Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Ицхоки Я.С. Импульсные и цифровые устройства [учебник]

.pdf
Скачиваний:
101
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
20.98 Mб
Скачать

противлением RB < Ra (приключение такой нагрузки к аноду пентода нарушило бы нормальную работу фантаст­ рона).

 

10. Лампы Л и Л к

обычно питаются от одного источника

£ а .

При

этом в

состоянии

п о к о я

 

напряжение

U„п

^

 

 

 

 

 

s*

(0,6 -r

0,9)£а .

Сеточный

ток

 

 

 

 

 

лампы

<//к

отсутствует

при

выпол­

 

 

 

 

 

нении

неравенства

Uкц > (Уа п

=

 

 

 

 

 

^

 

(/„,

 

что

 

достигается

при

 

 

 

 

 

II

у

 

 

 

11

 

 

^

^ н п -

При

 

 

 

 

 

w

y

панб

 

^ а п н а п б

 

 

 

 

 

 

 

 

^

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uy

панб

=

UIW

сеточное

напряже­

 

 

 

 

 

ние триода

 

UCKn

= 0.

Поэтому

 

 

 

 

 

анодный

ток

триода

в состоянии

 

 

 

 

 

покоя

определяется

точкой

и ,на

 

Р

и с

8

 

статической

характеристике,

соот­

 

 

 

 

 

ветствующей

 

UCK

= 0

при

анод­

ном напряжении

UÙK

= Еа

— U,tu

(рис. 8). Нужное для

получения

заданной

величины

І1КП

сопротивление

R„

=

~

U кпіIя

к н .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Г.ФАНТЛСТРОНЫЫИ АВТОГЕНЕРАТОР

11.Принципиальная схема. Рассмотренный фантастрон

(см. рис. 1) представляет собой ждущий

ГЛИН

с о д н и м

состоянием устойчивого

равновесия,

при

котором

пентод

 

Ö

 

 

е ( .

 

заперт по анодному току. Ес-

 

~

? i

f^/?

л н Pe 3 I I C T 0 P Ri заменить кон-

 

1

U » ! с

U

депсатором С, и принять па-

 

 

 

 

 

пряжение

смещения £ с а

= 0

 

 

 

 

 

 

(рис.

 

9),

то указанное

состо­

 

 

 

 

 

 

яние

равновесия

станет ква­

 

 

 

 

 

 

зиустойчивым.

В

таком

со­

 

 

 

 

 

 

стоянии

фантастрон находит­

 

 

 

 

 

 

ся лишь

определенное

время,

 

 

 

 

 

 

по

истечении

которого

пен­

 

 

 

 

 

 

тод снова отпирается по анод­

 

Рис.

9.

 

 

ному

току. В результате

по­

 

 

 

лучается

 

двухтактный

гене­

 

 

 

 

 

 

 

автоколебаний.

 

 

 

ратор,

работающий в

режиме

Условимся

считать, что такт I соответст­

вует протеканию

анодного

тока

пентода (u G 3 >

c/n o p 8 ), а

такт I I — его отсутствию ( ^ с з <

 

UD0PS).

 

устройства

12.

Временные диаграммы. Опишем

работу

в такте

I I ; здесь

характерны два процесса

(рис. 10).

 

440

1-й процесс связан с з а р я д о м конденсатора С через резистор Ra и сопротивление г£.к пентода. Его длительность Т„2 определяет время восстановления напряжения на кон­ денсаторе С, в течение которого напряжение иа возрастает, приближаясь к £ а , а напряжение ис1 > 0 приближается

 

 

 

 

 

Рис.

10.

 

 

 

 

 

к

нулю.

После завершения

этого

процесса

напряжение

и с 1

^

0,

вследствие

чего протекает

значительный

ток

/ ц 2

второй сетки, а напряжение £УС2 = Еа

laRz

существенно

ниже Еа.

Описанный

процесс не приводит к изменению со­

стояния

фантастрона.

 

 

 

 

 

С±

 

2-й

процесс связан с р а з р я д о м

конденсатора

через

цепь

2-й сетки

пентода

и резистор

R3.

Ток разряда

( р а а р создает на резисторе R3 напряжение исз < UnoV3

<

0,

благодаря

которому

пентод

заперт

по

анодному

току.

По мере уменьшения

тока разряда напряжение исз

возрас-

44)

гает,

стремясь

к нулю. В момент t0

(или /4 ) напряжение

^сз

=

^ п о р з . после чего появляется

анодный ток и насту­

пает

такт I .

 

 

13. В такте I также характерны два процесса.

Во-первых,

при отпирании пентода (іа > 0) развивается

типичный для фантастрона быстротечный процесс опроки­

дывания, во время которого напряжения иа и ис1

снижаются

на

величину AUa = AUC1 ^

| U n o v \ , вследствие

чего ток

г'с2

падает до незначительной

величины, а напряжение ис2

возрастает почти до Еа; после опрокидывания протекает процесс линейного разряда конденсатора С.

Во-вторых, происходит заряд конденсатора

Сх от источ­

ника

Еа через

резистор R2,

что обусловлено резким

умень­

шением тока

гс 2 £Ё 0. Зарядный ток, протекая

через

резис­

тор R3, создает напряжение и с а > 0 , вследствие чего появля­

ется

ток і с з ,

ускоряющий

процесс заряда. Длительность

Тв1

этого

процесса определяет

время

восстановления на­

пряжения

на конденсаторе

Сѵ

После

окончания

заряд­

ного

процесса

напряжение

м с з

= 0 , и пентод

продолжает

оставаться

отпертым по анодному току.

 

 

Из описания 2-го процесса следует, что он не может быть причиной изменения состояния фантастрона. Изменение

возникает

в результате

завершения

1-го процесса

(разряда

конденсатора С). Именно, в момент

t2 напряжение иа сни­

жается до

критической

величины

UaK. С этого

момента

прекращается действие отрицательной обратной связи («а ^ ^ const) и начинается быстрый рост напряжения « с 1 , вследствие чего возрастает ток / с 2 и снижается напряжение ис2.. При этом конденсатор Сх начинает разряжаться через резистор R3 и цепь 2-й сетки. Образующееся при протека­ нии разрядного тока через резистор R3 напряжение исз <І 0 вызывает запирание пентода а = 0), что способствует еще более быстрому росту напряжений иа, ис1 и т. д. В резуль­ тате такого лавинообразного процесса осуществляется переход к такту I I .

14. Длительности рабочих тактов. Будем полагать, что в тече­ ние стадий восстановления конденсаторы заряжаются до устано­

вившихся

напряжении.

Длительность Г р і такта I (время линейного разряда кон­

денсатора

С) выражается формулой (3), если принять в ней

U an = £а » Аі/а S l^nopl-

Длительность Т™ такта II найдем из рассмотрения схемы раз­ ряда конденсатора Ci (рис. 11), где участок пентода 2-я сетка — катод заменен ключом с внутренним сопротивлением R B 2 ^ const. В результате полного заряда конденсатора Ct при разомкнутом ключе (такт I) устанавливаются напряжения UQJ = 0 и UC2 s

442

= Еа. При замыкании ключа

(такт II) напряжение

и с 2 падает до

значения

£ / С 2

S £ а АІІС2.

При

этом

напряжение

« с з быстро

снижается

до

величины — &UC2 =

( £ а

— с/С 2 ).

В

дальнейшем

напряжение и с з нарастает, стремясь

к нулю, по закону:

uu3{t') = -MJa2z-l'lQ>

(/' = /-*. 31 r

(17.5)

где постоянная времени

 

 

 

Ѳз=(А.+/г2цв21.

(17.6)

найдем

 

 

порзі.

Учитывая, что при / ' = Т р 2

напряжение «С з =

(17.7)

 

 

 

Г Р 2 =

0 3 І п -

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ut2

 

Еа

чг

 

 

Рис. П.

 

 

 

 

Рис.

12.

 

 

 

 

 

Методика определения напряжения

U02

иллюстрируется

пост-

роением на рис. 12, где предполагается,

что вследствие

неравенст­

ва

Кя > R2 il Ro2 т о

к

разряда конденсатора

і р а з р

<

/ С 2

и поэтому

его

влиянием на величину UC2

можно

пренебречь.

 

Е =

 

const.

 

15. До сих пор

считалось,

что напряжение е =

 

Предположим теперь, что в некоторый момент t0

(в такте I) напря­

жение е = е (/) скачком

снижается до

значения

Ех Ucl

<

0.

В этом случае ток разряда конденсатора

С становится равным нулю

и разряд конденсатора

прекращается.

В дальнейшем

напряжение

1-й сетки продолжает

поддерживаться

на

уровне

U01

=

—£х

=

= const, близком к пороговому, вследствие чего ток

г'С2

=

0,

а

напряжение иС2 3

£ а

=

const. Напряжение

иа

также

поддержи­

вается постоянным иа том уровне, который был в момент коммута­ ции напряжения е. Это свойство генератора используется в систе­ мах автоматического поиска и захвата частоты в приемниках супергетеродинного типа, в системах автоматического поиска и захва­ та радиолокационной цели и др. [180].

§ 17.3. ФАНТАСТРОН С КАТОДНОЙ СВЯЗЬЮ

1. Принципиальная

схема. Фантастрон с катодной связью

(рис. 13) отличается в основном способом запирания и отпирания пентода по анодному току. Здесь для этой цели используется значи­ тельное различие катодного тока в стадии покоя и в рабочей стадии.

Временные диаграммы процессов в фантастроі.е изображены на рис. 14.

443

 

2.

В

стадии

покоя

(t < /0 ) напряжение

« С і

=

^сіп

=

 

0,

бла­

годаря

чему

протекает

значительный

катодный

ток

/ к п

=

 

/огп

+

+

/сіп =

/ о 2 П )

который

создает

на

резисторе

R K

 

потенциал

Ѵкп — Лш^ю

превышающий

потенциал

Ѵсзп>

подаваемый

на

 

3-ю

сетку

с делителя

RS

— К 4 . Резисторы

RL(,

 

R3

и R4

выбираются

из

соотношения:

d/сзп =

ІЛззп Ѵ\ ш <

^порз < п , вследствие

чего

анодный

ток

/ а п

=

0.

Благодаря

наличию

фиксирующего

диода

Д

потенциал

анода

Ѵап

^ Uy (см. §

17.2,

 

п.

6).

 

 

рассмот­

 

3.

Запуск

фантастрона

производится

 

аналогично

 

ренному

в § 17.2.

При

воздействии

импульса

г/3

<

0 (рис.

13)

воз­

никают токи

i'j и i

н происходит снижение

потенциалов

Ѵа,

Ѵаі

=

=Уд, и напряжения Uс1 (рис. 14). Вследствие последнего умень­

шается

катодный

ток

пентода

(в основном за

счет тока і С 2 ) и сни­

жается

потенциал

Ѵк

=

ÎRRK-

Соответственно возрастает напряже­

ние Uc3 = Ѵсзп — Ук

»

0 1 1 0

становится

больше

напряжения

^порз-

Это обусловливает

протекание анодного тока,

вызывающего

дальнейшее понижение потенциалов Ѵа , К С ] и напряжения мС 1 . Описанный процесс развивается лавинообразно и приводит к оп­

рокидыванию

фантастрона.

Быстрое

снижение потенциалов Ка ,

Ѵсі и Ѵк прекращается, когда ток і С 2

снижается почти до нуля, а

напряжение

исх становится

близким

к пороговому напряжению

^пор. ввиду чего снижение сеточного

напряжения Д с / С 1

s |с/ П О і ,| .

Что же касается снижения потенциала

КС і = VN, то ДК 0 і

в несколь­

ко раз превосходит снижение Д6/С і- Это объясняется действием

резистора RK в

катодной

цепи,

 

создающим

отрицательную

обрат­

ную связь. Снижение потенциала

 

I'd вызывает

уменьшение

потен­

циала

катода,

причем

Д Ѵ К

=

 

Д Ѵ С 1 AUCi

= AVCI

\Unop\.

Соответственно

напряжение исз

 

=

Ѵсзп —

Ѵк возрастает на

вели­

чину

ДѴК . Так

как обычно

ДѴ К

>

] с / с з п | , то

после опрокидывания

напряжение

ися >

0

(рис.

14), вследствие

чего возникает ток

(С з ,

который протекает

через

резистор R3 и

снижает потенциал

ѴСЗ

до уровня,

близкого

к нулю.

 

 

4. В рабочей стадии процессы протекают так же, как в фантастроне со связью по экранирующей сетке. Благодаря действию отрицательной обратной связи происходит стабилизация потен­ циала Ѵсі *= VN = Va + и. Это обусловливает весьма незначи­ тельное изменение разрядного тока конденсатора, благодаря чему напряжение и и потенциал Ѵй изменяются почти линейно.

5. Стадия восстановления. С момента t2 выхода изображающей точки пентода на линию критического режима действие отрица­

тельной

обратной

связи

прекращается

( К а

=

Ѵйк

— const)

и

на­

чинается

быстрый

 

рост

потенциала

У 0 1

=

Ѵ а к +

и,

напряжения

иС1

и тока

ік. Благодаря этому

возрастает

потенциал

ѴК

=

iKRK

и снижается напряжение и с з =

Ѵсз

 

— Ѵ к , вследствие чего анодный

ток уменьшается,

а

потенциал

Ка

возрастает,

что

приводит

к

еще

более быстрому росту потенциала ѴС1

и

напряжения

ис1

и т. д.

Процесс

обратного

опрокидывания

протекает

лавинообразно.

В

момент t3

напряжение

иС\ =

ѴС1

Ѵк

=

0,

а затем

становится

положительным,

и

появляется

ток

і с

і ,

вызывающий сначала

уменьшение

тока

с конденсатора,

а затем

полное его исчезновение.

На

этом

разряд

конденсатора

заканчивается и начинается

стадия

восстановления. В этой стадии конденсатор заряжается от источ­

ника питания

через резистор RU и сопротивление

rt-«. пентода.

По мере заряда

конденсатора постепенно возрастает

потенциал Ѵа .

444

В момент t4,

когда

потенциал

Ѵа достигает напряжения- £/у ,

о п и ­

рается

фиксирующий диод и

наступает состояние покоя.

 

6.

Уменьшение

длительности Тв стадии восстановления

осу­

ществляется

путем

применения катодного повторителя (КП), вклю-

Рис. 14.

чаемого аналогично указанному на рис. 7. В данном случае по­ стоянная времени восстановления Ѳв = (R^n + RBX)C. Здесь

Run—выходное

сопротивление КП, а RBX— входное сопро­

тивление усилительного каскада с резистором RK в катодной цепи

445

пентода (рис. 15). При наличии тока

/С і

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(17.8)

где Ца •= S a R B 2 > причем S 2 =

дісг/дийг

при u 0 2

= const, a

RD2 =•

= дисг/д(Сг

при u c i =

const

(находятся из характеристик

2-й сет­

ки).

 

 

 

 

 

 

 

Ввиду

неравенства

/ ? в х »

гс -к, постоянная

0D получается зна­

чительно большей,

чем в фантастроне

со связью по' экранирующей

сетке.

 

 

 

 

 

 

 

7. Параметры

ЛИН. Начальные перепады

потенциалов ДК а

= Д Ѵсі получаются в несколько раз большими, чем в фантастроне со

связью

по

экранирующей

сетке.

Величина

перепадов

возрастает

с

увеличением

сопротивления

/?„

и

может достигать (2 -j- 5) |(/ п о р | .

Уве­

личение

начального

перепада Д Ѵ а

-0 обусловливает уменьшение рабочего

перепада

ЛИН (см. рис. 14), что яв­

ляется недостатком

фаитастрона

о

 

 

 

 

 

 

катодной

 

связью.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент

 

нелинейности

£ в

 

 

 

 

 

 

фантастроне

с катодной

связью вы­

 

 

 

 

 

 

ше,

чем

 

в фантастроне

со

связью

 

 

Рис. 15

 

по экранирующей сетке. Это обус­

 

 

 

ловлено

уменьшением

коэффициен­

 

 

 

 

 

 

та

усиления

каскада

К из-за от­

рицательной

обратной

связи,

создаваемой

резистором

RK

[9Jj

 

 

 

 

SRB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(17.9)

 

 

 

 

 

 

 

« а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

здесь

RA

=

RU

\\RB\\ R-

Учитывая эти

выражения,

из

формулы

(16.35)

найдем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RCSRB

 

 

 

 

 

 

(17.10)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При

используемых

на

практике

значениях

RK

коэффициент

Я s 5-7-10. Уменьшая сопротивление RK,

можно

уменьшить

вели­

чины Я и £. Однако в этом

случае для получения требуемой

вели­

чины

потенциала Ѵ к п .

обеспечивающего

запирание

пентода по

анодному

току,

следует

увеличивать

ток

/ к п

s

2 п. ч т о

дости­

гается повышением напряжения UC2n- В результате этого возрас­

тает мощность

РС2П

= І / С 2 П

/ С 2 П ,

рассеиваемая на 2-й сетке лампы

в стадии

п о к о я .

Среднее значение этой мощности не должно пре­

восходить

максимально допустимое значение, и это

обстоятельство

ограничивает

минимальное

значение

сопротивления

RK.

 

8. Начальная

(наибольшая)

крутизна ЛИН

(при t => tx)

 

 

 

du

dVcl

 

du

/

£ - - V c i

(<i> -

dt

 

~

dt •+

dt

 

dt.

С

 

RC

446

Потенциал

V C 1 (t{) s

Ѵк (^) — | £ / п о р | может

быть

положитель­

ным или отрицательным (в зависимости от RK

и параметров пенто­

да),

но

практически

можно пренебречь ничтожно малой величиной

І^оі

(<і)| С Е

(см. рис.

14). Имея это в виду, оценим

длительность

рабочей

стадии:

 

 

 

 

— — s u - « с .

(17.11)

1 dVa /d^ 1/1

Е

 

Регулировка длительности

Тр осуществляется теми

же спо­

собами, что и в фантастроне со связью по экранирующей сетке.

9. По всем своим параметрам фантастрон с катодной связью

уступает фантастрону со связью

по экранирующей сетке.

Поэтому

он применяется в случаях, когда требуется получить задержанный на время 7 р импульс напряжения, причем не требуется высокая линейность рабочего хода и малая длительность стадии восста­ новления. Для этой цели используются перепады потенциала Ѵк, подаваемые на укорачивающую цепь. На выходе такой цепи об­ разуется положительный импульс в конце рабочей стадии, задержан­ ный по отношению к импульсу запуска на время Т3 = Тр.

§17.4. ТРАНЗИСТОРНЫЙ ФАНТАСТРОН

1.Принципиальная схема. ГЛИН такого типа нельзя построить на одном транзисторе, являющемся трехполюсни-

ком. Для этой цели приходится использовать несколько

Рис. 16.

транзисторов. Один из вариантов схем транзисторных фантастронов изображен на рис. 16. Здесь три транзистора вы­ полняют функции пентода. Эмиттер транзистора Т± вы­ полняет функцию катода, а его база — функцию 1-й сетки;

447

транзистор 7Л2 выполняет роль 2-й сетки, причем

коллектор

эквивалентен выводу этой сетки; база транзистора Т3

играет

роль 3-й сетки, а его коллектор — роль

анода. Рассматри­

ваемая схема является аналогом схемы фашпастрона

со

связью

по экранирующей

сетке.

Диод

Д,

потенциометр

Я

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и конденсатор С 8

служат

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

для

управления

 

длитель­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ностью

рабочей

 

стадии и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

для

запуска

фантастрона.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Принцип

работы

фан­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тастрона

(в ждущем

режи­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ме)

поясняется

временны­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ми

диаграммами,

 

приве­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

денными

на

рис.

 

17.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.

В

состоянии

покоя

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

транзисторы

7\

и Т 2

от­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

перты,

а транзистор

Т3

за­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

перт;

ток

 

конденсатора

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

і =

/ п

= 0 .

Ток базы тран­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

зистора

7\

/біп

=

/ 2 п

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SïEJR

 

устанавливается из

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

условия, чтобы

этот

тран­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

зистор

находился

на гра­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нице

насыщения

(Uma

s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~

—0,5В).

Рези­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сторы

R3

и

R4

 

выбраны

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

так,

чтобы

потенциал Ѵо2п

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

был

несколько

ниже

на­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

пряжения сѴ„]п, а базовый

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ток транзистора Тг обес­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

печивал

насыщенный

ре­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

жим

работы этого

транзи­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

стора.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Приближенно,

заменяя

насыщенный

транзистор

Т 2

короткозамкнутым

элементом,

можно

принять

потенциал

его

коллектора

VК2П

=

UИ1а.

 

При

этом

потенциал

базы

транзистора

Т3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

у

 

 

Ук2ГІ

Я2

^

^ К Ш

Rj

 

- ,

n

 

 

 

 

 

 

 

 

Ѵ

б 3

п ~

Rr+R*-Ri

+

 

R

< U

'

 

 

 

 

 

а базовое напряжение U53n

 

=

Ѵб3п—с/к1п>0,

 

 

вследствие

чего

транзистор

 

Т3

заперт

и

потенциал

 

К к 3 п

=—£"„

+

+

-^кз ^ко-

Конденсатор

С

заряжен

до

напряжения

и =

=

Ua

= иб1пн3а

 

- - I U 5 1

a \ + Е к

 

к.

 

 

 

 

 

 

448

3. Запуск фантастрона производится импульсом и3 > О, поступающим через конденсатор Са , диод Д и конденсатор С на базу транзистора Ту. Вследствие этого коллекторный ток транзистора уменьшается, а напряжение ии1 становит­ ся более отрицательным. Соответственно базовое напряже­

ние uoz = V(j2 — и п

повышается, что приводит к уменьше­

нию тока і к 2

и снижению потенциалов

VІ{2

и 1/б з . В некото­

рый момент

начинает

выполняться

неравенство и б з =

= Ѵбз и m < 0;

при

этом транзистор

Т3 отпирается.

Появляющийся ток коллектора этого транзистора

повышает

потенциал

Ѵкз

и напряжение

« С і ,

что приводит к дальней­

шему

уменьшению

тока і к 1

и т. д. Процесс

развивается

лавинообразно и приводит

к

опрокидыванию фантастрона,

в результате

чего

устанавливается

состояние,

отмеченное

на временных диаграммах точкой Л.

 

 

 

 

 

 

Положительные приращения потенциала Ѵ„3

и напряже­

ния

«бі (Al/цз =

Д"бі), возникающие при опрокидывании,

не

превосходят

величины

| ln\

; иначе

получилось

бы

« G i

>

0,

вследствие чего

транзистор

Ту

и,

следовательно,

оба

 

других

транзистора

оказались

бы

запертыми,

чего

не может быть. После опрокидывания заперт

только тран­

зистор Т2,

так как

напряжение « 6 2 =

У62 — " ш >

0; тран­

зисторы же Ту и Гз

отперты, причем

весь

ток

коллектора

транзистора

Ту

протекает

через транзистор

Г 3 .

 

 

4.

В рабочей стадии происходит почти линейный разряд

конденсатора С; стабилизация разрядного тока і обуслов­ лена механизмом отрицательной обратной связи, рассмот­ ренной в § 16.6. Применительно к рассматриваемой схеме,

этот механизм выглядит так: по мере уменьшения

напряже­

ния и базовое напряжение и^у = и 4-

Vкз снижается; вслед­

ствие этого коллекторные токи транзисторов Ту и Т3

воз­

растают,

потенциал

Ук з

повышается,

благодаря

чему

на­

пряжение

«бі =

и +

Vкз

понижается

не в такой

степени,

как напряжение

и.

При

большом коэффициенте

усиления

каскада на транзисторах Тг и Т3 приращение потенциала V к з в рабочей стадии весьма близко к изменению напряже­ ния на конденсаторе; поэтому напряжение иву хотя и пони­ жается, но весьма незначительно. По этой причине токи і2, іпу и, следовательно, ток / = і2 — /бі остаются прибли­ зительно постоянными.

Изменения потенциалов и напряжений в рабочей ста­ дии отображены на диаграммах (рис. 17) участками AB.

5. Обратное опрокидывание. Рабочая стадия заканчи­ вается в момент, когда напряжение и щ превысит потенциал

15 Зак. І525

-

449

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ