
книги из ГПНТБ / Усиков, С. В. Электрометрия жидкостей
.pdfвеличина емкости Си тем круче характеристики и больше значе ние КмакоУвеличение частоты приводит к возрастанию значе
ния |
Хмакс' |
при со^-со «макс—*• |
Левая часть характеристики |
||
G = |
cp'(x) |
удобна для измерения, так как наиболее прямоли |
|||
нейна. Ряд |
других свойств |
характеристик (IV.21) |
и (IV. 22) |
||
рассматривается в главе V, |
в которой приводятся |
основы рас |
чета емкостного преобразователя.
Допустим, что величины G и Сэ известны из эксперимента.
Тогда из совместного решения |
выражений (IV. 21) и (IV. 22) |
||||||
относительно х и С2 находим [120]: |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
(IV. 23) |
|
|
|
|
|
|
|
(IV. 24) |
|
где |
(Ci |
Сэ)2< |
|
(Ci - Сэ) СО2 |
|
|
|
fti=l + |
ko-- |
С, (2СЭ- |
Ci) - 2 С ь |
||||
|
|
G2 |
|||||
|
|
|
(С, — Сэ) со2 |
|
|
||
|
|
|
|
G2 |
|
|
|
В выражении |
(IV. 24) |
присутствует отношение |
коэффициен |
||||
тов: |
|
|
|
|
|
|
k2 |
2G2- ( C |
i - C 3)2(2C3 - C i)c o 2 |
*i |
G2 |
+ (C i - Сэ)2со2 |
fe3 |
G2 — (С, — Сэ)С эш2 2 |
|
kx |
G2 + (С, - Сэ)2 со2 |
При условии [12J]
41V. 25)
(IV. 26)
|
|
2G < (С, - |
Сэ) (2СЭ- С,) со2; |
|
|||
|
|
G2 « |
(С, - |
Сэ) Сэсо2; |
|
||
|
|
G2 < |
(С, - |
Сэ)2 ш2 |
|
||
выражения (IV. 25) |
и (IV. 26) |
принимают вид: |
|
||||
|
|
k2 _ |
2СЭ— Ci |
|
(IV. 27) |
||
|
|
*, |
|
Cl —сэ |
1 |
||
|
|
|
|
||||
|
|
*3 _ |
|
Сэ |
_2 |
(IV. 28) |
|
|
|
*, |
|
с , - с э |
1 |
||
|
|
|
|
||||
На |
основании |
решения |
|
выражений (IV. 24), |
H V <?7\ и |
||
(IV. 28) находим: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
C2 = |
-~ C- y |
|
(IV. 29) |
||
При выводе выражения |
(IV. 23) за основу взята |
характери |
|||||
стика |
G = ф'(х). |
|
|
|
|
|
|
Выражения для определения электропроводности и емкости |
|||||||
С2 могут быть представлены в другом, |
более доступном для рас |
90
чета виде, если выражение (IV.22) для емкостной составляющей решить относительно к. При этом получим [119]:
|
со2C]G |
|
|
|
|
Х = |
со2 (Ci — Сэ)2 + |
G2 |
|
(IV. 30) |
|
CiC3 |
(о2 (Ci - Сэ) - G2/Ca |
|
(IV. 31) |
||
Ci — Сэ |
со2 (С, - Сэ) + |
С2/(С, - |
Сэ) |
||
|
Из рассмотрения выражения (IV.31) видно, что выражение (IV.29) справедливо, если второй сомножитель близок к еди нице. Условие
о)2 |
(С, - Сэ) - сусэ |
|
||
со2 (С, |
- Сэ) + С2/(С, - Сэ) |
|
||
выполняется при соблюдении неравенств |
|
|||
|
G2 |
|
|
(IV. 32) |
Сэ(в2 (С, - |
Сэ) |
|
||
|
|
|||
|
G2 |
|
1 |
|
со2 (С, - Сэ)2 |
|
|||
|
|
|||
Но так как |
|
|
|
|
G2 |
_ |
|
G2 |
|
Сэ®2 (С, |
- Сэ) ^ |
®2 (С, - Сэ)2 |
|
то выражение (IV.29) справедливо при выполнении только од ного условия (IV.32).
Аналогичным образом, обращаясь к последовательной экви
валентной схеме рис. IV. 11, в, |
можем записать: |
|
|
R |
(IV. 33) |
|
1 + ®УГСi |
|
|
|
|
1 |
®2/?2Cg |
(IV. 34) |
|
с, i + ®2r 0-c I
где R3l и Сэ, — эквивалентные сопротивления и емкость после довательной эквивалентной схемы.
Как и прежде, полагаем /?э, и Сэ, известными (определен ными из опыта). Тогда на основании выражений (IV.33) и (IV.34) находим
*i |
1 |
(О о |
|
2 |
|||
|
|
kiRi ® - 1
где
Сэ,+ С 1 С1 - Сэ,
Следовательно, если каким-либо способом определить вели чины G и Сэ для параллельной эквивалентной схемы (или R3i и Сэ, для последовательной схемы), а также параметры двой ного слоя и паразитные параметры преобразователя (главным
9!
образом Сп), то становится возможным вычислить значения е и х жидкости бесконтактным способом.
Вообще пути определения элементов полного сопротивления или полной проводимости по диапазону частоты и точности мо гут быть самыми различными. В настоящее время в отечествен ной и зарубежной промышленности выпускаются приборы, кото рые используются для этих целей [40, 122—125].
Метод определения е, основанный на градуировке преобразователя по п эталонам
Принцип емкостных бесконтактных измерений диэлектриче ской проницаемости жидкости по п эталонам ясен из рассмотре ния зависимости эквивалентной емкости (или АСЭ) преобразова теля от х для растворов, составленных на основе растворителей
|
|
с различными диэлектрическими прони |
||
|
|
цаемостями при данной частоте электро |
||
|
|
магнитных колебаний. Такая зависи |
||
|
|
мость представлена на рис. IV. 13. Ка |
||
|
|
либровочные кривые рис. IV. 13 для дан |
||
|
|
ного растворителя можно получить пу |
||
|
|
тем добавления в него соответствующего |
||
|
|
электролита |
и измерения |
проводимости |
|
|
преобразователя. Изменение величины |
||
Рис. IV. 13. Зависимости |
Сэ (ее скачок) в начале приведенных |
|||
эквивалентной |
емкости |
характеристик — функция |
растворителя |
|
преобразователя |
от ве |
и параметров преобразователя. Диэлек |
||
личины х дяя различных |
||||
растворителей |
(жидко |
трическая |
проницаемость |
исследуемой |
стей с различной вели |
жидкости может быть найдена на осно |
|||
чиной е). |
|
вании интерполяции. В принципе, для |
||
|
|
чистых веществ возможна простая ка |
||
либровка эквивалентной емкости преобразователя |
по п этало |
нам, если известно, что х исследуемой жидкости в системе дан ного преобразователя при данной частоте не выходит за пределы начального участка характеристик рис. IV. 13. При этом, оче видно, ужесточаются требования к конструкции преобразователя.
К недостаткам метода, в первую очередь, следует отнести все то, что было сказано о градуировке по эталонным жидкостям контактного преобразователя. Кроме того, диапазон измерения преобразователя ограничивается проводимостью жидкости; ме тод пригоден при условии f — const.
Метод определения е и х по одному эталону (с помощью приведенной паразитной емности)
Определение диэлектрической проницаемости и удельной про водимости по одному эталону заключается в следующем [121]. В предположении, что активные эквивалентная паразитная про водимость 6„ = 1/Дп и проводимость 1//?д малы, эквивалентная
92
схема приводится к схеме рис. IV. 14, где С'п — приведенная па разитная емкость. Введение последней позволяет учесть влияние емкости двойного слоя на границе раздела изолятор — жидкость и при решении задачи воспользоваться соответствующими выра жениями настоящего раздела. Величина С'и при этом может быть найдена графоаналитическим способом на основании пере сечения прямой, соответствующей диэлектрической проницаемо сти эталонного вещества, с кривой зависимости фиктивной ди электрической проницаемости от фиктивной паразитной емко-
Рис. |
IV. |
14. |
Эквивалент |
Рис. IV. 15. |
Графлю |
по |
ная |
схема |
преобразователя |
ясняющий |
способ |
оп |
|
с приведенной |
паразитной |
ределения |
приведенной |
|||
|
емкостью. |
паразитной емкости |
бес |
|||
|
|
|
|
контактного |
преобразо |
|
|
|
|
|
вателя. |
|
сти. Точка пересечения на рис. IV. 15 указывает величину при веденной паразитной емкости преобразователя. Фиктивная па разитная емкость рассчитывается при помощи уравнений
c'i — с \ + С'п; |
(IV. 35) |
С'а = С9 + С'а;
Сэ, = Сэо + Сп
и выражения (IV.29) или (IV.31), в которых С2 = С0еi, а В |- диэлектрическая проницаемость эталонной жидкости. Значение Со определяется из выражения (IV.36), справедливого для пре образователя с воздухом:
г |
э" |
= |
CoCl |
(IV. 36) |
|
|
с, + Со |
|
|
Последовательным расчетом нескольких фиктивных значений |
||||
паразитной емкости СПф определяют фиктивные С]ф, |
СЭф, Соф и, |
наконец, фиктивную диэлектрическую проницаемость еф по ве личине ниже и выше эталонной. Полученные точки для еф на графике образуют кривую, пересекающуюся с прямой соответ ствующей ei эталонной жидкости. Далее, на основании выра жений (IV. 35) и (IV. 36), (IV. 29) или (IV. 31) находят вели чины С1, Сэ, СЭо, С0, С2 и, наконец, е==С2/С0.
Приведенная паразитная емкость С'п также может быть най дена из выражения [126, с. 19]:
|
в, (с;-с;) с ; - ( с ; - о с; |
0 |
И (с'х - с'э) - (р'\ - с1) |
93
которое вытекает из решения системы уравнений
|
Ol —ьэ |
|
|
^ 2 _ С 2 ( ^ 1 ~ ^э0) |
(IV. 37) |
||
Со |
СЭС, |
||
|
где
с э = с'э - с ' .
Проводимость жидкости, определяемая по методу с одним эталоном, вычисляют с помощью выражений (IV.23) и (IV.24) или наиболее целесообразного выражения (IV.30), приведенных для параллельной эквивалентной схемы преобразователя.
Нетрудно видеть, что процесс определения е на практике сво дится к измерению эквивалентной емкости и последующему ре шению, например выражения (IV.37), при условии, если постоян ные параметры, относящиеся к данному преобразователю, най дены заранее.
Величину емкости изолятора Ci обычно находят на основании измерения емкости преобразователя с ртутью или с каким-либо другим жидким веществом (расплавом металла), хорошо прово дящим электрический ток при условии, если силовые линии элек трического поля в рабочем объеме преобразователя перпендику лярны как к изолятору, так и к электроду.
В противном случае, т. е. когда силовые линии не перпенди кулярны при входе (выходе) в изолятор, величина емкости Сi за висит от электрических свойств измеряемой жидкости и может быть определена методом Лопатина [84].
Таблица IV . 1
Сравнение г жидких продуктов, полученных бесконтактным методом
при / = 500 кГц, с литературными данными
|
|
|
Величина 8 |
|
||
Вецество |
Опытные |
Данные (127] |
Данные [1281 * |
|
||
|
Данные [129]** |
|||||
|
данные * |
|||||
Четыреххлористый угле- |
|
|
|
|
- |
|
2,24 |
2,238 |
* |
2,23 |
2,88 |
||
р о д ................................. |
||||||
Б е н з о л ............................. |
2,28 |
2,284 |
* |
2,23 |
2,27 |
|
Толуол ............................. |
2,36 |
2,379 |
** |
2,29 |
2,34 |
|
Этилен ............................. |
4,67 |
4,8* |
|
5,1 |
4,45 |
|
Спирт метиловый . . . |
32,69 |
32,63 ** |
33,7 |
31,6 |
* t = 20 °С; ♦* i =25 °С.
В табл. IV. 1 приведены величины е, определенные описанным выше бесконтактным методом с градуировкой по одному эта лону, для различных более или менее распространенных жидких продуктов. Для сравнения из литературы приведены значения
94
диэлектрической проницаемости, определенные контактными ме тодами. В качестве измерителя емкости использовали прибор типа Е 12-1, а в качестве преобразователя — датчики, выполнен ные из стекла пирекс, модели которых представлены в главе V. При этом за рабочий участок характеристики G — <р(х) брали левую часть кривой, находящуюся далеко до максимума. В связи с тем, что удельная проводимость продукта невелика, выполня лось неравенство (IV.32) и для расчета использовали выражение
(IV.29).
Частотный бесконтактный метод определения е и х
Этот метод является модификацией предыдущего [130], со гласно которому определение величин е и х с помощью приве денной паразитной емкости можно подразделить на ряд опера ций. Их выполнение включает в себя субъективные элементы, во многом зависящие от квалификации оператора (исследователя) и приводящие к увеличению погрешности измерения. Последнее в значительной мере исключается, если эти операции выполняет прибор. Поэтому частотный метод может быть использован для разработки бесконтактного диэлектромера с цифровым отсчетом.
Метод сводится к преобразованию изменения емкости чув ствительного элемента с воздухом и с жидкостью в соответствую щие изменения частоты и напряжения генератора и решению за висимостей е = fi (о), U) и к = /2 (03, U), где U — напряжение гене ратора, посылаемое, например, на измерительный резонансный контур. Для отыскания аналитической формы этих выражений обратимся к системе уравнений (IV.30) и (IV.37). Представим величины емкостей в этих уравнениях через индуктивность и ре зонансные частоты:
с ' = 1/L • со1
С\ = 1/L • со?
(IV. 38)
C'n = l l L . ( o l
Здесь L — индуктивность резонансного контура; о>э, ©,, аэ —
угловые частоты для преобразователя с исследуемой жидкостью, ртутью и воздухом; юп — угловая частота, соответствующая па разитной емкости. .
В результате решения выражений (IV.37) и (IV.38) получаем
р |
f l - f l |
Д2 |
|
|
|
f3- f i ’ Ai |
|
где Ar = f*— fl;, А2 = /э0— fb |
/а» fv |
U и fn — частоты электро |
|
магнитных колебаний. |
|
их отношение Д — постоянны для |
|
Величины Aji, Д2, а также |
|||
данного преобразователя |
(ячейки, датчика). |
95
Значит, можно записать: |
|
|
f |
- р |
|
е = 4 _ 4 . д |
(IV. 39) |
|
г |
■ft |
|
•э |
|
Полученное выражение (IV.39) можно использовать для рас чета частоты /п соответствующей паразитной емкости. Для этого необходимо по эталонной жидкости, значение диэлектрической проницаемости которой «точно» известно, на основании выра
-Генератор' |
;4> ЛВ |
жения Д |
|
<Р- |
|
найти величину fa, |
которая |
Рис. IV.16. Отдельный резонансный |
является постоянной |
преобра |
|
зователя. |
|
||
контур, слабо связанный с генерато |
Таким образом, метод оп |
||
|
ром: |
||
ЛВ —ламповый |
вольтметр; С0—подстроеч |
ределения величины е сводится |
|
ный конденсатор; П— преобразователь. |
к измерению частоты электро |
||
|
|
магнитных колебаний |
fэ для |
преобразователя с испытуемой жидкостью и последующего ре шения выражения (IV. 39).
В общем случае, когда следует учитывать влияние активной проводимости преобразователя с веществом, за исходное вместо (IV.37) необходимо принять выражение (IV.31). Тогда
|
|
/ п - ( э |
• Ат |
|
|
fi - f* |
|
где |
|
|
|
г 2,,2 |
|
||
|
|
||
|
и |
(0а |
|
( “ э - |
СО?) • |
|
|
со,2L |
1/со?,£((о?,-со?) |
|
|
|
п2„2 |
|
|
|
Сг |
соа |
|
(оД |
K - ® i) |
|
|
co?L |
|
|
|
|
(л - fir (г, - |
a |
- 0 4 - x t M ! « - a |
|
- |
a |
- |
Величина активной проводимости преобразователя G опреде ляется из выражения
G — Gо и а - U i |
(IV. 40) |
U, |
|
справедливого для отдельного резонансного контура (рис. IV. 16), слабо связанного с генераторным контуром [120]. Здесь G0 и U0— начальные активная проводимость и напряжение при резонансе контура, когда преобразователь отключен; U\ — напряжение при резонансе с подключенным преобразователем. Величина Gq по-
96
стоянна и находится из выражения: G0 = - i- . |
, где о |
известное безиндуктивное (например, керамическое) сопротивле ние; U2 — напряжение при резонансе с подключенным парал лельно настроечному конденсатору сопротивлением R2. Отсчет напряжения может производиться ламповым вольтметром — ЛВ.
Принимая во внимание выражение (IV.40) и вводя обозна чения
jV[ = 4jt2fn/fi2Gg
iV2 = 4п2№01
получим:
К
Аналогичным путем после подстановки в выражение (IV.30) вместо G его значение из (IV.40) и последующих преобразова ний находим
« - й ) ‘ - м . ( т Н )
где B, = O0(l- fi/f 3 !, а В2= ОЩ;.
В табл. IV.2 представлены величины е для ряда жидкостей, определенные частотным методом с помощью уравнения (IV.39), и для сравнения включены литературные данные.
|
|
|
|
Таблица IV, 2 |
||
|
Значения е для некоторых жидкостей, |
|
||||
|
полученные частотным методом при 19°С |
|
||||
|
|
Опытные данные |
Литературные |
|||
Вещество |
данные |
|||||
е |
f-1 0 '6, Гц |
8 |
||||
|
|
|||||
Толуол ............................. |
|
2,35 |
16 |
2,39 |
[37 |
|
Ацетон ............................. |
спирт . . . . |
19,1 |
9 |
21.3 |
[37 |
|
Этиловый |
24,1 |
8.5 |
24,1 |
[38 |
||
Глицерин |
......................... |
41 |
8 |
42 |
[131 |
На рис. IV.17 изображена использованная при измерениях блок-схема. Она включает в себя блок генератора 1 (типа ГСС-6); измерительный параллельный экранированный контур 2, ламповый вольтметр 3 (типа ВЗ-4) и преобразователь ЯД4-БТМ. Два последних блока соединены параллельно. Частота генера тора контролировалась с помощью гетеродинного вольномера типа 526-У.
4 С. В. Усиков |
97 |
Как видно из табл. IV.2 величину е каждого вещества следует определять при своей, строго фиксированной величине частоты электромагнитных колебаний. Следовательно, частотный метод может быть эффективен при исследовании е жидкостей только в квазистационарной части частотного спектра. В остальном же этому методу присущи все недостатки предыдущего. Основной
недостаток обоих методов заключается в том, |
что в широком ди |
||||
|
апазоне значений е й я для |
жидко |
|||
|
стей |
(от диэлектриков |
до |
провод |
|
|
ников II рода) может |
изменяться |
|||
|
приведенная паразитная емкость С'п |
||||
|
(частота /п) данного преобразова |
||||
|
теля, найденная по одному эталону |
||||
|
(например, на основе жидкого ди |
||||
|
электрика). Это можно связать с |
||||
|
изменением состояния |
двойного |
|||
Рис. IV. 17. Блок-схема изме |
электрического |
слоя. |
Применение |
||
рения при частном методе. |
преобразователя, |
следовательно, |
|||
шем диапазоне. Введение |
будет возможно в несколько мень |
||||
C'(fn) |
не дает истинных значений ве- |
личин Cj, Се, С0 для данного преобразователя. Однако это не умаляет значение этих методов, тем более, что практически дан ный преобразователь все же имеет значительный диапазон по е и к, в котором с высокой точностью сохраняется постоянство С'п. Кроме того, в особо точных измерениях можно использовать два значения С'п, найденные по двум эталонным образцам резко отличающихся по величинам е й к.
Метод определения е и к, основанный на изменении расстояния между электродами при S = const
Данный метод позволяет устранить ряд недостатков преды дущих бесконтактных методов. Он основан на перемещении изо лированных электродов (на изменении расстояния между элек тродами) при сохранении их площади постоянной [132].
На рис. IV. 18 представлен принципиальный вид преобразова теля с перемещающимся в осевом направлении изолированным электродом 1. Изолированный от жидкости электрод 2 неподви жен. Полная эквивалентная схема такой системы подобна пред ставленной на рис. 11.11 или 11.12. Конфигурация преобразова теля позволяет делать стенки сосуда 4 из материала с низкой диэлектрической проницаемостью, а прослойки, изолирующие поверхности электродов от исследуемой среды, — из материала с высокой диэлектрической проницаемостью. Очевидно, основными критериями выбора материала, изолирующего электроды, будет степень зависимости его диэлектрической проницаемости от тем пературы и стойкость к воздействию среды. Без учета потерь
98
ё диэлектрике и истинной паразитной емкости Сп полное сопро тивление эквивалентной схемы рис. 11.12 таково:
г |
Я |
, |
Ад |
,Г «А*2 |
, |
«Сд/г| |
, |
1 |
1+ |
(сосу?)2 |
1 + |
(соСд/^д)2 |
1 1 + ( g> C 2R ) 2 |
^ |
1+ (соСдЯд)2 |
+ |
соС, . |
|
|
|
|
|
|
|
|
(IV. 41) |
Из уравнения (IV.41) видно, что функциями расстояний ме жду электродами являются только С2 и /?, т. е. для расстояний d\ и d2 можно написать следующую систему уравнений:
1 |
со2C '2 ( R ' ) 2 |
^ |
со2СД# 2 |
t |
1 |
Спос, |
1 + (соC '2R ' f |
+ |
1+ (соСд/?д)2 |
+ |
(IV. 42) |
С, |
1 _ |
^ С2 W')2 |
о2с Х |
1 |
|||
Сдоса |
1+ « |
' * |
7 + |
1+ |
+ |
С> |
|
|
R' |
|
|
R |
|
/?пос‘ ~ 1+ |
(соC'2r J |
+ 1 + |
(соСд^д)2 |
|
||
R |
1+ |
R" |
|
I |
* д |
|
П0С2 |
(соC |
" R " f |
1+ |
(соСдЯд)2 |
|
Здесь Rnoc, Спос — составляющие полного сопротивления по следовательной эквивалентной схемы; С2, R', С2, R" — элек трические параметры жидкости при расстояниях d\ и d2.
Обозначая a2/di = п и имея в виду идеальный преобразова тель с плоскопараллельными изолированными электродами, по лучим:
С" = — С' |
R" = nR' |
(IV. 43) |
п |
|
|
Обозначим также: А |
1 |
1 |
1 |
■ |
А/? 0 — |
|
|
С„ |
У-» |
> и1'ПОС -- л\ПОС2^^ |
|
— ^посг Тогда, подставляя |
|
'пос2 |
Опос, |
|
в (IV. 42), най |
выражение |
(IV. 43) |
||||
дем, что: |
|
|
|
|
|
1со2C'2(R ')2
Д• ------- = (/г — 1) ■
1 |
+ |
(сое;,/?')2 |
|
|
(IV. 44) |
Д^ПОС -- (ft O' 1 |
|
R' |
+ |
(соC'2R rf |
Наконец, решением системы уравнений (IV. 44) относительно параметров R' и С2 будет:
|
^ n o c { l + |
[ |
А(1/С„ос) |
п |
|
R'- |
СОД^пос |
(IV .45) |
|||
|
|
|
|||
|
п ■ |
|
|
||
Со |
|
п —1 |
|
|
|
СОД$пос |
|
V |
|
(IV.46) |
|
|
|
|
|||
|
Д-1/Сп |
|
+ 1 1Д-1/.Спос |
|
|
|
|
|
|
|
|
4* |
|
|
|
|
99 |