Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Кудрин, Л. П. Статистическая физика плазмы

.pdf
Скачиваний:
20
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
17.6 Mб
Скачать

Метод псевдопотенциала позволяет свести сильное элек- трон-ионное взаимодействие в металле к эффективному сла­ бому псевдопотенциалу и тем самым позволяет ввести малый параметр а, по которому и велось разложение энергии, выпол­ ненное выше. Тем самым этот метод дает обоснование модели квазисвободных электронов и определяет успех одночастичного приближения. Однако этот успех является, как мы это видели в девятой и десятой главах, довольно относительным, ибо в рамках одночастичного приближения невозможно корректное описание электронной системы. Поэтому опять возникает необ­ ходимость в построении последовательной многоэлектронной теории металлов, позволяющей находить в рамках одних и тех же представлений как электронный, так и фононный спектры, а также представляющие интерес физические величины, зави­ сящие от этих спектров. Облегчающими в таком рассмотрении являются два обстоятельства.

1. При рассмотрении непереходных металлов существенно то, что размер иона (после отделения всех валентных электро­ нов) достаточно мал, так что ионы занимают 5—10% атомного объема. Взаимодействие между ионами исчерпывается прямым кулоновским взаимодействием, а также косвенным — через элек­ троны проводимости.

2. Амплитуда рассеяния электрона на ионе в металле при переданных импульсах порядка вектора обратной решетки к является малой. При записи псевдопотенциала это и приводит к возникновению малого параметра а (44.8).

Поэтому появляется возможность, как показано выше, раз­ лагать выражение для энергии по параметру а и не прибегать к теории возмущений по электрон-электронному взаимодействию (что обычно делается при рассмотрении поправок к одноэлек­ тронному приближению). Различные степени-псевдопотенцнала полной энергии описывают эффективно вклад двух-, трех-, четырехионного и т. д. взаимодействий через электроны проводи­ мости. Оказывается, что непарность взаимодействия особенно существенна в динамической задаче колебания кристалла. Так, если для определения статической энергии с точностью до а2 достаточно учесть лишь парное взаимодействие, то для опре­ деления продольной скорости звука с той же точностью необ­ ходимо учесть трех- и четырехчастичное взаимодействие. По­ этому в динамике кристаллов учет лишь двухчастичного взаимодействия является некорректным. Можно показать, что, используя ряд точных соотношений для заряженной фермижидкости, можно получить замкнутые выражения для модулей упругости через поляризуемость электронного газа e(q i и псевдопотенциал.

Изложение, приведенное выше, предполагает локальность псевдопотенциала. По-видимому, можно более строго ввести в

задачу величину Ь, учитывающую нелокальное электрон­

450

ионное взаимодействие. В этом случае гамильтониан электрон­ ной подсистемы в поле фиксированных ионов удобно записать в представлении вторичного квантования:

Н = 'V

а+ а. + — V

а+ , ак, ак +

 

л

2т к к 2 ZU

<?2 к~Ч к +ч к

 

к

к ,к' ,q

 

 

+

5 ] « к . к ^ я + 5 ]

uk.q+A « k + q ’

(44.15)

 

кk,q+0

где

Uk,kfq

^ к-к+Ч

Переход к локальному взаимодействию выглядит так:

^k.krq

Последний член в выражении (44.15) определяется вели­ чиной Е&> (точнее, разложением энергии по степеням псевдо­ потенциала, начиная с EW). Значение целиком определяется третьим членом выражения (44.15) и равно

£ (1> = Z ^k,k«k,

(44.16)

где пк— числа заполнения, а в Иk,к

не содержится кулоновской

части взаимодействия. В случае

локального

взаимодействия

Uк,к =b/Vo, что с учетом условия

2«k =NZ

переходит в вы-

ражение (44.6). Сохранив

к

£<'>, получим

эту форму записи для

в общем случае

 

 

6 =

" й '2к г/к-к7,ь ’

(44Л7)

что дает возможность найти b при заданном псевдопотенциале. Существенно, что при этом в формулу (44.17) можно подстав­ лять выражения для модельных потенциалов (например, потен­ циал Хайне), построенных на основе экспериментальных дан­ ных, в частности спектроскопических.

Многие интересующие нас характеристики металлов можно выразить через псевдопотенциал и диэлектрическую функцию электронной системы, воспользовавшись некоторыми точными соотношениями для ферми-жидкости системы заряженных ча­ стиц. Это можно сделать, используя диаграммную технику [3].

Отметим, что строгое выражение для e(q) получить не удается. Это, конечно, нельзя ставить в вину авторам ра­ боты [3], поскольку вычисление корреляционной энергии элек­ тронного газа при rs~ l все еще является непреодолимой зада­ чей (см. главу десятую). Для оценки e(q) можно воспользо­

15* 45!

ваться известными интерполяционными формулами для p.(q),

например интерполяцией Вигнера. Выражения

для e(q) при

rs^$>1 и r.s<§; 1 известны. Отметим также, что

точное знание

корреляционной энергии отнюдь не является необходимым при вычислении любых характеристик металлов. Так, в полную энергию кристалла корреляция электронов вносит пренебре­ жимо малый вклад.

Рассмотрим простейшую модель, позволяющую приближенно учесть корреляцию электронов в металле. Пусть многоэлектрон-

иая система в состоянии |к >

характеризуется набором кванто-

вых чисел к. Пусть далее ф(х),

ф+(х) — полевые операторы в

представлении Гейзенберга,

так

/—.

что ф + (х )|т > описывает со­

стояние, в котором электрон находится в точке х, а состояние

системы характеризуется вектором состояния | т > .

Тогда мат-

ричный элемент < т |ф ( к ) |к > (так называемая

одноэлек­

тронная амплитуда) описывает распространение электрона в

рассматриваемой системе, если х= (г, t) = (г, ст,

t), где а харак­

теризует спиновое состояние. Величина ф ( х )

|т > описывает

возникновение дырки в точке х, когда среда находится в состоя-

пни | т > . При этом матричный элемент < т |ф+(х) | к > (так называемая амплитуда дырки) описывает движение дырки. Ту и другую одночастичные амплитуды обозначим фк (я), которые

удовлетворяют уравнению Швингера

[26]

 

(\h

- Я0) Фк (х) - j dx'M

(х', х) срк (х') = 0,

(44.18)

где Н0— гамильтониан типа Хартри с добавкой собственной энергии:

H0 —h (х) + J dx'v (х х') <ф+ (л;') ф (х') > = Н(х) +

+ J dx'v (х' х) 2 П[Ц>, (х’) Ф, (х');

(44.19)

h (x )= h (r ) — одноэлектроцный гамильтониан;

v(x' х ) — по­

тенциальная энергия электрон-электронного взаимодействия; символ < ...> означает усреднение по основному состоянию многоэлектронной системы; щ — числа заполнения, связанные с

ф|(х); М(х' х) — массовый оператор собственной энергии.

Как следует из определения, фк(х) гармонически осциллируют с частотой ekft_1. Если предположить, что М однородно по

времени, т. е.

М(х, x')=M (r\ г, t' — t), то уравнение

(44.18)

можно представить в виде

 

(ек -

Н0) Фк (г) - j dr'M (г', г; ек) Фк (г') = 0,

(44.20)

452

где ей— средняя одночастичная энергия, соответствующая срк (г);

/ S

М — фурье-компонеита массового оператора. Отметим, что Ек учитывает обменное взаимодействие и корреляцию электронов. Уравнение (44.20) — точное одночастичное уравнение, которое

не поддается аналитическому решению, поскольку оператор М нелокальный, и, вообще говоря, не эрмитов. Следовательно, уравнение (44.20) следует решать совместно с сопряженным ему уравнением.

Попробуем решить уравнение (44.20), что, конечно, возможно только при некоторых упрощающих ^допущениях. Если предпо­ ложить, что взаимодействие электронов мгновенное, т. е. пре­

небречь запаздыванием в кулоновском взаимодействии электро-

/ \

нов, то М(х',

х)=М (г', г)б(/ — t'). Это предположение выра­

жает потенциальный характер взаимодействия. При этом

фурье-компопента М не зависит от е к и можно перейти к эрми­ тову случаю:

v(x — x’) = ---- -—

б (/— О-

(44.21)

I г' — Г I

 

Возникает вопрос: в каком виде

можно представить

опера­

тор М? Хорошо известное приближение состоит в замене его обменным потенциалом (Киттель):

Л4обм (г',

г) =

---------—

< 4$+ (г') ф (г)> =

 

 

 

I г' — г |

 

 

=

81

Уф ,(г')ч>,(г).

(44.22)

 

 

I Г— Г I

I

 

 

При этом получим

из выражения

(44.20) уравнения

Хартри —

Фока, которые не учитывают корреляционной энергии электро­ нов, т. е. игнорируют корреляцию электронов с антипараллельными спинами. Таким образом/,ч основная задача состоит в

модельной записи оператора М, учитывающей корреляцию электронов.

Проще всего сделать это для решетки с одним электроном на атом. Тогда формально можно рассмотреть кристалл как две эквивалентных системы плоскостей, или две параллельных под­ решетки и В). Такое представление удобно для описания поведения электронов с антииараллельными спинами в основном состоянии многоэлектронной системы, т. е. допускает учет (хотя

и модельный)

корреляционного взаимодействия электронов.

Обозначим электроны с противоположными спинами симво­

лами f и |.

Пусть электроны f движутся главным образом

в подрешетке А и лишь

частично в В, а электроны j — наобо­

рот. Такое расщепление

состояний приводит к приближенному

453

выражению для М, которое соответствует локальному взаимо­ действию:

М«оРР(r/f r) = Uk a (г) 6 (г, _ г)

(44.23)

Эта запись предполагает периодичность подрешеток,

причем

Мк°ш) действует для of как притяжение для электрона

f из А

и как отталкивание для электрона

f из подрешетки В.

Поэтому

tfk.t (г) = —

£/klt (г).

(44.24)

Гамильтониан системы в приближении Хартри — Фока, кото­ рый описывает локальное взаимодействие электронов, комму­ тирует с группой трансляционных операторов первоначальной решетки, причем U к, t периодично в Л-, а V к, | — в В-подре- шетке. Все указанные выше приближения сводят точную задачу о корреляции электронов к приближенной задаче с модельным гамильтонианом:

// к о р р _ н х ~ ф - f - t / k - a (г).

( 4 4 . 2 5 )

Этот оператор коммутирует с операторами трансляций в под­ решетках. Выберем решетку, составленную из системы парал­ лельных плоскостей, которые альтернативно принадлежат к подпространствам Л и В и связаны элементарными трансля­ циями ai и а2. Элементарная трансляция а^ оригинальной

решетки, связывающая два атома в соседних плоскостях, отно­ сится либо к А, либо к В, и может быть выражена через элементарную трансляцию подрешетки подстановкой а3 = 2аз,

в то время как ai и а2 — трансляции и для подрешетки, и для оригинальной (первоначальной) решетки. Соответствующие пре-' образования в k-пространстве также одинаковы в обоих случаях для ki и к2, но для к3 следует писать: к3= (1/2)к'. Это означает,

что объем элементарной ячейки в k-пространстве для подрешетки составляет половину объема ячейки оригинальной ре­

шетки. В случае £/к,о- > 0 # “°рр->- # х-ф.

Таким образом, элементарная ячейка оригинальной решетки в k-пространстве «расщеплена» теперь на две элементарные ячейки подрешеток. Геометрическая эквивалентность этих под­ решеток устанавливается с помощью трансляции — к3. Таким образом, вводится приведенная зона подрешетки. Внутри этой зоны энергия является двузначной функцией к, причем первая

ветвь дисперсионного соотношения

есть ei,k = Ek а вторая —

Е2,к = ек + к 3. При этом уровень ei,k

занят основным состоянием

Хартри — Фока, а уровень е2.к описывает виртуальное состояние. Используя известные функции Ванье w(r — г&) (6= Л , В), нетрудно выразить функции Хартри — Фока фцк {i= 1,2) непо­

средственно через блоховские функции подрешетки Фк,ь :

454

% >к = (1/V N ) Г2 exp (ikrA) w (r - r„) +

2 exp (ikrB) X

1A

В

X » (Г— rB)J = (1/1/ 2) (Фкл +

Фкв);

Фа ,k = ф2 ,k+ki = (l/]/y ) {2 exp [i(k + k3) rJ w {r — ra) +

+ 2 exp [i (k + k3) rB] w (r — rB) =

= (l/[//V) 1 ехр(1к г ^ ) ^ ( г - г л) — 2exp(ikrB) X

X (г — rB) ] = (1/ 1/2 )(Фкл + Фкв).

где

N —число атомов

в большом параллелепипеде,

для кото­

рого

определены периодические

граничные условия

(условия

Кармана). Учитывая

равенство

(44.25), запишем собственные

функции оператора # коР1> в виде линейной комбинации:

(Pk,a = ak,o,l,l,k + 6к,аф2,к.

(44.27)

где цк a, V a — коэффициенты, подлежащие определению.

Как будет показано ниже, корреляция сводится эффективно к свободному объему для каждого электрона, что согласуется с принципом неопределенности для наибольшей дисперсии им­ пульса электрона Лк (или для кинетической энергии). Однако согласно теореме вириала увеличение кинетической энергии свя­ зано с увеличением потенциальной энергии, что способствует стабилизации однокомпонентной электронной системы. Добав­ ление виртуальных состояний фг.к увеличивает кинетическую

энергию f

и 1 электронов

и уменьшает свободный

объем, что

и приводит

к исследуемому

эффекту корреляции.

Физический

смысл сделанных приближений обсудим подробнее ниже, а сей­ час продолжим вычисления.

Учитывая равенство (44.24), получаем

 

tfk.o = (l/2)(t/k.a-t/k .o')-

(44.28)

Тогда с помощью выражений (44.25) —(44.28)

получим следую­

щее секулярное уравнение:

 

0 /2) « И

(44.29)

 

где е — одноэлектронная энергия с учетом корреляции, а

^ /a 4 % ,k ( ^ k ,a - ^ k .a 0 % .k d l/

Из уравнения (44.29) следует:"

«± - 0/2) [«,

+ [(г, - «, .,)> + | Ч ;2 | V ] ■ (44-30)

455

Пусть величины -2 действительны. Тогда коэффициенты ак а ,

bk,a определяются соотношением

 

 

Л» .2

У+=

-‘k.a

М,к — ь2

 

 

 

1 + 1 -

 

°к.,а

Jk,а

61-2

 

Ц ,к — ъ2

 

°к

 

 

 

 

 

и условием нормировки

 

b2

=

1

 

 

 

 

at

 

 

 

 

к ,о 1 п

 

1>

 

откуда следуют два важных соотношения:

 

и

 

 

У+У_ =

1

 

 

 

+ +

Г 1!

2 (EI,k - ^

Ж

: а2-

 

 

Пусть

«с

 

 

 

 

 

COS 9к,a >

= sin 0k,o;

о <

10k

 

к ,ст

 

а. „ =

 

 

 

 

 

 

Тогда

 

 

 

 

 

 

 

 

tg 20k>a =

^k-’°/(ei ,k -

e2,k)-

2

(44.31)

(44.32)

(44.33)

< я/4.

(44.34)

Для унифицирования обозначений в двух случаях f и ( по­ ложим 0k = 0kt = — 0ki . Тогда волновые функции (44.27) можно записать в виде:

^кЛ

=

— Sin 0к't 1-к Ч- COS 0к ф2 ,к I

(44.35)

 

=

sin 0к l|Ji ,к +

COS 0к ф2 ,к

 

 

и

 

 

 

 

фк, t

=

соэЗкф, ,к +

sin 0к ф2 ,к ;

(44.36)

Фк, + =

COS0kll3i,k — sin0ki|)2>k,

 

где плюс обозначает

виртуальное

состояние, а минус — основ­

ное состояние системы. Отметим, что функции (44.36) иден­

тичны | и |

спиновым

состояниям

молекулярных

орбиталей.

Подстановка

выражения

(44.26) в

функции

(44.36)

приводит

к эквивалентной записи выражений для фк,0 :

 

 

фк _t = COS 0к Фк ,А+ sin 0к Фк ,В ;

Срк + = sin0кфк,л -h cos0kOk,B,

где

sin 0к = — - (— sin 0к + cos 0к);

cos 0к = ——(sin 0к + cos 0к);

/ 2

У 2

О < 0 к <

Я/4.

456

Для конкретных вычислений можно применить так называе­ мый модифицированный метод молекулярных орбиталей Г27 ], используя для получения корреляционной энергии аппрокси-

мацию (44.23) для массового оператора М. С другой стороны, этот метод может быть использован для оценки матричных эле­ ментов. Оказывается, что эти матричные элементы слабо зави­ сят от к, что облегчает численные оценки. Корреляционные поправки в изложенной модели характеризуются в конкретном кристалле величиной б£’ Естественно, что эти поправки сильно-

зависят от плотности частиц в системе. В случае rs^>l (сильная связь электронов) и в случае /"S<C 1 (система со слабой связью) требования к точности вычисления корреляционной энергии, конечно, различны. Качественное различие этих двух предельных случаев по плотности электронов можно продемонстрировать

следующим образом.

координат электронов (г/,-) и ядер-

Сделаем

преобразование

(Yi):

 

 

 

 

 

yt ->

; Yj = Я- 1 К ( / , / = 1 , 2 , .

. . , N)

в гамильтониане многоэлектропной системы Н. Тогда

 

 

 

2

£ 4‘+Si j = \

 

 

 

 

N

N

 

 

ш

(у; ,

г.)

X Z e 2

+

I У/ -

V/

 

 

 

 

 

 

+ я

 

 

(44.37)

Для больших Я (Я>1), соответствующих растяжению решетки и снижающих тем самым плотность электронов, отталкивание электронов [см. формулу (44.37) | превалирует над членом, описывающим независимые частицы, электроны сильнее свя­ заны с ядрами, чем в оригинальной решетке.

Для малых Я (Я<1) решетка сжата, плотность электронов становится выше нормальной и вклад корреляции электронов становится несущественным по сравнению с вкладом от члена независимых частиц, т. е. при больших сжатиях, как отмечалось в десятой главе, электроны ведут себя почти как свободные. В первом приближении случай слабой корреляции лучше всего описывается методом Блоха, в то время как в пределе сильной корреляции можно воспользоваться методом Гайтлера — Лон­ дона или выражением Бракнера для корреляционной энергии электронного газа на компенсирующем фоне положительного заряда (см. десятую главу).

Представленная здесь модель призвана описать корреля­ цию электронов в промежуточной области по плотности элек­

457

тронов. Это достигается специальным выбором базисных функ­ ций (44.35), (44.36), которые изменяются непрерывно при пере­ ходе от одного предельного случая к другому. Необходимость правдоподобного изменения базисных функций при переходе от случая rs<Cl к случаю г5^>1 следует подчеркнуть также в связи с асимптотическим поведением многоэлектронных волно­ вых функций при больших межатомных расстояниях. При этом

•относительно разреженная многоэлектронная система характе­ ризуется сильной корреляцией электронов и точность вычисления корреляционной энергии должна быть достаточно высокой. Многие методы, используемые для учета корреляции в этом ■случае, приводят, однако, к большим ошибкам. Например, асимптотическое поведение немагнитного синглетного состояния Хартри — Фока, вычисленного с помощью метода молекулярных орбиталей, вносит большую ошибку при больших межатомных расстояниях.

Подчеркнем, что описанный метод вычисления корреляцион­ ной энергии электронов в кристаллах, конечно, является лишь еще одной попыткой разумной экстраполяции в область плот­ ностей, характерных для реального состояния вещества, а не является сколько-нибудь строгим решением чрезвычайно трудной проблемы вычисления энергии кулоновской системы частиц, не характеризующейся малым параметром. Тем не менее, как нам кажется, дальнейшее исследование корреляции электронов в твердом теле этим методом имело бы смысл.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Абрикосов А.

А. «Ж. эксперим.

и теор. физ.», 1960, т. 39, с. 1798; 1961,

т. 41, с. 559;

1963, т. 45, с. 2038.

 

2.Альтшулер Л. В., Бакамова А. А. «Усп. физ. наук», 1968, т. 96, с. 193; 1965, т. 85, с. 197.

3.Бровман Е. Г., Каган Ю. «Ж. эксперим. и теор. физ.», 1969, т. 57, с. 1324.

4. Бровман

Е. Г., Каган Ю., Холас А. «Ж. эксперим. ы теор. физ.», 1969,

т. 57, с.

1635.

5.Веденов А. А. Доклад № Р/518 на Межд. конф. по спокойной плазме. Италия, 1967.

6.Веденов А. А., Старостин А. Н. Доклад № 319 на Межд. конф. по ис­

пользованию лазеров в плазме. М., 1970.

7. Воронцов-Вельяминов Г. Н., Ельяшевич А. М. «Электрохимия», 1966, т. 2,

с. 708; 1968, т. 4, с. 1430.

8.Зельдович Я. Б., Райзер Ю. П. Физика ударных волн и высокотемпера­ турных гидродинамических явлений. М., «Наука», 1966.

9.Кикоин И. К., Сенченков А. П., Гельман Э. Б. и др. «Ж. эксперим. и

теор. физ.», 1965, т. 49, с. 124;

Кикоин И. К., Сенченков А. П. «Физика металлов и металловедение», 1967, т. 24, с. 843.

10.Кузнецов Н. М. «Докл. АН СССР», 1964, т. 155, с. 156.

11.Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика. М., «Наука», 1964.

12.

Ликальтер А. А. «Ж. эксперим. и теор. физ.»,

1969,

т.

56,

с. 240.

13.

Лифшиц И. М. «Ж. эксперим. и теор.

физ.», 1967, т.

53,

с.

743.

14.

Ломакин

Б. Н., Фортов В. Е. «Ж.

эксперим.

и

теор.

физ.», 1972,

 

т. 63, с.

92.

 

 

 

 

 

■468

15.

Нормам Б. Э., Старостин А. Н.

«Теплофизика высоких температур», 1970,

 

т. 8, с. 413.

 

 

 

 

 

 

 

16. Пичахчи Л. Д. «Ж. эксперим. и теор. физ.», 1967, т. 53, с. 1461.

т.

57,

17.

Рахимов А. Т.,

Улинич Ф. Р. «Ж. эксперим. и теор.

физ.»,

1969,

18.

е. 1425.

Якубов И. Т. «Ж. эксперим.

и теор.

физ.»,

1970,

т.

59,

Храпак А. Г.,

19.

с. 945; «Теплофизика высоких температур»,

1971, т. 9, с. 1139.

 

 

Brush S. G., Sahlin Н. L., Teller Е. J. Chem. Phys., 1966, v. 45, p. 2102.

.20.

Carley D. D. J. Chem. Phys., 1965, v. 43, p. 3489.

 

p. 395.

 

21.

Coldwell-Horsfall R., Maradudin

A. J. Math.

Phys., 1960, v. 1,

 

22.

Ecker G., Kroll

W. Phys. Fluids,

1963, v. 6,

p. 62.

 

 

 

 

23.Hensel F., Frank E. U. Rev. Mod. Phys., 1968, v. 40, p. 697.

24.Van Horn H. M. Phys. Lett., 1969, v. 28A, p. 706.

25.Lee T., Yang C. Phys. Rev., 1952, v. 87, p. 404, 410.

26.Schwinger J. Proc. Nat. Acad. Sci., 1952, v. 37, p. 452.

27.

Swalen J.

D., de Heer

J. J. J. Chem. Phys.,

1964, v.

40, p. 378.

28.

Van Tiel

M., Alder B.

J. Chem. Phys., 1966,

v. 44, p.

1056.

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ