Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Усиков, С. В. Электрометрия жидкостей

.pdf
Скачиваний:
17
Добавлен:
19.10.2023
Размер:
6.25 Mб
Скачать

пользоваться выражением k = хо/х, если удельная проводимость эталонного раствора взята из справочника. Последнее тем более важно, что в практике градуировки приборов выражение (11.27) используется довольно часто.

11.3. ГРАНИЦА РАЗДЕЛА ТВЕРДЫЙ Д И Э Л Е КТР И К -Ж И Д КО С ТЬ

Образование скачка потенциалов на границе твердый диэлек­ трик — жидкость, как и на границе металл — жидкость, обус­ ловливается наличием заряда на границе раздела фаз, но при этом появляются отличительные особенности [23]. Так, диффуз­ ный слой присущ не только жидкости, но и твердому диэлек­ трику, поверхностный заряд (скачок потенциалов) меньше по

сравнению с зарядом на границе металл — жидкость;

отсут­

ствует перенос на электроды частиц-носителей заряда

(если

твердый изолятор не очень тонкий); может происходить только миграция ионов в переменном электрическом поле и т. д.

На поверхности раздела диполи одной среды ориентированы к ней положительными зарядами, а второй — отрицательными. Поэтому в пограничном слое будет преобладать заряд той среды, у которой поляризуемость а больше. Иными словами, по­ верхностный связанный заряд в тонком слое возникает из-за не­ одинаковой поляризуемости частиц твердого диэлектрика и жид­ кости. Плотность заряда равна разности поляризаций твердого диэлектрика и жидкости. При отсутствии на границе раздела «свободных» зарядов для системы твердый диэлектрик — жид­ кость, помещенной во внешнее электрическое поле, справедливо равенство [51:

So-Ei + Pi = ЕоЕ2 + Р2

откуда:

е0 (Е2Е\) = Pi — Р2 = о

(11.28)

Таким образом

 

Р1Р2= о'

 

где а' — ае0; ео — диэлектрическая проницаемость вакуума; Е\ и Е2— напряженности электрического поля в первой и второй средах (например, твердый диэлектрик); Рi и Р2— поляриза­ ции в первой и второй средах.

Как уже отмечалось, ввиду чрезвычайно малой толщины по­ граничного слоя — один и несколько мономолекулярных слоев — его связанный заряд о можно считать поверхностным.

На рис. II. 10 представлена схема распределения емкостей на границе раздела фаз и в объеме преобразователя с изолирован­ ными электродами.

В отличие от рис. II. 6 на рис. II. 10 двойной электрический слой возникает не только в жидкости, но и в твердом диэлек­ трике. Отметим, что на объемные области III и IIP не распро­ страняется действие заряда двойного электрического слоя. Зна­ чит, у такой системы имеются две емкости двойного слоя. Об-

40

щая приэлектродная емкость, согласно рис. II. 10 может опре­ деляться емкостью, обусловленной зарядами в плотной части объема твердого изолятора и жидкости (слой 1), емкостью, со­ ответствующей диффузной части объема жидкости (слой 2) и емкостью, соответствующей диффузной части объема твердого диэлектрика (слой <3). Слой 1 — область объема толщиной в одну или несколько поляризованных молекул, часть из кото­ рых на поверхности раздела «выступает» из изолятора, а часть —

ш

п I V I I ' ill'

Сг

Л,

Рис. НЛО. Распределение величин Е, е, С и R на границе раздела фаз

твердый изолятор — жидкость:

1, V , 11,

l l r, 111 и 111' —области плотной, диффузной и объемной частей зарядов в

твердом

изоляторе и жидкости; D{ и D2—диаметры поверхностей твердого изоля­

 

тора; А и В — электроды.

из раствора. В соответствии с величиной поляризуемостей он и ос2 (для твердого тела и жидкости) на границе раздела фаз об­ разуется тот или иной заряд. Участки диффузных слоев 2 и 3 подвержены влиянию теплового поля и, очевидно, их толщина значительно меньше толщины на границе металл — жидкость.

На рис. 11.11 дана общая эквивалентная схема электриче­ ской системы между электродами изображенной на рис. II. 10. Здесь

 

> / w / w

/ /

(1 1 .2 9 )

С / С / / + с , с ш + с и с ш

 

/?, =

/?(

+

r 2' +

r 3'

(1 1 .3 0 )

Я д =

Яд,

+

Яд2

 

(1 1 .3 1 )

 

 

Я д =

Яд,

Т-

Яд,

 

(11.32)

Я д -

я ;

 

 

 

(11 .33)

 

 

 

 

 

Я 2 • #2

 

(11 .34)

 

 

 

 

 

 

 

+

1*2

 

 

4}

где С], С'ц, С///, /?{, R'2 и R'3— емкости и сопротивления, соот­ ветствующие областям I', II' и III' твердого диэлектрика у элек­ трода А (см. рис. 11.10); R 2—■сопротивление, обусловленное сквозной проводимостью; R 2— сопротивление, обусловленное по­ ляризационными потерями.

Величины С/ и С/, Сл и Сд, /?д и RI относятся к соответ­ ствующим противоположным электродам и, в принципе, по ве­ личине могут отличаться вследствие неодинаковой полярности электродов в данный момент при питании их синусоидальным напряжением, за счет неодинаковой обработки поверхностей изолятора у каждого из электродов, неодинаковой толщины изо­ лятора и т. д. Однако при определенных условиях без внесения

Рис. 11.11. Эквивалентная схема электрической системы с жидкостью между изолированными электродами.

существенных ошибок можно считать их одинаковыми. Допу­ стим, что в нашем случае эти условия выполняются, т. е. что указанные величины одинаковы. Это значит, что приведенные выражения (11.29) — (11.34) равноценны и для величин С/, Rд, а также

^Д|^Д2

Сд = Сд: с п. + с п

С д,Сд,

(11.35)

с ! + С*

 

где ^С П,» С*П,1 С л и с ;2 -"емкости, соответствующие

плотной и

диффузионной областям у первого и второго электродов. ,

Полное сопротивление электрической системы рис.

II. 10 ме­

жду электродами без учета паразитных параметров Сп и Rn можно записать в виде:

_

+ (соСгР г)2 ~ 1

(II. 36)

1 + (иСгР г)2

■St

 

г=1

 

В наиболее общем случае, когда реальный твердый диэлек­ трик имеет дефекты кристаллической решетки и примесные ионы [23], выражение (11.36) будет состоять из большего числа сла­ гаемых. Кроме того, существует скачок потенциалов на границе электрод — твердый диэлектрик. Он постоянен во времени и не

42

зависит от температуры и частоты в широких пределах, а по­ этому пренебрежем его влиянием на процессы, протекающие между электродами. Наилучший вариант в данном случае — нанесение электродов на изолятор путем диффузии (вжигания, электровакуумного напыления и т. д.).

Из уравнения (II.36) следует, что активная и реактивная составляющие могут быть найдены путем соответствующих из­ мерений на нескольких частотах.

В

отличие от

системы

металл — раствор емкость двойного

слоя

на границе

твердый

диэлектрик — раствор

не зависит от

включений органических

 

молекул

и ионов [23], увеличивается

с повышением диэлектрической проницаемости

изолятора [см.

 

 

Ci

 

Сл

сг

Сл

сГ

Т

 

0-~Г

II-

II-

II-

II-

II-

I

I

I

L

Рис. 11.12. Эквивалентная схема электрической системы с жидкостью между изолированными электродами без учета сопротивления Ri твер­

дого изолятора.

выражение (II. 28)]. Вследствие наличия малого количества ча­ стиц носителей заряда в диэлектрике, его сопротивление, при­ ходящееся на единицу объема, весьма мало и в основном опре­ деляется поляризационными потерями, которые в квазистационарной части частот электромагнитных колебаний также весьма малы. Учитывая сказанное, эквивалентная схема может быть представлена так, как на рис. II. 12.

Как и в случае системы металл — жидкость, влияние скачка потенциалов на процесс измерения емкости системы с изолиро­ ванными электродами начинает сказываться при их сближении. Это в первую очередь проявляется в чрезмерном росте эквива­ лентной емкости Сэ электрической системы между электродами. Внешнее электрическое синусоидальное поле в данный момент способствует у одной из стенок изолятора увеличению потен­ циального скачка, а у другой — смены картины ориентации [24].

Структуру двойных слоев для ряда веществ на границе стекло — жидкость можно объяснить наличием гидроксильных групп на поверхности стекла, которые дают начало цепям мо­ лекул жидкости, объединенным водородными связями. При этом в единице объема на поверхности водородных связей должно быть больше, чем в объемной области (вдали от электродов),

43

вследствие чего вязкость и плотность упаковки молекул жидко­ сти на границе раздела фаз больше, чем в области III рис. II. 10 [25].

Таблица II.2

Результаты измерения электрофизических параметров бесконтактным способом

(Прибор ИЕ-2;

f =

600

кГц;

t = 23,5 °С)

 

Вещество

 

с э,

пФ

С2, пФ

Ч

Первая

серия, А = 0,52 см *

 

Д е к а н .....................................

 

30,9

32,768

1,237

Четыреххлористый углерод

34,3

36,62

2,162

Б ен зол ......................................

 

40,2

37,07

2,23

Толуол .....................................

 

41,5

39,0

2,298

Спирт этиловый .................

 

231,7

404,82

23,936

Адипонитрил .........................

 

231,2

406,043

24,009

Вторая серия, А < 0,5

см **

 

Д е к а н ......................................

 

35,0

65,39

1,926

Четыреххлористый углерод

38,2

73,45

2,163

Б ен зол ......................................

 

38,15

73,26

2,158

Толуол ' .................................

 

49,0

76,74

2,298

Спирт этиловый .................

 

76,3

Адипонитрил.........................

 

73,75

* Значение Сj =541,8 пФ, а С0=5,2 пФ.

** Значение Сi= 79,6 пФ, а Со=9,7 пФ; Л —расстояние между коакси­ альными цилиндрами, изолирующими электроды от исследуемой жидкости.

В табл. II. 2 приведены экспериментальные величины емко­ стей бесконтактного преобразователя, свидетельствующие об отсутствии влияния скачка потенциалов (первая серия) и о на­ личии его (вторая серия).

Для адипонитрила и этилового спирта, по данным табл. II. 2 (вторая серия), расчет диэлектрической проницаемости не дает реальных результатов, так как эквивалентная емкость за счет влияния емкости двойного слоя становится соизмеримой с ем­ костью Сь Диэлектрическую проницаемость рассчитывали по упрощенному выражению (11.37), границы применения которого подробно обсуждаются в главе IV:

с ,сэ

(11.37)

С0(С ,- С Э)

В уравнении (II. 37) величины С\, Сэ и С0 определены с уче­ том так называемой приведенной паразитной емкости С„, ком­ плексно учитывающей емкость двойного слоя [24, 26]. Эту вели­ чину находят аналитическим или графоаналитическим спосо­ бами по жидкому эталону с известной е (например, ССЦ).

Исследуемую жидкость помещают между цилиндрами пре­ образователя — сосуда Дьюара из стекла марки «Пирекс»

44

(рис. II. 13). Электроды 1 и 2, изготовленные путем вжигания серебра, расположены с внешней стороны цилиндра с большим диаметром и с внутренней стороны цилиндра с малым диа­ метром. Для жидких диэлектриков с весьма низкой концентра­

цией «свободных»

носителей заряда

величины

Ra и /?д

(см.

рис. II. 11) определяются, главным образом, поляризационными

потерями, величина которых зависит от ча­

 

 

 

стоты электромагнитных колебаний, моду­

 

 

 

ля

диэлектрической

проницаемости

и tgqx

 

 

 

В

ряде

случаев поляризационные

потери

 

 

 

на границе раздела фаз также малы и ими

 

 

 

можно

пренебречь.

Следовательно,

 

если

/

J S

 

С 1 ~

и С д« Сд,

то

эквивалентная

схе­

 

 

 

ма электрической системы между электро­

 

 

 

дами преобразователя будет иметь вид,

 

 

 

представленный на рис. II. 14. Приведенная

 

 

 

эквивалентная схема позволяет определить

 

 

 

емкость той части электрической системы,

 

 

 

которая

находится

между изолирующими

 

 

 

поверхностями:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-.2

С2Сд

 

 

 

 

 

 

 

 

c 2q

 

 

(II.

38)

 

 

 

 

 

Со*

 

2С9 + С„

 

 

 

 

 

 

2С2Сд + С^

 

 

 

 

 

 

 

Из выражения (11.38) находим емкость

 

02

 

двойного слоя Сд:

 

 

 

 

е>/

 

 

 

 

 

 

 

 

...

Рис.

11.13. Общий вид

 

 

q

 

_ q '

 

gg\ , бесконтактного

пре-

 

 

д

q

 

\

)

образователя.

 

Таким образом,

для

определения

 

 

/,

2— электроды;

3—эк-

 

 

емко-

 

 

стЛе7-

сти границы раздела фаз Сд требуется знать

ками изолятора,

величины Сп, Ci и С2, где Ci = l/2C\.

 

величину паразитной

 

Для

коаксиального

преобразователя

емкости можно определить измерением емкости между потен­ циальным внутренним электродом и его экранным «пятачком»

всовокупности с электрическими проводами при отключенном электроде с нулевым потенциалом (потенциалом «земля») [27]. Величину емкости изолятора С\ находят известным приемом при заполнении преобразователя ртутью. Это возможно только

вслучае, если внешнее электрическое поле нормально к изоли­ рованным поверхностям электродов [28; 29, с 23]. Соответствую­ щую области III (см. рис. II. 10) величину С2 определяют на

основании схемы рис. II.

15, б, которая эквивалентна схеме

рис. II. 15, а. Приведенную

паразитную емкость Сп в данном

случае можно найти с помощью выражения для жидкости, ди­ электрическая проницаемость которой известна

с К

С0 (C l- С ' )

45

где

С* = СЭ|— Сп, а СЭ| — эквивалентная емкость

преобразова­

теля

со ртутью;

 

 

 

С\С'Э

о>2(с; -С ') - G 2/с'э

(II. 40)

 

с \ - с : ’ ш2 (c; - c q + g2/ c; - c3'

 

 

 

п’ — п _л*'

(Н .41)

 

(-'э

1-Э

Здесь Сэ — эквивалентная емкость преобразователя с иссле­ дуемой жидкостью; G — активная проводимость преобразова­ теля с исследуемой жидкостью.

Рис. II. 14. Упрощенная эквивалентная схема преобразователя для жидких диэлектриков с малыми потерями.

При определенных условиях [29, с. 23] выражение (11.40) можно представить в виде:

СА

С ] - С ' э

Таблица Н.З

Поверхностная емкость на границе раздела фаз стекло-жидкость при f — 500 кГц; t == 2 0 ± 0 ,5 °С

 

 

Емкость, пФ **

 

Вещество

эксперименталь*

графо-аналити­

Сд, пФ

 

 

ные * данные Сч

ческие данные Сч

 

Четыреххлористый углерод

43,97

54,73

447,6

Толуилен диизоцианат, изо­

 

 

 

меры

2,4-35% . . .

145,24

171,93

2593

2,6—65%;

2,6-80% ;

2,4-20% . . .

154,86

178,1

2965

2 ,4 -1 0 0 %

.............................

156,37

179,8

3005

Спирт этиловый .........................

945,3

1021,5

25373

В о д а ..............................................

 

1274

1374

35009

Сп=14,4 пФ; Сц= 7,1 пФ.

46

Величину С'г определяют на основании схем рис. II. 15, б и г, также эквивалентным схеме рис. II. 15, а:

с,сэ

с, - с:

где С. = С ' — С с; с —с

В табл. II. 3 представлены некоторые экспериментальные данные, использование которых в выражении (II. 39) позволяет найти величины поверхностной емкости Сд на границе раздела фаз стекло — жидкость для различных продуктов. Величину Сп

Оп

I---------I H - — ,

1 R3 1

Рис. 11.15. Различные варианты эквивалентных схем электрической модели бесконтактного пре­ образователя.

определяли в процессе изготовления преобразователя [24], прин­ ципиальный вид которого представлен на рис. II. 13. Паразит­ ная емкость Сп образована системой, заключенной между за­ земленными деталями и всей наружной поверхностью внутрен­ него электрода. В момент измерения паразитной емкости Сп внешний экранный электрод отключается. Погрешность опреде­ ления Сп в данном случае не превосходила ±2% . Эксперимен­ тальным путем паразитную емкость также можно определить с помощью прерывателя в цепи внутреннего электрода [27].

Величину Сп определяли графо-аналитическим способом. По­ верхностная емкость Сд возрастает по мере увеличения элек­ трической асимметрии молекул и наличия гидроксильной груп­ пы. У воды и этилового спирта она достигает наибольшей вели­

чины.

Рассмотрим (рис. 11.16) зависимости C'2 — cp,(f) для этило­ вого спирта от частоты электромагнитных колебаний (рис. II. 16). На кривых наблюдаются два характерных участка: первый от­ носится к низким частотам, где С2 быстро уменьшается с уве­ личением частоты, а второй — к более высоким частотам —

47

выше 3—4 МГц. В последнем случае изменение С'ч с частотой почти прекращается. Значит, с увеличением частоты электро­ магнитных колебаний для данной конструкции преобразователя уменьшается влияние поверхностной емкости на величину емко­ сти С'ч. Это можно объяснить инерционностью какой-то части системы молекул, расположенных вблизи границы раздела фаз. Возникают благоприятные условия для измерения диэлектриче­ ской проницаемости с использованием графо-аналитического метода определения паразитной емкости.

s С'/.пФ

Рис. 11.16. Емкости С2 этилового спирта (1) и адипонитрила (2) Тгри низких (а) и высоких (б) частотах.

Данные рис. II. 16 при низких частотах получены с помощью прибора типа У-592 производства завода «Киевприбор», а на высоких частотах — резонансным методом с помощью отдель­ ного резонансного контура слабо связанного с генераторным контуром. В качестве генератора использовали прибор типа ГСС-6.

Изложенный метод оценки поверхностной емкости моЖно ис­ пользовать для исследования процессов, происходящих на гра­ нице раздела фаз диэлектрик — жидкость вообще. Знание по­ ведения этой емкости в зависимости от температуры, частоты и некоторых других позволит наиболее достоверно произвести оп­ ределение диэлектрической проницаемости и проводимости бес­ контактным способом.

ГЛАВА Ш

ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ЭНЕРГИИ ЖИДКОСТЬЮ В СИСТЕМЕ С СЕТОЧНЫМ ЭЛЕКТРОДОМ

111.1. ГЛУБИНА ПРОНИКНОВЕНИЯ ПЛОСКОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ В ВЕЩ ЕСТВО

Детальное исследование процессов, происходящих на гра­ нице раздела фаз, обусловленных скачком потенциалов, стано­ вится крайне необходимым для наиболее полной оценки досто­ верности определения диэлектрической проницаемости и прово­ димости жидкости. Эти определения имеют самостоятельное значение и привлекают внимание, поскольку таят многое новое в изучении свойств жидкого тела. Существование вблизи по­ верхности раздела фаз двойного электрического слоя с закре­ пленной областью адсорбированных частиц (ионов и поляризо­ ванных молекул) и действие электрических сил ближнего по­ рядка в тонком слое позволяет предположить, что процессы поляризации в нем будут слабо зависеть от температуры в ши­ роком диапазоне, иметь свою характерную область частот, ре­ лаксации и потерь электромагнитной энергии по сравнению с об­ ластью, в которой частицы жидкости удалены на сравнительно большие расстояния от электродов или от стенок изолятора. В связи с этим интересно отметить весьма любопытные явления, происходящие в капиллярах с жидкостью, которые несомненно имеют связь с процессами на границе раздела фаз. Эти явления рассмотрены в ряде работ Дерягина с сотрудниками [25, 30, 31], которые полагают, что в капиллярах обычные свойства жидко­ сти изменяются. Так, для воды, заключенной в такой капилляр при температурах выше 100 °С, молекулы еще прочно связаны на поверхности, изменяется ее температура кипения и другие свойства. Отыскание путей зондирования процессов, протекаю­ щих в тонком слое, с помощью электромагнитного поля поможет полнее представить явления, наблюдающиеся на межфазной границе, которые связаны со строением и составом жидкости. Это также поможет сформулировать требования (критерии) к сплошности и толщине электродов, использующихся в кон­ струкциях чувствительных элементов при определении диэлек­ трической проницаемости и проводимости жидкости бесконтакт­

ным

емкостным методом. Для отыскания путей проникнове­

ния

электромагнитного поля в тонкий приэлектродный слой

4?

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ