Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Ицхоки Я.С. Импульсные и цифровые устройства [учебник]

.pdf
Скачиваний:
101
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
20.98 Mб
Скачать

источник смещающего напряжения

Е д < 0

и

раздели­

тельный диод Д. Напряжение

Ед устанавливается равным

н а и б о л ь ш е м у базовому напряжению \U£\

насыщен­

ного транзистора. Поэтому в состоянии покоя

клапанирую-

щий диод, приключенный

к базе

н а с ы щ е н н о г о

транзистора,' находится либо под нулевым, либо под неболь­ шим запирающим напряжением около —0,2 В. В это же вре­ мя другой клапанирующий диод находится под запирающим

 

напряжением

(Уд = — ( Е я -(-

 

+

Me), где

Uâ ее 1 В. В

со­

 

стоянии

покоя

разделитель­

 

ный диод Д находится под

 

нулевым

напряжением,

так

 

как конденсатор С3 заряжен

 

до

напряжения

ы3 = Uan

~

 

 

Яд - f Eï,

 

где

Е3

ниж­

 

ний уровень напряжения

ис­

 

точника.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При возникновении

поло­

 

жительного

перепада

напря­

 

жения АЕ3

=

Еа Еа

диод

 

Д запирается. Пусть при этом

 

транзистор

Г 2

насыщен. Тог­

 

да

отопрется

диод Д 2

(пред­

 

полагается,

что

перепад

на­

 

пряжения

 

АЕа

существенно

Рис. 12.

превосходит

небольшое

запи­

рающее

напряжение

этого

пает запирающий ток Дг'бг <

диода), и на базу Т2

 

посту­

0.

Он вызывает изменение то­

ка базы і'б2 Д° значения І£

— | Д/б 2 1 <

0,

благодаря

чему

происходит рассасывание заряда базы и последующее запи­ рание транзистора Т 2 и переброс триггера.

Хотя некоторая часть тока і3 и ответвляется через кон­ денсатор Ci в резистор R K I , НО в отличие от получаемого в схеме запуска, приведенной на рис. 3, при данной схеме запуска этот ток не возрастает, а уменьшается по мере из­ менения напряжения на конденсаторе, вызванного протека­ нием тока; последнее к тому же приводит не к уменьшению, а к некоторому возрастанию напряжения их на конденсато­ ре. Поэтому при данной схеме запуска не происходит умень­

шения рабочего перепада напряжения AUP,

обусловлен­

ного запуском. .Таким образом, отпадает

необходимость

в установке конденсаторов большой емкости С, что и со-

380

ставляет основное достоинство данной схемы запуска, кото­ рое имеет тем большее значение, чем меньше требуемое от­ ношение Тразр/т,,. Второе достоинство данной схемы запус­ ка .заключается в ее более высокой экономичности: она не требует столь большой мощности источника е3, как это нуж­ но при запуске по схеме, приведенной иа рис. 3. Но это до­ стоинство реализуется лишь при втором из рассматривае­ мых ниже режимов работы цепи запуска (см. п. 3).

2.

Пусть транзистор Т2 насыщен и из-за

появления тока

Д-'б2 <

вызванного перепадом напряжения

Д £ 3 , потенциал ѴХ

точки А (рис. 12) повышается. В этом случае при очень сильном за­

пирающем токе ('б2І может

произойти отпирание о б о и х мА клапаиируіощих диодов. При такой ситуации после выхода из насыщения транзистора Т2 оба транзистора могут оказаться запертыми до окончания дей- ™ ствия запускающего импульса.

Лишь затем, из-за асимметрич­ ного состояния ускоряющих п

емкостей, играющих роль «запоминающих» элементов схемы,

происходит отпирание тран­

Яъ=рб=2РіЛ=гоо ом;

ѵА+=-о,2в; иічв

,

2

4

6 АЕ%,В

 

р и с _

^

зистора

І у

Такой результат обусловлен более низким напряжением

и2

= 0

на

конденсаторе

С2

сравнительно

с

напряжением

их

=

=

EKR/{R

+ Ru) =

Ек

на

конденсаторе

Сѵ

Вследствие

этого

потенциал базы

VQ\ =

иг — \ик2

\= — | « к 2 | оказывается существенно

отрицательным,

в то время

как

потенциал

базы VQ2 "і —

|"кі|

близок к нулю. Переходные процессы при таком режиме запуска детально исследованы [157] (они описаны также в книге [98]).

3. Описанный в п. 2 режим работы цепи запуска является ма­ лоэкономичным. Применение чрезмерно большого перепада на­ пряжения Д £ 3 не способствует заметному увеличению запирающего

тока

[ДібзІ-

Э т о иллюстрируется

показанными

на

рис.

13

графика­

ми

токов,

протекающих

через

клапанирующие

диоды

типа

Д18

* в і момент возникновения

перепада напряжения

Д £ 3

(при

і£

=

=

1

мА). Как видно, применение

перепада Д £ 3

> 3,5

В,

не увели­

чивая практически тока

і д 2

, вызывает

быстрое

нарастание

тока

/ д 1

 

Ток і д 1 ,

протекая через

конденсатор

С 2

(см. рис.

12),

"произво­

дит

 

вредное повышение

его

напряжения,

что

принуждает

увели­

чивать емкость С2 . Тем самым отмеченное выше достоинство данной схемы не реализуется. Для реализации высокой чувствительности цепи запуска 'нецелесообразно также применение чрезмерно боль­

шой емкости С 3 и малой величины сопротивления

R3

(см. рис.

12).

Близким к оптимальному

является значение R3 s

2лб при R3C3

s

S RKC

(при RSC3

> RLTC

не реализуется

возможное

быстродей­

ствие

схемы)*'. Постоянная RaC3

должна

быть

установлена

так,

*>

Более точно

оптимальное

значение

емкости

С 3

находится

из анализа уравнения (31) методом, описанным в пп. 15—17 § 14.2.

381

чтобы отпирание диода Д

после выхода транзистора Т$ из насыще­

ния, происходило бы лишь

незначительно раньше отпирания тран­

зистора 7\ (при

«бі

< 0.5

В); в примере расчета,

соответствующего

представленным

на

рис. 13 графикам, это будет

иметь место, если

за время вывода транзистора Т% из насыщения приращение на­

пряжения

на конденсаторе

С 3

(см. рис.

J2)

Ді% s 0 , 5 Д £ 8 =

=

1,75 В.

Вследствие

того,

что

сопротивление

R3 s 2rg,

сущест­

венно ограничивается

ток диода

Ду после его

отпирания.

Благода­

ря

этому

в системе развивается

регенеративный

процесс,

который

завершается запиранием транзистора Т2 в момент, когда ток тран­ зистора 7\ успевает достигнуть значительной величины. После

запирания

транзистора Т2

запирается диод Д 3 .

Из-за

возрастания

 

 

 

 

тока базы fgi

отпираемого

транзистора

 

 

 

 

существенно

ограничивается

ток і д 1 ,

ко­

 

 

 

 

торый

по мере

заряда

конденсатора

С 3

 

 

 

 

спадает до нуля.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.

После

окончания

 

действия

 

 

 

 

э. д. с. е3 отпирается

диод Д (диод

 

 

 

 

ДУ

запирается)

и

происходит

вос­

 

 

 

 

становление

напряжения

на

кон­

 

 

 

 

денсаторе С8 . Этот

конденсатор

 

ра­

 

 

 

 

ботает

в режиме укорочения пере­

 

 

 

 

падов АЕг.

При восстановлении

 

на­

 

 

 

 

пряжения

на конденсаторе в точке

 

и

с -

'

А

(см. рис.

12)

возникает

отрица­

 

 

 

 

тельный импульс

напряжения,

но

он

безвреден по двум

причинам: во-первых, из-за установ­

ки

диода Д высота этого импульса

мала (так как RX С

 

# з ) ;

во-вторых, его действие благодаря

клапанирующим

дио­

дам

не передается на

базы транзисторов. .

 

 

 

 

 

 

5. Для

реализации

достоинств

высокочувствительной

схемы запуска на базы (см. рис. 12) нужна достаточно точ­ ная настройка схемы, и для обеспечения высокой надеж­ ности ее работы (без сбоев) следует предъявить повышенные требования к стабильности источников питания, высоте перепада АЕ3 и параметров схемы триггера. В этом смысле данная схема запуска существенно более критична к режи­ му питания и точности настройки схемы, чем схема запуска, приведенная на рис. 3.

Известны также другие более совершенные схемы запус­ ка на базы [157, 15, 111], но ввиду их сложности они не по­ лучили широкого распространения.

6. Схема раздельного запуска триггера изображена на рис. 14. Здесь запуск триггера производится импульсами положительной полярности, подаваемыми поочередно на два входа триггера. Эти импульсы приводят к запиранию

382

насыщенного транзистора. Некоторое улучшение работы цепи запуска достигается при замене резисторов диодами. Данная схема запуска работает наиболее надежно, и она наименее критична к режиму питания и к стабильности па­ раметров триггера и цепи запуска. При малой мощности за­ пускающих импульсов применяются импульсы о т р и ц а ­ т е л ь н о й полярности, вызывающие отпирание з а п е р ­ т ы х транзисторов. В этом случае следует изменить направ­

ление включения

диодов.

 

 

 

 

 

7.

Схема раздельного запуска используется при решении

специальных задач [154, 155]. При некоторых

примене­

ниях

(например,

при под­

 

Ry Су

Ry

Д-1

счете групп

однополярных

 

импульсов [9, 151]) исполь-

н

т—1[

 

 

 

зуется

раздельный

запуск

JL

 

 

 

 

триггера импульсами

чере-

. (Гнеу

-4

 

 

 

дующейся

полярности,

по-

j

 

 

 

 

даваемыми

на базу

только

' — :

\

*—с=з

И атр-н

одного какого-нибудь тран-

 

ѵ

 

 

 

зистора. В этом случае ИС'

 

 

Р и с

1 5

 

пользуется

только одна по­

 

 

 

 

 

ловина показанной

на рис.

14 цепи запуска, причем диоды

и источник

смещающего напряжения — ЕД

не включаются

(резистор R'

заземляется). Для

надежной

работы запуск

ПРОИЗВОДИТСЯ КОРОТКИМИ ИМПуЛЬСаМИ (4

<

Тразр)-

 

8. Установочный запуск триггера. Схема раздельного запуска широко используется для установки триггера в нуж­ ное исходное положение, при котором определенный тран­ зистор находится в запертом состоянии. Если в зависимос­ ти от условий работы исходное состояние может быть раз­ личным, то применяется показанная на рис. 14 схема. Если же исходное состояние не меняется (например, в исходном состоянии заперт только транзистор Тг), то используется только одна половина показанной на рис. 14 цепи запуска. Наряду с цепью установочного запуска в триггере дейст­ вует также и отдельная цепь счетного (общего) запуска.

9. В некоторых случаях импульс установочного запус­ ка подается на систему из N триггеров. Для этой цели ис­ пользуется один общий источник запускающих импульсов, работающий по схеме, показанной на рис. 15. Здесь импульс запуска подается одновременно на входы всех триггеров. Резисторы Ry включаются для 1 уравнивания токов во всех каналах запуска, если из-за различия входных сопротивле­ ний триггеров эти токи могут быть различными.

§ 14.4. ОБЕСПЕЧЕНИЕ СОСТОЯНИЙ ПОКОЯ ТРИГГЕРА

А. УСЛОВИЯ СУЩЕСТВОВАНИЯ СОСТОЯНИИ ПОКОЯ ТРИГГЕРА

1. Надежность работы триггера зависит от стабильности состояний покоя триггера в реальных условиях эксплуата­ ции.' При определении условий существования состояний -покоя триггера должно быть в возможно большей мере ос­ лаблено влияние начального тока /,,0 и «малых», не вполне определенных и существенно изменяющихся параметров транзисторов.

В состоянии покоя один из транзисторов триггера насы­ щен, а другой — надежно заперт. Коэффициенте насыщения

устанавливается в соответствии с изложенным

в

§ 8.2,

пп. 18—20 и с учетом

соотношения

наибольшей

 

н а н С )

и наименьшей

(/?„ и а

п м

) нагрузок

триггера. Граничное

значение

базового

напряжения запертого

транзистора

[Ufr =

(0,5 -г

1)В] устанавливается

в соответствии с изло­

женным в § 8.1, пп. 5—6. Будем полагать значения s и

ваданными.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Условия существования покоя триггера находятся из

анализа

схемы триггера

(см. рис. 3), но без учета

цепи за­

пуска

и всех

конденсаторов триггера (их можно

полагать

отключенными).

 

 

 

 

 

 

 

 

2. Условие насыщенного состояния транзистора выте­

кает из соотношений (8.24)—(8.26). Для обеспечения

насы­

щенного

состояния

с коэффициентам

насыщения,

не мень- »

шим заданном значения s, должно выполняться

соотноше­

ние Ц

> /кНs/B

— / к о .

Усиливая

немного

написанное со­

отношение,

потребуем,

чтобы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(14.40)

Ток /,«„ равен разности токов, протекающих

через ре­

зисторы

RK

и R (рис. 16):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Дк - І^кн|

t/б +\UKn\

 

.

 

(14.41)

 

 

 

 

 

Я к

 

Я

 

^ Я„ '

 

 

 

ввиду

| с 7 к я | ^ £ к ^ > с / | з

неравенство

(41)

является

сла­

бым.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ток базы

1$ равен

разности двух

токов (рис. 17):

 

 

 

 

Е к - \ и$ [

£ б + | Ut

I

 

 

 

 

R +

Re

 

где

ввиду малости

lK0RK<^Eb

пренебрежено

влиянием

тока

/ к 0 . Заменим

\0$\ на

Ц R£x,

где x— входное со­

противление

отпертого

транзистора, выражаемое форму­

лой

(8.58).

Тогда

получим

 

 

 

Рис. 16

Рис. 18.

Для обеспечения слабой зависимости тока базы от не вполне определенной и нестабильной величины входного сопротив­ ления Rtx, потребуем, чтобы из соображений, указанных в §8.2, п. 21, отношение

R™

_ р+<-_1

(14.43)

ЯбІКЯ + Як)

^ 4

 

Подставляя ток It в соотношение (40)

и заменяя в нем

ток 7 к н незначительно большей величиной

из неравенства

(41^, потребуем тем не менее выполнения соотношения (40):

—— (-Ь Ё§.\-^?Е*.. (14.44)

при его выполнении наверняка будет обеспечено насыщение транзистора с коэффициентом насыщения не ниже задан­ ного значения s.

3. Условие надежного запирания транзистора—

>U6r.

(14.45)

Для определения базового

напряжения

запертого

транзистора обратимся к схеме,

приведенной

на рис. 18.

13 3,ак. 5?5

3§5

Здесь база запертого транзистора представлена генерато­ ром тока / к 0 , а насыщенный транзистор — сопротивлением га \UXH\II ка- Как видно из схемы,

Щ =E6~R6{1R

+1К0),

где

/ Л

=

(С/б

+\UKil\)lR.

Отсюда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U6il+^)=E,-IK0R6-^\UV

 

 

 

 

KU I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Заменяя здесь напряжение

| ІІкп |

незначительно

большей

величиной из неравенства | 1/к и | п

 

/,ш

< гл

EJRW

можно

записать:

 

 

 

 

 

 

 

 

ту-

^>

J Пко Кб

I

г н

 

 

(14.46)

6

^ + ^б L

V £б

 

RKRE6

,

 

Стоящее в круглых скобках выражение определяет пара­ метр, который сильно меняется с температурой и, кроме того, нестабилен. Для обеспечения умеренного (не более чем в 2 раза) изменения чувствительности триггера к за­ пускающим импульсам потребуем, чтобы величина этого параметра даже при наивысшей рабочей температуре была умеренной, т. е., чтобы

^конанб^б

I Гп Re Ек _ с -

1

(14 4Т)

£б

RKREQ

2

 

С учетом этого обозначения заменим в соотношении (45) базовое напряжение UQ несколько меньшей величиной из

.неравенства (46), и тем не менее потребуем выполнения соот­ ношения

(l-*-)-irrirÈ*>u*-

(14-48)

R + RQ

 

При выполнении этого соотношения наверняка будет обес­ печено надежное запирание транзистора в рабочем диапа­ зоне температур в условиях действия помеховых сигналов.

4. Таким образом, искомые условия существования устойчивых состояний покоя триггера выражаются двумя

. основными соотношениями (44) и (48). Кроме того, влияние «малых» нестабильных и не вполне определенных парамет­ ров транзисторов (7к 0 , ^ в х и Лд) ограничивается соотноше­ ниями (43) а (47).

386'

Б.ОБЛАСТЬ УСТОЙЧИВЫХ СОСТОЯНИИ ТРИГГЕРА

5.Для обеспечения надежных состояний покоя триггера сле­ дует установить сопротивления резисторов R,(, RQ, R и напряжение En, удовлетворяющие соотношениям (44) и (48). Эти соотношения определяют г р а н и u ы области устойчивых состоянии покоя триг­ гера. Установим эти границы. При решении такой задачи удобно

оперировать с относительными значениями

величин.

Из физических соображений вытекает,

что для обеспечения

насыщенного состояния транзистора смещающее напряжение Е§ должно быть достаточно мало, а для обеспечения запертого состоя­ ния транзистора это напряжение должно быть достаточно велико.

Имея

это в виду,

решим

неравенства

(44) и (48)

относительно £ß,

по предварительно

разделим обе части этих неравенств на Ек; в ре­

зультате получим:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ек

 

 

 

 

 

 

1 +

RG

 

 

 

 

(14.49)

 

 

 

 

 

 

 

( 1 - е - ) £ к

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

EG

 

Ro

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

(14.50)

 

 

 

 

 

 

R

 

+

 

(RJR)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Неравенство

(49) определяет

н и ж и ю ю границу,

а

неравенство

(50)

— в е р х н ю ю

границу

возможных

значений

Еъ- Обозначим:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG

 

 

 

R_

 

 

 

(14.51)

 

 

 

 

 

 

 

 

Ей

 

 

R

'

У

= Ru'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ub~r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(14.52)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(1

 

 

 

 

 

 

 

s 0 + 4 + )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Используя

эти

обозначения,

перепишем

неравенства

(49) и (50)

где

 

 

 

 

 

Сб

>

/<г О +х);

ѵб<

Ку X,

 

 

 

(14.53)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l+U

Ва

 

 

 

 

 

 

 

(14.54)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6.

Предположим,

 

что у,

 

ß B и, следовательно,

Ку каким-то об­

разом

определены,

что будет сделано ниже. Пусть также

величина

параметра е -

установлена

и коэффициент

Кг

известен. Тогда пра­

вые

части

неравенств

(53) — линейные

функции

от х

с

угловыми

коэффициентами

Кг

и Кѵ-

 

Графики

 

этих

функций — прямые

(рис.

 

19).

Если

угловой

коэффициент

 

Ку >

Кг,

то любая точка

внутри угла PQL удовлетворяет неравенствам (53). Следовательно,

угол

PQL

ограничивает

в

плоскости

(VQ, х)

область

устойчивых

состояний

покоя

триггера.

 

Какая-нибудь точка М* внутри угла

PQL

 

определяет

значения

параметров

(рис. 19)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R*'

 

 

Et

 

 

 

 

 

(14.55)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

индексом

отмечаются

средние-значения

величин.

 

387

13*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7. Чем ближе точка М* к вершине 0 угла PQL, тем меньше

при заданном Ек требуемая

величина напряжения Еб ѵб Ек ,

т. е. тем экономичнее режим

работы триггера. Однако из-за неста­

бильности параметров триггера и питающих напряжении прихо­ дится относить точку М* от вершины Q. В самом деле, в действи­

тельности

границы области PQL

нестабильны; это в

особенности

относится

к в е р х н е й границе,

так как даже при

неизменном

значении у из-за изменения в широких пределах параметра В0 ве­ личина углового коэффициента меняется. Кроме того, при выбран­

ят/?б//?

x-Rg/R

 

Рис. 19.

Рис. 20.

ной точке М* и установленных значениях х* и ѵб в действи­ тельности, из-за влияния дестабилизирующих факторов (см. § 8.1, п. 5), параметры

 

 

 

 

x=x*±àx,

 

Ѵб=ѵб±Ьѵо

 

 

 

(14.56

не постоянны, т. е. х* и

 

представляют

собой

средние

значения

случайных величин х и VQ (их можно считать независимыми), харак­

теризуемых

некоторыми

дисперсиями а*

и а£.

 

 

 

 

Пусть

Ах =

пах

и

&ѵц=

пав

(где

п

достаточно велико) —

практически наибольшие отклонения величин х и

от их средних

значений; это значит,

что вероятность большего отклонения

менее

вероятности, определяющей

допустимую

вероятность сбоя

триггера.

Тогда

с

запасом

можно

полагать,

что

прямоугольник abed

(рис. 20) представляет собой

область рассеяния

двумерной

случайной

величины

(х, Ѵб)-

Пусть

известны

наименьшее

у

Я аим) и

наиболь­

шее (Кг

наиб) значения

угловых

коэффициентов.

Тогда

рабочую

точку

М* можно

выбрать из построения, приведенного на рис. 20

8-

Согласно формуле (52) наибольшее значение*'

 

 

 

 

Кг наиб;

 

 

 

Ѵб~г

 

 

 

2Ub~r

 

(14.57)

 

 

( l — е п а и б )

(Ек — Д £ К )

 

 

ЕКЬЕК

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*'

Если по окончании^расчета

выяснится, что выражаемая фор­

мулой

(47)

величина

5 ~ а

п б

<

0,5,

то можно

либо

уточнить

проде­

ланный

расчет, либо

полагать, что он содержит некоторый

расчет­

ный запас. В противном же случае построение триггера на транзи­ сторах принятого типа является невозможным.

388

гдр А Е К

практически

наибольшее

отклонение

Е„ от

среднего

значения

£к ( Д £ н <

0,1 Е|<)-

В

зависимости

от

уровня

помех

((Убі <

1 В)

величина

/(г п а нб =

0,1 -т- 0,2.

 

 

Ку

= К (у),

 

 

Определим

 

теперь

значение

коэффициента

выра­

жаемого формулой (54)

На рис

21

изображено семейство

кривых

этой функции, имеющих своим параметром В0;

его величина

зави­

сит в основном от отношения Bis

Физически

реализуемые значения

Ку > 0; функция К (у)

имеет

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нули

в

точках

у — 0 и у

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= ß g — 1

 

Между этими точками

 

 

 

 

 

 

 

 

 

каждая

 

кривая

 

рассматривае­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мого

семейства

имеет

макси­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мум

в

точке у =

ут,

опреде­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ляемой

из условия dK/dy

=

0:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Чт=

V вэ—

1;

 

(^у)тах

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

( 1 - \ІѴ~ВЭУ.

 

(14.58)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При

выборе

значения

Ку

 

 

 

 

 

 

 

 

 

следует

 

учитывать ряд

обсто­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ятельств:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а)

 

Чем

сильнее

 

выпол­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

няется

неравенство

/ ( у в а и м >

 

 

 

 

 

 

 

 

>

Кг яаиб S 0,1 -г 0,2; тем ши­

 

 

 

 

Рис. 21.

 

 

ре

область

 

состояний

покоя

 

 

 

 

 

 

 

 

 

триггера

(рис. 20).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б)

Согласно

 

формуле

(22а) высота

рабочего

перепада

 

 

 

 

 

 

 

 

 

АУр = 0,

 

 

R

 

0,80

 

 

(14.59)

 

 

 

 

 

 

 

 

R +

і + у

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

поэтому

 

при у

<

2 высота

рабочего

перепада

быстро уменьшается

с уменьшением у,

а при у

>

3 она слабо зависит от у.

 

 

 

в) При ß B

>

10 (рис. 21),

что получается

при

использовании

транзисторов

с

 

коэффициентом

усиления

В >

20 •— 40, максимум

функции

К {у)

оказывается

пологим

(особенно

при у > ут),

 

а от­

ношение

(/<у)тах/Кгнаиб =

V >2-Е с л и ж е Въ

< 6 (рис. 21), то

указанный

максимум

обостряется

и он получается

при ут

<

1,5,

а

величина

 

Яд

получается

близкой

к 1.

 

 

 

 

 

 

 

г)

у = у* ±

 

Д(/—случайная

величина,

причем практически

наи­

большее

 

относительное

изменение

 

 

hy/y<&R/R-{-ARv/RK<Q,2,

 

Учитывая

отмеченные

обстоятельства

и

чрезвычайно

низкую

допускаемую вероятность сбоя триггера, целесообразно принять

среднее

значение у* = ут

+ 1,

полагая при этом

Ва

= 5 Э нанм :

 

 

 

tf* =

R * / Ä K

=

У Явшшм;

 

(Н.60)

отсюда

согласно

формуле

(54)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

у* + &у

У*+Ьу

 

(14.61)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Так,

например,

при

5Н апм = 4 0

и s (1 +

енаиб) =

4

имеем со­

гласно

формуле

(52)

о э и а н м =

W.

Отсюда

при Д г / = 0,1(/* полу­

чаем

Кунаим =

0,43,

что

является

вполне

приемлемым.

389

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ