
книги из ГПНТБ / Усиков, С. В. Электрометрия жидкостей
.pdfпользоваться выражением k = хо/х, если удельная проводимость эталонного раствора взята из справочника. Последнее тем более важно, что в практике градуировки приборов выражение (11.27) используется довольно часто.
11.3. ГРАНИЦА РАЗДЕЛА ТВЕРДЫЙ Д И Э Л Е КТР И К -Ж И Д КО С ТЬ
Образование скачка потенциалов на границе твердый диэлек трик — жидкость, как и на границе металл — жидкость, обус ловливается наличием заряда на границе раздела фаз, но при этом появляются отличительные особенности [23]. Так, диффуз ный слой присущ не только жидкости, но и твердому диэлек трику, поверхностный заряд (скачок потенциалов) меньше по
сравнению с зарядом на границе металл — жидкость; |
отсут |
ствует перенос на электроды частиц-носителей заряда |
(если |
твердый изолятор не очень тонкий); может происходить только миграция ионов в переменном электрическом поле и т. д.
На поверхности раздела диполи одной среды ориентированы к ней положительными зарядами, а второй — отрицательными. Поэтому в пограничном слое будет преобладать заряд той среды, у которой поляризуемость а больше. Иными словами, по верхностный связанный заряд в тонком слое возникает из-за не одинаковой поляризуемости частиц твердого диэлектрика и жид кости. Плотность заряда равна разности поляризаций твердого диэлектрика и жидкости. При отсутствии на границе раздела «свободных» зарядов для системы твердый диэлектрик — жид кость, помещенной во внешнее электрическое поле, справедливо равенство [51:
So-Ei + Pi = ЕоЕ2 + Р2
откуда:
е0 (Е2— Е\) = Pi — Р2 = о |
(11.28) |
Таким образом |
|
Р1Р2= о' |
|
где а' — ае0; ео — диэлектрическая проницаемость вакуума; Е\ и Е2— напряженности электрического поля в первой и второй средах (например, твердый диэлектрик); Рi и Р2— поляриза ции в первой и второй средах.
Как уже отмечалось, ввиду чрезвычайно малой толщины по граничного слоя — один и несколько мономолекулярных слоев — его связанный заряд о можно считать поверхностным.
На рис. II. 10 представлена схема распределения емкостей на границе раздела фаз и в объеме преобразователя с изолирован ными электродами.
В отличие от рис. II. 6 на рис. II. 10 двойной электрический слой возникает не только в жидкости, но и в твердом диэлек трике. Отметим, что на объемные области III и IIP не распро страняется действие заряда двойного электрического слоя. Зна чит, у такой системы имеются две емкости двойного слоя. Об-
40
щая приэлектродная емкость, согласно рис. II. 10 может опре деляться емкостью, обусловленной зарядами в плотной части объема твердого изолятора и жидкости (слой 1), емкостью, со ответствующей диффузной части объема жидкости (слой 2) и емкостью, соответствующей диффузной части объема твердого диэлектрика (слой <3). Слой 1 — область объема толщиной в одну или несколько поляризованных молекул, часть из кото рых на поверхности раздела «выступает» из изолятора, а часть —
ш |
п I V I I ' ill' |
Сг
Л,
Рис. НЛО. Распределение величин Е, е, С и R на границе раздела фаз
твердый изолятор — жидкость:
1, V , 11, |
l l r, 111 и 111' —области плотной, диффузной и объемной частей зарядов в |
твердом |
изоляторе и жидкости; D{ и D2—диаметры поверхностей твердого изоля |
|
тора; А и В — электроды. |
из раствора. В соответствии с величиной поляризуемостей он и ос2 (для твердого тела и жидкости) на границе раздела фаз об разуется тот или иной заряд. Участки диффузных слоев 2 и 3 подвержены влиянию теплового поля и, очевидно, их толщина значительно меньше толщины на границе металл — жидкость.
На рис. 11.11 дана общая эквивалентная схема электриче ской системы между электродами изображенной на рис. II. 10. Здесь
|
> / w / w |
/ / |
(1 1 .2 9 ) |
|||
С / С / / + с , с ш + с и с ш |
||||||
|
||||||
/?, = |
/?( |
+ |
r 2' + |
r 3' |
(1 1 .3 0 ) |
|
Я д = |
Яд, |
+ |
Яд2 |
|
(1 1 .3 1 ) |
|
|
|
|||||
Я д = |
Яд, |
Т- |
Яд, |
|
(11.32) |
|
Я д - |
я ; |
|
|
|
(11 .33) |
|
|
|
|
|
|||
|
Я 2 • #2 |
|
(11 .34) |
|||
|
|
|
|
|
||
|
|
+ |
1*2 |
|
|
4}
где С], С'ц, С///, /?{, R'2 и R'3— емкости и сопротивления, соот ветствующие областям I', II' и III' твердого диэлектрика у элек трода А (см. рис. 11.10); R 2—■сопротивление, обусловленное сквозной проводимостью; R 2— сопротивление, обусловленное по ляризационными потерями.
Величины С/ и С/, Сл и Сд, /?д и RI относятся к соответ ствующим противоположным электродам и, в принципе, по ве личине могут отличаться вследствие неодинаковой полярности электродов в данный момент при питании их синусоидальным напряжением, за счет неодинаковой обработки поверхностей изолятора у каждого из электродов, неодинаковой толщины изо лятора и т. д. Однако при определенных условиях без внесения
Рис. 11.11. Эквивалентная схема электрической системы с жидкостью между изолированными электродами.
существенных ошибок можно считать их одинаковыми. Допу стим, что в нашем случае эти условия выполняются, т. е. что указанные величины одинаковы. Это значит, что приведенные выражения (11.29) — (11.34) равноценны и для величин С/, Rд, а также
^Д|^Д2
Сд = Сд: с п. + с п
С д,Сд, |
(11.35) |
|
с ! + С* |
||
|
где ^С П,» С*П,1 С л и с ;2 -"емкости, соответствующие |
плотной и |
диффузионной областям у первого и второго электродов. , |
|
Полное сопротивление электрической системы рис. |
II. 10 ме |
жду электродами без учета паразитных параметров Сп и Rn можно записать в виде:
?г |
_ |
+ (соСгР г)2 ~ 1 |
(II. 36) |
1 + (иСгР г)2 |
|
■St |
|
г=1 |
|
В наиболее общем случае, когда реальный твердый диэлек трик имеет дефекты кристаллической решетки и примесные ионы [23], выражение (11.36) будет состоять из большего числа сла гаемых. Кроме того, существует скачок потенциалов на границе электрод — твердый диэлектрик. Он постоянен во времени и не
42
зависит от температуры и частоты в широких пределах, а по этому пренебрежем его влиянием на процессы, протекающие между электродами. Наилучший вариант в данном случае — нанесение электродов на изолятор путем диффузии (вжигания, электровакуумного напыления и т. д.).
Из уравнения (II.36) следует, что активная и реактивная составляющие могут быть найдены путем соответствующих из мерений на нескольких частотах.
В |
отличие от |
системы |
металл — раствор емкость двойного |
|||||
слоя |
на границе |
твердый |
диэлектрик — раствор |
не зависит от |
||||
включений органических |
|
молекул |
и ионов [23], увеличивается |
|||||
с повышением диэлектрической проницаемости |
изолятора [см. |
|||||||
|
|
Ci |
|
Сл |
сг |
Сл |
сГ |
Т |
|
0-~Г |
II- |
II- |
II- |
II- |
II- |
I
I
I
L
Рис. 11.12. Эквивалентная схема электрической системы с жидкостью между изолированными электродами без учета сопротивления Ri твер
дого изолятора.
выражение (II. 28)]. Вследствие наличия малого количества ча стиц носителей заряда в диэлектрике, его сопротивление, при ходящееся на единицу объема, весьма мало и в основном опре деляется поляризационными потерями, которые в квазистационарной части частот электромагнитных колебаний также весьма малы. Учитывая сказанное, эквивалентная схема может быть представлена так, как на рис. II. 12.
Как и в случае системы металл — жидкость, влияние скачка потенциалов на процесс измерения емкости системы с изолиро ванными электродами начинает сказываться при их сближении. Это в первую очередь проявляется в чрезмерном росте эквива лентной емкости Сэ электрической системы между электродами. Внешнее электрическое синусоидальное поле в данный момент способствует у одной из стенок изолятора увеличению потен циального скачка, а у другой — смены картины ориентации [24].
Структуру двойных слоев для ряда веществ на границе стекло — жидкость можно объяснить наличием гидроксильных групп на поверхности стекла, которые дают начало цепям мо лекул жидкости, объединенным водородными связями. При этом в единице объема на поверхности водородных связей должно быть больше, чем в объемной области (вдали от электродов),
43
вследствие чего вязкость и плотность упаковки молекул жидко сти на границе раздела фаз больше, чем в области III рис. II. 10 [25].
Таблица II.2
Результаты измерения электрофизических параметров бесконтактным способом
(Прибор ИЕ-2; |
f = |
600 |
кГц; |
t = 23,5 °С) |
|
Вещество |
|
с э, |
пФ |
С2, пФ |
Ч |
Первая |
серия, А = 0,52 см * |
|
|||
Д е к а н ..................................... |
|
30,9 |
32,768 |
1,237 |
|
Четыреххлористый углерод |
34,3 |
36,62 |
2,162 |
||
Б ен зол ...................................... |
|
40,2 |
37,07 |
2,23 |
|
Толуол ..................................... |
|
41,5 |
39,0 |
2,298 |
|
Спирт этиловый ................. |
|
231,7 |
404,82 |
23,936 |
|
Адипонитрил ......................... |
|
231,2 |
406,043 |
24,009 |
|
Вторая серия, А < 0,5 |
см ** |
|
|||
Д е к а н ...................................... |
|
35,0 |
65,39 |
1,926 |
|
Четыреххлористый углерод |
38,2 |
73,45 |
2,163 |
||
Б ен зол ...................................... |
|
38,15 |
73,26 |
2,158 |
|
Толуол ' ................................. |
|
49,0 |
76,74 |
2,298 |
|
Спирт этиловый ................. |
|
76,3 |
— |
— |
|
Адипонитрил......................... |
|
73,75 |
— |
— |
* Значение Сj =541,8 пФ, а С0=5,2 пФ.
** Значение Сi= 79,6 пФ, а Со=9,7 пФ; Л —расстояние между коакси альными цилиндрами, изолирующими электроды от исследуемой жидкости.
В табл. II. 2 приведены экспериментальные величины емко стей бесконтактного преобразователя, свидетельствующие об отсутствии влияния скачка потенциалов (первая серия) и о на личии его (вторая серия).
Для адипонитрила и этилового спирта, по данным табл. II. 2 (вторая серия), расчет диэлектрической проницаемости не дает реальных результатов, так как эквивалентная емкость за счет влияния емкости двойного слоя становится соизмеримой с ем костью Сь Диэлектрическую проницаемость рассчитывали по упрощенному выражению (11.37), границы применения которого подробно обсуждаются в главе IV:
с ,сэ
(11.37)
С0(С ,- С Э)
В уравнении (II. 37) величины С\, Сэ и С0 определены с уче том так называемой приведенной паразитной емкости С„, ком плексно учитывающей емкость двойного слоя [24, 26]. Эту вели чину находят аналитическим или графоаналитическим спосо бами по жидкому эталону с известной е (например, ССЦ).
Исследуемую жидкость помещают между цилиндрами пре образователя — сосуда Дьюара из стекла марки «Пирекс»
44
(рис. II. 13). Электроды 1 и 2, изготовленные путем вжигания серебра, расположены с внешней стороны цилиндра с большим диаметром и с внутренней стороны цилиндра с малым диа метром. Для жидких диэлектриков с весьма низкой концентра
цией «свободных» |
носителей заряда |
величины |
Ra и /?д |
(см. |
||||||
рис. II. 11) определяются, главным образом, поляризационными |
||||||||||
потерями, величина которых зависит от ча |
|
|
|
|||||||
стоты электромагнитных колебаний, моду |
|
|
|
|||||||
ля |
диэлектрической |
проницаемости |
и tgqx |
|
|
|
||||
В |
ряде |
случаев поляризационные |
потери |
|
|
|
||||
на границе раздела фаз также малы и ими |
|
|
|
|||||||
можно |
пренебречь. |
Следовательно, |
|
если |
/ |
J S |
|
|||
С 1 ~ |
и С д« Сд, |
то |
эквивалентная |
схе |
|
|
|
|||
ма электрической системы между электро |
|
|
|
|||||||
дами преобразователя будет иметь вид, |
|
|
|
|||||||
представленный на рис. II. 14. Приведенная |
|
|
|
|||||||
эквивалентная схема позволяет определить |
|
|
|
|||||||
емкость той части электрической системы, |
|
|
|
|||||||
которая |
находится |
между изолирующими |
|
|
|
|||||
поверхностями: |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
-.2 |
С2Сд |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
c 2q |
|
|
(II. |
38) |
|
|
|
|
|
|
Со* |
|
2С9 + С„ |
|
|
|
|
||
|
|
2С2Сд + С^ |
|
|
|
|
|
|
||
|
Из выражения (11.38) находим емкость |
|
02 |
|
||||||
двойного слоя Сд: |
|
|
|
|
е>/ |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
... |
Рис. |
11.13. Общий вид |
||
|
|
q |
|
_ q ' |
|
gg\ , бесконтактного |
пре- |
|||
|
|
д |
q |
|
\ |
) |
образователя. |
|||
|
Таким образом, |
для |
определения |
|
|
/, |
2— электроды; |
3—эк- |
||
|
|
емко- |
|
|
стЛе7- |
|||||
сти границы раздела фаз Сд требуется знать |
ками изолятора, |
|||||||||
величины Сп, Ci и С2, где Ci = l/2C\. |
|
величину паразитной |
||||||||
|
Для |
коаксиального |
преобразователя |
емкости можно определить измерением емкости между потен циальным внутренним электродом и его экранным «пятачком»
всовокупности с электрическими проводами при отключенном электроде с нулевым потенциалом (потенциалом «земля») [27]. Величину емкости изолятора С\ находят известным приемом при заполнении преобразователя ртутью. Это возможно только
вслучае, если внешнее электрическое поле нормально к изоли рованным поверхностям электродов [28; 29, с 23]. Соответствую щую области III (см. рис. II. 10) величину С2 определяют на
основании схемы рис. II. |
15, б, которая эквивалентна схеме |
рис. II. 15, а. Приведенную |
паразитную емкость Сп в данном |
случае можно найти с помощью выражения для жидкости, ди электрическая проницаемость которой известна
с К
С0 (C l- С ' )
45
где |
С* = СЭ|— Сп, а СЭ| — эквивалентная емкость |
преобразова |
|
теля |
со ртутью; |
|
|
|
С\С'Э |
о>2(с; -С ') - G 2/с'э |
(II. 40) |
|
с \ - с : ’ ш2 (c; - c q + g2/ c; - c3' |
||
|
|
||
|
п’ — п _л*' |
(Н .41) |
|
|
(-'э |
1-Э |
Здесь Сэ — эквивалентная емкость преобразователя с иссле дуемой жидкостью; G — активная проводимость преобразова теля с исследуемой жидкостью.
Рис. II. 14. Упрощенная эквивалентная схема преобразователя для жидких диэлектриков с малыми потерями.
При определенных условиях [29, с. 23] выражение (11.40) можно представить в виде:
СА
С ] - С ' э
Таблица Н.З
Поверхностная емкость на границе раздела фаз стекло-жидкость при f — 500 кГц; t == 2 0 ± 0 ,5 °С
|
|
Емкость, пФ ** |
|
|
Вещество |
эксперименталь* |
графо-аналити |
Сд, пФ |
|
|
|
ные * данные Сч |
ческие данные Сч |
|
Четыреххлористый углерод |
43,97 |
54,73 |
447,6 |
|
Толуилен диизоцианат, изо |
|
|
|
|
меры |
2,4-35% . . . |
145,24 |
171,93 |
2593 |
2,6—65%; |
||||
2,6-80% ; |
2,4-20% . . . |
154,86 |
178,1 |
2965 |
2 ,4 -1 0 0 % |
............................. |
156,37 |
179,8 |
3005 |
Спирт этиловый ......................... |
945,3 |
1021,5 |
25373 |
|
В о д а .............................................. |
|
1274 |
1374 |
35009 |
Сп=14,4 пФ; Сц= 7,1 пФ.
46
Величину С'г определяют на основании схем рис. II. 15, б и г, также эквивалентным схеме рис. II. 15, а:
с,сэ
с, - с:
где С. = С ' — С с; с —с
В табл. II. 3 представлены некоторые экспериментальные данные, использование которых в выражении (II. 39) позволяет найти величины поверхностной емкости Сд на границе раздела фаз стекло — жидкость для различных продуктов. Величину Сп
Оп
I---------I H - — ,
1 R3 1
Рис. 11.15. Различные варианты эквивалентных схем электрической модели бесконтактного пре образователя.
определяли в процессе изготовления преобразователя [24], прин ципиальный вид которого представлен на рис. II. 13. Паразит ная емкость Сп образована системой, заключенной между за земленными деталями и всей наружной поверхностью внутрен него электрода. В момент измерения паразитной емкости Сп внешний экранный электрод отключается. Погрешность опреде ления Сп в данном случае не превосходила ±2% . Эксперимен тальным путем паразитную емкость также можно определить с помощью прерывателя в цепи внутреннего электрода [27].
Величину Сп определяли графо-аналитическим способом. По верхностная емкость Сд возрастает по мере увеличения элек трической асимметрии молекул и наличия гидроксильной груп пы. У воды и этилового спирта она достигает наибольшей вели
чины.
Рассмотрим (рис. 11.16) зависимости C'2 — cp,(f) для этило вого спирта от частоты электромагнитных колебаний (рис. II. 16). На кривых наблюдаются два характерных участка: первый от носится к низким частотам, где С2 быстро уменьшается с уве личением частоты, а второй — к более высоким частотам —
47
выше 3—4 МГц. В последнем случае изменение С'ч с частотой почти прекращается. Значит, с увеличением частоты электро магнитных колебаний для данной конструкции преобразователя уменьшается влияние поверхностной емкости на величину емко сти С'ч. Это можно объяснить инерционностью какой-то части системы молекул, расположенных вблизи границы раздела фаз. Возникают благоприятные условия для измерения диэлектриче ской проницаемости с использованием графо-аналитического метода определения паразитной емкости.
s С'/.пФ
Рис. 11.16. Емкости С2 этилового спирта (1) и адипонитрила (2) Тгри низких (а) и высоких (б) частотах.
Данные рис. II. 16 при низких частотах получены с помощью прибора типа У-592 производства завода «Киевприбор», а на высоких частотах — резонансным методом с помощью отдель ного резонансного контура слабо связанного с генераторным контуром. В качестве генератора использовали прибор типа ГСС-6.
Изложенный метод оценки поверхностной емкости моЖно ис пользовать для исследования процессов, происходящих на гра нице раздела фаз диэлектрик — жидкость вообще. Знание по ведения этой емкости в зависимости от температуры, частоты и некоторых других позволит наиболее достоверно произвести оп ределение диэлектрической проницаемости и проводимости бес контактным способом.
ГЛАВА Ш
ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ЭНЕРГИИ ЖИДКОСТЬЮ В СИСТЕМЕ С СЕТОЧНЫМ ЭЛЕКТРОДОМ
111.1. ГЛУБИНА ПРОНИКНОВЕНИЯ ПЛОСКОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ В ВЕЩ ЕСТВО
Детальное исследование процессов, происходящих на гра нице раздела фаз, обусловленных скачком потенциалов, стано вится крайне необходимым для наиболее полной оценки досто верности определения диэлектрической проницаемости и прово димости жидкости. Эти определения имеют самостоятельное значение и привлекают внимание, поскольку таят многое новое в изучении свойств жидкого тела. Существование вблизи по верхности раздела фаз двойного электрического слоя с закре пленной областью адсорбированных частиц (ионов и поляризо ванных молекул) и действие электрических сил ближнего по рядка в тонком слое позволяет предположить, что процессы поляризации в нем будут слабо зависеть от температуры в ши роком диапазоне, иметь свою характерную область частот, ре лаксации и потерь электромагнитной энергии по сравнению с об ластью, в которой частицы жидкости удалены на сравнительно большие расстояния от электродов или от стенок изолятора. В связи с этим интересно отметить весьма любопытные явления, происходящие в капиллярах с жидкостью, которые несомненно имеют связь с процессами на границе раздела фаз. Эти явления рассмотрены в ряде работ Дерягина с сотрудниками [25, 30, 31], которые полагают, что в капиллярах обычные свойства жидко сти изменяются. Так, для воды, заключенной в такой капилляр при температурах выше 100 °С, молекулы еще прочно связаны на поверхности, изменяется ее температура кипения и другие свойства. Отыскание путей зондирования процессов, протекаю щих в тонком слое, с помощью электромагнитного поля поможет полнее представить явления, наблюдающиеся на межфазной границе, которые связаны со строением и составом жидкости. Это также поможет сформулировать требования (критерии) к сплошности и толщине электродов, использующихся в кон струкциях чувствительных элементов при определении диэлек трической проницаемости и проводимости жидкости бесконтакт
ным |
емкостным методом. Для отыскания путей проникнове |
ния |
электромагнитного поля в тонкий приэлектродный слой |
4?