рабочий импульс, после чего БГ возвращается к исходному
состоянию покоя. Длительность стадии |
восстановления ис |
ходного состояния Г в = Г р е л s 3RCC |
(в течение этого |
времени БГ малочувствителен к импульсам запуска). Час тота повторения импульсов запуска должна удовлетворять соотношению Рш ^ \l(3RcC).
5. Паразитная емкость БГ образуется в основном междуобмо точными емкостями трансформатора [42, 51] и емкостью С п на грузки. Приведенные (динамические) значения этих емкостей на ходятся с учетом энергии, запасаемой в емкостях, которая пропор циональна к в а д р а т а недействующих на емкостях напряжений.
- р # f « r l S -
|
|
|
Рис. 14. |
|
Для уменьшения |
паразитной емкости все обмотки долоісны |
наматы |
ваться в одном направлении |
и располагаться на сердечнике по од |
ной из указанных |
на рис. 14 схем. |
|
При полярности рабочих импульсов, совпадающей с поляр |
ностью э. д. с. ег |
в сеточной обмотке (в транзисторных |
БГ — |
с э. д. с. в базовой |
обмотке), наименьшая величина паразитной ем |
кости получается |
по схеме |
рис. 14, а: |
|
+ С н |
« І . + С с - к 4 і + С а . с ( 1 + я 2 1 ) я + С м . |
(12.44) |
При полярности же рабочих импульсов, противоположной поляр ности э. д. с. в сеточной (базовой) обмотке, наименьшая величина паразитной емкости получается по схеме рис. 14, б:
|
|
|
|
|
|
С п = |
(<Ѵ З) ( 1 + " I , + пг1) + ( С 1 3 / з ) (1 |
,)» + |
|
+ |
Св |
л§, + - С С . К я§, + С а . с (1 +n21f |
+ С Н . |
(12.45) |
В формулах |
(44) и (45) Сі2 , С 2 3 и С13 |
— статические |
значения |
междуобмоточных емкостей (рис. 14); С с . к |
и Са .0 —междуэлектрод |
ные емкости |
лампы (в транзисторном БГ их |
аналогом |
являются |
соответственно барьерные емкости эмиттерного и коллекторного переходов); С м — емкость монтажа-
§12.4. ТРАНЗИСТОРНЫЙ БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОР
1.Схема и принцип действия транзисторного и лампо вого БГ в своих основных чертах аналогичны. Но отмечен ные в § 11.2, п. 2 отличительные особенности транзистор ных устройств проявляются в БГ наиболее сильно.
|
Типовая схема транзисторного БГ изображена на рис. 15. |
При |
работе в |
режиме |
автоколебаний (или синхронизации) |
э. д. с. источника смещающего напряжения Ес < |
О (обыч |
но |
Еб |
= — Е |
К ) , а |
в |
ждущем |
режиме — э. д. |
с. Еб > 0. |
В |
цепь базы |
иногда |
включается |
резистор R0 |
(2 |
3 ) г б в |
для ограничения тока базы насыщенного транзистора. Включение этого резистора стабилизует работу БГ и ослаб ляет зависимость тока базы от непостоянной и отличающей ся большим разбросом величины объемного сопротивления го = /"бв насыщенной базы. Но вместе с этим несколько по вышается инерционность БГ и понижается предельно до стижимая скважность следования импульсов, которая за
висит от отношения RoKRo + |
/"бн)- Диод |
Д г и резистор Rv |
служат для подавления кратковременного |
выброса коллек |
торного напряжения ( — ы к > |
Еи)> возникающего после за |
пирания транзистора. |
|
|
2. Так же как и в ламповом БГ, в рабочей стадии (Гр ) конденсатор С приобретает определенный заряд. После же запирания транзистора в течение большого интервала вре
мени |
Грел > |
Г р |
(в |
стадии |
релаксации) происходит срав |
нительно медленный |
разряд |
конденсатора |
током —і2 — |
— ÏR + |
і во |
( Р и с - |
15)- Так как в этой стадии |
индуктирован |
ная э. д. с. е2 s* 0, то базовое напряжение практически рав но напряжению на конденсаторе: щ ^ и > 0. В ждущем режиме работы базовое напряжение по мере разряда кон
денсатора стремится |
к напряжению покоя U^n = EQ — |
— / к о Д б > 0 , и отпирание транзистора происходит |
при |
подаче запускающего |
импульса и3 < 0. В режиме же |
авто |
колебаний конденсатор под воздействием смещающего на
пряжения Е5 = '—Ек стремится перезарядиться, в |
соот |
ветствии с чем базовое напряжение понижается, и при |
ыб = |
= 0 транзистор отпирается. |
|
При отпирании транзистора развивается регенеративный процесс, приводящий к глубокому насыщению транзистора. Затем в стадии формирования вершины импульса проис ходит заряд конденсатора, что приводит к ослаблению тока базы до некоторого критического значения, при котором транзистор выходит из насыщения; последнее может быть
341
Ч
также обусловлено ростом намагничивающего тока транс форматора. После выхода транзистора из насыщения разви вается регенеративный процесс, приводящий к запиранию транзистора.
3. Эквивалентные схемы БГ. Так же как и в ламповом БГ, токи и напряжения на элементах транзисторного БГ связаны между собой уравнениями токов и напряжений, которые учитывают трансформацию параметров схемы, обусловленную действием трансформатора. Но при анализе процессов в транзисторном БГ необходимо учитывать инер-
ционность тока коллектора, в то время как электронный ток лампы можно было считать безынерционным. В соответствии с этим эквивалентная (операционная) схема Б Г (приведенная к анодной обмотке) в стадии регенерации имеет вид, изобра женный на рис. 16, а, где штрихом отмечены приведенные значения токов, напряжений и параметров схемы, причем
г> / |
«н . r |
i |
гбо . р / |
«о . р ' |
«б |
|
"зі |
|
пгі |
"ai |
"ai |
|
|
|
|
|
(12.46) |
|
С'=п^С; |
CK^(Ê+l)CK; |
ß = ß / ( l + p t ß ) ; |
(12.46а) |
здесь |
пи = wjwi, |
n 0 1 |
= w3/Wi |
и rg — ?бо — объемное со |
противлениененасыщенной базы. Приведенное значение суммарной паразитной емкости С ' п (с учетом барьерных емкостей транзистора) выражается формулой (44) или (45).
После входа транзистора в насыщение эквивалентная схема упрощается (рис. 16, б). Здесь напряжение на пер вичной обмотке практически не меняется, т. е.
|
|
|
ч |
= US =Ек |
— \ иш |
I s |
Ек |
= |
const, |
( 12.47 |
и можно |
пренебречь |
влиянием |
паразитных |
емкостей. |
|
4 . |
Временные диаграммы |
процессов в БГ (в режиме ав |
токолебаний) изображены на рис. 17. Левее вертикали |
АА |
отображено |
состояние |
БГ |
|
|
|
|
|
|
перед |
отпиранием |
транзи |
|
|
|
|
|
|
стора. |
В момент |
t0, |
когда |
|
|
|
|
|
|
базовое напряжение «б = О, |
|
|
|
|
|
|
входное |
|
сопротивление |
|
|
|
|
|
|
транзистора |
резко |
пони |
|
|
|
|
|
|
жается, и возникает ток ба |
|
|
|
|
|
|
зы |
iç > |
0, |
вызывающий |
|
|
|
|
|
|
появление с |
некоторым за |
|
|
|
|
|
|
паздыванием |
|
усиленного |
|
|
|
|
|
|
тока |
|
коллектора |
|
(рис. |
|
|
|
|
|
|
17, в, г). В результате |
это |
|
|
|
|
|
|
го возникают быстро |
нара |
|
|
|
|
|
|
стающие ток |
намагничива |
|
|
|
|
|
|
ния |
Zu и магнитный |
поток |
|
|
|
|
|
|
в сердечнике; |
последний |
|
|
|
|
|
|
индуктирует |
в |
обмотках |
|
|
|
|
|
|
трансформатора |
э. |
д. |
с. |
|
|
|
|
|
|
е3 = ин |
и э. д. с. е2 < О, |
|
|
|
|
|
|
которая способствует росту |
|
|
|
|
|
|
тока |
базы. |
Одновременно |
|
|
|
|
|
|
из-за падения напряжения |
|
|
|
|
|
|
% > 0 на первичной об |
|
|
|
|
|
|
мотке |
(см. рис. |
15) |
повы |
|
|
|
|
|
|
шается |
коллекторное |
на |
|
|
|
|
|
|
пряжение |
ик |
(рис. |
17, |
д). |
|
|
|
|
|
|
Обусловленные |
процессом |
|
|
|
|
|
|
регенерации |
быстрые изме |
|
|
|
|
|
|
нения токов и напряжений заканчиваются |
в момент 4 (вер |
тикаль |
ВВ), |
когда |
транзистор |
оказывается |
в глубоком на |
сыщении |
(«к |
= |
и к |
н ^ 0 ) . В |
этот момент |
напряжения |
на |
обмотках |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
W i = / 7 x * S É £ k , e ï = . - £ a * = ^ / i B 1 t / l * f |
|е8 | = f / B * = n 3 1 c / 1 * , |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(12.48) |
ГДе приняты во внимание равенства (47). Так как за корот кое время процесса регенерации напряжение на конденсато ре С не успевает заметно измениться (рис. 17, а), то почти вся э. д. с. е2 прикладывается к резистору R0 и к базе (влия нием цепи источника Еб ввиду Ro > R0 + /'си здесь можно пренебречь). В момент tx ток базы достигает максимального значения (рис. 17, е) : И
i 6 m a x = / G m ^ « 2 1 £ K / ( / ? 0 + r 6 n ) , |
(12.49) |
где пренебрежено небольшими напряжениями на перехо
дах транзистора и напряжением и ^ |
0 на конденсаторе. |
Ъ. После момента tx наступает |
стадия формирования |
вершины рабочего импульса {Тт,), в течение которой напря жения на обмотках трансформатора и, следовательно, высо та рабочего импульса остаются практически неизменными; они выражаются формулами (48). Таким образом, вершина рабочего импульса отличается высокой равномерностью,
что является следствием высокой крутизны линии насыще
ния транзистора; |
при этом |
весьма полно используется на |
пряжение питания |
(U*i ^ |
Ек). |
|
|
|
В стадии формирования вершины импульса происходит |
заряд конденсатора С до напряжения |
U (рис. 17, а, ин |
тервал ВВ—СС) |
током базы (влиянием |
тока iR < / б |
здесь |
можно пренебречь). Это приводит к ослаблению тока |
базы, |
изменяющегося |
по закону |
|
|
|
|
|
/ |
Б ( / ' |
) ^ ^ 2 |
- е - ' ' / ѳ п , |
(12.50) |
где Ѳ„ == (R0 + |
г0и)С |
и время t' |
= t — tx (рис. 17). В этой |
стадии ток коллектора |
і а = |
/ к н |
равен |
практически |
сумме |
трех токов (рис. 16, б): |
|
|
|
|
Ток ікв~іКП(П |
либо нарастает |
(если |
рост iß |
преоблада |
ет |
над уменьшением |
гб '), либо |
падает (если |
приращение |
Д / 1 |
1 < | Аг'б 'I), |
либо |
же |
остается |
почти |
неизменным |
(рис. 17, г), |
что |
типично для |
мощной |
нагрузки |
( # Н < ; Я 0 + Гба ). Таким образом, |
в БГ имеет |
место режим |
динамического |
насыщения |
'(/кн//б |
Ф const). |
|
*> Из-за модуляции объемного сопротивления базы ток базы может несколько нарастать и после насыщения транзистора [148].
6. |
По |
выходе в момент t2 |
транзистора |
из насыщения |
(рис. |
17, |
г) возникает регенеративный процесс (интервал |
СС—DD), |
который приводит |
к обратному |
опрокидыванию |
БГ и запиранию в момент t3 транзистора. В этой стадии из-за
|
|
|
|
|
|
|
резкого уменьшения |
э. д. с. е2 ток базы может стать |
отри |
цательным (рис. 17, в), что способствует запиранию |
тран |
зистора. Так как ток |
не может |
мгновенно |
измениться, |
то |
после запирания |
транзистора |
все токи (кроме £к = О |
и |
с'б ^ 0) меняют |
свое направление, что при маломощной |
или вентильной нагрузке (ее сопротивление, |
после запира |
ния транзистора, |
Ru > RB) может привести к образованию |
сильного выброса |
напряжения А£/к (рис. 17, о). Для его |
ослабления до допустимого значения Ас/ „г подключают диод Д р и резистор R r (см. рис. 15). По мере ослабления тока происходит восстановление напряжений ик и «g. Напря жение же и U на конденсаторе большой емкости С за метно не меняется на интервале СС—FF (рис. 17, а). Но все же медленный релаксационный разряд конденсатора начинается примерно в момент t2 и продолжается в течение всей стадии релаксации до последующего отпирания тран зистора.
ХАРАКТЕРНЫЕ ВРЕМЕННЫЕ ИНТЕРВАЛЫ РАБОТЫ БГ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7. Длительность импульса |
ta = |
Тт |
равна |
длительности |
на |
сыщенного |
состояния |
транзистора. |
Выход |
транзистора |
из насы |
щения происходит в момент f = |
ТВц, |
в который |
заряд базы |
0(f) |
становится |
равен граничному (при данном |
мгновенном |
значении |
тока |
/ к = |
заряду, |
т. е. при |
|
|
|
|
|
|
|
|
Q (/') == QH = |
(„п (/') Тя/В.' |
|
(12.52) |
где |
!цц (О |
выражается |
функцией (51), |
а т и — время жизни |
не |
основных носителей в насыщенной базе. Закон же изменения заря
да базы Q = |
Q (?) |
находится, из решения дифференциального урав |
нения заряда |
базы |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i ? + f |
= / б ( П = |
^ & _ е - ' ' / Ѳ я . |
( 1 2 . 5 3 ) |
|
|
dt |
хи |
|
|
« о + |
Гбн |
|
|
при |
начальном условии Q (0) = і'к н (0)тя IB, |
определяемом |
функ |
цией |
(51) при /' = |
0. |
Из |
решения уравнения |
(53) получаем |
|
|
|
|
е - ' ' / 0 |
. . |
- е - ' ' / т п |
Ru+ |
Ro+гбн |
(12.54) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rp + гби |
|
« 2 1 |
( 1 — V ® 4 > |
|
|
|
Подставляя функции (51) и (54) в равенство (52), получаем |
урав |
нение относительно |
t' = Твп |
£ |
ttt, |
которое |
приводится к |
виду |
|
* вп |
|
Т |
/т |
Т |
/Ѳ |
(12.55) |
1 + |
+ |
( ß * _ l ) e |
W T H = |
ß * e W Ö H ) |
где |
В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(12.56) |
ß* = Y |
|
|
|
|
|
|
Трансцендентное уравнение (55) в общем случае решается гра фически [98], (см. также [112]). В часто встречающихся, на практике случаях удается получить весьма точное аналитическое выражение корня уравнения (55). Так, при сравнительно, большой длитель ности импульса (tu > Ѳ н > Зт п и > Ѳм ) из приближенного ре шения уравнения (55) (с определением поправки по методу Ньюто на** получаем
|
|
|
|
|
і я |
г |
ей |
(in s*) (і + ѳн/Ѵ)-\ |
(12.57) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При т н |
= Ѳ н |
и tn |
> |
2т а |
получим |
|
|
|
|
|
|
/ И £ т п |
( ІпЛ. |
|
, |
Х = |
; |
|
(12.58) |
если же |
<и |
< |
т н , |
то |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
; |
n S |
T |
H ( |
l * |
^ |
» |
^ ) ' |
" , l 2 l ( l + ß |
W v ) |
• |
|
(12.58а) |
Для получения предельно коротких импульсов целесообразно |
установить т а |
её З Ѳ Н |
(дальнейшее |
уменьшение |
Ѳ н |
не дает |
сущест |
венного эффекта). Но и в этом случае получение tu |
< т н |
требует |
очень |
сильного выполнения |
неравенства Тр. < |
т ц . |
|
|
|
8. |
Как показало исследование |
[148], при tu |
2> т п |
длительность |
импульса слабо зависит от изменения температуры в пределах от
—50° С до + 6 0 ° С ( Д г У / и = 1%). При соизмеримости |
же длитель |
ностей. tB и т н , но т > / и , наблюдается существенная |
зависимость |
длительности импульса от температуры (у сплавных транзисторов изменение длительности импульсов достигает 50%, а у дрейфовых —
20%). |
Существенное повышение |
стабильности <и достигается при |
работе |
в режиме сильного намагничивающего тока (т^ соизмеримо |
с tlt). |
Однако при этом сильно |
возрастает намагничивающий ток, |
что обусловливает иногда недопустимое возрастание тока коллек тора [98, 112] и приводит к возрастанию выброса Д ( / К г (рис. 17, д). Кроме того, в этом режиме проявляется зависимость длительности импульса от магнитных свойств используемого образца трансфор матора и существенная зависимость этой длительности от напря
жения |
питания. |
/ |
|
|
*> |
Если приближенное |
значение |
корня уравнения / (х) = 0 |
равно |
хѵ то поправка Д* = |
—/ (x{)lf' |
{х{), где /' (я) = df/dx. |
Исследованию возможности формирования предельно корот ких импульсов напряжения транзисторным БГ посвящена рабо та 1149].
|
9. |
Длительность |
фронта |
импульса |
(рис. 17, г, |
д) |
определяется |
из анализа представленной на рис. 16, а схемы [98] |
(иногда учи |
тывается также влияние индуктивности рассеяния |
трансформато |
ра |
[148]). Приближенная величина |
длительности |
фронта |
|
|
|
|
|
|
* |
{ + |
~ R T ~ ) |
+ |
|
|
|
+ (RÔ + r60)[cK |
+ Cf, |
|
(12.59) |
|
|
|
|
|
|
|
|
В |
|
|
где |
Тр — время |
жизни |
неосновных |
|
|
|
носителей в ненасыщенной базе. Фор |
|
|
|
мула (59) справедлива |
при |
выпол |
|
|
|
нении |
неравенств |
|
|
|
|
|
|
|
|
L„ |
» * ф , |
(Яо + Гбо)С » (ф . |
|
|
|
|
Ro+гбо |
|
|
|
|
|
|
|
|
(12.59а) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 18. |
|
В |
работе [112] |
рекомендуется |
|
|
|
|
|
применять: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
— для сплавных триодов |
> |
50 мкГ, С >• 3000 пФ. |
— для дрейфовых триодов Z. > 10 мкГ, С < 500 пФ.
Так как приведенные значения сопротивлений R'0 и л'бо об ратно пропорциональны nil , то из формулы (59) следует, что су ществует оптимальный коэффициент трансформации, при котором длительность фронта минимальна. Именно из условия аіф/ап21 =• •= 0 найдем;
|
|
|
( Л 2 і ) |
опт — |
|
|
|
|
|
|
|
|
\ WX J QU |
|
|
|
|
|
(R0 + |
r6o){BCK |
+ Cn) |
i R |
° + Гб° |
(12.60) |
|
|
|
|
|
|
|
|
(рис. |
10. |
Высота |
и длительность |
выброса |
напряжения |
Д к к г |
17, д, интервал DD — FF) определяются .из эквивалентной |
схемы |
(рис. 18), соответствующей |
запертому |
транзистору. |
Здесь |
(RH)' |
= |
Rätnli |
— приведенное значение |
сопротивления нагрузки |
на нерабочей полярности; влиянием большой емкости С' можно пренебречь ( С S °о). Сопротивление Rr резистора, подключае мого для гашения колебаний на нерабочей полярности (см. рис. 15),
устанавливается из условия |
' |
|
Я8кв = ЯгІІ(Ян)'||Яб= 0,5 У^ц/СІ. |
(12.61) |
При выполнении этого условия затухание накопленной в сердеч нике энергии носит апериодический характер В этом случае [981
где время отсчитывается от момента f = 0, в который ик •= — Е К
и ДиіГг = 0; постоянная времени 0 и получающийся к моменту окончания рабочего импульса ток намагничивания выражаются равенствами:
О |
V = ~ f" = T1"' |
(12-63) |
В момент г* «= Ѳ/2 функция (62) достигает максимума
При значительной величине паразитной емкости выброс напря жения получается недопустимо большой. В этом случае целесооб разно устанавливать индуктивность L из условия ограничения ве-
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
личины |
выброса. |
Так, например, |
при Сп =• 100 пФ, |
/ и •= 5 мкс |
и |
L ß = |
1000 мкГ |
получаем |
Д с / к г £ 0,6 |
£ к . |
|
|
|
|
Длительность |
среза коллекторного |
напряжения |
|
|
|
|
|
|
t0 |
= |
Грег S |
Грег. |
|
|
|
|
(12,65) |
|
Длительность |
хвоста |
импульса |
(рио. |
17,д) |
|
|
|
|
|
|
Г х в ( Г х ) о . І |
S 2 |
V Ä B |
K |
B |
- |
|
(12.66) |
|
11. |
Длительность стадии |
релаксации |
определяется |
временем |
разряда |
конденсатора С от напряжения и = |
U до нуля при работе |
в |
режиме |
автоколебаний, |
когда |
EQ =* — ЕК, |
или до напряжения |
£б — 'ко#б |
при работе в ждущем |
режиме, когда £ б > |
0. |
Наиболь |
шее напряжение на конденсаторе, получающееся к моменту окон
чания |
рабочего импульса (см. рис. 16, б), |
|
|
|
U^n21a\(l^e~'^e"), |
(12.67) |
где Qa |
= (Ro + |
r6a)C |
|
и f*i |
S ЕК. В |
ждущем режиме длительность ТРЕЛ |
стадии релак |
сации, строго говоря, бесконечно велика. Практически можно при нять, что полное восстановление чувствительности БГ к запускаю
щим импульсам наступает через время |
Треп = SRQC, |
где преие- |
брежено сопротивлением R0 < RQ. В режиме автоколебаний кон |
денсатор |
стремится |
перезарядиться |
до |
напряжения |
и ( о о ) = |
= — ( Я к + |
/ко^б). н о |
э т о т |
процесс прерывается в момент, когда |
напряжение и = 0. Отсюда |
определяется |
длительность |
стадии ре |
лаксации: |
/ |
|
|
|
|
|
|
^рел = R 6 C l n |
(\ + |
U |
) . |
(12.68) |
Для ослабления сильной зависимости длительности этой стадии |
от |
тока / к 0 следует ограничить величину сопротивления RQ ИЗ условия |
'ко наиб^б |
Ей- |
|
12. Различные варианты схем построения -транзисторных |
БГ |
(схема без времязадающего конденсатора, схема с общей базой,
схема с эмиттерным конденсатором и др.), |
особенности их работы |
и методы расчета описаны в справочнике |
[15]. |
ГЛ А В А Т Р И Н А Д Ц А Т А Я
ИМПУЛЬСНЫЕ Д Е Л И Т Е Л И ЧАСТОТЫ
§13.1. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ ДЕЛИТЕЛЯ ЧАСТОТЫ
1.Назначение. Часто бывает нужно производить одно временную синхронизацию нескольких релаксационных генераторов импульсов, которые должны работать с раз
ными частотами повторения Fab Fn2,связанными |
|
между |
собой |
неизменным соотношением: |
nxFal |
— n2Fn2 |
— -••> |
где tlx, |
п2, |
— заданные ц е л ы е |
числа. |
Такая |
задача |
встречается, в частности, в устройствах калибровки данных измерений (например, дальности в радиолокационных стан циях). С этой целью генераторы импульсов синхронизуются о д н и м автогенератором стабильной частоты FR (рис. 1), которая должна быть кратна всем заданным частотам:
PR |
= ihFci = n2Fa2=... |
(13.1) |
Целые числа пи пъ |
называются коэффициентами |
деле |
ния частоты (к. д. ч.). Каждый из синхронизуемых гене раторов работает в режиме деления частоты, т. е. в режи ме захватывания внешним синхронизирующим напряжением, воздействующим на генератор. При этом частота повторе ния импульсов того или иного генератора (Fui) в целое число (rt;) раз меньше частоты F%. В частном случае, ког
да iit |
= 1, получается |
простой |
режим синхронизации. |
2. |
Режим деления |
частоты |
также широко применяется |
для синхронизации релаксационных генераторов с целью
стабилизации их частоты повторения Fn. В качестве син хронизующего генератора часто используется кварцован-
ный |
генератор |
синусоидальных |
колебаний, приемлемая |
*> В принципе возможна также |
работа в режиме, когда гц |
равно |
отношению |
двух целых чисел |
[2а, 150]. |