Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Каули, Ч. Теория звездных спектров

.pdf
Скачиваний:
21
Добавлен:
21.10.2023
Размер:
9.13 Mб
Скачать

160

ГЛАВА 3

 

Это значение Дсо, назовем его Дсо*, лежит вблизи «границы» между частями контура линии, сформированными квазистатическим уширением и уширением вследствие столкновений. Гра­ ница, очевидно, не будет резкой, но можно надеяться, что она попадает либо в самый центр линии, либо заходит достаточно далеко в крыло. В каждом из этих случаев можно воспользо­ ваться той или иной подходящей теорией.

В большинстве астрофизических приложений Дсоь лежит да­ леко за видимыми границами линий, и потому оправданно при­ менение лишь теории уширения линий вследствие столкновений. Однако в случае уширения линий электронными соударениями Дсогр лежит в наблюдаемой части контура линии, и точная трак­

товка таких линий наиболее сложна.

 

Величина р, для которой выполняется соотношение

(5.6.1),

определяется из уравнения

 

2п<&п!рп= г»/р.

(5.6.2)

Поскольку всегда п > 1, это соотношение приводит к неожидан­ ному выводу, что при малых прицельных параметрах предпочти­ тельно квазистатическое описание, поскольку при уменьшении р атомные частоты возрастают быстрее, чем частоты возмущения. Значение ргр, при котором удовлетворяется соотношение (5.6.2), является, по существу, радиусом Вейсскопфа. В самом деле,

Pé = (2nVJv)ll(a~l)

(5.6.3)

отличается от р0 уравнения (5.5.16)

только множителем

(<7п/тіо) ‘/(п_1). Обычно этот множитель близок к единице, по­ этому при полуколичественном рассмотрении данного вида уши­ рения можно считать рь ро- Мы воспользуемся этим допу­

щением, чтобы

привести

наше окончательное выражение для

А(Оь ■= Дк> (р =

р& ~ ро) в

соответствие с выражениями,

давае­

мыми в [20, 158]. Таким образом, получаем

 

Асо&= 2л‘5’,і/р* = ( и Х /2л<^„^)І/(гі-1>-

(5.6.4)

Мы оставили множитель цо в уравнении (5.6.4), а не положили его равным единице, чтобы показать полуколичественный ха­ рактер этого результата (ср. [158, § 78]).

5.7.О РАСПРЕДЕЛЕНИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ

5.7.1.Элементарная теория. В п. 5.4.2 мы привели распреде­ ление dP(r) вероятности того, что ближайшая к данной точке частица попадает в сферический слой от г до г -f- dr. Используя закон обратной пропорциональности квадрату расстояния

8 = : el r \

(5.7.1)

ТЕОРИЯ УШИРЕНИЯ ЛИНИЙ

І 6 І

можно легко перейти от dP(r) к распределению вероятностей для электрического поля. Если P ( g ) d g — вероятность того, что напряженность электрического поля, вызванного ближайшим зарядом, заключена в пределах от g до g + dg, то элементар­ ная подстановка дает

Р (g) dg = (3g/2) (g0/ g f 2exp [ - (g0/g)Sh] dg,

(5.7.2)

где g о — напряженность нормального поля, определенная ранее соотношением

g Q=

e/rl = е (4яВДѵ\

(5.7.3)

Обычно вводят параметр

ß = g / g 0

и ищут распределение ве­

роятностей для него:

 

 

 

Н (ß) dß =

(3/2) ß_5/2 exp (— ß~'/j) dß.

(5.7.4)

На рис. 5.7.1 мы приводим схематически (сплошная кривая)

распределение //( ß), обусловленное

ближайшей частицей. От­

метим, что для сильных

полей Я ~

ß~7», тогда как

при ß —*0

Н —* 0 экспоненциально.

в ближайших окрестностях

частицы

Распределение поля

точно предсказывает вероятности сильных полей в реальной плазме, так как самые сильные электрические поля всегда опре­ деляются отдельной частицей вблизи рассматриваемой точки. Однако слабые поля всегда являются фоновыми, и здесь вклад отдельной частицы уже не преобладает. Для таких полей урав­ нение (5.7.4) некорректно, как видно и на рис. 5.7.1, где пред­ ставлено (пунктирная кривая) распределение Хольцмарка для многих частиц.

Имеется и другая причина непригодности распределения поля от ближайшей частицы для реальной плазмы — дебаевские кор­ реляции. В реальной плазме расположения положительных и отрицательных зарядов не являются полностью независимыми друг от друга. В среднем каждый заряд окружен «облаком» за­ ряженных частиц противоположного знака. Теория, позволяю­ щая вычислить плотности зарядов в этих облаках, была раз­ вита Дебаем и другими для объяснения наблюдаемого движе­ ния ионов в жидких растворах. Введение в эту теорию дано

вгл. 3.

5.7.2.Распределение Хольцмарка. Задача о распределении

вероятностей напряженности электрического поля в плазме, где заряды повсюду расположены случайным образом, впервые была решена Хольцмарком [78]. Можно значительно упростить обычное изложение, если использовать две «современные» тео­ ремы из теории вероятностей, которые мы приводим ниже.

6 Ч. Каули

162

ГЛАВА 5

 

 

Теорема 1. Пусть X = 2ix t и случайные величины Хі неза-

 

І

висимы. Тогда плотность распределения вероятностей Р(Х) дается обобщенной сверткой плотностей распределения вероятностей Рі і) случайных величин х{ [Под обобщенной сверткой

 

мы подразумеваем вычис­

 

ление

 

свертки

Р\(Х\)

с

 

р2(х2), затем вычисление

 

свертки полученной функ­

 

ции с рг{хг)

и т.

д.]

 

 

 

Следствие.

Преобразо­

 

вание

 

Фурье

плотности

 

распределения

 

вероятно­

 

стей Р (X) дается произ­

 

ведением преобразований

 

Фурье

плотностей

рас­

 

пределения

вероятностей

 

Рі(Хі).

 

 

 

 

 

 

Рис. 5.7.1. Распределение электрического

Теорема

 

2.

 

Пусть

поля, обусловленного ближайшей частицей.

Р(х 1, х2, ...)

— плотность

Пунктирной кривой приведено для сравне­

распределения

 

вероятно­

ния распределение Хольцмарка (п. 5.7.2).

стей

случайных

величин

 

хи х2, . . . .

которые

яв­

ляются функциями случайных величин у х, у2..........Тогда плот­

ность распределения вероятностей для у\, у2,

... дается соотно­

шением Р(уи у2, ...) =

д (хи х2, ...)

 

 

 

 

s= Р\х 11>у2>• • •)) х2{уі, у2, ...) ,

 

(5.7.6)

• • • ] д {уи у2, ...)

где \д(хи х2, .. .)/д(уи Уг, .. •) |— якобиан.

 

 

 

 

 

 

 

Теорема 1 и ее следствие являются непосредственным обоб­

щением рассмотрения, приведенного в разд.

1.8, и читатель дол­

жен уметь сам проверить их. Смысл теоремы 2 будет ясен, если

понять, что \д(хх,х2,

.. ,)/д(у\, у2,

...) | есть отношение объема

(в гиперпространстве)

dxxdx2 . ..

к объему dyxdy2 . .. (см. [90]).

Детальное рассмотрение этих и связанных с ними теорем можно найти в [120].

Полное электрическое поле & равно сумме полей от п ча­ стиц, находящихся в объеме V:

П

(5.7.6)

Поскольку мы пренебрегаем дебаевским взаимодействием, можно считать, что отдельные поля не зависят друг от друга.

ТЕОРИЯ УШИРЕНИЯ ЛИНИИ

163

Пусть W (ё) d& — вероятность того, что вектор полного электри­ ческого поля заключен в диапазоне от (8Х, <$у, <%г) до ( ёх + d $ x,

+ dSy, %г -f d ë z), или в интервале (&, d&).

Выражение для W(é’) можно получить из плотности рас­ пределения вероятностей w(<§i) для полей отдельных частиц на основе теоремы 1 и ее следствия. Функцию W(é’) можно пред­ ставить обобщенной сверткой функций w ( ë t). Следовательно, преобразование Фурье от W(<£)

 

 

со

 

 

F (k) —

J ехр (/к • ё) W (ё) d&

(5.7.7)

будет даваться произведением преобразований Фурье от

w(&t),

т. е.

П

оо

 

 

F (к) = J J

J ехр (/к • &і) w {&і) d ë t .

(5.7.8)

 

l = 1

— ОО

 

Элементы

объема d<$xd<%y d<Sz и d<§xi d<$yi d<§zi, как обычно,

обозначены через dfë и d&{.

 

Распределение w(ëi)

можно найти из соотношения

 

 

 

= еГі/\ гI I3,

(5.7.9)

связывающего напряженность поля и пространственные коорди­ наты (Хі, уи Zi), по теореме 2. Принимается, что плотность рас­ пределения вероятностей для пространственного вектора г* дается отношением элемента объема к объему Ѵ\

P b d d T i ^ d T d V .

(5.7.10)

После некоторых упрощений получается

I д ( ёх1, &уі, %г1)!д (xh Уі, zt) I = 2 е - Ц ë t ГА.

(5.7.11)

Выразив объем V через концентрацию частиц N:

 

 

V — n/N,

 

(5.7.12)

и используя

формулы (5.7.8) — (5.7.11),

можно привести

выра­

жение (5.7.7)

к виду

 

 

 

 

п

оо

 

 

f ( k ) = П

т еЪ-т I exp (/k•

^ |_9/!d & i-

(5-7ЛЗ)

 

1= 1

— со

 

 

Для выполнения предельного перехода п —►оо слегка модифи­ цируем выражение (5.7.13), вспоминая, что

lim [1 — (xjn)]n — ехр (— х),

(5.7.14)

П - > оо

6 *

164 ГЛАВА 5

и записывая

{

СО

1 л

 

J [ l _ e x p ( t k .S i)]|ff<r ,/,d£/

(5.7.15)

 

Появившийся член в подынтегральном выражении сводится к интегралу по объему V по переменной г*. Если использовать (5.7.11) для обратного перехода от переменных &t к простран­ ственным переменным, то можно показать, что после интегри­ рования этот дополнительный член будет равен —1 и сокра­ тится с единицей в фигурных скобках. Устремив п —* оо в (5.7.15) и учитывая (5.7.14), получаем

F (k) = ехр

— je'i'N

J [1 — ехр (ік • З Д

&t Г /г^ } .

(5.7.16)

Если

экспоненту

с комплексным

показателем

степени

в (5.7.16)

расписать в виде комплексной суммы косинуса и си­

нуса, то часть интеграла, содержащая синус, обратится в нуль, так как синус — нечетная функция, а пределы берутся от минус до плюс бесконечности. Тройной интеграл по <охі, &уі и &zi мож­ но упростить, вводя полярные координаты, так, чтобы <g к =

—$ {k. cos Ѳ. Подставляя t = cos Ѳ, получим для интеграла в

(5.7.16)

оо

J

О

2 л

I

1

 

dcp

[1J — cos (&ikt)}dt.

(5.7.17)

0 - 1

 

 

 

Интегрирование по t и ф и подстановка 2 —

дают

оо

 

4лк3>21 (г — sinz)z~',2dz.

(5.7.18)

о

 

Интегрированием по частям это выражение можно свести к сле­ дующему:

оо

 

 

 

^■nksl* I"z~'l* cos z dz = -^r (2nk) h,

(5.7.19)

ö

 

 

 

а после подстановки (5.7.19) в (5.7.16) найдем

 

F (к) =

ехр —

j|- (2nek)% N

(5.7.20)

Распределение W(<£)

тотчас

же получается

обратным пре­

образованием Е ( к ) . Опять используются полярные координаты,

ТЕОРИЯ УШИРЕНИЯ ЛИНИЙ

165

и после некоторых преобразований находим

00

W(&) = ~2J,g3 J exp (— ах'Ц&Ц х sin х dx,

(5.7.21)

о

 

где

 

a = 4(2ne)ShN/l5.

(5.7.22)

Подробное описание вычислений этого и предшествующих ин­ тегралов приводится в [25].

Теперь удобно ввести обозначение, которое полностью игно­

рирует векторный характер

 

поскольку важно лишь значение

& = |<?і. Положим

=

&lа \

_

ß

(5.7,23)

определяя ß (на время) как вектор. Тогда

 

W { 8 ) d &

= W ( ß ) d ß ,

(5.7.24)

откуда следует

=

 

(5.7.25)

W ( ß )

a 2W ( & ) .

Наконец, если мы определим Н (ß) так, чтобы H(ß)dß давало вероятность того, что абсолютная величина ß находится в ин­ тервале (ß, dß), то

 

Я (ß) dß = W (ß) 4nß2 dß.

(5.7.26)

Объединяя эти результаты, можно записать

 

 

00

 

Я (ß) =

J exp [— (*/ß)s/s] Xsin X dx.

(5.7.27)

о

Выражение (5.7.27) аналогично выражению (5.7.4), которое получено в приближении воздействия единственной (наибли­

жайшей) частицы. Легко видеть,

что при ß —►оо можно разло­

жить

экспоненту в

уравнении

(5.7.27) в ряд

и получить

Н (ß) ~

\!ß6k*), что

согласуется

с приближением

воздействия

наиближайшей частицы для сильных полей. Однако для слабых полей экспонента в (5.7.4) преобладает, быстро уменьшая ве­ роятность такого поля (рис. 5.7.1).

В реальной плазме вероятность слабых полей должна быть выше, чем для идеализированной плазмы, в которой только ближайшая частица дает вклад в поле, потому что слабые поля

*) Утверждение автора не совсем точно. Дело в том, что указанное раз­

ложение Н (ß) по ß- '^ лишено математического смысла, ибо «коэффициенты» такого «ряда» — расходящиеся несобственные интегралы. Фактически же речь идет об аппроксимации / / (ß) в узком диапазоне значений ß от нескольких единиц до десятков. — Прим, перев.

166 ГЛАВА 5

могут являться результатом неполного гашения двух более силь­ ных полей. Рассмотрим интеграл (5.7.27) при ß <С 1. Очевидно* что при x/ß > 1 подынтегральное выражение быстро спадает к нулю. Нужно интегрировать только, скажем, до х — <7ß, где q порядка единицы. Поскольку во всем этом интервале х <С 1, мыі

получаем оценку

чР

 

 

 

Н (ß)

J x2dx ос ß2,

(5.7.28)

о

которая показывает, как и ожидалось, что вероятность слабых полей в реальной плазме уменьшается значительно медленнее.

Используя аппроксимацию ближайшей частицы, мы опреде­

лили напряженность кулоновского поля:

 

= <T/ß = е (4jtA7/3)7%

(5.7.29)

а, согласно теории Хольцмарка,

 

ё’о — а2!* — 2ле (4N/l5)2/\

(5.7.30)

Нам повезло: значения коэффициентов при /Ѵ3/з отличаются меньше чем на 1/200, т. е. значительно меньше, чем другие не­ определенности в теории уширения линий!

Теория Хольцмарка развита им в предположении, что возму­ щающие частицы, окружающие излучающий атом, имеют еди­ ничный заряд. Для звезд это предположение будет почти всегда хорошо выполняться из-за высокого содержания водорода по сравнению с другими элементами. В звездах, бедных водородом, где имеется заметное количество двукратно ионизованного ге­ лия, нужно заменить заряд е средним значением

N (Н+) + N (Не+) + 2N (Не++)

(5.7.31)

<«> ~ W(H) + tf(He+) + W(He++)

 

Если бы содержание водорода и гелия было одинаковым и весь гелий был дважды ионизован, то напряженность кулоновского поля была бы на 50% выше.

5.7.3. Более общий вид распределения напряженности элек­ трического поля. Ряд авторов вычисляли распределение напря­ женности поля в более общем виде, чем (5.7.27), пытаясь объяс­ нить плазменные взаимодействия, впервые рассмотренные Де­ баем.

В табл. 5.7.1 и 5.7.2 мы приводим результаты вычислений Хупера [81]. Распределения даны для нескольких значений от­ ношения Го/pd, где r0 = (3/4jtiV),/s, рD— радиус Дебая *)

9о = (кТ/4яЫе*)'Іг,

(5.7.32)

*) Это определение радиуса Дебая отличается в Ѵ~2

раз от использо-

ранного в гд. 3.

 

Таблица 5.7.1

Плотности распределения вероятностей ff(ß) для нейтрального излучателя

(Напряженность электрического поля взята в единицах <§Г#)

а

0

0,2

0,4

0,6

0,8

 

0,1

0,00696

0,01159

0,01938

0,03341

0,2

0,02723

0,04475

0,07321

0,12143

0,3

0,05908

0,09505

0,15020

0,23520

0,4

0,09989

0,15612

0,23601

0,34511

0,5

0,14643

0,22098

0,31745

0,43193

0,6

0,19529

0,28313

0,38516

0,48866

0,7

0,24319

0,33751

0,43440

0,51674

0,8

0,28729

0,38083

0,46434

0,52160

0,9

0,32539

0,41160

0,47677

0,50962

1,0

0,35604

0,42985

0,47487

0,48656

1,1

0,37851

0,43668

0,46215

0,45700

1,2

0,39273

0,43384

0,44193

0,42432

1,3

0,39914

0,42331

0,41706

0,39083

1,4

0,39857

0,40709

0,38960

0,35803

1,5

0,39206

0,38697

0,36132

0,32684

1,6

0,38077

0,36447

0,33331

0,29775

1,7

0,36582

0,34080

0,30633

0,27098

1,8

0,34828

0,31689

0,28085

0,24658

1,9

0,32908

0,29342

0,25710

0,22446

2,0

0,30900

0,27085

0,23520

0,20451

2,5

0,21296

0,17812

0,15167

0,13120

3,0

0,14208

0,11818

0,10098

0,08797

3,5

0,09611

0,08095

0,06999

0,06162

4,0

0,06704

0,05749

0,05038

0,04484

4,5

0,04838

0,04224

0,03749

0,03371

5,0

0,03603

0,03197

0,02870

0,02603

6,0

0,02166

0,01971

0,01804

0,01659

7,0

0,01415

0,01312

0,01217

0,01135

8,0

0,00977

0,00919

0,00862

0,00808

9,0

0,00710

0,00674

0,00637

0,00601

10,0

0,00537

0,00513

0,00488

0,00463

Таблица 5.7.2

Плотности распределения вероятностей Я (ß) для заряженного излучателя

(Напряженность электрического поля взята в единицах <^"0)

а

0

0,2

0,4

0,6

0,8

 

 

 

0,1

0,00710

0,01244

0,02229

0,04114

 

0,2

0,02779

0,04801

0,08397

0,14866

 

0,3

0,06028

0,10180

0,17146

0,28527

 

0,4

0,10187

0,16687

0,26777

0,41354

 

0,5

0,14926

0,23557

0,35752

0,51032

 

0,6

0,19894

0,30091

0,43017

0,56853

 

0,7

0,24755

0,35745

0,48081

0,59163

 

0,8

0,29220

0,40179

0,50909

0,58755

 

0,9

0,33065

0,43248

0,51766

0,56481

 

1,0

0,36144

0,44972

0,51053

0,53069

 

1,1

0,38385

0,45484

0,49199

0,49072

 

1,2

0,39782

0,44982

0,46591

0,44876

 

1.3

0,40385

0,43690

0,43546

0,40731

 

1,4

0,40279

0,41822

0,40305

0,36786

 

1,5

0,39573

0,39572

0,37041

0,33125

 

1,6

0,38385

0,37102

0,33870

0,29782

 

1,7

0,36832

0,34537

0,30864

0,26763

 

1,8

0,35021

0,31974

0,28065

0,24057

 

1,9

0,33049

0,29480

0,25489

0,21644

 

2,0

0,30994

0,27100

0,23140

0,19498

 

2,5

0,21235

0,17489

0,14420

0,11889

 

3,0

0,14096

0,11423

0,09330

0,07636

 

3,5

0,09496

0,07722

0,06310

0,05152

 

4,0

0,06601

0,05423

0,04447

0,03627

 

4,5

0,04749

0,03945

0,03247

0,02645

 

5,0

0,03528

0,02960

0,02443

0,01988

 

6,0

0,02112

0,01798

0,01489

0,01205

 

7,0

0,01375

0,01181

0,00978

0,00788

 

8,0

0,00949

0,00818

0,00676

0,00540

 

9,0

0,00688

0,00595

0,00489

0,00388

.

10,0

0,00518

0,00448

0,00367

0,00288

 

ТЕОРИЯ УШИРЕНИЯ ЛИНИЙ

169

а Л/— концентрация электронов. В табл. 5.7.1 приводится рас­ пределение для нейтрального излучателя, а в табл. 5.7.2 — рас­ пределение, которое нужно использовать для однократно иони­ зованного излучателя. Распределения для нейтральной частицы показаны на рис. 5.7.2. Оба семейства распределений исполь­ зуются при квазистатическом уширении.

ß

Рис. 5.7.2. Распределение

Н (ß) электрических

микрополей

в функции безразмерной

напряженности

поля ß в окрестностях

незаряженной частицы

для

нескольких

значений

параметра

^o/Pd f81J-

Впредельном случае высокой температуры и низкой плот­ ности дебаевские взаимодействия теряют свое значение, и спра­

ведливо распределение

Хольцмарка. Для звезд типа АО V с Г =

= 10 000 К и N 2- ІО4

см-3 получим

 

r0/pD«

8,98 • 10- 2n ',sT~'12= 0,02.

(5.7.33)

Соотношение почти не зависит от электронной концентрации, так как она входит как корень шестой степени, тогда как тем­ пература входит под знаком квадратного корня. Поэтому для большинства звезд распределение напряженности электрических полей несильно отличается от хольцмарковского,

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ