Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Туровский Я. Техническая электродинамика

.pdf
Скачиваний:
77
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
16.82 Mб
Скачать

1. Главное квантовое число / г = 1 , 2, 3, . .., оо, опреде­ ляющее большую ось эллиптической орбиты, т. е. основ­ ной энергетический уровень или электронную оболочку. Исследования, проводимые с помощью катодных лучей, показали, что в оболочках находится по несколько элек-

Последняв оболочка

 

 

 

 

 

-

 

1

1

«

1

я

I

 

 

 

 

Наинизшии

1

энергетический

уроаень \ Первая оболочка^

 

 

-\

 

 

 

" Т

" I

 

1

 

 

 

 

 

I

 

м

 

N

 

 

 

 

 

\ считая

от ядра

 

I

 

 

 

 

 

 

q

| Слои оболочки

| n=1

I п = г

\/> = 3 I л=4 I л=5

I n=6

 

I n=7

I Главное

кван-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

товое

число

Рис. 1-2. Схема

«разрешенных»

энергетических

уровней

 

электронов

в многоэлектронном

атоме

(без

сохранения

масштаба).

 

 

/ — о р б и т а л ь н о е

(«побочное»)

квантовое число;

s,

р, d,

f — подгруппы («суб ­

о б о л о ч к и » ) ;

2,

6 и

т.

д . — максимальное

д о п у с т и м о е

количество

электронов

в д а н н о й подгруппе .

тронов, образующих определенные комплексы, так назы­ ваемые электронные слои. Слои эти по порядку удаления от ядра обозначают буквами К, L , М, N, О, Р, Q (рис. 1-2).

2. Орбитальное квантовое число, называемое также «побочным», 1 = 0, 1,2,..., я — 1 , которое разбивает элек­ троны каждой оболочки на п подгрупп («субоболочек») с несколько отличными энергиями. Это квантовое число определяет малую ось эллиптической орбиты. Эти энер­ гетические подуровни образуют семейства траекторий

20

в пределах каждого слоя. Их обозначают буквами

s, р,

d, f (рис. 1-2).

 

mt=0,

3.

Орбитальное магнитное

квантовое число

+ 1,

± 2 , ... , ±1, определяющее

пространственное

кван­

тование плоских эллиптических орбит. Оно связано с су­ ществованием магнитного момента электрона, вызываю­ щего направленную ориентацию атома во внешнем (на­ пример, земном) магнитном поле.

4. Спиновое магнитное квантовое число ms=±l/2, определяющее ориентацию вектора (оси) спина электро­ на (с левым или правым вращением).

Оба магнитных квантовых числа m-L и та определяют количество электронов в подгруппе. На энергию электро­

на

величины nti и ms

не влияют.

з а п р е т о м

П а у ­

 

Согласно принципу, называемому

л и

(1925 г.), никакие

два электрона

в атоме не

могут

иметь один и тот же набор перечисленных выше четырех квантовых чисел. Так как все квантовые числа связаны между собой, то это означает, что в определенной обо­ лочке и подгруппе может существовать строго опреде­

ленное количество электронов,

«заполняющее» данный

энергетический уровень (рис. 1-2).

 

Например, для /г = 1 .возможны исключительно

числа

1=0, mi=0, m s = ± l / 2 , т. е. в

первой оболочке

может

иметься не более двух электронов. Если там находится один электрон, то получаем химически активный атом водорода. Если же оболочка содержит оба электрона, то получаем химически нейтральный гелий с заполненной оболочкой.

В

случае оболочки п = 2 возможны уже две подгруп­

пы 1

= 0 и 1=1 с числами

/пг = 0,0,

+ 1 , — 1 , а также tns =

= + 1/2 и 1/2, т. е. всего

восемь

электронов в оболочке

и т. д.

Таким образом, все подгруппы s могут поместить не более двух электронов, подгруппы р— до шести электро­ нов, d—10 электронов и f—14 электронов. Максимальное число подгрупп в оболочке равно п. Максимальное число электронов в подгруппе равно 2(2/+1).

В нормальном состоянии электроны занимают пооче­ редно наинизшие (наиболее близкие к ядру) энергетиче­ ские уровни. После заполнения данной оболочки начина­ ется формирование новой оболочки. Однако не всегда все подгруппы, представленные на рис. 1-2, целиком за­ полняются электронами. В некоторых случаях в много-

21

электронных атомах отталкивающие усилия остальных электронов, связанных с атомом, являются причиной то­ го, что энергетически оказывается более выгодно распо­ ложение нового электрона в высшей подгруппе (рис. 1-2), несмотря на то, что осталась еще не заполненной под­ группа, ближайшая к ядру (сравни группы М и N на рис. 1-2 и 1-12). Элементы с таким строением атомов на­

зывают переходными. К ним принадлежат все

элементы

с ферромагнитными свойствами, как Fe, Со, Ni и др.

Химические свойства

данного элемента определяются

в основном количеством

электронов в крайней

внешней

оболочке. Поэтому химические свойства обладают пе­ риодичностью при переходе от атомного числа Z = l до Z=92, соответствующего количеству электронов в атоме. Электроны, находящиеся на внешней главной орбите (слое), называют поэтому валентными электронами. Именно эти электроны и определяют электрическую про­ водимость тела.

И о н и з а ц и я . Чтобы поднять электрон на энергети­ ческий уровень, более высокий, чем тот, который он зани­ мал в нормальном состоянии атома, необходимо сооб­ щить ему фотон со строго определенной энергией (напри­ мер, световой), равной одному кванту. Тогда говорят, что атом возбужден. Легче всего возбуждаются валентные электроны, так как ближайший более высокий энергети­ ческий уровень всегда для них свободен, а расстояния между внешними энергетическими уровнями являются меньшими, чем расстояния между внутренними уровня­ ми. Возбуждение электрона может привести к полному его отрыву от атома. Это вызывает ионизацию атома. Образуется тогда однократно заряженный положитель­ ный ион. Возможно образование двукратных ионов. Ко­ гда атом захватывает на свою орбиту лишний электрон, образуется отрицательный ион. Потенциал ионизации и потенциал возбуждения (резонансный потенциал) выра­

жают

соответствующей

энергией

в

электроно-вольтах

(эВ). Энергия

1 эВ

равна

энергии,

которую

приобретает

1 электрон

при

перемещении

между

точками

с

разностью

потенциалов

1 В. Ионизирующая энергия

составляет для

атомов

водорода

13,5

эВ,

гелия

24,5

эВ,

кислорода

13,6 эВ,

неона

21,5

эВ,

ртути 10,4

эВ

и

азота

14,5 эВ.

Частично или полностью ионизированный газ называется плазмой. Степень ионизации плазмы изменяется при изменении температуры, Электрическая проводимость

22

Плазмы в присутствии магнитного поля является тензор­

ной величиной (анизотропной).

 

К р и с т а л л и ч е с к а я с т р у к т у р а

м е т а л л о в .

Металлы имеют кристаллическую структуру, т. е. атомы металлов расположены в пространстве регулярным об­ разом.

Среди 14 возможных комбинаций расположения ато­ мов в пространстве для металлов самыми важными явля­

ются три типа

элементарных решеток, показанные па

Fe

Си

 

 

а)

б)

 

в)

 

Рис. 1-3. Виды элементарных

кристаллических

ячеек, наиболее

часто

встречающихся

в ме­

таллах.

 

 

 

 

а

объемно - центрированная кубическая

решетка;

б

гранецентрированная

кубическая решетка; в —

гексагональная решетка с

самой

плотной упаковкой

пространства.

 

 

 

 

рис. 1-3. Металлы натрий, ванадий, хром, вольфрам кри­

сталлизуются в объемно-центрированную

кубическую

решетку (рис. 1-3,а); благородные

металлы медь, сереб­

ро, золото,

никель,

алюминий — в

гранецентрированную

кубическую

решетку

(рис. 1-3,6). Железо

может высту­

пать в двух различных кристаллических

формах. При

нормальных

температурах оно имеет объемно-центриро­

ванную

кубическую

решетку

(рис. 1-3,о), а при темпера­

турах,

превышающих

906 °С,

приобретает

гранецентри­

рованную кубическую

структуру

(рис. 1-3,6).

Свойства кристаллических тел существенным образом

зависят от расположения

атомов в кристалле. Распреде­

ление атомов вдоль одной из осей кристалла

может отли­

чаться

от распределения

атомов вдоль другой оси. От­

сюда

и вытекают различные физические

свойства тел

в различных направлениях, т. е. анизотропия кристаллов.

Физические свойства металлов в твердом состоянии за­ висят главным образом от их кристаллографической структуры. Например, плотность металла при произ-

23

вольной температуре можно

рассчитать, зная

структуру

и данные элементарной пространственной

ячейки ме­

талла.

 

 

Э л е к т р о п р о в о д н о с т ь

м е т а л л о в .

Сближение

отдельных атомов в твердом теле и особенно в кристалле вызывает взаимное проникновение электронов одного атома в другой, а возникающие значительные силы взаи­ модействия атомов вызывают расщепление установлен­ ных энергетических уровней на большое число непо­ средственно примыкающих друг к другу уровней энер­ гии, разрешенных для движения электронов. Это явле­ ние проявляется, очевидно, сильнее всего на внешних оболочках. Взаимодействие атомов в металлах настоль­ ко сильно, что для внешних валентных электронов уста­ навливается практически непрерывная зона непосредст­ венно соприкасающихся между собой «дозволенных» энергетических уровней. В металлах только часть примы­ кающих друг к другу энергетических уровней валентной зоны занята электронами, остальные высшие энергети­ ческие уровни, образующие тоже непрерывную зону, сво­ бодны от электронов. Таким образом, если в отдельном атоме для возбуждения валентного электрона и перехо­ да его на высший энергетический уровень требовалось сообщение ему определенного количества дискретных квантов энергии, в металле непрерывность дозволенных энергетических уровней позволяет поднять валентный электрон на высший свободный уровень с помощью про­ извольно малого количества энергии. Если теперь в об­ разце металла создать электрическое поле, то силы воз­ действия этого поля вызовут переход электронов, нахо­ дящихся на поверхности заполненной части валентной зоны, на высшие свободные энергетические уровни этой зоны, а также их движение в сторону высшего потенциа­ ла наведенного электрического поля. Это движение элек­ тронов как раз и есть электрический ток, а само описан­ ное явление называется электронной проводимостью.

Каждую частично заполненную непрерывную зону до­

зволенных энергетических

уровней называют в связи

с этим зоной проводимости.

Электроны,

находящиеся

в полностью занятых зонах, не могут, таким

образом, как

правило, участвовать в электронной проводимости из-за отсутствия достаточно близкого свободного уровня энер­ гии, который электрон мог бы занять, получив от элек­ трического поля небольшую энергию. Это свойство элек-

24

тронов имеет важное значение для так называемых полу­ проводников.

В общем случае говорят, что валентные электроны находятся в металле в «свободном» состоянии, образуя своеобразный «электронный газ», заполняющий про­ странство, образуемое регулярно размещенными поло­ жительными ионами. Газ этот может двигаться под влия­ нием приложенного электрического поля. Свободные электроны не могут, однако, выйти наружу металла, так

Рис. 1-4. Типичная кри­

вая

зависимости

удель­

ного

электрического

 

со­

противления

металла

от

температуры.

 

 

 

 

Т

а б с о л ю т н а я

темпера ­

тура

п е р е х о д а

в

состояние

сверхпроводимости,

К;

/

обычный проводник;

2

сверхпроводник .

 

 

 

 

как этому препятствует разность потенциалов на границе металл — вакуум (или металл — диэлектрик). Для того чтобы электрон мог выйти из металла, требуется преодо­ ление этой разности потенциалов, что связано с выпол­

нением

некоторой

работы, называемой работой выхода

L = eV.

Некоторая

часть электронов, тем большая, чем

выше температура металла, имеет достаточно большую энергию, чтобы выйти из металла. Явление это называ­ ется термоэлектронной эмиссией.

Проводимость металлов уменьшается с увеличением температуры, что объясняется увеличивающейся осцил­ ляцией атомов при практически неизменном числе элек­ тронов. Осциллирующие атомы препятствуют свободно­ му перемещению электронов (а точнее, электронных волн). На рис. 1-4 представлена типичная кривая изме­ нения удельного электрического сопротивления р метал­ ла в функции температуры. Эта зависимость в определен­ ных пределах может быть аппроксимирована с помощью прямой линии рг = р 0 ( 1 + й ^ ) .

Если через N обозначить число свободных электронов с зарядом е, приходящееся на единицу объема провод­ ника, через v — результирующую скорость электронов,

25

полученную ими в результате воздействия электрическо­ го поля Е и опаздывающих столкновений с осциллирую­ щими под влиянием тепла атомами, то ток i через по­ верхность А будет выражаться формулой

i = NevA.

(1-5)

Вводя понятие подвижности электронов ц.е=у/Е, по­

лучаем на основании закона Ома E = Jp важную формулу

для удельного

электрического сопротивления

металла

 

р = 1/(Nepc).

(1-6)

Э ф ф е к т

Х о л л а в м е т а л л а х . Для

вычисления

удельного электрического сопротивления металла необ­

 

 

+ Ч-^-т-7-т

ходимо

знать

плотность

 

 

свободных

 

валентных

 

 

 

 

электронов

и их

подвиж­

v к

А

 

 

ность. Один

из

методов

 

 

определения

этих

величин

 

 

 

 

 

 

 

 

основан на

использовании

 

а)

 

 

эффекта

Холла. Если че­

 

 

 

рез образец

металла (рис.

 

 

 

 

Рис. 1-5.

К объяснению

эффекта

1-5), помещенный

в одно­

Холла.

 

 

 

родное

магнитное

поле с

а — векторные; б — скалярные

соотно­

магнитной

индукцией В,

шения.

 

 

 

направленной

вдоль

оси

 

 

 

 

Z, протекает ток i в

направлении оси X,

то на

движу­

щиеся

в

металле электроны

действует

магнитная

сила

 

 

 

- e(vXB),

 

 

 

 

(1-7)

направленная вдоль оси Y в отрицательном

направлении;

сила эта прижимает электроны к нижней стороне про­ водника.

Вызванное этим неравномерное распределение заря­ дов является причиной появления в металле поперечного электрического поля Ен, направленного вдоль отрица­ тельной оси Y и противодействующего накоплению элек­ тронов в нижней части проводника. Явление это назы­ вается эффектом Холла.

Электростатическая сила F = eEH, действующая на электроны благодаря эффекту Холла, должна в состоя­

нии равновесия компенсировать магнитную силу

(1-7),

т. е.

 

еЕц — evB.

(1-8)

20

Вводя согласно (1-5) плотность тока J=Nev,

полу­

чаем:

(1-9)

eEn = JB/N.

Величину

 

RH=-\/(Ne)=-EH/(JB),

(1-Ю)

характеризующую свойства тела, называют постоянной Холла.

Уравнение (1-10) позволяет экспериментально опре­

делить как постоянную Rn, так и плотность

свободных

электронов N в

проводнике.

Зная постоянную

Холла,

а также удельное электрическое сопротивление

металла,

можно в свою очередь на основании

(1-6)

определить

подвижность электронов

и,,.. Учитывая

размеры

металли­

ческого

образца

(рис. 1-5,6), (1-10)

можно

выразить

в более

удобном

виде:

 

 

 

 

 

 

 

Eu,„

= R„]Bld.

 

 

(1-11)

С в е р х п р о в о д и м о с т ь .

Явление

сверхпроводимо­

сти тесно связано

с получением низких температур с по­

мощью жидких газов. В 1877 г. Кеетэ

наблюдал

образо­

вание облачка жидкого кислорода. В 1883 г. 3. Врублевски и К- Ольшевски впервые получили ожижение стой­ кого газа (воздуха и азота в статическом состоянии и водорода — в динамическом, в виде облачка). В 1898 г. И. Дыоар получил жидкий водород, и в 1908 г. Каммер-

лииг-Оннес

ожижил

наиболее стойкий газ — гелий, до­

стигнув

4,2

К. С этого времени началось быстрое разви­

тие физики

низких температур,

так называемой

криоге-

пики, что впоследствии привело

к открытию

Каммер-

линг-Оппесом в 1911

г. сверхпроводимости.

 

 

Явление

это характеризуется

тем, что вблизи

темпе­

ратуры

абсолютного

нуля (273,16 °С) удельное

элек­

трическое сопротивление некоторых металлов начинает стремительно уменьшаться до нуля пропорционально пя­ той степени абсолютной температуры тела (рис. 1-4). Ис­ чезновение сопротивления происходит почти скачкооб­ разно, в пределах разности температуры 0,01 °С. Многие металлы переходят в состояние сверхпроводимости при температурах несколько выше абсолютного нуля. Такие металлы называют сверхпроводниками. К ним принад­ лежат около 25 элементов и около тысячи известных соединений и сплавов. Это обычно металлы с меньшей электрической проводимостью, у которых свободные элек­ троны проводимости обладают способностью объединять-

27

ся в пары при определенной температуре (температуре перехода) таким образом, что удельное электрическое со­ противление, вызванное столкновением одного электрона с атомом кристаллической решетки, сводится точно к ну­ лю в результате отскакивания второго партнера, без по­ терь энергии. Сверхпроводники теряют свойства сверх­ проводимости, когда индукция магнитного поля на их

Рис. 1-6. Зависимость критической индукции магнитного поля от температуры для некоторых сверхпроводников.

а — идеальные «мягкие» сверхпроводники [Л. 1-16]; б — неидеальные «твер­

дые» сверхпроводники (Кунцлер, 1962 г.).

поверхности превысит определенное для данного металла

и

данной

температуры

критическое

значение

Вс

(рис.

1-6)

или когда будет превышена критическая

плот­

ность

тока

/ с в сверхпроводнике, которая,

впрочем,

точ­

но связана

с критической

индукцией Вс

(условие Сильс-

би,

1916 г.). Температуру

перехода при

Вс

= 0 и / с = 0 на­

зывают критической температурой Тс. Выше критических параметров упомянутые пары электронов распадаются и

удельное

электрическое

сопротивление

металла

возвра­

щается

к

нормальному

значению.

 

 

Сверхпроводники подразделяют на

два

основных

класса:

1) идеальные

или «мягкие»

сверхпроводники

(чистые металлы — рис. 1-6,а) с сильными диамагнитны­ ми свойствами, вызванными тем, что ток сверхпроводи­ мости может протекать в них исключительно в очень тон-

28

ком поверхностном слое; 2) неидеальные или «твердые» сверхпроводники (соединения и сплавы — рис. 1-6,6), со­ держащие сверхпроводящие волокна, размещенные во всей массе металла, благодаря чему как постоянное маг­ нитное поле, так и ток могут распределяться по всему объему тела. Эти волокна наподобие миниатюрных сверхпроводящих контуров могут «захватывать» магнит­ ное поле, благодаря чему «твердый» сверхпроводник об­ ладает гистерезисом. Твердые сверхпроводники не име­ ют такой отчетливо выраженной границы перехода (кри­ вые Вс), как мягкие сверхпроводники.

Хотя

мягкие сверхпроводники известны уже

около

60 лет, они не нашли широкого применения

из-за

малых

значений

критической индукции (рис.

1-6,а). Только от­

крытие и исследование в 1960—1961 гг.

волокнистых

(твердых) сверхпроводников, обладающих

критическими

индукциями, доходящими до В С = Ю Т ,

и

критическими

плотностями тока до 104—105 А/см2 , вызвало значитель­ ное развитие и широкое практическое применение сверх­ проводимости. В настоящее время производятся десятка­ ми и даже сотнями штук :[Л. 1-24] сильные магниты без стали, предназначенные для магнитогидродинамических генераторов, для плазменных ловушек при исследовании контролируемой термоядерной реакции и т. п. Получе­ ние сильных магнитных полей практически без потерь мощности в обмотках открывает возможность радикаль­ но улучшить конструкцию сверхмощных трансформато­ ров [Л. 1-29], синхронных генераторов и двигателей без стали и потерь мощности в цепях возбуждения ,[Л. 1-25]. Имеются также широкие перспективы использования сверхпроводимости в элементах автоматики, технике бе­ зопасности, в электрических кабелях и т. п. ![Л. 1-10, 1-16].

До сих пор самые высокие температуры и критиче­ ские поля наблюдались в соединениях Nb3 Sn, V3 Si, V3 Ga и NbAlGe с около 20 К) . Однако они слишком хруп­ кие и дорогие. Поэтому в настоящее время наиболее широкое применение получил сплав ниобия с цирконием Nb—Zr 25%, легко поддающийся пластической обра­ ботке.

Главным препятствием на пути широкого внедрения техники сверхпроводимости в народное хозяйство явля­ ется не только низкое значение критических параметров известных сверхпроводников, но и высокая стоимость

29

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ