Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Ицхоки Я.С. Импульсные и цифровые устройства [учебник]

.pdf
Скачиваний:
101
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
20.98 Mб
Скачать

ется из

б а р ь е р н ы х

емкостей

всех трех диодов и ем­

кости монтажа

в х о д н о й

цепи:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Cna

= CR

+ CRl + CR2

+ CU3.

 

 

 

(14.10)

В состоянии покоя потенциал точки A

Ѵл З Ё — Е к

ниже

потенциала /7« коллектора

транзистора

Тх

(рис. 5, е). По­

этому

диод Дг

находится

 

под запирающим

 

напряжением

UR

< 0 ,

выражаемым формулой (6). Под воздействием

тока

г*3

потенциал VA повышается и соответственно

запирающее

напряжение диода

понижается по 'закону

 

 

 

 

 

Ы

д 1

= 1/д + АѴА

UR

 

+ АЕ3 (1 - е - (

' - Ѵ / Ѵ п 8 ) )

 

где принято во внимание, что ввиду С п з

<

Са

напряжение

на конденсаторе Св

остается практически неизменным в те­

чение короткого времени отпирания диода Ду

(рис. 5,

ин­

тервал

АА—ВВ).

Момент t = tx отпирания

диода

находит­

ся

из

уравнения

uRl(tj)

= 0. Отсюда

находится

длитель­

ность процесса отпирания

диода:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Г , _ / 1 - № « . С ш І п ^ ^ 1 .

 

 

(14.11)

Порядок

величины Т д

= (l-f-10) не.

 

 

 

 

 

 

 

8.

Рассасывание

заряда базы насыщенного

транзистора.

После отпирания диода Дг

 

ток базы г'б2 получает

прираще­

ние Аі

< 0

(рис. 5, б, интервал

ВВ—СС).

Соответствен­

но напряжение щ2

напряжение ик1)

получает приращение

I Аіб2бп

 

и даже может стать положительным

(рис. 5, г, е).

Под воздействием тока

Аіб2

 

происходит рассасывание заря­

да базы. Для определения отрицательного приращения за­ ряда базы AQ(t'), где f = t — tlt воспользуемся интегралом Дюамеля. Переходная характеристика заряда насыщенной базы и приращение тока базы выражаются равенствами:

' А« = т н ( 1 - е - '' Ч Д / б 2 = з с / б в е - Г Д Ч

где в соответствии с формулой (9) обозначено (см. п. 5):

Ѳ г = ( ^ г + г б н ) С г .

(14.13)

370

Следовательно, приращение

заряда базы

 

 

 

AQ (t')=l

/'

А в (so / б и е Р )

 

 

 

е - «

rfT

=

 

 

о

 

 

 

 

= " С / 6 Н Т И

г / т а _ е - / ' / Ѳ г )

 

( І 4

1 4 )

н г )-1 Ѵ

l

 

\

>

В состоянии покоя заряд базы Q«, = / б

т н

= s / 6 H t H -

Согласно формуле (8.55) при выходе транзистора из насыще­ ния заряд базы должен снизиться до граничного значения

<3н =

/ б и ^ н , т. е. на величину |AQ| = (s — 1 ) / б Н т ш где

AQ =

AQ(f) выражается формулой (14). Следовательно,

длительность f = Tt выхода транзистора из насыщения

является

корнем

уравнения

 

 

 

 

 

( 5 - 1 ) ( т н / Ѳ г - 1 ) = | s c | ( e r ^ + / T H _ e - r H + / ö r ) .

(14.15)

В общем случае это трансцендентное уравнение

решается

графически.

Способ

определения

оптимального

значения

Т%, при

котором

разрешающее

время

триггера

минималь­

но, излагается

в

п.

15.

 

 

 

 

 

9. Отпирание запертого транзистора, После выхода

транзистора

Т2

из насыщения

ток

і к 2

начинает

под воз­

действием тока

базы

А/бг <

0 уменьшаться, что вызывает

понижение

напряжений ик2

и

и

(рис. 5, в, д,

интервал

СС—DD)

и приводит к отпиранию транзистора 7\. В этом

активном процессе цепь отпертого транзистора представ­ ляет собой электронный ключ с емкостной нагрузкой (влия­

нием больших сопротивлений R2

и RQX

здесь можно пре­

небречь). Схема ключа изображена на

рис. 6,

где С н

емкость

полезной нагрузки триггера,

а С8

— барьерная

емкость эмиттерного перехода запертого транзистора.

Пусть к моменту t2

выхода транзистора Т 2 из насыщения

базовое

напряжение

запертого

транзистора

иб2

~ІІ6-

Здесь коэффициент К~ = 1 -f- 2; он учитывает

возможность

поступления запускающего импульса хотя и по истечении разрешающего времени, но до установления состояния по­ коя триггера (когда базовое напряжение запертого тран­

зистора

изменяется

аналогично показанному на

рис. 5, г

на

интервале GG—НН). В момент t2

ток базы г2

= Ц +

+

/ б о

(рис. 5, б),

где величина / б о

определяется

из форму­

лы (9), если положить в ней t = t2 — t0. В течение коротко­

го

времени

Г о т п

= ta — t2

(рис. 5, б, д) можно

полагать,

«то

f'ßa

const.

Тогда из

анализа процесса в

ключевой

371

схеме (рис. 6) получаются следующие выражения для дли­ тельности отпирания транзистора*':

Т

 

(14.16)

где должно выполняться написанное неравенство; в против­

ном случае

 

 

Г - - ^ п + Ѳ р 1 п Ѵ с В | / б о |

^ _ к ^ _ .

(14.16а)

В этих формулах tß — время жиз­

ни неосновных

носителей

в нена­

сыщенной базе и

 

 

 

 

^вых — С к -f- С н -f- •

 

ССЭ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ус-- С +

С 8

'

(14.17)

 

 

 

0 ß = T ß

+ i?K (BCK +

C D b t x ); (14.18)

здесь

Ск — барьерная

емкость

коллекторного

перехода

и

С м

— емкость монтажа всей схемы.

 

 

 

 

 

10. Регенеративный

процесс

начинается

в

момент

t3

и

завершается в момент tt запиранием транзистора

Тг

(рис.

5, б, интервал DD—ЕЕ).

На характер

протекания

этого процесса существенное влияние может оказать ток

запуска при значительной его величине.

Однако при

пра­

вильно выбранных величинах

емкостей

Са

и С (см. п.

15)

к моменту н а ч а л а процесса

регенерации

ток | Мб21

су­

щественно снижается, а убыль тока г'к 2 , определяющая

при­

ращение тока

базы / б 1 , уже достигает заметной величины**'.

В силу этого

различие базовых токов транзисторов в про­

цессе регенерации оказывается умеренным (тем более, что

*> формула (16) получена из асимптотического разложения ре­ шения дифференциального уравнения; при этом учитывались три члена разложения, представленные в виде полного квадрата суммы формула (16а) получена "путем представления переходной харак­ теристики ключевой схемы в виде запаздывающей на время (З г і п функции (см. § 2.4).

**> Стремление ускорить запирание транзистора, после выхода его из насыщения, током запуска значительной величины не яв­ ляется целесообразным, поскольку и при Ді2 = 0 длительность

Трег мала.

372

появление тока і т (см. рис. 3) приводит к уменьшению тока источника запуска). Поэтому к моменту запирания тран­ зистора T'a ток t K l близок к значению / к п . При таком ха­ рактере протекания процесса регенерации его длительность

Tpws*2№

+

(RK\\r0) С к ~Ь о

(Qu H" Сцг +

См)

 

 

 

 

 

(14.19)

где Гб — объемное

сопротивление

ненасыщенной

базы,

а С и 1 и С І І 2 — емкостные нагрузки

триггера.

 

 

Перед самым запиранием тринзистора Тг

существенно

возрастает

величина

| і§% | (см. рис. 5, б) запирающего

тока

базы (из-за поступления на базу части тока і к 1 ) . Однако ба­

зовое

напряжение

и б 2

и

соответственно

коллекторное на­

пряжение

ик1

(см. рис. 5, г,

е) лишь незначительно

повы­

шаются в

процессе регенерации*'.

 

 

Несколько сильнее меняются в процессе регенерации

напряжения и

и u K Î (см. рис. 5, в, д). Это обусловлено тем,

что по мере запирания

транзистора Т2 возрастает ток базы

г'б1 до

значения (в момент

/ 4 ) , близкого

к

IKBQ±ER/RK.

11.

Рабочие

перепады

коллекторных

напряжений. Пос­

ле запирания транзистора

Т 2 образуется

быстрое нараста­

ние коллекторного

напряжения

о т п и р а е м о г о

тран­

зистора (см. рис.

5, е,

интервал

'ЕЕ—FF), стремящегося

к значению и , а

=

£ / к п

=

0. Тем самым нагрузка, приклю­

ченная к коллектору отпираемого транзистора, подвер­ гается воздействию положительного перепада напряжения АсѴр. Быстротечность этого процесса обусловлена двумя

обстоятельствами: во-первых, в этой стадии

ток

базы /дт

весьма

значителен (içi^(E

J R к2)е~{ /{Нюсг),

г д е

f

= t —•

во-вторых, уже к моменту ток і і а

^

/ К н . Ориен­

тировочно, длительность

п о л о ж и т е л ь н о г о

пе­

репада

напряжения

 

 

 

 

 

 

T$2ÊRKCAILX,

 

(14.20)

где С в ы х выражается формулой (17), в которой следует при­ нять С н = С щ . Более точно длительность Тф выражается формулой (11.36). Активная длительность положительного перепада коллекторного напряжения t£ Q=ÉO,8T£.

*> Небольшой подъем напряжения |иП 1 | в интервале ВВ — DD обусловлен разрядом конденсатора С] током Ді'б2 (см. рис. 3) и

ответвлением части тока / 8 в резистор R K 1 . Характер этого мед- • ленного изменения напряжения иК1 может быть более сложным.

373

Значительно

медленнее формируется

о т р и ц а т е л ь ­

н ы й

перепад коллекторного

напряжения

на выходе з а ­

п и р а е м о г о

 

транзистора

(см. рис. 5, в, интервал

ЕЕ—

—GG). Это обусловлено

влиянием

значительной

емкости

C'a >

С в ы х

конденсатора

связи. Перед

запиранием

тран­

зистора Т 2

конденсатор С2

был почти разряжен (см. рис. 3):

и2 = f/п — Ut UK1Î

=

Uб Ек. После же запирания

транзистора конденсатор

связи подзаряжается до напря­

жения

 

= —І/к 1 выражаемого

формулой (5).

 

 

Пусть

в

момент

U

напряжение

ик2

= 0,9Uü

(см. рис. 5, в). Длительность

интервала

Тф =

t7 — tt

рав­

 

 

 

 

 

 

 

на

приблизительно

двум

посто-

 

 

R-Rz

RK-RKZ

 

ЯННЫМ

времени

заряда

конден-

" Т - 1 — ' " Т Т

1

с а т о р а

связи,

присоединенного

 

IIII

 

к

к коллектору запираемого тран­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ши/

с=с2

І Л з ы х = £ в ы х 2

зистора

(рис. 7):

 

 

 

 

 

 

 

-1-

 

 

 

n^2[(Rvi

 

+ r6n)\\R2](C2

 

+

 

 

Р и с - 7 -

 

 

 

 

+ С в ы х 2 ) ^ 2 Я к С ;

(14.21)

здесь

приняты

во внимание

неравенства

 

r^H<^RK<^R

и С > С в ы х . Активная

длительность

отрицательного

пере­

пада

коллекторного

напряжения

Т Р с г +

Тф ^

2,2R

КС.

 

 

 

 

 

 

 

коллекторного на­

Полная

величина рабочего перепада

пряжения,

воздействующего на нагрузочный

элемент,

А(/ р 0

= I І/к - UJ ~

I f/K- I & EK R/(R + RK).

 

(14.22)

Активная часть

рабочего перепада напряжения

 

 

 

 

 

AUp

^ 0,8 AUp0

0,8ЕК R/(R + RK).

(14.22а)

12. Стадия восстановления. Восстановление состояния

покоя

на всех элементах

триггера

начинается

после завер­

шения

переключения

триггера,

которое

можно

отнести

к моменту

4 (см. рис. 5, е, вертикаль FF). Наиболее дли­

тельным является процесс восстановления напряжения щ на конденсаторе связи Съ присоединенном к коллектору

о т п и р а е м о г о

транзистора. До

воздействия

запу­

скающего импульса этот конденсатор

был заряжен

до на­

пряжения £/п . близкого к Ек. В процессах запуска

и реге­

нерации напряжение

йх заметно уменьшается, но все же

остается достаточно большим. После отпирания транзисто­

ра 7\

его коллекторное напряжение достигает значения

Uкв =

0, и базовое напряжение запертого транзистора

374

 

(см. рис. 3) и 6 2 = «i + "m становится практически равным

напряжению иѵ

Наибольшая

величина этого напряжения

s «бг = Ueim

получается

в

момент, близкий

к tb

(см.- рис. 5, г). Пока иб2> [/£"

чувствительность

запертого

транзистора к отпирающим сигналам низка.

иг

и Ug2

Длительность

восстановления

напряжений

зависит от постоянной времени цепи, приведенной на рис.8,

где отпертый транзистор

Тх

представлен

сопротивлением

гн SE 0. Практически полная

длительность

восстановления

базового

напряжения

запертого

 

транзистора

 

 

 

 

7 в ^ З ( Я | | Я б ) С .

(14.23)

 

13. Процессы в цепи запуска.

 

Характер

изменения

тока

ів (см.

 

рис. 5, а) до момента ts

был описан,

 

выше (см. пп. 5, 7). После

отпира­

 

ния транзистора 7\ ток г к 1

(при от­

 

пертом пока диоде Ду)

частично от-

Р и с 8

ветвляется

в цепь запуска (рис. 3);

 

это приводит к некоторому ослаблению тока і8 в стадии ре­ генерации. Затем, по мере повышения коллекторного на­

пряжения

ик1

(см. рис. 5, е, интервал СС—ЕЕ)

диод

Д х

начинает

подзапираться, и в некоторый момент

£4-5(^4

< •

< t4-5

<

4) этот диод

запирается (запирание может про­

изойти и в завершающей

части стадии регенерации). В

мо­

мент ta

= t0 +

tB окончания действия э. д. с. запуска

отпи­

рается разделительный диод Д, и возникает ток і3

<

0, ко­

торый восстанавливает исходное напряжение на конденса­ торе С3 .

14. Характерные временные интервалы работы триг­ гера. Полный рабочий цикл триггера (см. рис. 5)

Тѵ=-Т3трв. (14.24)

Превалирующую часть рабочего цикла составляет стадия восстановления, а наименьшую часть — стадия переклю­ чения триггера (см. рис. 5, в, г, д):

Тпех>ѵег

+ П.

(14.25)

Длительность стадии запуска (см. рис. 5, а, б, д)

Тая + Т$ + Т0ГП.

(14.26)

375

Превалирующую часть стадии запуска составляет стадия рассасывания заряда базы, а наименьшую часть — стадия отпирания клапанирующего диода (TR<i Тота

Срабатывание триггера осуществляется через время

 

Тср*б = Т3 + Тиср

(14.27)

после начала действия

запускающего импульса. Именно

с

этого момента (момента входа отпираемого

транзистора

в

насыщенное состояние)

начинается рабочая

стадия триг­

гера, в течение которой осуществляются те или иные рабо­ чие операции (например, операции передачи информации в узлах цифровых автоматов, операции управления работой логических элементов и др.).

Разрешающее

время триггера (при работе в режиме насы­

щения)

 

 

 

 

 

Г р а Э р = Г 8

+ Г р е г

+ 7ф ;

(14.28)

здесь основное

значение

имеют

длительности

Т3 ^ Г,|

и Гф (см. рис. 5, б). По истечении времени Г р а з Р

после на­

чала действия запускающего импульса практически завер­ шается восстановление коллекторного напряжения (м,7 ^ UK) запираемого транзистора. Тем самым заканчивается подготовка клапанирующего диода для его нормального отпирания импульсом запуска (см. рис. 3). Преждевремен­ ный же (при существенном неравенстве |н,7 | < | L / R |) за­

пуск привел бы к уменьшению п о с л е д у ю щ е г о ра­

бочего перепада (положительного)

напряжения Д £ / р

(см. рис. 5, е).

 

Хотя разрешающее время и содержит составляющую Т*іг обусловленную насыщенным режимом работы транзистора, но это не приводит, к существенному понижению быстро­ действия триггера. Дело в том, что при ненасыщенном ре­ жиме работы транзисторов разрешающее время отличается

от выражаемого формулой (28):

 

Г ; а з р s ( Г д + Тота) + Таср + TJ2;

(14.29)

При преждевременной подаче запускающего импульса через

время

А / < : Тразр существенно возрастает длительность

Т0ѴП

из-за того, что к этому моменту времени базовое на­

пряжение за'пертого транзистора намного превышает ста­ ционарное значение U& (см. рис. 5, г). При насыщенном же режиме работы такое положение исключается благодаря

тому, что одновременно с рассасыванием заряда базы насыщен­ ного транзистора происходит восстановление базового на-

376

пряжения

запертого

транзистора.

Существенным

являет­

ся

также

и то, что процесс вывода транзистора

из насыще­

ния

удлиняет

именно

рабочую стадию

триггера, в

течение

которой производятся

его полезные рабочие

операции.

 

 

Из сравнения формул

(21) и (23) следует, что 0,5 Тв

=

=

1,5(7? H / ? б ) С > Г ф

= 2 # К С ,

так

как

 

 

Tt

=

(примерно

0,5 Г,, s;

І.бТф). Таким образом, при

 

Гф быстродействие насыщенного и ненасыщенного триг­

геров получается примерно одинаковым. Но

насыщенный

режим работы обладает тем преимуществом,

что при этом

повышается

помехоустойчивость

триггера,

возрастает

его

нагрузочная

 

способность

и удлиняется

рабочая

стадия.

Лишь в некоторых специальных случаях могут оказаться более предпочтительными ненасыщенные режимы работы триггеров. -

В. ВЫБОР ЕМКОСТЕЙ КОНДЕНСАТОРОВ ТРИГГЕРА j

15. От правильного выбора емкостей С3 и С существен­ но зависит надежность работы триггера и его разрешающее время. Для обеспечения надежного запуска триггера эти емкости должны быть достаточно велики. С увеличением емкостей уменьшается время 7Y рассасывания заряда базы, но возрастают длительности 2RaC3 и Тф = 2RKC (см. рис. 5, а, в) практического восстановления напряжений на конденсаторах. Следовательно, при некоторых оптималь­ ных значениях емкостей достигается минимум суммы вре­ мен

ТІ + 2RKC = Г р а з р

- ( Г Д + T o m

+ Tpev)

= :Гр а зр ,

(14.30)

которая

в основном

и определяет

Г р а з р

7\,а я р .

 

16. Согласно формуле (15)

Тн

является корнем

уравнения

 

е — г — е - * * ^ =

(у —1)67«,

 

 

(1 4 -31)

где .

*=ІЧѴ я =

g R,

 

-

*„, ] \ '

 

 

=

( 1 4 3 3 )

 

 

- f - -

 

 

 

 

(14.32)

здесь приняты во внимание равенства (12), (13) и соотношение В / б н S

=; EK/RK-

. Напомним,

что ЕГ

и Rr

выражаются

равенствами

(8), которые определяют зависимости этих величин от высоты Д £ 3 запускающей э. д. с и от отношений Rz/RK и R/RK-

m-

Используя соотношения (32), (7) и (13) запишем

Для возможности

повторного

запуска

триггера через

время Т р а з р

необходимо, чтобы

к моменту

/, = /0 +

Т'разр (с м - Р

и с - 5) напря­

жение на конденсаторе С 3 успело восстановиться до значения,

близкого

к

стационарному. Для этого должно выполняться соот­

ношение

(см. рис. 5, а, в)

 

 

 

 

^з"Ь2і?зС3 < Традр, где ^3 паим = 7'3 -)-7'ре г .

(14.35)

Отсюда

вытекает,

что при

минимизации выражения (34)

следует

установить

t3 = t3

н а 1 ш и

равенство

 

 

 

 

2 Я 3 С 3 о Г ф С а 2 / ? к С .

(14.36)

Определяя из этого равенства отношение емкостей и подставляя его

в выражение

(34),

получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(14.37)

17.

При

заданных

значениях

т н ,

s,

Д £ 3

и Ек

поставленная

за-

Ьйча сводится

к отысканию

такого

решения

уравнения

(31),

при ко­

тором

функция

і|> достигает

минимума.

Как

показал

анализ,

функция

монотонно

и при том существенно

уменьшается

с уве­

личением В, Д £ 3

и

с уменьшением R3/RK,

т. е. я|> уменьшается

с уве­

личением

В и мощности

источника

запускающих

 

импульсов.

Умень­

шению

і|) способствует

также

увеличение отношения

R/RK.

 

Вели­

чина параметра yR,

входящего

в уравнение

(31) и в функцию (37),

почти не влияет на функцию і|>.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Зависимость

функции

от у

при х =

х (у),

удовлетворяющем

уравнению (31), имеет вид, показанный на рис. 9. Эта функция

имеет

минимум

при значении

у =

ут,

 

зависящем

от

произведения

 

При практически встречающихся значениях параметров

Ra/RK

и

•у^ минимум

функции тр (у)

со стороны у <іут

является достаточно

пологим (рис. 9);

в области

же \у>ут

 

функция гр физически

нереа-

лизуема.

Поэтому

приходится

ограничиваться

рабочим значением

у* < ут\

в частности, можно принять у* =

0,75ут.

Как показывает

анализ,

 

экстремальное

значение

 

ут

удовлетворяет

уравнению

В практически представляющей интерес области у^ < 0,2 зави­ симость ут от V(yRl) почти линейна (рис. 10). Это позволяет вы- " разить рабочее значение у* =• 0,75ут линейной функцией

t ="1=0,75+ 0,7 ( - ^ . - З ) ( ^ > 5 ) . (14.38)

m

При у — у* корень к = х* уравнения (31) хорошо (о погреш­ ностью менее 7%) аппроксимируется функцией

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

(14.39)

 

 

 

 

 

 

 

 

y*(\—a*)-\J

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а -Ѵ я і О / * - і ) .

 

 

 

 

 

 

Зависимости у*

и х*

от

UyRî

изображены

на рис,

11.

 

 

 

После

определения

параметров у^

и

|,

из формул (38) и

(39)

находятся

у*

и х*,

которые

определяют

 

соответственно

Ѳ г

=

= (#г ~Ь rQH)Cr

и Тн • Затем определяется емкость С г и из формулы

(7)

и равенства

(36)

находятся емкости

С 3

и

С.

 

 

 

 

>t=Ö,2i

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IX

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

"0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

<7

5

10

15 y

 

S 10 15 20J_

 

5

10

20

30

1

 

Рис.

9.

 

 

Рис.

10.

 

 

 

Рис. 11.

 

 

 

При

уц\ >

0,2 применение анализируемой

схемы цепи

запуска

(см. рис. 3) может оказаться неприемлемым, так как при этом раз­

решающее время триггера

Т'разр >

1,5тн , что

при

времени жизни

т н

>

2

мкс

ограничивает

быстродействие

триггера значением

F 6

<

300

кГц.

 

 

 

 

 

 

 

 

§ 14.3. СХЕМЫ ЗАПУСКА ТРИГГЕРА

 

1. Схема

счетного

запуска

на базы.

Рассмотренная

в § 14.2 схема запуска (см. рис. 3) отличается высокой чет­ костью работы, обусловленной хорошим управляющим дей­ ствием клапанирующих диодов. Однако для нормальной работы схемы ускоряющие емкости должны быть весьма значительными: С = (0,25 -4- 0,S)ta/RK. Это при t H > 2 мкс обусловливает довольно большое разрешающее время триг­ гера.

От указанного недостатка свободна распространенная схема запуска, показанная на рис. 12. Цепь запуска содер­ жит источник е8 с внутренним сопротивлением Ra, раздели­ тельный конденсатор Св два клапанирующих диода Ді и Д9,

37?

t

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ