Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Евдокимов, В. Д. Экзоэлектронная эмиссия при трении

.pdf
Скачиваний:
10
Добавлен:
21.10.2023
Размер:
10.35 Mб
Скачать

вать к поверхности. При выходе

на

поверхность

вакансия

аннигилирует

с выделением энергии Е у .

Если

до

деформации

подсветка

не вызывает

эмиссию электронов, так как hu < q> (где hu - энергия кванта, а

<р —

работа выхода электрона),

то после

зачистки поверхности

эмиссия

воз ­

никает. В последнем случае суммарная энергия вакансии и светового кванта становится достаточно большой для возбуждения эмиссии

t v + nu > ф .

Механизм диффузии вакансий, объясняющий природу экзоэлектронной эмиссии, получил развитие в дальнейших работах [45, 71-73]. Особенно интересна работа [71], в которой сопоставляются изменения во време ­ ни экспериментально найденной интенсивности экзоэлектронной эмиссии

1= А е " М + В е - к = '

 

 

 

 

 

(1.3)

и теоретически

выведенной

плотности потока

вакансий

через поверх­

ность твердого

тела

 

 

 

 

 

 

 

 

г

 

 

 

 

 

 

 

 

1= 2 C n e - * n D t ,

 

 

 

'

(1.4)

 

п=1

 

 

 

 

 

 

 

 

где

А, В

и С -

 

начальные

интенсивности, К,,

К ,

и Л

- константы;

D -

коэффициент

диффузии;

t -

время.

 

 

 

 

Если

принять,

что третий и

последующий члены

в уравнении

(1.4)

пренебрежимо малы по сравнению с предыдущими членами, то эмпири­

ческое (1.3)

и теоретическое

(1.4) уравнения

находятся

в хорошем

согласии. Кроме того, константы

затухания экспоненциальных членов

в уравнениях

(1.3) и (1.4) имеют одинаковую

температурную

зависи­

мость

 

 

 

 

 

 

К = F e - E / R T , D = D 0 e - E / R T ,

 

 

 

 

где Е - энергия активации;

R -

универсальная

газовая

постоянная;

Т - абсолютная температура.

 

 

 

 

 

При всей

изящности описанной

выше гипотезы ее авторы

совершен­

но не учитывают, что для возбуждения экзоэлектронной эмиссии необ­ ходимо постоянное присутствие кислорода. Поэтому в последующих ра ­ ботах [ 25, 74], в которых проверялась эта гипотеза, подвергается сомнению механизм переноса вакансий как основной фактор, объясня­ ющий экзоэлектронную эмиссию. Было отмечено, что скорость з а т у х а ­ ния экзоэлектронной эмиссии обусловлена взаимодействием окружающего газа с поверхностью металла, и кинетика экзоэлектронной эмиссии опре­ деляется не дрейфом вакансий, а адсорбционно-окислительными процес­ сами. Поэтому для объяснения механизма экзоэлектронной эмиссии предложена компромиссная гипотеза, по которой вакансии дрейфуют к поверхности и, достигнув ее, становятся центрами адсорбции или окис­ ления [45] При этом высвобождается потенциальная энергия, связан-

10

ная с вакансией. Но такая точка зрения возвращает нас к гипотезе хемоэмиссии с той лишь разницей, что вакансия оказывается инициа­ тором окислительного процесса.

Другой подход к решению вопроса о взаимосвязи экзоэлектронной эмиссии и деформационных дефектов, возникающих после механической обработки металлов, намечен в работах [75-78]. Показано, что дефор­

мация поверхностных

слоев металлов приводит к изменению работы вы ­

хода электрона. Если

при облучении светом с энергией квантов,

близкой

к порогу фотоэффекта

металла, эмиссия не наблюдается, то она

может

возникнуть после деформации в связи с уменьшением работы выхода. После деформации со временем происходят упорядочение кристалличе­ ской решетки металла, дрейф к поверхности и аннигиляция вакансий;

работа выхода восстанавливается до прежнего уровня, а эмиссия

зату ­

хает. Такая модель удовлетворительно объясняет

особенности экзоэлек­

тронной эмиссии, обусловленной

деформационным

возбуждением,

но т р е ­

бует

дополнительных предположений для объяснения влияния темпера­

туры

и состава атмосферы на ход эмиссионного

процесса.

 

Гипотеза Грунберга и Райта

(оже-механизм

экзоэлектронной

эмиссии).

Изучая с помощью узкополосных

фильтров спектральную

зависимость

фотоэффекта с поверхности металлов в воздухе,

Грунберг

и Райт

[79]

обнаружили эмиссию фотоэлектронов в длинноволновой области за крас ­

ной границей. Хотя работа выхода алюминия и цинка составляет

4,25 эв,

сильный эмиссионный^ пик был обнаружен Hja 4700 8

(2,64 эв) и

мень ­

шие пики - на 5200 А и между

6000-7000 А. По мнению авторов,

эти

эмиссионные пики обусловлены

дефектами

кристаллической

решетки р а с ­

тущего окисла. В частности, пик на 4700 А они связывали

с возбужден­

ными

F'-центрами (вакансия кислородного

иона, занятая

двумя

электро­

нами). Поглощенный квант света возбуждает один из электронов. В

этом случае прямая эмиссия невозможна,

так как электрону необходи­

мо еще преодолеть потенциальный барьер,

обусловленный энергией срод­

ства

окисла к электрону. Но энергия возбужденного

F'-центра

может

передаться путем прямого взаимодействия (подобного оже-эффекту) ка ­

кому-нибудь

мелкому центру или поверхностному состоянию,

находящему­

ся недалеко

от F'-центра. Этой энергии будет достаточно

для эмиссии

электрона из неглубокого центра.

 

 

 

 

 

Оже-механизм эмиссии электронов из полупроводников и диэлектри­

ков

получил

развитие в работе

 

[80 ], Следуя представлениям

авторов

этой

работы,

можно объяснить

многие

особенности

экзоэлектронной

эмиссии. Показано, что эмиссия

возможна лишь для тех

кристаллов,

у которых ширина запрещенной

 

зоны Е э

больше энергии

сродства к

электрону

X . При рекомбинации

электрона с дыркой

высвобождается

энергия,

примерно равная Е 3 ,

которая

может быть

передана

другому

электрону двухзарядного или близко расположенного центра. В этом

случае электрон может эмиттировать, и после преодоления

наружного

потенциального барьера его энергия будет приблизительно

равна E 3 - \ '

Такой механизм выброса электронов объясняет возможность темновой

эмиссии и большую энергию экзоэлектронов. Значительные энергии,

порядка 2-8

эв, которыми обладают экзоэлектроны [ 81-83],

 

пока не

объясняются

другими гипотезами.

 

 

 

 

 

11

Механизм оже-рекомбинации хорошо объясняет также максимумы на кривых термовысвечивания экзоэлектронов, затухание эмиссии и влияение подсветки. Поэтому все чаще исследователи склоняются в пользу этой гипотезы при изучении экзоэлектронной эмиссии с ионных кристаллов [84,85], хотя для окончательных выводов требуется еще экспериментальная проверка. Что же касается результатов Грунберга и Райта, полученных для металлов, то они оказались ошибочными. Впоследствии было доказано, что длинноволновые максимумы фото­

электронной эмиссии обусловлены незначительным пропусканием фильт­ ров в области ближнего ультрафиолета [86І. Ряд экспериментов не обнаружил эмиссии на длинах волн свыше 4000 К [34,36,87,881.

Гипотеза,

предполагающая выброс экзоэлектронов из центров

окрас­

ки ионных

кристаллов. Эта гипотеза выдвинута для объяснения

меха­

низма экзоэлектронной эмиссии только на ионных кристаллах. Тем не

менее ее следует обсудить,

поскольку она может быть

применена и

к металлам. Действительно,

можно считать твердо установленным,

что на зачищенных металлах экзоэлектронная эмиссия

наблюдается

только в присутствии кислорода, т.е. в процессе образования

окисла.

Поэтому не исключено, что экзоэлектрокы

эмиттируют

не из

металла,

а из окисла, как это уже предполагалось

Грунбергом и Райтом.

На сходство процессов люминесценции и экзоэлектронной

эмиссии

указал Крамер [9,10]. Для этих процессов одинаково

необходима

предварительная активация,

они оба затухают во времени. Их можно

стимулировать нагревом либо длинноволновой подсветкой. Было обра­ щено внимание и на то, что если кристалл обладает экзоэлектронной активностью, то он является и люминофором. Но не все люминофоры способны эмиттировать экзоэлектроны. Естественно, что сходство этих двух явлений навело на мысль об их аналогичной природе.

Когда в изучении экзоэлектронной эмиссии делались первые шаги, люминесценция была изучена глубже. Поэтому не удивительно, что большая часть исследований велась в направлении параллельного изу­ чения и сопоставления эффекта Крамера и люминесценции, а основны­ ми объектами исследований служили некоторые окислы и кристаллы NaCl, AgCl, CaF, [89-99].

В настоящее время гипотеза общности центров захвата, ответст­ венных за люминесценцию и экзоэлектронную эмиссию, подвергается сомнению. Для фосфоров на основе CaSO,, и SrSCu можно считать твердо доказанным, что эти центры имеют разную природу, хотя и создаются одним и тем же активатором [100-103]. Установлено [91], что необходимым условием для возбуждения экзоэлектронной эмиссии является фотохимическое окрашивание кристаллов, например, с помо­ щью рентгеновского или ультрафиолетового излучения. Без фотохими­ ческого окрашивания экзоэлектронная эмиссия с ионных кристаллов не наблюдается ни при нагревании, ни при облучении видимым светом. В ряде работ показано [15,91,97], что центрами экзоэлектронной эмиссии в ионных кристаллах являются объемные центры окраски в приповерх­ ностных слоях. Особая роль здесь отводится F -центрам [99] , энерге­

тическое состояние которых зависит от дислокаций L 97І С увеличением

12

плотности дислокаций возрастает плотность F-центров и,

как следст­

вие, увеличивается интенсивность экзоэлектронной эмиссии.

Интересной является и особенность смещения спектра

термостиму-

лпрованной эмиссии в зависимости от присутствия в кристалле фтори­

стого лития краевых

или

винтовых

дислокаций.

В

случае

избытка крае ­

вых дислокаций

(10е

с м " 2 )

спектр

сдвигается

в

сторону

более

низких

температур по

сравнению

со

спектром кристалла,

содержащего

избыток

(107 с м - 2 ) винтовых дислокаций [ 971. Формирование эмиссионных свойств

кристаллов, очевидно,

определяется

и

электрическими

зарядами,

возникающими

на ступеньках выхода

дислокаций

на поверхность, а т а к ­

же атмосферой

заряженных вакансий

[ 104]. Значительную

роль здесь

играет и

работа выхода

электрона [90].

 

 

Таким

образом, с деформированной

трением

поверхности кристаллов

каменной соли следует ожидать экзоэлектронную эмиссию, интенсив­ ность которой будет зависеть от режимов трения. Это подтверждается исследованиями авторов [105,106], по которым между ультрафиолето­ вой фосфоресценцией, дефектностью структуры и экзоэлектронной эмис ­ сией наблюдалась определенная взаимосвязь. В настоящее издание не включен материал по исследованию ультрафиолетовой фосфоресценции и дефектности структуры монокристаллов каменной соли, подвергаемых

трению скольжения, который

тесно связан с экзоэлектронной эмиссией.

 

В приведенном обзоре не

рассматривается экзоэлектронная эмиссия

при

трении скольжения, так как литературные сведения по этому ново­

му

направлению

исследований

ограничены

и в основном на данном э т а ­

пе

представлены

работами [107-119], на

которых авторы

остановятся

в последующих главах.

 

 

 

 

Каждая из приведенных выше гипотез ограничивается

рассмотрени­

ем

одного или нескольких факторов, от которых зависит

экзоэлектрон­

ная

эмиссия. Это является их общим недостатком, так как установле­

но,

что экзоэмиссия зависит

одновременно от многих факторов: от

структуры поверхности, ее дефектности, окисных и адсорбционных пле­ нок и их природы, температуры, освещенности, биографии исследуемого образца, характера деформации и пр. Весь этот комплекс трудно опи­ сать одной из имеющихся гипотез, тем более, что многие закономер­ ности экзоэлектронной эмиссии еще окончательно не выяснены, что особенно относится к трению, скольжения. Поэтому применимость той или иной гипотезы, а также представления авторов о природе экзоэлек­

тронной эмиссии будут изложены при

постановке соответствующих з а ­

дач и обсуждении экспериментальных

данных.

Глава IT.

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ДЕТЕКТОРАХ. ОБОСНОВАНИЕ МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА ПРИ ВЫБОРЕ ДЕТЕКТОРА

Природа экзоэлектронной эмиссии не может быть познана, пока не будет предложена физическая модель, которая не только даст удовле­ творительное качественное описание эффекта, но и' подтвердит его к о ­ личественные характеристики.

При теоретическом обобщении результатов многочисленных экспе­ риментальных исследований экзоэлектронной эмиссии приходится стал ­ киваться с трудностями сопоставления данных различных исследовате­ лей. Причины этих затруднений заключаются в том, что пока нет еди­ ной общепринятой методики экспериментов, что зачастую не контроли­ руются параметры, влияющие на интенсивность и кинетику экзоэлектрон­

ной эмиссии (спектральный состав

и интенсивность света, состав а т м о ­

сферы, температура и т.п.). При

проведении экспериментов иногда

решающее значение имеют конструкции и режим работы регистрирующе­ го устройства, которое само может оказывать влияние на детектиру­ емый процесс. Возникает своего рода обратная связь: эмиссия вызы ­

вает в

детекторе

процессы, которые изменяют свойства эмиттирующей

поверхности либо

начальные условия эксперимента и тем самым влия­

ют на

интенсивность эмиссии. Наконец, говоря об интенсивности э к з о ­

электронной эмиссии, большинство исследователей имеют в виду не

число

излучаемых

поверхностью электронов, а число импульсов на в ы ­

ходе регистриующего устройства. Анализ их работ показал! что соот­

ношение между этими величинами, как правило, не оценивалось. Меж ­

ду тем, даже для относительных измерений необходимо проверить ли­

нейность зависимости между интенсивностью эмиссии и скоростью

счета детектора, а для абсолютных -

еще и определить его эффектив­

ность. Кроме того, необходимо учесть, что измерения проводятся на

фоне ложных импульсов детектора. При незначительном изменении у с ­

ловий эксперимента резко возросшее число ложных импульсов может

совершенно исказить результаты измерений. Поэтому необходимо пра­

вильно подобрать и обосновать методику эксперимента, разобраться в

физических процессах, сопровождающих

регистрацию экзоэлектронов.

Интенсивность экзоэлектронной

эмиссии очень мала и иногда м о ­

жет соответствовать всего лишь нескольким десяткам электронов,

излучаемым с 1 с м 1 поверхности

за 1 мин. В пересчете на плотность

тока это составит »10"" 1 ' а / с м 2 .

Существующие методы усиления и

преобразования постоянного тока

позволяют надежно регистрировать

14

его величину до 10"14 а. Для регистрации меньших токов приходится использовать методы ядерной физики. Но в ядерной физике элементар­ ные частицы обладают большими энергиями и вызывают значительный ионизационный эффект в веществе детектора, а энергия экзоэлектронов составляет единицы и даже доли электронвольта. В связи с этим т е х ­ ника регистрации экзоэлектронной эмиссии имеет свою специфику.

1. Регистрация с помощью газоразрядных счетчиков

Газоразрядный счетчик в простейшем случае представляет собой объем, заполненный газом, в который помещены два электрода. Элек­ трон, попавший в промежуток между этими двумя электродами, будет дрейфовать против силовых линий электрического поля, испытывая большое число соударений с молекулами газа. Длина пути свободного пробега между двумя соударениями зависит от состава газа, его д а в ­ ления и температуры. При достаточно большой напряженности электри­

ческого поля электрон,

ускоряясь

на пути свободного

пробега,

получа­

ет энергию, достаточную для ионизации молекулы газа . Тогда

соударе­

ние может привести к

появлению

нового электрона и

положительного

иона. Дрейфуя дальше к аноду, электроны создают новые электронноионные пары, число которых лавинообразно нарастает. Процесс разви­ тия такой лавины описывается коэффициентом ударной ионизации а, который определяется числом соударений электрона с молекулами газа на 1 см пути в направлении электрического поля. При некоторых упро­ щающих предположениях [120-122]

 

 

 

Ь

 

 

 

 

а

= аре

Е / Р

 

 

 

(2Л )

где

а и

b

- константы

данного

газа;

р - давление газа;

Е _ на­

пряженность

электрического поля.

 

 

Положительные ионы,

будучи

намного

тяжелее электрона,

медленно

дрейфуют к катоду. Их энергия практически не превышает средней энер­ гии теплового движения нейтральных молекул газа . Увеличение числа

электронов за счет ионизационных соударений получило

название

г а з о ­

вого усиления. Увеличение тока

в межэлектродном промежутке за счет

газового усиления описывается

коэффициентом газового

усиления

т .

Для однородного

поля, где а не

зависит от координаты,

величину

m

рассчитывают по

формуле

 

 

 

m = е"*,

 

 

(2.2)

где X - расстояние от анода, с которого начинается ударная ионизация. Счетчик с однородным полем имеет тот недостаток, что коэффици­

ент газового усиления зависит от места влета электрона. В счетчике с неоднородным полем область высоких напряженностей поля сосредо­ точена вблизи электрода с большей кривизной и ударная ионизация

15

происходит только в узкой части пространства, окружающего этот электрод. Для счетчика с цилиндрической или сферической формой

электродов можно записать

 

 

 

 

 

 

г

 

 

 

 

 

 

fa(r)dr

 

 

 

( 2 о)

где

га

- радиус анода; г - расстояние

от

центра

до места

возникно­

вения

ударной ионизации.

 

 

 

 

 

Независимо от места влета первичные электроны на пути к аноду

пройдут всю область ударной ионизации

и

создадут

лавины

одинако­

вой

мощности. Рассмотрением одного процесса ударной ионизации и

возникновения электронно-ионной лавины (так называемые первичные таунсендовские явления) можно ограничиться при небольших напряже­

ниях на

электродах, когда величина m

не превышает 10 2

-

Ю-3 . Счет ­

чик с таким газовым усилением носит

название пропорционального,

так как

число

электронов в лавине и величина импульса

пропорцио­

нальны

числу

первичных

электронов,

одновременно

попадающих

в

р а ­

бочий объем.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При

больших напряжениях на счетчике нельзя пренебрегать

влияни­

ем вторичных

таунсендовских процессов. Двигаясь

к аноду,

электроны

наряду

с ионизацией возбуждают нейтральные молекулы.

Возвращаясь

из возбужденного состояния в основное, молекулы

высвечивают

жест ­

кие световые

кванты с

энергией hi/

> 10 эв. Эта

энергия

превышает

работу

выхода

обычных

материалов,

из

которых изготовляется

катод

счетчика. В результате фотоэффекта из катода вырываются новые элек ­

троны, которые быстро дрейфуют к области ударной ионизации,

созда ­

ют новые электронно-ионные и фотонные лавины. Накопляющиеся

после

каждой лавины положительные ионы практически не успевают

сдвинуть­

ся с места своего возникновения, так как их скорость дрейфа

в

103

раз меньше скорости дрейфа электронов. Ионы постепенно экранируют анод от внешнего поля. При этом напряженность поля снижается. Ког - ,да она станет меньше предельного значения, необходимого для удар­ ной ионизации, электронно-фотонные лавины прекратятся.

Осевшие на катоде положительные ионы, обладая большой потен­ циальной энергией, могут вырвать новые электроны. Так как простран­ ство вблизи анода уже очистилось от ионов и стала возможной удар­ ная ионизация, серия электронно-фотонных лавин и весь цикл повторя­ ются снова. Счетчик переходит в режим самостоятельного разряда. Разность потенциалов, при которой разряд приобретает характер само ­ стоятельного, называется напряжением зажигания.

Рассмотрим счетчики с формой электродов в виде коаксиальных цилиндров или концентрических сфер, анодом в которых является элек­ трод с меньшим радиусом. В этом случае ионизационные явления про­ исходят вблизи анода и при некоторых условиях вокруг него может возникнуть свечение - коронный разряд. В счетчиках Гейгера попада­ ние электрона или ионизирующего излучения в газоразрядный промежу­ ток вызывает вспышку коронного разряда.

16

Л\сжду областью напряжений, соответствующей пропорциональному газопому усилению, и напряжением зажигания находится область огра­ ниченной пропорциональности, где из -за вторичных явлений нет стро­ гой пропорциональности между полным зарядом в лавине и числом электронов, одновременно начинающих процесс газового усиления. Обоз­ начим через у вероятность вырыва одного электрона из катода за счет вторичных процессов, рассчитанную на одну пару ионов в лавине.

Если

лавина

начата одним электроном, то в

ней

будет

m пар ионов,

а число вырванных свободных эле-ктронов из

катода

равно

у m. Эти

электроны, лопав в область ударной ионизации, создадут

лавину из

ym 2

электронно-ионных

пар, и за счет вторичных явлений

возникнет

у2 m

электронов

из катода. Тогда полный коэффициент

газового

уси­

ления

 

M с

учетом

вторичных

таунсендовских

процессов будет равен

M =

m(l

+ r m

-t- y'm''

+...).

 

 

 

 

 

(2.4)

Обычно

коэффициент

y

мал

(порядка 10"4 ). Тогда

при

m

< Ю

мож­

но записать, суммируя члены геометрической

прогрессии

 

 

M = т / ( 1 - у m).

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.5)

При у m » 1,

<М->-°°

что

соответствует переходу

в

самостоятельный

р а з ­

ряд.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Предельно достижимая величина M без перехода в непрерывный

р а з ­

ряд зависит от состава газа и материала катода. Величина

у для

Си,

Au, Ni

и

Pt

намного

меньше,

чем для AI, Mg,

Be

ИЛИ

содержащих

их сплавов. Переход от пропорциональной области к области коронного разряда соответствует более широкому интервалу напряжений при на­ полнении счетчиков многоатомными газами и парами, чем при исполь­ зовании одноатомных и двухатомных газов. Поэтому счетчик с медным катодом, наполненный метаном, работает' устойчивее и позволяет полу­ чить большее газовое усиление в области ограниченной пропорциональ­ ности, чем алюминиевый счетчик с аргоновым наполнением. Особую сложность вызывает присутствие в атмосфере счетчика молекул, обла­ дающих большим коэффициентом прилипания электронов (кислород, пары воды и т . п . ) . Образовавшиеся отрицательные ионы неспособны произ­ вести ударную ионизацию, поэтому мощность лавины уменьшается и счетчик может оказаться нечувствительным к влетающим в него мед ­ ленным электронам.

 

Величина

тока коронного разряда I

описывается выражением

H U - U 3 a ) K ) / R B H y T p ,

(2 . 6)

где

Ивнутр -

внутреннее сопротивление

газоразрядного промежутка;

( U

- п заж -

перенапряжение счетчика; І І з а ж - напряжение зажигания

короны. Первичные и вторичные таунсендовские явления представляют

собой

статистические процессы, поэтому случайные згіачейиІГ*

 

 

 

°иь Л 8 . о -на с н е " ?

473

2

I

ЭНЗЕМ:,ЛУР

! Ч И Т А Л Ь Н О Г О З А Л А

могут намного отличаться от средних. Следовательно, при небольших перенапряжениях коронный разряд может самопроизвольно погаснуть. Интервал перенапряжений, при которых корона неустойчива, зависит от состава газа . Для одноатомных и двухатомных газов он составляет всего несколько вольт, а для многоатомных газов и паров - несколько десятков вольт.

Счетчики могут работать в режимах как устойчивого, так и неустой­ чивого коронного разряда. Соответственно различают несамогасящиеся

и самогасяшиеся счетчики Гейгера. В первых используются чистые

одно-

и двухатомные газы, а разряд гасится включением высокоомного

г а с я ­

щего сопротивления в цепи анода или же применением специальной

электронной гасящей схемы. Во втором типе

счетчиков подбирается

такая смесь газов для наполнения (например,

90% аргона и 10% мета ­

на), при которой становятся невозможными фотоэффект и потенциальное вырывание электронов на катоде. Подробнее с механизмом гашения раз ­ ряда можно ознакомиться в работах [120-122]-

Основными параметрами счетчиков Гейгера являются рабочее напря­

жение U p a g j при котором рекомендуется

эксплуатировать

счетчик; ско­

рость

счета

импульсов фона при этом напряжении

П А , разрешающее

время

т -

минимальный интервал времени между влетом двух частиц

в счетчик,

при котором они могут быть

зарегистрированы

раздельно;

наличие "плато" на счетной характеристике, протяженность плато и

наклон

плато.

 

 

 

Счетной

характеристикой .детектора

называется

зависимость скоро­

сти счета импульсов от напряжения на счетчике при неизменных усло­ виях облучения. Счетчики Гейгера должны иметь на счетной характе­ ристике плато пологий участок, на котором скорость счета почти не зависит от напряжения. Плато позволяет легко проводить устойчивые

измерения. Разработано

много промышленных типов счетчиков Гейгера

с отличными рабочими

характеристиками.

Применение промышленных торцовых счетчиков. Промышленные г а з о ­ разрядные торцовые счетчики бета-излучений имеют корпус преимуще­ ственно цилиндрической формы, изготовленный из стекла или пластмас­ сы, и слюдяное входное окошко, расположенное на торце. Герметич­ ный объем счетчика заполняется газовой смесью, обеспечивающей с а м о ­ гашение разряда. При работе счетчика гасящая добавка разлагается и его параметры меняются. В связи с этим вводят еще одну характери­ стику - срок службы, или ресурс работы, выражаемый числом импуль­ сов, которые могут быть сосчитаны до существенного изменения свойств

счетчика. Но даже в нерабочем состоянии свойства детектора

меня­

ются из-за адсорбции или химического взаимодействия гасящей

добав­

ки с материалом катода, изготовляемого из нержавеющей стали или напыленных на корпус пленок меди, олова и т.п. Гарантируемый срок хранения счетчиков не превышает 12-18 месяцев, после чего счетчик часто непригоден к работе.

Счетчики серии СИ-2Б, СИ-ЗБ,. СИ-5Б, МСТ-17 - импульсные, тор­ цовые, с органической гасящей добавкой, стеклянным корпусом, круг­ лым слюдяным окном площадью от 2,5 до 12,5 см' и плотностью 2,6-

18

-3 м г / с м 2 . Их

рабочее

напряжение

1300-1700 в, плато имеет протяжен­

ность до 150 в

и малый

наклон до 0,03 %/в, а натуральный

фон -

до

65 имп/мин, при ресурсе

работы -

5 • Ю 7 импульсов. Другая

серия

счет­

чиков - Т-25-БФЛ, Т-50-БФЛ и Т-60-БФЛ - при сходных прочих пара­

метрах отличается более тонкими

слюдяными окнами

(до 1,5 м г / с м )

и меньшим фоном (до 13 имп/мин)

[123].

 

 

 

Применение вместо органической гасящей добавки

галогенов

(брома

или хлора) позволяет

значительно понизить рабочее

напряжение

и

уве­

личить ресурс работы

до 10 импульсов. Все галогенные счетчики

с е ­

рии СБТ имеют номинальное рабочее напряжение

390 в. Плотность слю­

дяного

окна 3-5 м г / с м ^ но у детектора

СБТ-14она значительно

ниже -

всего

1,4 м г / с м 2 • Счетчики этой серии

отличают

также широкий

диапа­

зон рабочих температур и возможность работы в импульсном и токовом

режимах. В этих

счетчиках

за счет высокого коэффициента газового

усиления (М= 10

) десять электронов, попавших в

рабочий

объем за

1 сек создадут на выходе

ток до 10"1 0

а. Тогда

вместо

импульсной

регистрирующей схемы можно использовать усилитель

постоянного т о ­

ка и легко производить непрерывную запись показаний.

 

Чтобы

экзоэлектроны проникли через

слюдяное окно внутрь счетчи­

ка и были зарегистрированы, им необходимо придать

определенную

энергию,

величина

которой

легко определяется из рис. 1. Как видно

из этого

рисунка,

даже при толщине окна 1 м г / с м 2 для регистрации

50% электронов потребуется ускоряющее напряжение

80 кв. Но при

плотности

слюды

3 м г / с м 2

и том же напряжении

зарегистрируется

всего 7% электронов, если

принять эффективность

регистрации детекто­

ра за единицу для электронов, прошедших через окно. На самом деле это число будет существенно меньше изза эффекта прилипания элек ­ трона к электроотрицательным компонентам газовой смеси и просче­ тов, обусловленных конечной величиной разрешающего времени счет ­ чика.

Итак, устройство, регистрирующее экзоэлектроны, при использовании промышленного торцового счетчика должно представлять собой комби­ нацию этого счетчика с ускорителем. Таким ускорителем может слу­ жить сетка, находящаяся под высоким положительным потенциалом от ­ носительно образца и размещенная между ним и счетчиком. Ускорен­

ные электроны

проходят через ячейки сетки и по инерции летят к ок­

ну детектора.

Неудобство заключается в том, что при высоком требу­

емом напряжении ускорителя опыт необходимо проводить в вакуумной камере при давлении не более Ю - 4 мм рт.ст. Ввод высокого напряже­ ния, возможность пробоев межэлектродных промежутков усложняют опыт. Для снижения напряжения необходимо отбирать счетчики с наи­ меньшей толщиной слюдяного окна. Поскольку промышленные счетчики

имеют окно

толщиной не менее

1 м г / с м 2 , то минимально возможное

напряжение

ускорителя,

при котором регистрируются экзоэлектроны,

составляет

20 кв. Батоу

[58]

ускорял электроны всего до 6 кэв, ис ­

пользуя при этом специальный счетчик со стеклянным окном толщиной

0,1 мкм, что соответствует всего лишь

0,027 м г / с м ; . Есть сообщения

[124, 125] о том, что экзоэлектронная

эмиссия регистрировалась счет—

19

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ