|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ется из |
б а р ь е р н ы х |
емкостей |
всех трех диодов и ем |
кости монтажа |
в х о д н о й |
цепи: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Cna |
= CR |
+ CRl + CR2 |
+ CU3. |
|
|
|
(14.10) |
В состоянии покоя потенциал точки A |
Ѵл З Ё — Е к |
ниже |
потенциала /7« коллектора |
транзистора |
Тх |
(рис. 5, е). По |
этому |
диод Дг |
находится |
|
под запирающим |
|
напряжением |
UR |
< 0 , |
выражаемым формулой (6). Под воздействием |
тока |
г*3 |
потенциал VA повышается и соответственно |
запирающее |
напряжение диода |
понижается по 'закону |
|
|
|
|
|
Ы |
д 1 |
= 1/д + АѴА |
SÉ UR |
|
+ АЕ3 (1 - е - ( |
' - Ѵ / Ѵ п 8 ) ) |
|
где принято во внимание, что ввиду С п з |
< |
Са |
напряжение |
на конденсаторе Св |
остается практически неизменным в те |
чение короткого времени отпирания диода Ду |
(рис. 5, |
ин |
тервал |
АА—ВВ). |
Момент t = tx отпирания |
диода |
находит |
ся |
из |
уравнения |
uRl(tj) |
= 0. Отсюда |
находится |
длитель |
ность процесса отпирания |
диода: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Г , _ / 1 - № « . С ш І п ^ ^ 1 . |
|
|
(14.11) |
Порядок |
величины Т д |
= (l-f-10) не. |
|
|
|
|
|
|
|
8. |
Рассасывание |
заряда базы насыщенного |
транзистора. |
После отпирания диода Дг |
|
ток базы г'б2 получает |
прираще |
ние Аі6і |
< 0 |
(рис. 5, б, интервал |
ВВ—СС). |
Соответствен |
но напряжение щ2 |
(И напряжение ик1) |
получает приращение |
I Аіб2\гбп |
|
и даже может стать положительным |
(рис. 5, г, е). |
Под воздействием тока |
Аіб2 |
|
происходит рассасывание заря |
да базы. Для определения отрицательного приращения за ряда базы AQ(t'), где f = t — tlt воспользуемся интегралом Дюамеля. Переходная характеристика заряда насыщенной базы и приращение тока базы выражаются равенствами:
' А« = т н ( 1 - е - '' Ч Д / б 2 = з с / б в е - Г Д Ч
где в соответствии с формулой (9) обозначено (см. п. 5):
Ѳ г = ( ^ г + г б н ) С г . |
(14.13) |
Следовательно, приращение |
заряда базы |
|
|
|
AQ (t')=l |
/' |
А в (so / б и е -х/ѳР ) |
|
|
|
е - « |
rfT |
= |
|
|
о |
|
|
|
|
= " С / 6 Н Т И |
г / т а _ е - / ' / Ѳ г ) |
|
( І 4 |
1 4 ) |
(тн /Ѳг )-1 Ѵ |
l |
|
\ |
> |
В состоянии покоя заряд базы Q«, = / б |
т н |
= s / 6 H t H - |
Согласно формуле (8.55) при выходе транзистора из насыще ния заряд базы должен снизиться до граничного значения
<3н = |
/ б и ^ н , т. е. на величину |AQ| = (s — 1 ) / б Н т ш где |
AQ = |
AQ(f) выражается формулой (14). Следовательно, |
длительность f = Tt выхода транзистора из насыщения
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
является |
корнем |
уравнения |
|
|
|
|
|
( 5 - 1 ) ( т н / Ѳ г - 1 ) = | s c | ( e r ^ + / T H _ e - r H + / ö r ) . |
(14.15) |
В общем случае это трансцендентное уравнение |
решается |
графически. |
Способ |
определения |
оптимального |
значения |
Т%, при |
котором |
разрешающее |
время |
триггера |
минималь |
но, излагается |
в |
п. |
15. |
|
|
|
|
|
9. Отпирание запертого транзистора, После выхода |
транзистора |
Т2 |
из насыщения |
ток |
і к 2 |
начинает |
под воз |
действием тока |
базы |
А/бг < |
0 уменьшаться, что вызывает |
понижение |
напряжений ик2 |
и |
и5і |
(рис. 5, в, д, |
интервал |
СС—DD) |
и приводит к отпиранию транзистора 7\. В этом |
активном процессе цепь отпертого транзистора представ ляет собой электронный ключ с емкостной нагрузкой (влия
нием больших сопротивлений R2 |
и RQX |
здесь можно пре |
небречь). Схема ключа изображена на |
рис. 6, |
где С н — |
емкость |
полезной нагрузки триггера, |
а С8 |
— барьерная |
емкость эмиттерного перехода запертого транзистора. |
Пусть к моменту t2 |
выхода транзистора Т 2 из насыщения |
базовое |
напряжение |
запертого |
транзистора |
иб2 |
=К~ІІ6- |
Здесь коэффициент К~ = 1 -f- 2; он учитывает |
возможность |
поступления запускающего импульса хотя и по истечении разрешающего времени, но до установления состояния по коя триггера (когда базовое напряжение запертого тран
зистора |
изменяется |
аналогично показанному на |
рис. 5, г |
на |
интервале GG—НН). В момент t2 |
ток базы г'б2 |
= Ц + |
+ |
/ б о |
(рис. 5, б), |
где величина / б о |
определяется |
из форму |
лы (9), если положить в ней t = t2 — t0. В течение коротко
го |
времени |
Г о т п |
= ta — t2 |
(рис. 5, б, д) можно |
полагать, |
«то |
f'ßa |
const. |
Тогда из |
анализа процесса в |
ключевой |
схеме (рис. 6) получаются следующие выражения для дли тельности отпирания транзистора*':
Т |
|
(14.16) |
где должно выполняться написанное неравенство; в против |
ном случае |
|
|
Г - - ^ п + Ѳ р 1 п Ѵ с В | / б о | |
^ _ к ^ _ . |
(14.16а) |
В этих формулах tß — время жиз |
ни неосновных |
носителей |
в нена |
сыщенной базе и |
|
|
|
|
^вых — С к -f- С н -f- • |
|
ССЭ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ус-- С + |
С 8 |
' |
(14.17) |
|
|
|
0 ß = T ß |
+ i?K (BCK + |
C D b t x ); (14.18) |
здесь |
Ск — барьерная |
емкость |
коллекторного |
перехода |
и |
С м |
— емкость монтажа всей схемы. |
|
|
|
|
|
10. Регенеративный |
процесс |
начинается |
в |
момент |
t3 |
и |
завершается в момент tt запиранием транзистора |
Тг |
(рис. |
5, б, интервал DD—ЕЕ). |
На характер |
протекания |
этого процесса существенное влияние может оказать ток
запуска при значительной его величине. |
Однако при |
пра |
вильно выбранных величинах |
емкостей |
Са |
и С (см. п. |
15) |
к моменту н а ч а л а процесса |
регенерации |
ток | Мб21 |
су |
щественно снижается, а убыль тока г'к 2 , определяющая |
при |
ращение тока |
базы / б 1 , уже достигает заметной величины**'. |
В силу этого |
различие базовых токов транзисторов в про |
цессе регенерации оказывается умеренным (тем более, что
*> формула (16) получена из асимптотического разложения ре шения дифференциального уравнения; при этом учитывались три члена разложения, представленные в виде полного квадрата суммы формула (16а) получена "путем представления переходной харак теристики ключевой схемы в виде запаздывающей на время (З г і п функции (см. § 2.4).
**> Стремление ускорить запирание транзистора, после выхода его из насыщения, током запуска значительной величины не яв ляется целесообразным, поскольку и при Ді'с2 = 0 длительность
Трег мала.
появление тока і т (см. рис. 3) приводит к уменьшению тока источника запуска). Поэтому к моменту запирания тран зистора T'a ток t K l близок к значению / к п . При таком ха рактере протекания процесса регенерации его длительность
Tpws*2№ |
+ |
(RK\\r0) С к ~Ь о |
(Qu H" Сцг + |
См) |
|
|
|
|
|
(14.19) |
где Гб — объемное |
сопротивление |
ненасыщенной |
базы, |
а С и 1 и С І І 2 — емкостные нагрузки |
триггера. |
|
|
Перед самым запиранием тринзистора Тг |
существенно |
возрастает |
величина |
| і§% | (см. рис. 5, б) запирающего |
тока |
базы (из-за поступления на базу части тока і к 1 ) . Однако ба
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
зовое |
напряжение |
и б 2 |
и |
соответственно |
коллекторное на |
пряжение |
ик1 |
(см. рис. 5, г, |
е) лишь незначительно |
повы |
шаются в |
процессе регенерации*'. |
|
|
Несколько сильнее меняются в процессе регенерации |
напряжения и5і |
и u K Î (см. рис. 5, в, д). Это обусловлено тем, |
что по мере запирания |
транзистора Т2 возрастает ток базы |
г'б1 до |
значения (в момент |
/ 4 ) , близкого |
к |
IKBQ±ER/RK. |
11. |
Рабочие |
перепады |
коллекторных |
напряжений. Пос |
ле запирания транзистора |
Т 2 образуется |
быстрое нараста |
ние коллекторного |
напряжения |
о т п и р а е м о г о |
тран |
зистора (см. рис. |
5, е, |
интервал |
'ЕЕ—FF), стремящегося |
к значению и , а |
= |
£ / к п |
= |
0. Тем самым нагрузка, приклю |
ченная к коллектору отпираемого транзистора, подвер гается воздействию положительного перепада напряжения АсѴр. Быстротечность этого процесса обусловлена двумя
обстоятельствами: во-первых, в этой стадии |
ток |
базы /дт |
весьма |
значителен (içi^(E |
J R к2)е~{ /{Нюсг), |
г д е |
f |
= t —• |
— |
во-вторых, уже к моменту t± ток і і а |
^ |
/ К н . Ориен |
тировочно, длительность |
п о л о ж и т е л ь н о г о |
пе |
репада |
напряжения |
|
|
|
|
|
|
T$2ÊRKCAILX, |
|
(14.20) |
где С в ы х выражается формулой (17), в которой следует при нять С н = С щ . Более точно длительность Тф выражается формулой (11.36). Активная длительность положительного перепада коллекторного напряжения t£ Q=ÉO,8T£.
*> Небольшой подъем напряжения |иП 1 | в интервале ВВ — DD обусловлен разрядом конденсатора С] током Ді'б2 (см. рис. 3) и
ответвлением части тока / 8 в резистор R K 1 . Характер этого мед- • ленного изменения напряжения иК1 может быть более сложным.
Значительно |
медленнее формируется |
о т р и ц а т е л ь |
н ы й |
перепад коллекторного |
напряжения |
на выходе з а |
п и р а е м о г о |
|
транзистора |
(см. рис. 5, в, интервал |
ЕЕ— |
—GG). Это обусловлено |
влиянием |
значительной |
емкости |
C'a > |
С в ы х |
конденсатора |
связи. Перед |
запиранием |
тран |
зистора Т 2 |
конденсатор С2 |
был почти разряжен (см. рис. 3): |
и2 = f/п — Ut — UK1Î |
= |
Uб <С Ек. После же запирания |
транзистора конденсатор |
связи подзаряжается до напря |
жения |
|
Uä = —І/к 1 выражаемого |
формулой (5). |
|
|
Пусть |
в |
момент |
U |
напряжение |
ик2 |
= 0,9Uü |
(см. рис. 5, в). Длительность |
интервала |
Тф = |
t7 — tt |
рав |
|
|
|
|
|
|
|
на |
приблизительно |
двум |
посто- |
|
|
R-Rz |
RK-RKZ |
|
ЯННЫМ |
времени |
заряда |
конден- |
" Т - 1 — ' " Т Т |
1 |
— с а т о р а |
связи, |
присоединенного |
|
I—II—I |
|
к |
к коллектору запираемого тран |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ши/ |
с=с2 |
І Л з ы х = £ в ы х 2 |
зистора |
(рис. 7): |
|
|
|
|
|
|
|
-1- |
|
|
|
n^2[(Rvi |
|
+ r6n)\\R2](C2 |
|
+ |
|
|
Р и с - 7 - |
|
|
|
|
+ С в ы х 2 ) ^ 2 Я к С ; |
(14.21) |
здесь |
приняты |
во внимание |
неравенства |
|
r^H<^RK<^R |
и С > С в ы х . Активная |
длительность |
отрицательного |
пере |
пада |
коллекторного |
напряжения |
/ф |
Т Р с г + |
Тф ^ |
2,2R |
КС. |
|
|
|
|
|
|
|
коллекторного на |
Полная |
величина рабочего перепада |
пряжения, |
воздействующего на нагрузочный |
элемент, |
А(/ р 0 |
= I І/к - UJ ~ |
I f/K- I & EK R/(R + RK). |
|
(14.22) |
Активная часть |
рабочего перепада напряжения |
|
|
|
|
|
AUp |
^ 0,8 AUp0 |
0,8ЕК R/(R + RK). |
(14.22а) |
12. Стадия восстановления. Восстановление состояния |
покоя |
на всех элементах |
триггера |
начинается |
после завер |
шения |
переключения |
триггера, |
которое |
можно |
отнести |
к моменту |
4 (см. рис. 5, е, вертикаль FF). Наиболее дли |
тельным является процесс восстановления напряжения щ на конденсаторе связи Съ присоединенном к коллектору
о т п и р а е м о г о |
транзистора. До |
воздействия |
запу |
скающего импульса этот конденсатор |
был заряжен |
до на |
пряжения £/п . близкого к Ек. В процессах запуска |
и реге |
нерации напряжение |
йх заметно уменьшается, но все же |
остается достаточно большим. После отпирания транзисто
ра 7\ |
его коллекторное напряжение достигает значения |
Uкв = |
0, и базовое напряжение запертого транзистора |
374 |
|
(см. рис. 3) и 6 2 = «i + "m становится практически равным
напряжению иѵ |
Наибольшая |
величина этого напряжения |
s «бг = Ueim |
получается |
в |
момент, близкий |
к tb |
(см.- рис. 5, г). Пока иб2> [/£" |
чувствительность |
запертого |
транзистора к отпирающим сигналам низка. |
иг |
и Ug2 |
Длительность |
восстановления |
напряжений |
зависит от постоянной времени цепи, приведенной на рис.8,
где отпертый транзистор |
Тх |
представлен |
сопротивлением |
гн SE 0. Практически полная |
длительность |
восстановления |
базового |
напряжения |
запертого |
|
транзистора |
|
|
|
|
7 в ^ З ( Я | | Я б ) С . |
(14.23) |
|
13. Процессы в цепи запуска. |
|
Характер |
изменения |
тока |
ів (см. |
|
рис. 5, а) до момента ts |
был описан, |
|
выше (см. пп. 5, 7). После |
отпира |
|
ния транзистора 7\ ток г к 1 |
(при от |
|
пертом пока диоде Ду) |
частично от- |
Р и с 8 |
ветвляется |
в цепь запуска (рис. 3); |
|
это приводит к некоторому ослаблению тока і8 в стадии ре генерации. Затем, по мере повышения коллекторного на
|
|
|
|
|
|
|
|
пряжения |
ик1 |
(см. рис. 5, е, интервал СС—ЕЕ) |
диод |
Д х |
начинает |
подзапираться, и в некоторый момент |
£4-5(^4 |
< • |
< t4-5 |
< |
4) этот диод |
запирается (запирание может про |
изойти и в завершающей |
части стадии регенерации). В |
мо |
мент ta |
= t0 + |
tB окончания действия э. д. с. запуска |
отпи |
рается разделительный диод Д, и возникает ток і3 |
< |
0, ко |
торый восстанавливает исходное напряжение на конденса торе С3 .
14. Характерные временные интервалы работы триг гера. Полный рабочий цикл триггера (см. рис. 5)
Тѵ=-Т3+Ттр+Тв. (14.24)
Превалирующую часть рабочего цикла составляет стадия восстановления, а наименьшую часть — стадия переклю чения триггера (см. рис. 5, в, г, д):
Длительность стадии запуска (см. рис. 5, а, б, д)
Та=Тя + Т$ + Т0ГП. |
(14.26) |
Превалирующую часть стадии запуска составляет стадия рассасывания заряда базы, а наименьшую часть — стадия отпирания клапанирующего диода (TR<i Тота
Срабатывание триггера осуществляется через время
|
Тср*б = Т3 + Тиср |
(14.27) |
после начала действия |
запускающего импульса. Именно |
с |
этого момента (момента входа отпираемого |
транзистора |
в |
насыщенное состояние) |
начинается рабочая |
стадия триг |
гера, в течение которой осуществляются те или иные рабо чие операции (например, операции передачи информации в узлах цифровых автоматов, операции управления работой логических элементов и др.).
Разрешающее |
время триггера (при работе в режиме насы |
щения) |
|
|
|
|
|
Г р а Э р = Г 8 |
+ Г р е г |
+ 7ф ; |
(14.28) |
здесь основное |
значение |
имеют |
длительности |
Т3 ^ Г,| |
и Гф (см. рис. 5, б). По истечении времени Г р а з Р |
после на |
чала действия запускающего импульса практически завер шается восстановление коллекторного напряжения (м,7 ^ UK) запираемого транзистора. Тем самым заканчивается подготовка клапанирующего диода для его нормального отпирания импульсом запуска (см. рис. 3). Преждевремен ный же (при существенном неравенстве |н,7 | < | L / R |) за
пуск привел бы к уменьшению п о с л е д у ю щ е г о ра
бочего перепада (положительного) |
напряжения Д £ / р |
(см. рис. 5, е). |
|
Хотя разрешающее время и содержит составляющую Т*іг обусловленную насыщенным режимом работы транзистора, но это не приводит, к существенному понижению быстро действия триггера. Дело в том, что при ненасыщенном ре жиме работы транзисторов разрешающее время отличается
от выражаемого формулой (28): |
|
Г ; а з р s ( Г д + Тота) + Таср + TJ2; |
(14.29) |
При преждевременной подаче запускающего импульса через
время |
А / < : Тразр существенно возрастает длительность |
Т0ѴП |
из-за того, что к этому моменту времени базовое на |
пряжение за'пертого транзистора намного превышает ста ционарное значение U& (см. рис. 5, г). При насыщенном же режиме работы такое положение исключается благодаря
•тому, что одновременно с рассасыванием заряда базы насыщен ного транзистора происходит восстановление базового на-
376
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
пряжения |
запертого |
транзистора. |
Существенным |
являет |
ся |
также |
и то, что процесс вывода транзистора |
из насыще |
ния |
удлиняет |
именно |
рабочую стадию |
триггера, в |
течение |
которой производятся |
его полезные рабочие |
операции. |
|
|
Из сравнения формул |
(21) и (23) следует, что 0,5 Тв |
= |
= |
1,5(7? H / ? б ) С > Г ф |
= 2 # К С , |
так |
как |
|
|
Tt |
= |
(примерно |
0,5 Г,, s; |
І.бТф). Таким образом, при |
|
Гф быстродействие насыщенного и ненасыщенного триг |
геров получается примерно одинаковым. Но |
насыщенный |
режим работы обладает тем преимуществом, |
что при этом |
повышается |
помехоустойчивость |
триггера, |
возрастает |
его |
нагрузочная |
|
способность |
и удлиняется |
рабочая |
стадия. |
Лишь в некоторых специальных случаях могут оказаться более предпочтительными ненасыщенные режимы работы триггеров. -
В. ВЫБОР ЕМКОСТЕЙ КОНДЕНСАТОРОВ ТРИГГЕРА j
15. От правильного выбора емкостей С3 и С существен но зависит надежность работы триггера и его разрешающее время. Для обеспечения надежного запуска триггера эти емкости должны быть достаточно велики. С увеличением емкостей уменьшается время 7Y рассасывания заряда базы, но возрастают длительности 2RaC3 и Тф = 2RKC (см. рис. 5, а, в) практического восстановления напряжений на конденсаторах. Следовательно, при некоторых оптималь ных значениях емкостей достигается минимум суммы вре мен
ТІ + 2RKC = Г р а з р |
- ( Г Д + T o m |
+ Tpev) |
= :Гр а зр , |
(14.30) |
которая |
в основном |
и определяет |
Г р а з р |
s± 7\,а я р . |
|
16. Согласно формуле (15) |
Тн |
является корнем |
уравнения |
|
е — г — е - * * ^ = |
(у —1)67«, |
|
|
(1 4 -31) |
где . |
*=ІЧѴ я = |
g R, |
|
- |
*„, ] \ ' |
• |
|
|
= |
( 1 4 3 3 ) |
|
|
- f - - |
|
|
|
|
(14.32) |
здесь приняты во внимание равенства (12), (13) и соотношение В / б н S |
=; EK/RK- |
. Напомним, |
что ЕГ |
и Rr |
выражаются |
равенствами |
(8), которые определяют зависимости этих величин от высоты Д £ 3 запускающей э. д. с и от отношений Rz/RK и R/RK-
Используя соотношения (32), (7) и (13) запишем
Для возможности |
повторного |
запуска |
триггера через |
время Т р а з р |
необходимо, чтобы |
к моменту |
/, = /0 + |
Т'разр (с м - Р |
и с - 5) напря |
жение на конденсаторе С 3 успело восстановиться до значения,
близкого |
к |
стационарному. Для этого должно выполняться соот |
ношение |
(см. рис. 5, а, в) |
|
|
|
|
^з"Ь2і?зС3 < Традр, где ^3 паим = 7'3 -)-7'ре г . |
(14.35) |
Отсюда |
вытекает, |
что при |
минимизации выражения (34) |
следует |
установить |
t3 = t3 |
н а 1 ш и |
равенство |
|
|
|
|
2 Я 3 С 3 о Г ф С а 2 / ? к С . |
(14.36) |
Определяя из этого равенства отношение емкостей и подставляя его
в выражение |
(34), |
получим |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(14.37) |
17. |
При |
заданных |
значениях |
т н , |
s, |
Д £ 3 |
и Ек |
поставленная |
за- |
Ьйча сводится |
к отысканию |
такого |
решения |
уравнения |
(31), |
при ко |
тором |
функция |
і|> достигает |
минимума. |
Как |
показал |
анализ, |
функция |
монотонно |
и при том существенно |
уменьшается |
с уве |
личением В, Д £ 3 |
и |
с уменьшением R3/RK, |
т. е. я|> уменьшается |
с уве |
личением |
В и мощности |
источника |
запускающих |
|
импульсов. |
Умень |
шению |
і|) способствует |
также |
увеличение отношения |
R/RK. |
|
Вели |
чина параметра yR, |
входящего |
в уравнение |
(31) и в функцию (37), |
почти не влияет на функцию і|>. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Зависимость |
функции |
от у |
при х = |
х (у), |
удовлетворяющем |
уравнению (31), имеет вид, показанный на рис. 9. Эта функция |
имеет |
минимум |
при значении |
у = |
ут, |
|
зависящем |
от |
произведения |
|
При практически встречающихся значениях параметров |
Ra/RK |
и |
•у^ минимум |
функции тр (у) |
со стороны у <іут |
является достаточно |
пологим (рис. 9); |
в области |
же \у>ут |
|
функция гр физически |
нереа- |
лизуема. |
Поэтому |
приходится |
ограничиваться |
рабочим значением |
у* < ут\ |
в частности, можно принять у* = |
0,75ут. |
Как показывает |
анализ, |
|
экстремальное |
значение |
|
ут |
удовлетворяет |
уравнению |
В практически представляющей интерес области у^ < 0,2 зави симость ут от V(yRl) почти линейна (рис. 10). Это позволяет вы- " разить рабочее значение у* =• 0,75ут линейной функцией
t ="1=0,75+ 0,7 ( - ^ . - З ) ( ^ > 5 ) . (14.38)
При у — у* корень к = х* уравнения (31) хорошо (о погреш ностью менее 7%) аппроксимируется функцией
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
(14.39) |
|
|
|
|
|
|
|
|
y*(\—a*)-\J |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
а -Ѵ я і О / * - і ) . |
|
|
|
|
|
|
Зависимости у* |
и х* |
от |
UyRî |
изображены |
на рис, |
11. |
|
|
|
После |
определения |
параметров у^ |
и |
|, |
из формул (38) и |
(39) |
находятся |
у* |
и х*, |
которые |
определяют |
|
соответственно |
Ѳ г |
= |
= (#г ~Ь rQH)Cr |
и Тн • Затем определяется емкость С г и из формулы |
(7) |
и равенства |
(36) |
находятся емкости |
С 3 |
и |
С. |
|
|
|
|
>t=Ö,2i |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
• |
IX |
|
|
|
|
|
20 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
"0.1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
<7 |
5 |
10 |
15 y |
|
S 10 15 20J_ |
|
5 |
10 |
20 |
30 |
1 |
|
Рис. |
9. |
|
|
Рис. |
10. |
|
|
|
Рис. 11. |
|
|
|
При |
уц\ > |
0,2 применение анализируемой |
схемы цепи |
запуска |
(см. рис. 3) может оказаться неприемлемым, так как при этом раз
решающее время триггера |
Т'разр > |
1,5тн , что |
при |
времени жизни |
т н |
> |
2 |
мкс |
ограничивает |
быстродействие |
триггера значением |
F 6 |
< |
300 |
кГц. |
|
|
|
|
|
|
|
|
§ 14.3. СХЕМЫ ЗАПУСКА ТРИГГЕРА |
|
1. Схема |
счетного |
запуска |
на базы. |
Рассмотренная |
в § 14.2 схема запуска (см. рис. 3) отличается высокой чет костью работы, обусловленной хорошим управляющим дей ствием клапанирующих диодов. Однако для нормальной работы схемы ускоряющие емкости должны быть весьма значительными: С = (0,25 -4- 0,S)ta/RK. Это при t H > 2 мкс обусловливает довольно большое разрешающее время триг гера.
От указанного недостатка свободна распространенная схема запуска, показанная на рис. 12. Цепь запуска содер жит источник е8 с внутренним сопротивлением Ra, раздели тельный конденсатор Св два клапанирующих диода Ді и Д9,
37?