Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Зайцев Ю.В. Переменные резисторы

.pdf
Скачиваний:
52
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.18 Mб
Скачать

рассчитанные на ЦВМ «Минск-22». Профилирование неподвижного контакта, как показали исследования, позволяет уменьшить величи­ ну Rb:cНаиболее эффективным методом уменьшения RB-.c является создание вблизи неподвижного контакта участка с повышенной про-

Рис. 2-12. ПЭ с контактами в виде полуэллипсов (а) и их функциональные характеристики (б) соответст­ венно.

к — скользящий контакт.

водимостью. Такой участок может быть создан нанесением низко­ омной проводящей пленки под основную проводящую пленку вбли­ зи контакта или нанесением вблизи контакта пленки, проводимость которой существенно превышает проводимость основного проводя­ щего материала.

2-4. Функциональная характеристика

Функциональная характеристика показывает измене­ ние сопротивления резистора в зависимости от положе­ ния скользящего контакта. Рассмотрим теорию расчета функциональной характеристики, считая, что скользящий контакт соприкасается с ПЭ всей поверхностью, а форма контактирующей поверхности — круг.

Для расчета функциональной характеристики резис­ тора необходимо знать распределение потенциала элек­ трического поля в ПЭ. Считаем плотность тока одинако­ вой по толщине ПЭ, это допущение справедливо на рас­ стояниях от контакта l— ih, где h — толщина проводящей пленки. Таким образом, задача становится двумерной.

ПО

Для расчета функциональной характеристики отобразим подковообразный ПЭ на прямоугольник функцией

 

2

П .

 

 

 

— In

.(W 04

 

 

 

 

 

Положение скользящего контакта описывается выра­

жением

л .

 

, .

а

 

 

 

= — In н

-)- гя — .

 

1К « п Ш 2(г1Г/ ' 5

ап

Обычно у ПЭ переменных резисторов

 

п + г2

 

- - ----2

In

2 (ггг2),0,5

к =

(2 -:- 4) -10

При этом можно считать, что скользящий контакт пе­ ремещается по мнимой оси, т. е. при а = ап он находится в точке z = in. Расчет функциональной характеристики пе­ ременного резистора можно несколько упростить, приняв коэффициент х равным нулю.

Поскольку обычно радиус скользящего контакта мал по сравнению с размерами ПЭ, считаем, что при кон­ формном отображении меняются лишь размеры контак­ та (считаем, что форма контакта остается постоянной). Радиус контакта при отображении подковообразного ПЭ на прямоугольник запишем так:

= 'о

dzi

Гг\ = — r0.

dz

 

ап

где г0 — радиус контакта

для подковообразного ПЭ;

гг! — радиус контакта для

прямоугольного ПЭ.

Из приведенного выражения следует, что г2] не зави­ сит от его положения.

Рассмотрим распределение потенциала в прямоуголь­ ном ПЭ (рис. 2-13, а ).

Расчет сопротивления между скользящим контактом и неподвижным удобно выполнять, зеркально отображая ПЭ и тем самым сводя задачу к расчету поля двухпро­ водной линии в проводящей среде (рис. 2-13,6).

Расчет существенно упрощается в случае неограни­ ченной проводящей области, поэтому отобразим пря­ моугольный ПЭ на полуплоскость функцией

22 = sn(Zi/C; k).

При модуле эллиптического интеграла £ < 0,1 можно с высокой степенью точности считать sn(Zi/C; k) =sin —

111

где 2 а -— основание прямоугольного ПЭ. Условие &<С0,1 запишется через отношение радиусов r2/rj.

In — < — .

и3

Приведенное неравенство справедливо для большин­ ства конструкций ПЭ.

Рис. 2-13. Конформное преобразование прямоугольного ПЭ на плоскость.

а — исходная конфигурация ПЭ; б — зеркальное отображение отно* сительно оси ati=0; в — конформное преобразование прямоугольного ПЭ на плоскость.

Функция, отображающая прямоугольник на полуплос­ кость,

 

*2

 

П

 

 

sin---Z, ,

 

 

 

2а

1

.Положение контакта Л (рис. 2-13)

г2Л= sin

2а

 

 

— sin лг = X.

 

 

 

 

Координата точки

Б

. я*

 

 

г2Б= sin

=

sin / = L.

I

 

 

2а

 

 

Положение контакта В

 

 

 

г.2В = sin

. л2

1 +■

sin у — Y.

 

2а

V

ап

 

Определим разность потенциалов и сопротивление между точками X и L, которые являются изображениями

112

точек А и Б в проводящей полуплоскости. Для этого отобразим зеркально контакты X и Y относительно не­ проводящей границы — действительной оси. Радиус кон­ такта запишем так:

г

Гг1

л

.я2

1 + —

Г

— cos

I

 

 

2а

«П

г\

Тем самым сводим задачу к расчету поля проводни­ ков в проводящей плоскости. По принципу суперпози­ ции потенциал точки X

f/

= — In

 

In —

In-

 

1

•In- J___' -(2-41)

*

 

2Y

 

X + Y

(X Y) _

 

 

Потенциал точки L

 

 

 

 

 

 

 

U =-• —s In

 

+ In

 

1

In-

1

 

 

Y — L

Y + L

 

 

 

L

 

 

X + L

 

 

 

 

— In

1

 

 

(2-42)

 

 

 

 

L

 

 

 

 

 

 

X +

 

 

 

 

Сопротивление

между точками

X и L

 

 

 

R = UX ~ UL =

jn Г/Т2- Х 2

Y2 — L2 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/

 

Ц

 

rz2-2Y

L2 — X 2 /J ‘

 

 

Из выражений (2-41) и (2-42) получим:

 

 

Я

sin (s +

у) sin (у х) sin

-f 1) sin (у I)

(2-43)

л

г -j! sin (/ — *) sin (/ +

х)&\п2у

 

 

 

 

 

 

 

 

Введем следующие обозначения:

л

(2-44)

.8— 978

ИЗ

В формуле (2-43) аргументы синусов запишем, ис­ пользуя выражение (2-42):

х-f у — 21уя;

ух = 2iyn — ;

 

 

 

 

 

 

ап

 

 

 

 

 

У+ 1 = iyn ( 2

+ —

 

 

 

 

 

у I — iyn

a

 

 

(2-45)

 

 

«П

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I X = iyn

a

 

 

 

 

 

 

 

 

 

an

 

 

 

 

 

l + х — iyn (2

 

 

 

 

 

Подставив выражения (2-45) в формулу (2-43), по­

лучим следующее выражение:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

a

 

а

 

 

 

sin 2 iyn sin 2 iyn — sin 2 iyn

1 -|------

 

R

Я.

In

 

a

 

an

\

°^n

a

 

2п

yrzi sin 2iyn

1 +

 

a

 

/

 

 

sin iyn

sin iyn (2 — —

 

 

\

 

an I

an

 

\

an

 

Учитывая, что |sin

ia|

=

|sh a |, запишем

сопротив­

ление

 

 

 

 

 

 

 

 

R = ^Mn

 

a

sh yn

 

a

 

sh 2уя sh 2уя —

2 -|------

 

,

0Cn

 

\

CCn

(2-46)

i

,

a \ ,

/

a

 

yr2 sh 2уя

1 i -------sh уя ; 2 — —

 

 

CCn J

\

CCrr

 

При у > 1 для гиперболических синусов с аргумента­

ми больше уя справедливо равенство

 

 

sh уя (l

+

exp уя (\ +

— V

(2-47)

\

«п /

2

(

ал )

 

Подставив (2-47) в выражение (2-46), получим фор­

мулу, описывающую функциональную

характеристику:

 

 

,

па

 

 

 

Rs

sh 2у

 

 

 

1„ ___ “п

 

(2-48)

 

R± = Ф \ п

 

 

При

2 я

yr2f

 

 

 

Гг + ,0,5ri

Ф о.

 

 

 

х = In

 

 

114

функциональную характеристику запишем в следующем виде:

 

 

sin 2у ( к +

in

 

 

Ri-

- ^ 1п

Vrzi

 

 

 

 

 

 

 

cos 2уи ch уп

(tg 2ух — i th 2уя—

(2-49)

^ - ln

-------------- —

2п

 

yrzi

\

a„

 

Выражение (2-49) достаточно точно описывает функ­ циональную характеристику при a/an^=0,l; запишем функциональную характеристику в виде отношения Ri/Ru\

 

,

 

a

 

 

 

 

 

sh 2ул

 

,

a

 

El

In

TLi

 

 

sh

2ул

(2-50)

 

 

In-

yrzi

 

 

2yn

 

Rn

In

sh 2yn

 

 

 

 

 

 

 

Уrzi

 

 

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

a,П

 

 

 

 

 

 

rzi =

r0 — .

 

 

 

 

 

 

 

 

In

 

 

“n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выражение для функциональной характеристики по­ лучено в предположении, что электрическая ось сколь­ зящего контакта совпадает с его геометрической осью. (Это действительно имеет место при a/an^ 0 ,l.)

Рассмотрим расчет функциональной характеристики при a/an< <0,1. Для этого прямоугольный ПЭ (рис. 2-14) отобразим на верх-

Рис. 2-14. Отображение прямоугольного ПЭ на плоскость (а),

расчетная (/) и экспериментальная (2) функциональная характе­ ристика резистора СПЗ-16 (б).

8*

115

нюю полуплоскость и далее

зеркально на

всю

плоскость

(рис. 2-14,6); определим потенциал точек мнимой оси.

совпадаю­

Составляющая напряженности

электрического

поля,

щая с мнимой осью от элемента линейного источника тока:

dF = _

- ^

___—У dx.

у

2 л

2 + у2)

Напряженность от всего источника тока в точке мнимой оси

 

2IR. Г ydx "

IRS

х

Еи = — —^

— s arctg — =

у

Л J X2 + у2

л

у

IRS

IRs

= — —

arctg —

= — — arcctg у.

л

у

п

Приращение потенциала d U = Еу dy. Разность потенциала между точками iy и О

arcctg у dy = IRS (/arcctgу + — In (1 + У2)

Распределение потенциала в ПЭ находим как распределение по­ тенциалов двух заряженных осей, удаленных друг от друга на рас­ стояние 2h. Величина h вычисляется из условия эквипотенциальности поверхности скользящего контакта

_________ 1______________________ 1__________

(Л — y +

rzi)(h +

y — r22)

~

(rza +

y — h)(h + rM + y)

откуда А =

± V y * + r \ 2 .

 

 

 

 

Разность потенциалов между точками iy и 0 для системы из

двух проводников

 

 

 

 

 

 

 

Uуо-

IRS In-У1 + гz2

 

 

 

 

2 л

 

2Уг

 

Согласно

принципу

суперпозиции для

всей системы

 

 

 

и уо = и

у’ 0 + U ’ycfi

/Я,

 

У2 + г:г2

[ ! + ( ( / — ггг)2} +

2 —r22) arcctg ((/—c22)

In ■

IIуо 2л

(.

2угг2

 

 

 

 

 

Подставляя

 

 

 

 

 

 

 

у = sh ул

 

 

па

 

 

''гг = rzi V ch

 

 

 

 

«п

 

 

а п

116

и учитывая,

что Ri = Uv0/I, получим:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а

,

а

 

 

 

 

 

 

 

 

sh2 уп'------ \- rzl у сп2 уп

 

 

 

 

/? =

{1п

 

 

а

, па

 

 

 

 

 

 

2п

'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2гг{ у sh уп — ch у -----

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

аТ1

 

па

 

 

 

 

,

 

 

а

 

 

па \2‘

+ 2

 

 

 

1 +

sh уп

ггi у ch -----

sh у ----- —

 

 

 

 

\

 

 

ап

 

ап

 

 

 

 

 

 

 

па \

(

 

па

,

па \"|

(2-51)

 

rzi у sh-----

arcctg

sh у ----- —rzi у ch у ------- > .

 

 

 

 

ссп

/

\

 

ссп

 

ап /J

 

Выражение (2-51) описывает функ­

 

 

 

циональную

 

характеристику

ПЭ

при

 

 

 

любых а.

 

функциональную

характе­

 

 

 

Запишем

 

 

 

ристику в виде отношения

 

 

 

 

 

«

Ц

(

1п1

+

А

 

[Н-(г/-^22)2] +

 

 

 

Rn

2уп

2 цгz,.

 

 

 

 

 

 

 

+ 2 г22) arcctg г22)} . (2-51а)

Рис. 2-15. Нелинейные функциональные характеристики ре­ зисторов (о) и зоны допустимых отклонений для нелиней­ ных характеристик (б, в).

Наиболее распространенными нелинейными характеристиками резисторов являются (рис. 2-15): обратно логарифмическая (Б), ло­ гарифмическая (В) и S-образная (название нелинейных функцио­ нальных характеристик даны автором в соответствии с новыми ре­ комендациями МЭК [Л.77]).

117

Нелинейность функциональной характеристики рези­ стора можно обеспечить, варьируя удельное сопротив­ ление ПЭ или его сечение. В первом методе нелиней­ ность достигается созданием трех-четырех участков про­ водящих слоев с различным удельным сопротивлением, функциональная характеристика такого резистора может быть аппроксимирована кусочно-линейной функцией.

kR

Рис. 2-16. К расчету нелинейной функциональной характеристики переменного резистора.

а — функциональная

характеристика

резистора; б — исходный ПЭ; в—преоб­

разованный

ПЭ.

6)

 

Когда функциональная характеристика задана (рис. 2-16), разбиваем ее на участки и рассчитываем удельное сопротивление проводящих слоев по формуле

Р„ = IR (хп) — R(xn-i)] М

(2-52)

ХП ХП~~X

 

где р„; hn — удельное сопротивление и толщина п-то проводящего слоя резистора соответственно; х,, x,-i — точки разбиения функциональной характеристики; R(Xi), R(Xi-i) — значения сопротивления в соответствующих точках разбиения; / — длина ПЭ.

При расчете функциональной характеристики рези­ стора необходимо рассчитывать электрическое поле в ПЭ, т. е. решать уравнение Лапласа при граничных ус­ ловиях смешанного типа, когда потенциал на контактах равен нулю и U, а ток через непроводящую границу

В случае, если удельное объемное сопротивление не меняется по сечению ПЭ, уравнение функциональной характеристики запишем так:

dUi

 

Р (*i)— dxi

 

 

R(U1)=

_____ dxi

 

(2-53)

j j I/ (*il x2; x3)|

dx2

 

dxs

 

о S(xi)

 

 

118

где U\(x\, х2, х3); U2(xu х2, хъ) \ Uz(xu х2, х3) — отображе­ ния исходного ПЭ на элемент простой формы — прямо­ угольный параллелепипед или цилиндр; S (* i)— сече­ ние ПЭ,

J ta; х3; х3) — якобиан преобразования;

С

2

В

Рис. 2-17. Конформное отображение плоского ПЭ на прямоугольник.

а — исходный ПЭ; б — отображение на полуплоскость с вырезом; в, г — отображение на полуплоскость; д, е — симметризация гра­ ничных точек ПЭ; ж — отображение на прямоугольник.

р(лп) — удельное сопротивление, зависящее от одной ко­ ординаты. Интегрирование в знаменателе ведется либо по прямоугольнику, либо по кругу соответственно. В слу­ чае плоского ПЭ в первом приближении его профиль можно получить по формуле

S(x) = p[dR(x)/dx]~l.

Реальную функциональную характеристику в случае если ПЭ плоский можно получить, воспользовавшись ап­ паратом теории функций комплексного переменного, ПЭ

ПЭ

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ