Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Третьяков Ю.Д. Химия нестехиометрических окислов

.pdf
Скачиваний:
20
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
14.37 Mб
Скачать

Известно, что в окиси алюминия дырочная проводимость сме­

няется электронной

при

переходе от окислительной атмосферы

к восстановительной

[95].

По-видимому, такой переход сопровож­

дается изменением величины А, а следовательно, и D. Этим можно объяснить увеличение скорости спекания окиси алюминия в атмос­ фере Н2.

Для окислов, состав которых очень близок к стехиометриче­

скому, т. е. A <2K s/2 и Д < Д К.'\2, уравнение (4.67) принимает следующий вид:

DDк 4 /г

к

Так как для хороших изоляторов Ks^>Ku то коэффициенты диф­ фузии, получаемые при спекании строго стехиометрических окис­ лов, должны быть наибольшими. Итак, подводя итог вышесказан­ ному, можно ожидать, что наибольшую скорость спекания имеют чистые стехиометрические окислы. По мере отклонения от стехио­ метрии скорости спекания понижаются до значений, соответствую­ щих коэффициенту самодиффузии наиболее подвижного иона окисного кристалла.

При постановке экспериментов, направленных на выяснение роли нестехиометрии в механизме и кинетике спекания окислов, следует соблюдать осторожность, имея в виду, что в процессе перехода от образцов с одной нестехиометрией к другой может измениться дислокационная структура материала, играющая очень важную роль в процессах спекания.

Систематические исследования влияния нестехиометрии на интенсивность спекания окислов отсутствуют. Авторы работы [96] показали, что плотность образцов ІЮг+ѵ при одинаковых усло­ виях спекания увеличивается по мере возрастания нестехиометрии. Учитывая, что в двуокиси урана избыточный кислород, занимаю­ щий междоузлия решетки, является наиболее подвижным элемен­ том структуры [97], следует ожидать, что скорость спекания определяется величиной коэффициента диффузии кислорода, ко­ торая пропорциональна равновесной концентрации ионов кислоро­ да в междоузлиях, т. е. величине у.

Для типичной фазы внедрения, какой является окись цинка, интенсивность спекания порошкообразных прессовок также ока­ залась чувствительна к нестехиометрии [98], хотя зависимость скорости спекания от избытка цинка является более сложной, чем

симбатное изменение.

Большой интерес представляет исследование влияния несте­ хиометрии на спекание вюстита [99]. Порошкообразные образцы вюстита с различной нестехиометрией от FeOi,o66 до БеОщгб были синтезированы путем обработки пароводородными смесями равно­ весного состава в течение времени, достаточном для достижения равновесия, и после прессования подвергались спеканию в тех же

318

условиях, в которых осуществлялся синтез. В табл. 4.6 представ­ лены данные, характеризующие состав, рентгенографическую и пикнометрическую плотность образцов после спекания.

 

 

 

Т а б л и ц а

4.6

Плотность поликристаллических образцов вюстита FeO^ после спекания

 

порошкообразных прессовок при 1200°С

 

 

Коэффициент у в

Рентгенографиче­

Пикнометрическая

Пористость,

%

формуле FeO^

ская плотность, г / с м 3

плотность, г / с м 3

1,036

5,779

5,45

5,7

 

1,078

5,746

5,44

5,3

 

1,036

5,725

5,27

7,9

 

1,095

5,714

5,30

7,2

 

1,116

5,633

5,00

11,3

 

1,123 •

5,617

5,01

10,3

 

Легко видеть, что с увеличением

нестехиометрии интенсив­

ность спекания ухудшается. Исходя

из

модели Кучинского

[86]

и элементарных расчетов, выполненных

авторами работы

[99],

можно ожидать, что для типичной фазы вычитания, какой являет­ ся вюстит, скорость спекания лимитируется движением катионов, перемещающихся по вакансионному механизму. Если бы концент­ рация свободных вакансий возрастала по мере увеличения несте­ хиометрии, то можно было ожидать при этом увеличение интен­ сивности спекания.

Наблюдаемый экспериментально противоположный эффект является следствием взаимодействия вакансий и ионов повышен­ ной зарядности с образованием кластеров [100]. С увеличением нестехиометрии кластерообразование усиливается [101] и связан­ ное с ним упорядочение вакансий сопровождается уменьшением подвижности ионов железа в вюстите и уменьшением интенсив­ ности спекания.

Влияние дефектов нестехиометрии на процесс спекания фер­ рошпинелей было изучено недавно [102—105] на примере магне­ тита Fe304+V и никелевого феррита составов ЫіЕегС^+ѵ и Nio,8Fe2,204+v. Характер дефектов нестехиометрии определялся сопоставлением рентгеновской и пикнометрической плотности, причем последняя измерялась с высокой точностью (+0,007 г/см3). К сожалению, авторы не определяли кислородную нестехиометрию образцов химическими методами, что затрудняет однозначную интерпретацию полученных ими результатов.

Было установлено, например, что при изотермическом спека­ нии магнетитовых прессовок в равновесных условиях (850° С, газо­ вая смесь С 02+ 15 °/о СО) усадка прекращается после трехчасового нагрева и повторный обжиг в тех же условиях после быстрого охлаждения не дает никакого эффекта. Однако если после быст­ рого охлаждения образцы подвергнуть низкотемпературному

3 1 9

(200—400° С) окислению в атмосфере СО2, не приводящему к фа­

зовому распаду,

то повторный

изотермический

обжиг

(850° С,

С 02+15% СО)

сопровождается

дополнительной

усадкой

(~ 1 —

2%). Причиной

этого, по мнению авторов, является увеличение

концентрации катионных вакансий при окислительном обжиге. Еще большее активирующее влияние на спекание магнетита

оказывает

его окисление при медленном

охлаждении

образцов

в газовой

смеси С 02 + СО, обедняемой окисью углерода

по мере

охлаждения от температуры предварительного спекания

(850°С).

Нелинейность зависимости параметра

решетки от

степени

окисления при отсутствии признаков образования гематита авторы объясняют образованием кластеров — искаженных областей кристаллической решетки, которые имеют состав, близкий к Fe20 3 и являются микроскопическими выделениями, когерентно связан­ ными с матричной структурой. Эти выделения и при высокой кон­ центрации не идентифицируются рентгенографически как само­ стоятельная фаза. Активное влияние указанных объемных дефек­ тов (кластеров), по-видимому, связано с их участием в упругоэста­ фетном механизме массопереноса при спекании [27].

У никелевого феррита состава Ni0,8Fe2j2O4+v было также обна­ ружено активирующее влияние окислительно-восстановительных реакций на интенсивность спекания. Наибольшего эффекта уда­ лось достичь, применяя окислительно-восстановительный цикл, со­

стоявший из

следующих этапов: 1) отжиг в воздушной атмосфере

при 1200° С;

2) низкотемпературный (300° С)

отжиг в течение

5 час на воздухе;

3) восстановительный отжиг при 900° С в атмос­

фере СО2 + 40%

СО; 4) окислительный отжиг

при 900° С на воз­

духе с последующим медленным охлаждением.

 

В результате проведения одного такого цикла удалось умень­ шить закрытую пористость на 35%. На основании сопоставления рентгеновской и пикнометрической плотности было установлено,

что

кристаллическая решетка ферритов NiFe20 4+v и

Ni0.8Fe2,2O4+v

после отжига

при 1200—1400° С содержит

вакансии

как

в анион­

ной,

так и в

катионной

подрешетках,

причем

для

образцов

Ni0,8Fe2)2O4+v

(во всяком

случае отжигавшегося

при

1200° С) эти

вакансии не являются беспорядочно распределенными точечными дефектами, а сгруппированы с образованием кластеров — полу-

микроскопических искаженных областей

состава,

близкого

к Fe20 3.

 

процессе

Степень «активности» дефектов нестехиометрии в

спекания тесно связана с наличием в системе линейных и поверх­ ностных дефектов. Так, например, повышенная концентрация то­ чечных дефектов, созданная резкой закалкой материала с высоких температур, не всегда приводит к положительному эффекту, так как избыточные точечные дефекты легко аннигилируют при после­ дующем нагреве, мало влияя на конечную плотность материала [131]. Вместе с тем важнейшую роль играет химическая и терми­ ческая предыстория спекаемого порошка. Это было показано на

320

многих ферритообразующих окислах и ферритах [131—134]. На­ пример, использование порошков NiO, полученных разложением сульфата никеля, позволило получить высокоплотные черепки при

температуре

спекания

1200° С,

тогда как

у «гидроокисной» и

«оксалатной»

закиси никеля такая

плотность достигалась при

1500° С, а

у

закиси никеля, полученной из

ацетата или

нитрата,

она далека

от рентгенографической

и после спекания при 1500° С

[131].

 

 

 

 

 

 

 

Указанные явления

удалось

объяснить

[131, 135],

полагая,

что наиболее активную роль в процессах спекания играют дисло­ кации и макроскопические дефекты типа границ раздела между элементами структуры. Эти дефекты, несомненно присутствующие в кристаллической решетке NiO, полученной термическим разло­ жением солей, стабильны при достаточно высоких температурах и благоприятствуют спеканию, выступая в качестве дополнительных источников или стоков вакансий и уменьшая этим самым диффу­ зионную вязкость спекаемого материала (4.64).

Опыты по кинетике спекания закиси никеля [127] показали, что процесс выстраивания дислокаций в стенку блочных границ с соответствующим увеличением расстояния между источниками и стоками вакансий очень чувствителен к химической предыстории. Так, у закиси никеля, полученной из оксалата, дислокационная сетка изменяется намного мобильней, чем у «сульфатной» закиси никеля, для которой уменьшенные размеры дислокационной сетки сохраняются вплоть до температур интенсивного спекания. Учиты­

вая, что коэффициент диффузионной вязкости t| c c ( L ) 2, где L — расстояние между ближайшими источниками и стоками вакансий, легко понять, что «сульфатная» закись никеля более активна при спекании.

Таким образом, наиболее важную роль в процессах спекания играют вакансии, ассоциированные со свободными дислокациями.

Гетерогенный катализ

Несмотря на многообразие теорий катализа [106— 111], боль­ шинство исследователей связывают каталитическое действие кри­ сталлических тел с наличием дефектов на их поверхности. При этом определенную роль могут играть как атомные, так и элект­ ронные дефекты. Известно, что поверхность твердых тел, даже когда она кажется очень гладкой, в действительности имеет мно­ гочисленные субмикроскопические дефекты — вакансии, ступени роста, выходы дислокаций, оборванные химические связи и т. д.

Молекулы реагентов охотно захватываются нескомпенсиро­

ванными химическими связями

и с их помощью удерживаются на

поверхности катализатора. В

результате

такого

взаимодействия

некоторые

связи внутри

адсорбированных

молекул ослабевают

настолько,

что молекулы

либо

разрушаются, либо

превращаются

в радикалы, более способные

к взаимодействию.

Каталитическая

321

активность кристалла тем выше, чем лучше реагенты адсорбиру­ ются на поверхности, сохраняя при этом подвижность, и чем сла­ бее продукты реакции удерживаются поверхностью.

Симбатность изменения электрических свойств и каталитиче­ ской активности ряда кристаллов послужила основой для развития

 

 

 

 

электронной

теории

ка-

Д ( г а з )

 

 

тализа

[107,

109].

Со­

' +1х

 

 

 

гласно

 

представлениям

 

 

 

Волькенштейна [109],

мо­

Д (поверх)—

 

 

--/) *Д(поверх)

 

 

лекулы реагентов, адсор­

ff

 

бируясь

на

поверхности

0 -

<

 

катализатора,

 

захваты­

^

Я Д (поверх) zfc ЯД (г а з )

 

-£>' * Я (поверх)-

J

 

вают электрон или дырку,

 

в результате

чего

их

2%

 

 

 

 

 

 

связь

с

поверхностью

R (поверх)

 

 

/' М

 

 

 

упрочняется.

 

Именно

Я ( г а з )

 

 

этот

захват

 

нарушает

 

 

 

 

связь внутри

адсорбиро­

Р и с . 4.6.

С х ем а к а та л и ти ч еск о й р еак ц и и

ванных

молекул, разру­

 

А + Д ^ А Д

 

шая их или превращая в

 

 

 

 

активные радикалы.

 

Первостепенную роль в электронной теории катализа играет

положение

уровня

Ферми, т. е.

термодинамический

потенциал

электронов на поверхности кристалла.

Каталитические

реакции,

связанные с переносом электронов

(а к ним относится большинст­

во реакций на окисных катализаторах), условно подразделяют на две группы: донорные и акцепторные. Первые ускоряются дырками и протекают тем быстрей, чем ниже положение уровня Ферми, вторые, напротив, ускоряются электронами.

Рассмотрим более подробно роль катализатора

на примере

модельной реакции

 

А + D = AD,

(4.71)

где А и D — молекулы реагентов, обладающие донорной и акцеп­ торной способностью соответственно, AD — продукт реакции (при­ мером может служить реакция окисления СО кислородом, так как

молекула СО, имеющая свободную электронную пару хСх О :, является донором, а атом О — акцептором :0).

Как видно из схемы на рис. 4.6, первоначальной стадией про­ цесса является адсорбция нейтральных атомов (стадии 1 и 1'), затем происходит перенос заряда между поверхностью катализа­ тора и адсорбированными молекулами, завершающийся образо­ ванием D+ и А~ (стадии 2 и 2'). Далее происходит образование поверхностного соединения (стадия 3) и его десорбция (стадия 6). Одновременно идет аннигиляция электронов и дырок (реакция 5). Расчеты Гаррета [112] показали, что адсорбция и десорбция нейтральных частиц совершается достаточно быстро, для окисных

322

систем быстро происходит и рекомбинация ионов е'-р/г-И). Поэто­ му лимитирующими каталитическую реакцию процессами могут быть только стадии 2, 2' и 3.

В результате анализа, выполненного в работе [6],

удалось

оценить скорость для различных лимитирующих стадий.

стадией

I. Каталитическая

реакция

лимитируется

D+(noßepx) +e' = Dx (поверх).

 

 

Скорость реакции выражается уравнением

 

Q =

[D*] (C/td^id +

CpoPs),

(4.72)

где [Dx] — мольная доля нейтральных атомов, адсорбированных на поверхности катализатора, С„в —■константа скорости реакции

D++ e'-)-Dx , CpD — константа скорости реакции D+—/v-vD*, ps

концентрация дырок на поверхности катализатора, П\ъ —■концент­ рация электронов, выражаемая соотношением

 

2nm^kT

 

t l \ D =

exp

kT

 

 

a Ed — энергия ионизации адсорбированных атомов с донорными свойствами.

II.Каталитическая реакция лимитируется стадией А~ (поверх)+

+К Ах (поверх).

Тогда скорость реакции выражается уравнением

 

Q = [Ах] раРа +

CnAtis),

 

 

(4.73)

где

[Ах] — мольная доля

нейтральных

атомов

А,

адсорбированных

на

поверхности катализатора,

Сра — константа

скорости

реакции

А~ (поверх) -f- h -*-Ах (поверх),

СпА— константа

скорости

реакции

А- (поверх) — е' ->-Ах (поверх),

ns — концентрация электронов на по­

верхности катализатора,

а рід — концентрация

дырок, выражаемая

уравнением

2nm?kTyi>

f

 

 

 

 

Р іа =

 

 

 

 

 

expv

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где Еа — энергия ионизации адсорбированных атомов с акцеп­ торными свойствами.

III.Каталитическая реакция лимитируется стадией Ах (поверх)

+Dx (поверх) = AD (поверх).

Вэтом случае скорость реакции

Q = К — Х— Р х!-,

(4.74)

П Ю П І А

 

где К — константа скорости.

Из соотношений (4.72) и (4.73) следует, что скорость катали­ тической реакции должна зависеть от положения уровня Ферми на

323

поверхности кристалла, работы выхода электронов (через величи­ ны п6, Ps и константы скорости реакций спв, сро, спа, сра). Л ишь в том случае, когда каталитическая реакция лимитируется взаи­ модействием между адсорбированными частицами (случай III), электронные свойства катализатора не имеют принципиального значения.

Нас более всего интересует, в какой мере явление нестехиометрии окислов оказывает влияние на их каталитические свойства. Ответ на этот вопрос даже в рамках модели электронной теории не является однозначным и зависит от: 1) типа дефектов, домини­ рующих в нестехиометрической фазе; 2) характера стадии, лими­ тирующей каталитическую реакцию в целом.

В простейшем случае дефицит кислорода в окислах сопровож­ дается повышением уровня Ферми (т. е. увеличением концентрации электронов). Как следствие можно ожидать ускорения акцептор­ ных реакций. Напротив, в окислах с избытком кислорода увели­ чение концентрации последнего сопровождается понижением уровня Ферми (т. е. накоплением дырок) и это должно привести

кускорению донорных каталитических реакций.

Всвязи с этим известный интерес представляют наблюдения Третьякова и Логиновой [113], показавших, что активность окиси цинка и гематита как катализаторов модельных реакций

С 0 + - ^ - 0 2 = С 0 2>

(4 .7 5 )

N20 = N2 +

- L 0 2

(4.76)

увеличивается по мере увеличения

нестехиометрии

указанных

окислов.

 

 

Напомним, что окись цинка и гематит являются типичными фазами внедрения, обработка которых в среде с пониженным пар­ циальным давлением кислорода приводит к увеличению концент­ рации дефектов нестехиометрии в соответствии с квазихимически­ ми уравнениями

ZnO ^

— 0 2

-f- Zn*

0 2 +

Zn; -)- e',

 

Fe20 3г

| ° 2 +

2Fe,x ^

| о 2 +

2Fe7 + бе'.

Поэтому у окислов, обработанных

при

понижении

давления 0 2,

положение уровня

Ферми

должно

быть

повышено

по сравнению

с теми же окислами, обработанными в чистом кислороде, и как следствие первые должны инициировать акцепторные каталитиче­ ские реакции в большей мере, чем вторые.

Полученные экспериментальные данные можно объяснить, если полагать, что реакция (4.75) является акцепторной и лими­ тируется следующей стадией:

324

e' (кат.) +

0 2 О (адсорб.)

или

2е'(кат.) + у 0 2-*-02- (адсорб.),

а реакция (4.76) лимитируется стадией

е' (кат.) -|- N20->-N2 + О- (адсорб.)

или

2е' (кат.) + N20->-N2 + О2- (адсорб.).

В последнее время получены многочисленные данные, свиде­ тельствующие о том, что влияние дефектов на каталитические свойства кристаллов (в том числе окисных) осуществляется двояко:

1) через уровень Ферми, положение которого чувствительно

кприроде дефектов и их концентрации (коллективный эффект);

2)путем непосредственного участия дефектов в каталитиче­ ском и адсорбционном акте, когда дефект выступает в роли актив­ ного центра (локальный эффект).

Эти эффекты могут оказывать противоположное действие, при­

чем в зависимости от обстоятельств доминирующую роль играет один из них. Отсюда следует, что далеко не всегда положение уровня Ферми определяет каталитическую активность и, более того, прин­ ципиально возможна такая ситуация, когда положение уровня Ферми не сказывается на величине каталитической активности.

Именно такое явление удалось наблюдать у гематита, легиро­ ванного одним из микрокомпонентов MgO, CdO, ZnO, А120 з, ИагОз,

Іп20з, Cr20 3, NiO, MnO [126].

Большой интерес представляет сопоставление каталитической активности окиси цинка в реакции разложения метилового спирта с концентрацией сверхстехиометрического Zn на поверхности ката­ лизатора [114]. Судя по данным [115], у необработанного препа­ рата ZnO концентрация сверхстехиометрического Zn в поверх­ ностном слое составляет ~ 6 -1 0 13 атом/см2. Учитывая особенности вюрцитной структуры окиси цинка и стремление избыточных ато­ мов Zn к заполнению октаэдрических узлов кубической упаковки кислородных атомов [116], легко подсчитать, что концентрация сверхстехиометрического Zn в поверхностном слое соответствует заполнению 10% октаэдрических узлов, что намного превышает

концентрацию избыточного цинка в объеме решетки.

На рис. 4.7

изображена зависимость каталитической актив­

ности

(активность необработанного

препарата ZnO условно при­

нята

равной 1)

от

концентрации

сверхстехиометрического Zn

в поверхностном

слое.

С увеличением последней (что достигалось

применением различных

термообработок) каталитическая актив­

ность растет, достигая

максимума, соответствующего А/А0~ 4

325

при

концентрации

сверхстехиометрического

Zn,

равной

15—20-ІО13 атом/см2, а затем резко падает.

Когда

концентрация

сверхстехиометрического

Zn становится

равной

60—66X

ХІО13 атом/см2, наблюдается полная дезактивация катализатора. Вероятно, в этом случае имеет место комбинированное действие коллективного и локального эффектов.

Внедренные ионы Zn выступают как активные центры катали­

за [117—119]

и до

гех

пор, покуда

они действуют

независимо

 

 

 

 

 

друг от друга, накопление Zni

 

 

 

 

 

сопровождается

положитель­

 

 

 

 

 

ным

каталитическим

эффек­

 

 

 

 

 

том.

Когда

степень

заполне­

 

 

 

 

 

ния

октаэдрических

узлов

 

 

 

 

 

превышает

30—40%,

возника­

 

 

 

 

 

ет

 

сильное

взаимодействие

 

 

 

 

 

внедренных атомов

Zn, друге

 

 

 

 

 

другом, что и приводит к де­

 

 

 

 

 

зактивации.

 

 

фактором,

 

 

 

 

 

от

 

Очень

важным

 

 

 

 

 

которого

зависят

катали­

 

 

 

 

 

тические

свойства

окислов во

 

 

 

 

 

многих

окислительно-восста­

 

 

 

 

 

новительных реакциях, являет­

Рис. 4.7. Зависимость каталитиче­

ся термодинамическое

поведе­

ской активности и люминесценции

ние

окисной

фазы — энергия

окиси цинка от содержания сверх­

связи кислорода на

поверхно­

стехиометрического цинка. На оси

абсцисс

— концентрация

сверх­

сти и в объеме

кристалличес­

стехиометрического цинка, выра­

кой решетки,

энергия

образо­

женная

отношением

интенсивно­

вания дефектов

нестехиомет-

стей ионного тока (I/Іо),

а на оси

рии, наконец, энергия

актива­

ординат — относительная катали­

тическая активность (А/А0) и от­

ции движения ионов кислорода

носительная

величина

люмине­

в решетке.

 

 

 

 

 

 

сценции (L/L0)

 

 

 

Если при образовании ак­

 

 

 

 

 

тивного

 

комплекса

реакции

окисления имеет место возникновение или разрыв связи «кисло­

род —

катализатор», то, по мнению Борескова [120],

можно пред­

видеть

линейную связь между энергией активации (Е ) окисли­

тельных процессов и энергией связи «кислород

— катализа­

тор» (q)

 

 

Е = Е0 ± aq.

(4.77)

Знак плюс в этом соотношении относится к реакциям, для которых на стадии, определяющей скорость процесса, имеет место разрыв связи «кислород — катализатор», а знак минус — наоборот, когда реакция лимитируется образованием связи «кислород—ка­ тализатор».

Основная трудность при использовании соотношения (4.77) связана с оценкой энергии связи кислорода с поверхностью ката­

326

лизатора. Методы, основанные на термохимических расчетах, н& учитывающих способность окислов к образованию нестехиометри­ ческих фаз, явно не удовлетворительны [121]. Перспективен метод, основанный на измерении равновесного давления кислорода как функции температуры при постоянном содержании кислорода в предповерхностном слое окисла [122].

Есть предложения оценивать энергию связи кислорода с по­ верхностью катализатора по скорости восстановления окислов углеводородами [123] или водородом [124]. Наконец, для оценки энергии связи Me—О были использованы следующие реакции изо­ топного обмена кислорода:

Од6 + 028^!:20160 18 (гомомолекулярный обмен),

оі8+ О(поверх) 7^0 160 18 + О(поверх) (гетерообмен).

Скорость каждой из этих реакций можно определить раздельно. Оказалось, что для всех окислов, предварительно обработан­

ных в кислороде, скорости и энергии активации гомомолекулярного обмена и гетерообмена близки, что указывает на одинаковый тип связи кислорода в поверхностном слое окисла и при его взаи­ модействии с поверхностью в процессе хемосорбции. Поэтому гомомолекулярный обмен может служить критерием энергии связи кислорода с окислом.

Наконец, при температурах выше 500° С термодинамическое

состояние кислорода в окислах(значенияД#о2, ASo2, AGo2) как функ­ цию их состава можно оценить с высокой точностью, используя метод кулонометрического титрования в гальванических ячейках с твердым электролитом. Этот метод, подробно описанный в гла­ ве II, по нашим сведениям, никогда не использовался для иссле­ дований, связанных с оценкой каталитической активности окислов.

Между тем сопоставление величин AGo2 и ДЯо2 для различных состояний одного и того же или различных окислов даст ценную информацию о каталитической активности.

_ Сравнивая при одинаковой температуре катализа величины АЯ0г д л я различных окислов, имеющих одинаковую степень вос­ становления, Захтлер [123] показал, что чем больше эта величина, тем меньше активность окисла по отношению к реакции окисления бензойного ангидрида в кислоту.

Еще более важной является обнаруженная Захтлером взаимо­ связь между селективностью окисного катализатора и характером

изменения величины Д#о2 по мере удаления кислорода из окислов. В пределах одной серии катализаторов селективность тем больше,

дАНп

чем выше градиент ----- ш_, где х — количество кислорода, уда-

дх

ленного из окисла, первоначально насыщенного кислородом. Высо­ кой селективности окисла способствует и низкая скорость диффу­

327

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ