

которой происходит более сильное возрастание электропро­

216

водности (Ur, UT, ), а электропроводность уменьшается с увеличением степени кристалличности, то зависимость Тп, от степени кристалличности становится понятной. С другой стороны, рост гидростатического давления при постоянной температуре повышает степень кристалличности и вызывает

уплотнение ПЭ [ 255 ], что

сопровождается уменьшением

подвижности ионов-носителей.

Вместе

с этим

увеличение

гидростатического давления

с 1

до 1000 кгсісм3

уменьшает

низкотемпературную (Т < Тп, )

энергию

активации электро­

проводности Ui (в 7 раз) и увеличивает

высокотемператур­

ную (Т > ТПі) энергию активации электропроводности облу­ ченного ПЭНД (в 1,92 раза).

Эти явления можно объяснить следующим образом. При достаточно большом содержании кристаллической фазы (Т<ТПі) подвижны лишь отдельные радикалы и мономерные звенья в сравнительно малых объемах, что обусловливает малую подвижность ионов-носителей и малые значения UT,. Повышение гидростатического давления приводит к даль­ нейшему уменьшению подвижности ионов-носителей, т. е. к уменьшению UTl. С увеличением температуры (Т > Тп,) уве­ личивается подвижность ионов-носителей, происходит амор-

физация

полимера и явления

переноса обусловливаются

движением значительных участков макроцепи,

кооператив­

ным движением многих мономерных звеньев,

захватываю­

щих более значительный объем

[ 161 ]. Это вызывает воз­

растание

и т,. Вместе с тем, видимо, с увеличением

давле­

ния дезориентирующее влияние теплового движения

в по­

лимере на передвижение иона-носителя в некоторых слу­ чаях может уменьшаться. Так, UT, облученного ПЭНД воз­ растает с увеличением давления (от 500 до 1000 кгс/см^— приблизительно в 2 раза).

Зависимость электропроводности облученных ПЭВД и ПЭНД от давления при постоянной температуре можно опи­ сать уравнением (3—2—6). При 20°С электропроводность облученного ПЭНД увеличивается с ростом давления от 100 до 1000 кгс/см2 по одночленной формуле (3—2—5).При 80°С (см. рис. 22, в, кривая 2) электропроводность до дав­ ления 300—350 кгс/см2 возрастает, затем в барическом ин­ тервале 350—1000 кгс/см3 уменьшается. При 100 и 120°С она несколько возрастает с давлением во всем рассматри­ ваемом барическом интервале 100-М200 кгс/см1. Электро­ проводность облученного ПЭВД при повышении давления до 500 кгс/см2 и постоянной температуре 50 и 70°С изме­ няется согласно уравнению (3—2—5), причем при 50°С она слабо уменьшается с ростом давления, при 70°С—очень нез­ начительно увеличивается (табл. 23, рис. 22, г).

Давление Р„, у облученного ПЭНД увеличивается с рос»

217

том температуры, что, видимо, обусловлено соотношением противоположных вкладов в изменение степени кристаллич­ ности и электропроводности полимера, вносимых темпера­ турой и давлением, качественно аналогичных зависимости между давлением и Тп, . Следует отметить, что это явление установлено в явновыраженном виде пока только у радиаци­ онно-модифицированного ПЭНД.

Увеличение электропроводности облученного ПЭНД с ростом давления при 20 и особенно 80°С обусловлено, повидимому, как нарушениями в кристаллической решетке полимеров, так и диффузией термостатирующей жидкости. Уменьшению же электропроводности с ростом давления способствует увеличение степени кристалличности, уплот­ нение материала и ограничение подвижности ионов-носите­ лей. Очевидно, в электропроводности облученных полиэти-

Т а б л и ц а 23

Значение констант Рп , а(т) для облученных ПЭВД н ПЭНД

Р *

r rij » ®0(т) • (ом-см) - 1 Материал кгс/см2

ПЭВД, облученный в гелии т-излуче- нием Со-60 до до­ зы 120 Мрад при °С:

50

2 ,8 -1 0 ~ 18

70

7,5- ІО" 18

ПЭНД, облученный в гелии -(-излуче­ нием до дозы

120 Mpaö при °С:

 

р<Рп,Р>Рп,

(ОМ’ С М )~ ^

В,- 1 в2

 

кгс{см2^сгс}см2

 

115,0

38,0

20

 

4 -10~ 18

 

 

 

 

51,1

—3000

80

350

-1 5

2

-

1 0

~1Э

412

1,9-Ю

 

 

-57,5

-1380

100

500

-1 4

 

 

 

“ 15

3,4-10

2,5-10

-158

-2612

120

700

4,6-10-н

11,5-ІО-1 5

 

 

 

 

 

 

 

 

* Р — точка перелома барической зависимости ®.

ленов участвуют не только ионы примесей, но и захвачен­ ные ловушками при облучении, а также инжектированные с катода электроны. Высвобождение их из ловушек при Т=80°С (начало плавления кристаллических областей) мо­ жет сопровождаться увеличением о до Р„,, а при Р > Р П, о, видимо, обусловлена в основном ионами примесей. Ссылка на увеличение а с ростом давления у низко-и высокомоле-

218

кулярных веществ с электронной проводимостью и умень­ шение а—с ионной проводимостью содержится в ряде ра­ бот [ 159, 161, 173 и др. ].

Поскольку процесс электропроводности под давлением определяется соотношением противоположно действующих факторов, зависимость электропроводности от давления в широком диапазоне давлений в общем случае описывается кривой с экстремумами. Это, очевидно, справедливо также по отношению к поляризации. С увеличением поглощенной

дозы несколько повышается плотность [214,

244], а так как

диэлектрическая

проницаемость

пропорциональна

плотности

[258],

то она также должна

повышаться

с увеличением

поглощенной дозы. Видимо, это справедливо

при

облуче­

нии в инертной среде до больших

доз,

по крайней мере,

выше 150 Мрад, так как точные измерения

плотности изо­

ляции из ПЭВД,

облученной

при

ограниченном

доступе

воздуха,

не показали закономерного

увеличения плотности

с увеличением дозы.

 

 

диэлектрической

Средние температурные коэффициенты

проницаемости мало меняются с увеличением поглощенной дозы. В температурном интервале 80-ь200°С для поглощен­

ных доз 60, 75, 90, 135 и 150 Мрад ТКГв = (2,5^2,7). КГ3

°С_1, т. е. выше, чем у ПЭНД (1,42-10_3оС_1 в интерва­ ле 20Д140°С). Внутри достаточно широкого температурно­ го интервала каждая электрофизическая характеристика

РМПЭ, как и других полимеров, характеризуется

несколь­

кими температурными коэффициентами. Так, для

РМПЭ с

поглощенной дозой 150 Мрад ТК^ = 5,14-КГ3°С_І

(80-4-

4- 115°С); 2,66 • 10“8°C-1 (115Д190°С) и 5 • Ю-8оС-1 (190 Д- -г250°С). Температурную зависимость диэлектрических по­ терь по Сажину [159] в интервале температур 15-4-150°С можно охарактеризовать тремя значениями TKtgS (модули,

без учета

знака): 4,7 • 10_6оС_1 (15-4-Ю0°С),

0 Д Г 1(100-4-

-4-125°С);

4- 10-6°С-1 (125-4- 150°С).

TKR„3

облученного

электронами (на воздухе до дозы 80 Мрад

при

мощности

дозы — 75 Мрад/мин)

ПЭВД составляют:

6,7 • 10~2°С-1

(100-г 170°С);

4,0-1Q-2OC~1 (170-4-200°С);

2,88 • 10~2оС_1

(210-4-250°С).

Уменьшение

TKRH3 с

увеличением

темпера­

туры, видимо,

связано

с

дезориентирующим

влиянием

теплового движения молекул полиэтилена на передвиже­ ние ионов-носителей. Качественно аналогичная картина наблюдается у полиэтиленов, облученных в иных условиях и до различных доз. Радиационное окисление при дли­ тельном облѵчении на воздухе существенно уменьшает со­ противление изоляции со временем выдержки в воде под

219

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ