книги из ГПНТБ / Евдокимов, В. Д. Экзоэлектронная эмиссия при трении
.pdfвать к поверхности. При выходе |
на |
поверхность |
вакансия |
аннигилирует |
||
с выделением энергии Е у . |
Если |
до |
деформации |
подсветка |
не вызывает |
|
эмиссию электронов, так как hu < q> (где hu - энергия кванта, а |
<р — |
|||||
работа выхода электрона), |
то после |
зачистки поверхности |
эмиссия |
воз |
никает. В последнем случае суммарная энергия вакансии и светового кванта становится достаточно большой для возбуждения эмиссии
t v + nu > ф .
Механизм диффузии вакансий, объясняющий природу экзоэлектронной эмиссии, получил развитие в дальнейших работах [45, 71-73]. Особенно интересна работа [71], в которой сопоставляются изменения во време ни экспериментально найденной интенсивности экзоэлектронной эмиссии
1= А е " М + В е - к = ' |
|
|
|
|
|
(1.3) |
||||
и теоретически |
выведенной |
плотности потока |
вакансий |
через поверх |
||||||
ность твердого |
тела |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
г |
|
|
|
|
|
|
|
|
1= 2 C n e - * n D t , |
|
|
|
• |
' |
(1.4) |
||||
|
п=1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где |
А, В |
и С - |
|
начальные |
интенсивности, К,, |
К , |
и Л |
- константы; |
||
D - |
коэффициент |
диффузии; |
t - |
время. |
|
|
|
|
||
Если |
принять, |
что третий и |
последующий члены |
в уравнении |
(1.4) |
пренебрежимо малы по сравнению с предыдущими членами, то эмпири
ческое (1.3) |
и теоретическое |
(1.4) уравнения |
находятся |
в хорошем |
||
согласии. Кроме того, константы |
затухания экспоненциальных членов |
|||||
в уравнениях |
(1.3) и (1.4) имеют одинаковую |
температурную |
зависи |
|||
мость |
|
|
|
|
|
|
К = F e - E / R T , D = D 0 e - E / R T , |
|
|
|
|
||
где Е - энергия активации; |
R - |
универсальная |
газовая |
постоянная; |
||
Т - абсолютная температура. |
|
|
|
|
|
|
При всей |
изящности описанной |
выше гипотезы ее авторы |
совершен |
но не учитывают, что для возбуждения экзоэлектронной эмиссии необ ходимо постоянное присутствие кислорода. Поэтому в последующих ра ботах [ 25, 74], в которых проверялась эта гипотеза, подвергается сомнению механизм переноса вакансий как основной фактор, объясня ющий экзоэлектронную эмиссию. Было отмечено, что скорость з а т у х а ния экзоэлектронной эмиссии обусловлена взаимодействием окружающего газа с поверхностью металла, и кинетика экзоэлектронной эмиссии опре деляется не дрейфом вакансий, а адсорбционно-окислительными процес сами. Поэтому для объяснения механизма экзоэлектронной эмиссии предложена компромиссная гипотеза, по которой вакансии дрейфуют к поверхности и, достигнув ее, становятся центрами адсорбции или окис ления [45] При этом высвобождается потенциальная энергия, связан-
10
ная с вакансией. Но такая точка зрения возвращает нас к гипотезе хемоэмиссии с той лишь разницей, что вакансия оказывается инициа тором окислительного процесса.
Другой подход к решению вопроса о взаимосвязи экзоэлектронной эмиссии и деформационных дефектов, возникающих после механической обработки металлов, намечен в работах [75-78]. Показано, что дефор
мация поверхностных |
слоев металлов приводит к изменению работы вы |
|
хода электрона. Если |
при облучении светом с энергией квантов, |
близкой |
к порогу фотоэффекта |
металла, эмиссия не наблюдается, то она |
может |
возникнуть после деформации в связи с уменьшением работы выхода. После деформации со временем происходят упорядочение кристалличе ской решетки металла, дрейф к поверхности и аннигиляция вакансий;
работа выхода восстанавливается до прежнего уровня, а эмиссия |
зату |
|||||
хает. Такая модель удовлетворительно объясняет |
особенности экзоэлек |
|||||
тронной эмиссии, обусловленной |
деформационным |
возбуждением, |
но т р е |
|||
бует |
дополнительных предположений для объяснения влияния темпера |
|||||
туры |
и состава атмосферы на ход эмиссионного |
процесса. |
|
|||
Гипотеза Грунберга и Райта |
(оже-механизм |
экзоэлектронной |
эмиссии). |
|||
Изучая с помощью узкополосных |
фильтров спектральную |
зависимость |
||||
фотоэффекта с поверхности металлов в воздухе, |
Грунберг |
и Райт |
[79] |
обнаружили эмиссию фотоэлектронов в длинноволновой области за крас
ной границей. Хотя работа выхода алюминия и цинка составляет |
4,25 эв, |
|||||
сильный эмиссионный^ пик был обнаружен Hja 4700 8 |
(2,64 эв) и |
мень |
||||
шие пики - на 5200 А и между |
6000-7000 А. По мнению авторов, |
эти |
||||
эмиссионные пики обусловлены |
дефектами |
кристаллической |
решетки р а с |
|||
тущего окисла. В частности, пик на 4700 А они связывали |
с возбужден |
|||||
ными |
F'-центрами (вакансия кислородного |
иона, занятая |
двумя |
электро |
||
нами). Поглощенный квант света возбуждает один из электронов. В |
||||||
этом случае прямая эмиссия невозможна, |
так как электрону необходи |
|||||
мо еще преодолеть потенциальный барьер, |
обусловленный энергией срод |
|||||
ства |
окисла к электрону. Но энергия возбужденного |
F'-центра |
может |
передаться путем прямого взаимодействия (подобного оже-эффекту) ка
кому-нибудь |
мелкому центру или поверхностному состоянию, |
находящему |
||||||||
ся недалеко |
от F'-центра. Этой энергии будет достаточно |
для эмиссии |
||||||||
электрона из неглубокого центра. |
|
|
|
|
|
|||||
Оже-механизм эмиссии электронов из полупроводников и диэлектри |
||||||||||
ков |
получил |
развитие в работе |
|
[80 ], Следуя представлениям |
авторов |
|||||
этой |
работы, |
можно объяснить |
многие |
особенности |
экзоэлектронной |
|||||
эмиссии. Показано, что эмиссия |
возможна лишь для тех |
кристаллов, |
||||||||
у которых ширина запрещенной |
|
зоны Е э |
больше энергии |
сродства к |
||||||
электрону |
X . При рекомбинации |
электрона с дыркой |
высвобождается |
|||||||
энергия, |
примерно равная Е 3 , |
которая |
может быть |
передана |
другому |
|||||
электрону двухзарядного или близко расположенного центра. В этом |
||||||||||
случае электрон может эмиттировать, и после преодоления |
наружного |
|||||||||
потенциального барьера его энергия будет приблизительно |
равна E 3 - \ ' |
|||||||||
Такой механизм выброса электронов объясняет возможность темновой |
||||||||||
эмиссии и большую энергию экзоэлектронов. Значительные энергии, |
||||||||||
порядка 2-8 |
эв, которыми обладают экзоэлектроны [ 81-83], |
|
пока не |
|||||||
объясняются |
другими гипотезами. |
|
|
|
|
|
11
Механизм оже-рекомбинации хорошо объясняет также максимумы на кривых термовысвечивания экзоэлектронов, затухание эмиссии и влияение подсветки. Поэтому все чаще исследователи склоняются в пользу этой гипотезы при изучении экзоэлектронной эмиссии с ионных кристаллов [84,85], хотя для окончательных выводов требуется еще экспериментальная проверка. Что же касается результатов Грунберга и Райта, полученных для металлов, то они оказались ошибочными. Впоследствии было доказано, что длинноволновые максимумы фото
электронной эмиссии обусловлены незначительным пропусканием фильт ров в области ближнего ультрафиолета [86І. Ряд экспериментов не обнаружил эмиссии на длинах волн свыше 4000 К [34,36,87,881.
Гипотеза, |
предполагающая выброс экзоэлектронов из центров |
окрас |
ки ионных |
кристаллов. Эта гипотеза выдвинута для объяснения |
меха |
низма экзоэлектронной эмиссии только на ионных кристаллах. Тем не
менее ее следует обсудить, |
поскольку она может быть |
применена и |
||
к металлам. Действительно, |
можно считать твердо установленным, |
|||
что на зачищенных металлах экзоэлектронная эмиссия |
наблюдается |
|||
только в присутствии кислорода, т.е. в процессе образования |
окисла. |
|||
Поэтому не исключено, что экзоэлектрокы |
эмиттируют |
не из |
металла, |
|
а из окисла, как это уже предполагалось |
Грунбергом и Райтом. |
|||
На сходство процессов люминесценции и экзоэлектронной |
эмиссии |
|||
указал Крамер [9,10]. Для этих процессов одинаково |
необходима |
|||
предварительная активация, |
они оба затухают во времени. Их можно |
стимулировать нагревом либо длинноволновой подсветкой. Было обра щено внимание и на то, что если кристалл обладает экзоэлектронной активностью, то он является и люминофором. Но не все люминофоры способны эмиттировать экзоэлектроны. Естественно, что сходство этих двух явлений навело на мысль об их аналогичной природе.
Когда в изучении экзоэлектронной эмиссии делались первые шаги, люминесценция была изучена глубже. Поэтому не удивительно, что большая часть исследований велась в направлении параллельного изу чения и сопоставления эффекта Крамера и люминесценции, а основны ми объектами исследований служили некоторые окислы и кристаллы NaCl, AgCl, CaF, [89-99].
В настоящее время гипотеза общности центров захвата, ответст венных за люминесценцию и экзоэлектронную эмиссию, подвергается сомнению. Для фосфоров на основе CaSO,, и SrSCu можно считать твердо доказанным, что эти центры имеют разную природу, хотя и создаются одним и тем же активатором [100-103]. Установлено [91], что необходимым условием для возбуждения экзоэлектронной эмиссии является фотохимическое окрашивание кристаллов, например, с помо щью рентгеновского или ультрафиолетового излучения. Без фотохими ческого окрашивания экзоэлектронная эмиссия с ионных кристаллов не наблюдается ни при нагревании, ни при облучении видимым светом. В ряде работ показано [15,91,97], что центрами экзоэлектронной эмиссии в ионных кристаллах являются объемные центры окраски в приповерх ностных слоях. Особая роль здесь отводится F -центрам [99] , энерге
тическое состояние которых зависит от дислокаций L 97І С увеличением
12
плотности дислокаций возрастает плотность F-центров и, |
как следст |
вие, увеличивается интенсивность экзоэлектронной эмиссии. |
|
Интересной является и особенность смещения спектра |
термостиму- |
лпрованной эмиссии в зависимости от присутствия в кристалле фтори
стого лития краевых |
или |
винтовых |
дислокаций. |
В |
случае |
избытка крае |
|||
вых дислокаций |
(10е |
с м " 2 ) |
спектр |
сдвигается |
в |
сторону |
более |
низких |
|
температур по |
сравнению |
со |
спектром кристалла, |
содержащего |
избыток |
(107 с м - 2 ) винтовых дислокаций [ 971. Формирование эмиссионных свойств
кристаллов, очевидно, |
определяется |
и |
электрическими |
зарядами, |
|||
возникающими |
на ступеньках выхода |
дислокаций |
на поверхность, а т а к |
||||
же атмосферой |
заряженных вакансий |
[ 104]. Значительную |
роль здесь |
||||
играет и |
работа выхода |
электрона [90]. |
|
|
|||
Таким |
образом, с деформированной |
трением |
поверхности кристаллов |
каменной соли следует ожидать экзоэлектронную эмиссию, интенсив ность которой будет зависеть от режимов трения. Это подтверждается исследованиями авторов [105,106], по которым между ультрафиолето вой фосфоресценцией, дефектностью структуры и экзоэлектронной эмис сией наблюдалась определенная взаимосвязь. В настоящее издание не включен материал по исследованию ультрафиолетовой фосфоресценции и дефектности структуры монокристаллов каменной соли, подвергаемых
трению скольжения, который |
тесно связан с экзоэлектронной эмиссией. |
||||
|
В приведенном обзоре не |
рассматривается экзоэлектронная эмиссия |
|||
при |
трении скольжения, так как литературные сведения по этому ново |
||||
му |
направлению |
исследований |
ограничены |
и в основном на данном э т а |
|
пе |
представлены |
работами [107-119], на |
которых авторы |
остановятся |
|
в последующих главах. |
|
|
|
||
|
Каждая из приведенных выше гипотез ограничивается |
рассмотрени |
|||
ем |
одного или нескольких факторов, от которых зависит |
экзоэлектрон |
|||
ная |
эмиссия. Это является их общим недостатком, так как установле |
||||
но, |
что экзоэмиссия зависит |
одновременно от многих факторов: от |
структуры поверхности, ее дефектности, окисных и адсорбционных пле нок и их природы, температуры, освещенности, биографии исследуемого образца, характера деформации и пр. Весь этот комплекс трудно опи сать одной из имеющихся гипотез, тем более, что многие закономер ности экзоэлектронной эмиссии еще окончательно не выяснены, что особенно относится к трению, скольжения. Поэтому применимость той или иной гипотезы, а также представления авторов о природе экзоэлек
тронной эмиссии будут изложены при |
постановке соответствующих з а |
дач и обсуждении экспериментальных |
данных. |
Глава IT.
ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ДЕТЕКТОРАХ. ОБОСНОВАНИЕ МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА ПРИ ВЫБОРЕ ДЕТЕКТОРА
Природа экзоэлектронной эмиссии не может быть познана, пока не будет предложена физическая модель, которая не только даст удовле творительное качественное описание эффекта, но и' подтвердит его к о личественные характеристики.
При теоретическом обобщении результатов многочисленных экспе риментальных исследований экзоэлектронной эмиссии приходится стал киваться с трудностями сопоставления данных различных исследовате лей. Причины этих затруднений заключаются в том, что пока нет еди ной общепринятой методики экспериментов, что зачастую не контроли руются параметры, влияющие на интенсивность и кинетику экзоэлектрон
ной эмиссии (спектральный состав |
и интенсивность света, состав а т м о |
сферы, температура и т.п.). При |
проведении экспериментов иногда |
решающее значение имеют конструкции и режим работы регистрирующе го устройства, которое само может оказывать влияние на детектиру емый процесс. Возникает своего рода обратная связь: эмиссия вызы
вает в |
детекторе |
процессы, которые изменяют свойства эмиттирующей |
поверхности либо |
начальные условия эксперимента и тем самым влия |
|
ют на |
интенсивность эмиссии. Наконец, говоря об интенсивности э к з о |
|
электронной эмиссии, большинство исследователей имеют в виду не |
||
число |
излучаемых |
поверхностью электронов, а число импульсов на в ы |
ходе регистриующего устройства. Анализ их работ показал! что соот |
|
ношение между этими величинами, как правило, не оценивалось. Меж |
|
ду тем, даже для относительных измерений необходимо проверить ли |
|
нейность зависимости между интенсивностью эмиссии и скоростью |
|
счета детектора, а для абсолютных - |
еще и определить его эффектив |
ность. Кроме того, необходимо учесть, что измерения проводятся на |
|
фоне ложных импульсов детектора. При незначительном изменении у с |
|
ловий эксперимента резко возросшее число ложных импульсов может |
|
совершенно исказить результаты измерений. Поэтому необходимо пра |
|
вильно подобрать и обосновать методику эксперимента, разобраться в |
|
физических процессах, сопровождающих |
регистрацию экзоэлектронов. |
Интенсивность экзоэлектронной |
эмиссии очень мала и иногда м о |
жет соответствовать всего лишь нескольким десяткам электронов, |
|
излучаемым с 1 с м 1 поверхности |
за 1 мин. В пересчете на плотность |
тока это составит »10"" 1 ' а / с м 2 . |
Существующие методы усиления и |
преобразования постоянного тока |
позволяют надежно регистрировать |
14
его величину до 10"14 а. Для регистрации меньших токов приходится использовать методы ядерной физики. Но в ядерной физике элементар ные частицы обладают большими энергиями и вызывают значительный ионизационный эффект в веществе детектора, а энергия экзоэлектронов составляет единицы и даже доли электронвольта. В связи с этим т е х ника регистрации экзоэлектронной эмиссии имеет свою специфику.
1. Регистрация с помощью газоразрядных счетчиков
Газоразрядный счетчик в простейшем случае представляет собой объем, заполненный газом, в который помещены два электрода. Элек трон, попавший в промежуток между этими двумя электродами, будет дрейфовать против силовых линий электрического поля, испытывая большое число соударений с молекулами газа. Длина пути свободного пробега между двумя соударениями зависит от состава газа, его д а в ления и температуры. При достаточно большой напряженности электри
ческого поля электрон, |
ускоряясь |
на пути свободного |
пробега, |
получа |
ет энергию, достаточную для ионизации молекулы газа . Тогда |
соударе |
|||
ние может привести к |
появлению |
нового электрона и |
положительного |
иона. Дрейфуя дальше к аноду, электроны создают новые электронноионные пары, число которых лавинообразно нарастает. Процесс разви тия такой лавины описывается коэффициентом ударной ионизации а, который определяется числом соударений электрона с молекулами газа на 1 см пути в направлении электрического поля. При некоторых упро щающих предположениях [120-122]
|
|
|
Ь |
|
|
|
|
а |
= аре |
Е / Р |
|
|
|
(2Л ) |
|
где |
а и |
b |
- константы |
данного |
газа; |
р - давление газа; |
Е _ на |
пряженность |
электрического поля. |
|
|
||||
Положительные ионы, |
будучи |
намного |
тяжелее электрона, |
медленно |
дрейфуют к катоду. Их энергия практически не превышает средней энер гии теплового движения нейтральных молекул газа . Увеличение числа
электронов за счет ионизационных соударений получило |
название |
г а з о |
||
вого усиления. Увеличение тока |
в межэлектродном промежутке за счет |
|||
газового усиления описывается |
коэффициентом газового |
усиления |
т . |
|
Для однородного |
поля, где а не |
зависит от координаты, |
величину |
m |
рассчитывают по |
формуле |
|
|
|
m = е"*, |
|
|
(2.2) |
где X - расстояние от анода, с которого начинается ударная ионизация. Счетчик с однородным полем имеет тот недостаток, что коэффици
ент газового усиления зависит от места влета электрона. В счетчике с неоднородным полем область высоких напряженностей поля сосредо точена вблизи электрода с большей кривизной и ударная ионизация
15
происходит только в узкой части пространства, окружающего этот электрод. Для счетчика с цилиндрической или сферической формой
электродов можно записать |
|
|
|
|
||
|
|
г |
|
|
|
|
|
|
fa(r)dr |
|
|
|
( 2 о) |
где |
га |
- радиус анода; г - расстояние |
от |
центра |
до места |
возникно |
вения |
ударной ионизации. |
|
|
|
|
|
|
Независимо от места влета первичные электроны на пути к аноду |
|||||
пройдут всю область ударной ионизации |
и |
создадут |
лавины |
одинако |
||
вой |
мощности. Рассмотрением одного процесса ударной ионизации и |
возникновения электронно-ионной лавины (так называемые первичные таунсендовские явления) можно ограничиться при небольших напряже
ниях на |
электродах, когда величина m |
не превышает 10 2 |
- |
Ю-3 . Счет |
||||||
чик с таким газовым усилением носит |
название пропорционального, |
|||||||||
так как |
число |
электронов в лавине и величина импульса |
пропорцио |
|||||||
нальны |
числу |
первичных |
электронов, |
одновременно |
попадающих |
в |
р а |
|||
бочий объем. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При |
больших напряжениях на счетчике нельзя пренебрегать |
влияни |
||||||||
ем вторичных |
таунсендовских процессов. Двигаясь |
к аноду, |
электроны |
|||||||
наряду |
с ионизацией возбуждают нейтральные молекулы. |
Возвращаясь |
||||||||
из возбужденного состояния в основное, молекулы |
высвечивают |
жест |
||||||||
кие световые |
кванты с |
энергией hi/ |
> 10 эв. Эта |
энергия |
превышает |
|||||
работу |
выхода |
обычных |
материалов, |
из |
которых изготовляется |
катод |
счетчика. В результате фотоэффекта из катода вырываются новые элек
троны, которые быстро дрейфуют к области ударной ионизации, |
созда |
|
ют новые электронно-ионные и фотонные лавины. Накопляющиеся |
после |
|
каждой лавины положительные ионы практически не успевают |
сдвинуть |
|
ся с места своего возникновения, так как их скорость дрейфа |
в |
103 |
раз меньше скорости дрейфа электронов. Ионы постепенно экранируют анод от внешнего поля. При этом напряженность поля снижается. Ког - ,да она станет меньше предельного значения, необходимого для удар ной ионизации, электронно-фотонные лавины прекратятся.
Осевшие на катоде положительные ионы, обладая большой потен циальной энергией, могут вырвать новые электроны. Так как простран ство вблизи анода уже очистилось от ионов и стала возможной удар ная ионизация, серия электронно-фотонных лавин и весь цикл повторя ются снова. Счетчик переходит в режим самостоятельного разряда. Разность потенциалов, при которой разряд приобретает характер само стоятельного, называется напряжением зажигания.
Рассмотрим счетчики с формой электродов в виде коаксиальных цилиндров или концентрических сфер, анодом в которых является элек трод с меньшим радиусом. В этом случае ионизационные явления про исходят вблизи анода и при некоторых условиях вокруг него может возникнуть свечение - коронный разряд. В счетчиках Гейгера попада ние электрона или ионизирующего излучения в газоразрядный промежу ток вызывает вспышку коронного разряда.
16
Л\сжду областью напряжений, соответствующей пропорциональному газопому усилению, и напряжением зажигания находится область огра ниченной пропорциональности, где из -за вторичных явлений нет стро гой пропорциональности между полным зарядом в лавине и числом электронов, одновременно начинающих процесс газового усиления. Обоз начим через у вероятность вырыва одного электрона из катода за счет вторичных процессов, рассчитанную на одну пару ионов в лавине.
Если |
лавина |
начата одним электроном, то в |
ней |
будет |
m пар ионов, |
|||||||||
а число вырванных свободных эле-ктронов из |
катода |
равно |
у m. Эти |
|||||||||||
электроны, лопав в область ударной ионизации, создадут |
лавину из |
|||||||||||||
ym 2 |
электронно-ионных |
пар, и за счет вторичных явлений |
возникнет |
|||||||||||
у2 m |
электронов |
из катода. Тогда полный коэффициент |
газового |
уси |
||||||||||
ления |
|
M с |
учетом |
вторичных |
таунсендовских |
процессов будет равен |
||||||||
M = |
m(l |
+ r m |
-t- y'm'' |
+...). |
|
|
|
|
|
(2.4) |
||||
Обычно |
коэффициент |
y |
мал |
(порядка 10"4 ). Тогда |
при |
m |
< Ю |
мож |
||||||
но записать, суммируя члены геометрической |
прогрессии |
|
|
|||||||||||
M = т / ( 1 - у m). |
|
|
|
|
|
|
|
|
(2.5) |
|||||
При у m » 1, |
<М->-°° |
что |
соответствует переходу |
в |
самостоятельный |
р а з |
||||||||
ряд. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Предельно достижимая величина M без перехода в непрерывный |
р а з |
|||||||||||||
ряд зависит от состава газа и материала катода. Величина |
у для |
Си, |
||||||||||||
Au, Ni |
и |
Pt |
намного |
меньше, |
чем для AI, Mg, |
Be |
ИЛИ |
содержащих |
их сплавов. Переход от пропорциональной области к области коронного разряда соответствует более широкому интервалу напряжений при на полнении счетчиков многоатомными газами и парами, чем при исполь зовании одноатомных и двухатомных газов. Поэтому счетчик с медным катодом, наполненный метаном, работает' устойчивее и позволяет полу чить большее газовое усиление в области ограниченной пропорциональ ности, чем алюминиевый счетчик с аргоновым наполнением. Особую сложность вызывает присутствие в атмосфере счетчика молекул, обла дающих большим коэффициентом прилипания электронов (кислород, пары воды и т . п . ) . Образовавшиеся отрицательные ионы неспособны произ вести ударную ионизацию, поэтому мощность лавины уменьшается и счетчик может оказаться нечувствительным к влетающим в него мед ленным электронам.
|
Величина |
тока коронного разряда I |
описывается выражением |
H U - U 3 a ) K ) / R B H y T p , |
(2 . 6) |
||
где |
Ивнутр - |
внутреннее сопротивление |
газоразрядного промежутка; |
( U |
- п заж - |
перенапряжение счетчика; І І з а ж - напряжение зажигания |
короны. Первичные и вторичные таунсендовские явления представляют
собой |
статистические процессы, поэтому случайные згіачейиІГ* |
||
|
|
|
°иь Л 8 . о -на с н е " ? |
473 |
2 |
I |
ЭНЗЕМ:,ЛУР |
! Ч И Т А Л Ь Н О Г О З А Л А
могут намного отличаться от средних. Следовательно, при небольших перенапряжениях коронный разряд может самопроизвольно погаснуть. Интервал перенапряжений, при которых корона неустойчива, зависит от состава газа . Для одноатомных и двухатомных газов он составляет всего несколько вольт, а для многоатомных газов и паров - несколько десятков вольт.
Счетчики могут работать в режимах как устойчивого, так и неустой чивого коронного разряда. Соответственно различают несамогасящиеся
и самогасяшиеся счетчики Гейгера. В первых используются чистые |
одно- |
|
и двухатомные газы, а разряд гасится включением высокоомного |
г а с я |
|
щего сопротивления в цепи анода или же применением специальной |
||
электронной гасящей схемы. Во втором типе |
счетчиков подбирается |
|
такая смесь газов для наполнения (например, |
90% аргона и 10% мета |
на), при которой становятся невозможными фотоэффект и потенциальное вырывание электронов на катоде. Подробнее с механизмом гашения раз ряда можно ознакомиться в работах [120-122]-
Основными параметрами счетчиков Гейгера являются рабочее напря
жение U p a g j при котором рекомендуется |
эксплуатировать |
счетчик; ско |
|||
рость |
счета |
импульсов фона при этом напряжении |
П А , разрешающее |
||
время |
т - |
минимальный интервал времени между влетом двух частиц |
|||
в счетчик, |
при котором они могут быть |
зарегистрированы |
раздельно; |
||
наличие "плато" на счетной характеристике, протяженность плато и |
|||||
наклон |
плато. |
|
|
|
|
Счетной |
характеристикой .детектора |
называется |
зависимость скоро |
сти счета импульсов от напряжения на счетчике при неизменных усло виях облучения. Счетчики Гейгера должны иметь на счетной характе ристике плато пологий участок, на котором скорость счета почти не зависит от напряжения. Плато позволяет легко проводить устойчивые
измерения. Разработано |
много промышленных типов счетчиков Гейгера |
с отличными рабочими |
характеристиками. |
Применение промышленных торцовых счетчиков. Промышленные г а з о разрядные торцовые счетчики бета-излучений имеют корпус преимуще ственно цилиндрической формы, изготовленный из стекла или пластмас сы, и слюдяное входное окошко, расположенное на торце. Герметич ный объем счетчика заполняется газовой смесью, обеспечивающей с а м о гашение разряда. При работе счетчика гасящая добавка разлагается и его параметры меняются. В связи с этим вводят еще одну характери стику - срок службы, или ресурс работы, выражаемый числом импуль сов, которые могут быть сосчитаны до существенного изменения свойств
счетчика. Но даже в нерабочем состоянии свойства детектора |
меня |
ются из-за адсорбции или химического взаимодействия гасящей |
добав |
ки с материалом катода, изготовляемого из нержавеющей стали или напыленных на корпус пленок меди, олова и т.п. Гарантируемый срок хранения счетчиков не превышает 12-18 месяцев, после чего счетчик часто непригоден к работе.
Счетчики серии СИ-2Б, СИ-ЗБ,. СИ-5Б, МСТ-17 - импульсные, тор цовые, с органической гасящей добавкой, стеклянным корпусом, круг лым слюдяным окном площадью от 2,5 до 12,5 см' и плотностью 2,6-
18
-3 м г / с м 2 . Их |
рабочее |
напряжение |
1300-1700 в, плато имеет протяжен |
||
ность до 150 в |
и малый |
наклон до 0,03 %/в, а натуральный |
фон - |
до |
|
65 имп/мин, при ресурсе |
работы - |
5 • Ю 7 импульсов. Другая |
серия |
счет |
чиков - Т-25-БФЛ, Т-50-БФЛ и Т-60-БФЛ - при сходных прочих пара
метрах отличается более тонкими |
слюдяными окнами |
(до 1,5 м г / с м ) |
|||
и меньшим фоном (до 13 имп/мин) |
[123]. |
|
|
|
|
Применение вместо органической гасящей добавки |
галогенов |
(брома |
|||
или хлора) позволяет |
значительно понизить рабочее |
напряжение |
и |
уве |
|
личить ресурс работы |
до 10 импульсов. Все галогенные счетчики |
с е |
рии СБТ имеют номинальное рабочее напряжение |
390 в. Плотность слю |
|||
дяного |
окна 3-5 м г / с м ^ но у детектора |
СБТ-14она значительно |
ниже - |
|
всего |
1,4 м г / с м 2 • Счетчики этой серии |
отличают |
также широкий |
диапа |
зон рабочих температур и возможность работы в импульсном и токовом
режимах. В этих |
счетчиках |
за счет высокого коэффициента газового |
||||||
усиления (М= 10 |
) десять электронов, попавших в |
рабочий |
объем за |
|||||
1 сек создадут на выходе |
ток до 10"1 0 |
а. Тогда |
вместо |
импульсной |
||||
регистрирующей схемы можно использовать усилитель |
постоянного т о |
|||||||
ка и легко производить непрерывную запись показаний. |
|
|||||||
Чтобы |
экзоэлектроны проникли через |
слюдяное окно внутрь счетчи |
||||||
ка и были зарегистрированы, им необходимо придать |
определенную |
|||||||
энергию, |
величина |
которой |
легко определяется из рис. 1. Как видно |
|||||
из этого |
рисунка, |
даже при толщине окна 1 м г / с м 2 для регистрации |
||||||
50% электронов потребуется ускоряющее напряжение |
80 кв. Но при |
|||||||
плотности |
слюды |
3 м г / с м 2 |
и том же напряжении |
зарегистрируется |
||||
всего 7% электронов, если |
принять эффективность |
регистрации детекто |
ра за единицу для электронов, прошедших через окно. На самом деле это число будет существенно меньше изза эффекта прилипания элек трона к электроотрицательным компонентам газовой смеси и просче тов, обусловленных конечной величиной разрешающего времени счет чика.
Итак, устройство, регистрирующее экзоэлектроны, при использовании промышленного торцового счетчика должно представлять собой комби нацию этого счетчика с ускорителем. Таким ускорителем может слу жить сетка, находящаяся под высоким положительным потенциалом от носительно образца и размещенная между ним и счетчиком. Ускорен
ные электроны |
проходят через ячейки сетки и по инерции летят к ок |
ну детектора. |
Неудобство заключается в том, что при высоком требу |
емом напряжении ускорителя опыт необходимо проводить в вакуумной камере при давлении не более Ю - 4 мм рт.ст. Ввод высокого напряже ния, возможность пробоев межэлектродных промежутков усложняют опыт. Для снижения напряжения необходимо отбирать счетчики с наи меньшей толщиной слюдяного окна. Поскольку промышленные счетчики
имеют окно |
толщиной не менее |
1 м г / с м 2 , то минимально возможное |
|
напряжение |
ускорителя, |
при котором регистрируются экзоэлектроны, |
|
составляет |
20 кв. Батоу |
[58] |
ускорял электроны всего до 6 кэв, ис |
пользуя при этом специальный счетчик со стеклянным окном толщиной
0,1 мкм, что соответствует всего лишь |
0,027 м г / с м ; . Есть сообщения |
[124, 125] о том, что экзоэлектронная |
эмиссия регистрировалась счет— |
19