Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Усиков, С. В. Электрометрия жидкостей

.pdf
Скачиваний:
17
Добавлен:
19.10.2023
Размер:
6.25 Mб
Скачать

величина емкости Си тем круче характеристики и больше значе­ ние КмакоУвеличение частоты приводит к возрастанию значе­

ния

Хмакс'

при со^-со «макс—*•

Левая часть характеристики

G =

cp'(x)

удобна для измерения, так как наиболее прямоли­

нейна. Ряд

других свойств

характеристик (IV.21)

и (IV. 22)

рассматривается в главе V,

в которой приводятся

основы рас­

чета емкостного преобразователя.

Допустим, что величины G и Сэ известны из эксперимента.

Тогда из совместного решения

выражений (IV. 21) и (IV. 22)

относительно х и С2 находим [120]:

 

 

 

 

 

 

 

 

(IV. 23)

 

 

 

 

 

 

(IV. 24)

где

(Ci

Сэ)2<

 

(Ci - Сэ) СО2

 

 

fti=l +

ko--

С, (2СЭ-

Ci) - 2 С ь

 

 

G2

 

 

 

(С, — Сэ) со2

 

 

 

 

 

 

G2

 

 

В выражении

(IV. 24)

присутствует отношение

коэффициен­

тов:

 

 

 

 

 

 

k2

2G2- ( C

i - C 3)2(2C3 - C i)c o 2

*i

G2

+ (C i - Сэ)2со2

fe3

G2 — (С, — Сэ)С эш2 2

kx

G2 + (С, - Сэ)2 со2

При условии [12J]

41V. 25)

(IV. 26)

 

 

2G < (С, -

Сэ) (2СЭ- С,) со2;

 

 

 

G2 «

(С, -

Сэ) Сэсо2;

 

 

 

G2 <

(С, -

Сэ)2 ш2

 

выражения (IV. 25)

и (IV. 26)

принимают вид:

 

 

 

k2 _

2СЭ— Ci

 

(IV. 27)

 

 

*,

 

Cl —сэ

1

 

 

 

 

 

 

*3 _

 

Сэ

_2

(IV. 28)

 

 

*,

 

с , - с э

1

 

 

 

 

На

основании

решения

 

выражений (IV. 24),

H V <?7\ и

(IV. 28) находим:

 

 

 

 

 

 

 

 

C2 =

-~ C- y

 

(IV. 29)

При выводе выражения

(IV. 23) за основу взята

характери­

стика

G = ф'(х).

 

 

 

 

 

 

Выражения для определения электропроводности и емкости

С2 могут быть представлены в другом,

более доступном для рас­

90

чета виде, если выражение (IV.22) для емкостной составляющей решить относительно к. При этом получим [119]:

 

со2C]G

 

 

 

Х =

со2 (Ci — Сэ)2 +

G2

 

(IV. 30)

CiC3

(о2 (Ci - Сэ) - G2/Ca

 

(IV. 31)

Ci — Сэ

со2 (С, - Сэ) +

С2/(С, -

Сэ)

 

Из рассмотрения выражения (IV.31) видно, что выражение (IV.29) справедливо, если второй сомножитель близок к еди­ нице. Условие

о)2

(С, - Сэ) - сусэ

 

со2 (С,

- Сэ) + С2/(С, - Сэ)

 

выполняется при соблюдении неравенств

 

 

G2

 

 

(IV. 32)

Сэ(в2 (С, -

Сэ)

 

 

 

 

G2

 

1

 

со2 (С, - Сэ)2

 

 

 

Но так как

 

 

 

 

G2

_

 

G2

 

Сэ®2 (С,

- Сэ) ^

®2 (С, - Сэ)2

 

то выражение (IV.29) справедливо при выполнении только од­ ного условия (IV.32).

Аналогичным образом, обращаясь к последовательной экви­

валентной схеме рис. IV. 11, в,

можем записать:

 

 

R

(IV. 33)

 

1 + ®УГСi

 

 

1

®2/?2Cg

(IV. 34)

 

с, i + ®2r 0-c I

где R3l и Сэ, — эквивалентные сопротивления и емкость после­ довательной эквивалентной схемы.

Как и прежде, полагаем /?э, и Сэ, известными (определен­ ными из опыта). Тогда на основании выражений (IV.33) и (IV.34) находим

*i

1

(О о

2

 

 

kiRi ® - 1

где

Сэ,+ С 1 С1 - Сэ,

Следовательно, если каким-либо способом определить вели­ чины G и Сэ для параллельной эквивалентной схемы (или R3i и Сэ, для последовательной схемы), а также параметры двой­ ного слоя и паразитные параметры преобразователя (главным

9!

образом Сп), то становится возможным вычислить значения е и х жидкости бесконтактным способом.

Вообще пути определения элементов полного сопротивления или полной проводимости по диапазону частоты и точности мо­ гут быть самыми различными. В настоящее время в отечествен­ ной и зарубежной промышленности выпускаются приборы, кото­ рые используются для этих целей [40, 122—125].

Метод определения е, основанный на градуировке преобразователя по п эталонам

Принцип емкостных бесконтактных измерений диэлектриче­ ской проницаемости жидкости по п эталонам ясен из рассмотре­ ния зависимости эквивалентной емкости (или АСЭ) преобразова­ теля от х для растворов, составленных на основе растворителей

 

 

с различными диэлектрическими прони­

 

 

цаемостями при данной частоте электро­

 

 

магнитных колебаний. Такая зависи­

 

 

мость представлена на рис. IV. 13. Ка­

 

 

либровочные кривые рис. IV. 13 для дан­

 

 

ного растворителя можно получить пу­

 

 

тем добавления в него соответствующего

 

 

электролита

и измерения

проводимости

 

 

преобразователя. Изменение величины

Рис. IV. 13. Зависимости

Сэ (ее скачок) в начале приведенных

эквивалентной

емкости

характеристик — функция

растворителя

преобразователя

от ве­

и параметров преобразователя. Диэлек­

личины х дяя различных

растворителей

(жидко­

трическая

проницаемость

исследуемой

стей с различной вели­

жидкости может быть найдена на осно­

чиной е).

 

вании интерполяции. В принципе, для

 

 

чистых веществ возможна простая ка­

либровка эквивалентной емкости преобразователя

по п этало­

нам, если известно, что х исследуемой жидкости в системе дан­ ного преобразователя при данной частоте не выходит за пределы начального участка характеристик рис. IV. 13. При этом, оче­ видно, ужесточаются требования к конструкции преобразователя.

К недостаткам метода, в первую очередь, следует отнести все то, что было сказано о градуировке по эталонным жидкостям контактного преобразователя. Кроме того, диапазон измерения преобразователя ограничивается проводимостью жидкости; ме­ тод пригоден при условии f — const.

Метод определения е и х по одному эталону (с помощью приведенной паразитной емности)

Определение диэлектрической проницаемости и удельной про­ водимости по одному эталону заключается в следующем [121]. В предположении, что активные эквивалентная паразитная про­ водимость 6„ = 1/Дп и проводимость 1//?д малы, эквивалентная

92

схема приводится к схеме рис. IV. 14, где С'п — приведенная па­ разитная емкость. Введение последней позволяет учесть влияние емкости двойного слоя на границе раздела изолятор — жидкость и при решении задачи воспользоваться соответствующими выра­ жениями настоящего раздела. Величина С'и при этом может быть найдена графоаналитическим способом на основании пере­ сечения прямой, соответствующей диэлектрической проницаемо­ сти эталонного вещества, с кривой зависимости фиктивной ди­ электрической проницаемости от фиктивной паразитной емко-

Рис.

IV.

14.

Эквивалент­

Рис. IV. 15.

Графлю

по­

ная

схема

преобразователя

ясняющий

способ

оп­

с приведенной

паразитной

ределения

приведенной

 

емкостью.

паразитной емкости

бес­

 

 

 

 

контактного

преобразо­

 

 

 

 

вателя.

 

сти. Точка пересечения на рис. IV. 15 указывает величину при­ веденной паразитной емкости преобразователя. Фиктивная па­ разитная емкость рассчитывается при помощи уравнений

c'i — с \ + С'п;

(IV. 35)

С'а = С9 + С'а;

Сэ, = Сэо + Сп

и выражения (IV.29) или (IV.31), в которых С2 = С0еi, а В |- диэлектрическая проницаемость эталонной жидкости. Значение Со определяется из выражения (IV.36), справедливого для пре­ образователя с воздухом:

г

э"

=

CoCl

(IV. 36)

 

 

с, + Со

 

Последовательным расчетом нескольких фиктивных значений

паразитной емкости СПф определяют фиктивные С]ф,

СЭф, Соф и,

наконец, фиктивную диэлектрическую проницаемость еф по ве­ личине ниже и выше эталонной. Полученные точки для еф на графике образуют кривую, пересекающуюся с прямой соответ­ ствующей ei эталонной жидкости. Далее, на основании выра­ жений (IV. 35) и (IV. 36), (IV. 29) или (IV. 31) находят вели­ чины С1, Сэ, СЭо, С0, С2 и, наконец, е==С2/С0.

Приведенная паразитная емкость С'п также может быть най­ дена из выражения [126, с. 19]:

 

в, (с;-с;) с ; - ( с ; - о с;

0

И (с'х - с'э) - (р'\ - с1)

93

которое вытекает из решения системы уравнений

 

Ol —ьэ

 

^ 2 _ С 2 ( ^ 1 ~ ^э0)

(IV. 37)

Со

СЭС,

 

где

с э = с'э - с ' .

Проводимость жидкости, определяемая по методу с одним эталоном, вычисляют с помощью выражений (IV.23) и (IV.24) или наиболее целесообразного выражения (IV.30), приведенных для параллельной эквивалентной схемы преобразователя.

Нетрудно видеть, что процесс определения е на практике сво­ дится к измерению эквивалентной емкости и последующему ре­ шению, например выражения (IV.37), при условии, если постоян­ ные параметры, относящиеся к данному преобразователю, най­ дены заранее.

Величину емкости изолятора Ci обычно находят на основании измерения емкости преобразователя с ртутью или с каким-либо другим жидким веществом (расплавом металла), хорошо прово­ дящим электрический ток при условии, если силовые линии элек­ трического поля в рабочем объеме преобразователя перпендику­ лярны как к изолятору, так и к электроду.

В противном случае, т. е. когда силовые линии не перпенди­ кулярны при входе (выходе) в изолятор, величина емкости Сi за­ висит от электрических свойств измеряемой жидкости и может быть определена методом Лопатина [84].

Таблица IV . 1

Сравнение г жидких продуктов, полученных бесконтактным методом

при / = 500 кГц, с литературными данными

 

 

 

Величина 8

 

Вецество

Опытные

Данные (127]

Данные [1281 *

 

 

Данные [129]**

 

данные *

Четыреххлористый угле-

 

 

 

 

-

2,24

2,238

*

2,23

2,88

р о д .................................

Б е н з о л .............................

2,28

2,284

*

2,23

2,27

Толуол .............................

2,36

2,379

**

2,29

2,34

Этилен .............................

4,67

4,8*

 

5,1

4,45

Спирт метиловый . . .

32,69

32,63 **

33,7

31,6

* t = 20 °С; ♦* i =25 °С.

В табл. IV. 1 приведены величины е, определенные описанным выше бесконтактным методом с градуировкой по одному эта­ лону, для различных более или менее распространенных жидких продуктов. Для сравнения из литературы приведены значения

94

диэлектрической проницаемости, определенные контактными ме­ тодами. В качестве измерителя емкости использовали прибор типа Е 12-1, а в качестве преобразователя — датчики, выполнен­ ные из стекла пирекс, модели которых представлены в главе V. При этом за рабочий участок характеристики G — <р(х) брали левую часть кривой, находящуюся далеко до максимума. В связи с тем, что удельная проводимость продукта невелика, выполня­ лось неравенство (IV.32) и для расчета использовали выражение

(IV.29).

Частотный бесконтактный метод определения е и х

Этот метод является модификацией предыдущего [130], со­ гласно которому определение величин е и х с помощью приве­ денной паразитной емкости можно подразделить на ряд опера­ ций. Их выполнение включает в себя субъективные элементы, во многом зависящие от квалификации оператора (исследователя) и приводящие к увеличению погрешности измерения. Последнее в значительной мере исключается, если эти операции выполняет прибор. Поэтому частотный метод может быть использован для разработки бесконтактного диэлектромера с цифровым отсчетом.

Метод сводится к преобразованию изменения емкости чув­ ствительного элемента с воздухом и с жидкостью в соответствую­ щие изменения частоты и напряжения генератора и решению за­ висимостей е = fi (о), U) и к = /2 (03, U), где U — напряжение гене­ ратора, посылаемое, например, на измерительный резонансный контур. Для отыскания аналитической формы этих выражений обратимся к системе уравнений (IV.30) и (IV.37). Представим величины емкостей в этих уравнениях через индуктивность и ре­ зонансные частоты:

с ' = 1/L • со1

С\ = 1/L • со?

(IV. 38)

C'n = l l L . ( o l

Здесь L — индуктивность резонансного контура; о>э, ©,, аэ

угловые частоты для преобразователя с исследуемой жидкостью, ртутью и воздухом; юп — угловая частота, соответствующая па­ разитной емкости. .

В результате решения выражений (IV.37) и (IV.38) получаем

р

f l - f l

Д2

 

 

f3- f i ’ Ai

где Ar = f*— fl;, А2 = /э0— fb

/а» fv

U и fn — частоты электро­

магнитных колебаний.

 

их отношение Д — постоянны для

Величины Aji, Д2, а также

данного преобразователя

(ячейки, датчика).

95

Значит, можно записать:

 

 

f

- р

 

е = 4 _ 4 . д

(IV. 39)

г

■ft

 

э

 

Полученное выражение (IV.39) можно использовать для рас­ чета частоты /п соответствующей паразитной емкости. Для этого необходимо по эталонной жидкости, значение диэлектрической проницаемости которой «точно» известно, на основании выра­

-Генератор'

;4> ЛВ

жения Д

 

<Р-

 

найти величину fa,

которая

Рис. IV.16. Отдельный резонансный

является постоянной

преобра­

зователя.

 

контур, слабо связанный с генерато­

Таким образом, метод оп­

 

ром:

ЛВ —ламповый

вольтметр; С0—подстроеч­

ределения величины е сводится

ный конденсатор; П— преобразователь.

к измерению частоты электро­

 

 

магнитных колебаний

fэ для

преобразователя с испытуемой жидкостью и последующего ре­ шения выражения (IV. 39).

В общем случае, когда следует учитывать влияние активной проводимости преобразователя с веществом, за исходное вместо (IV.37) необходимо принять выражение (IV.31). Тогда

 

 

/ п - ( э

• Ат

 

 

fi - f*

где

 

 

г 2,,2

 

 

 

 

и

(0а

 

( “ э -

СО?) •

 

 

со,2L

1/со?,£((о?,-со?)

 

 

п2„2

 

 

Сг

соа

 

(оД

K - ® i)

 

 

co?L

 

 

 

(л - fir (г, -

a

- 0 4 - x t M ! « - a

 

-

a

-

Величина активной проводимости преобразователя G опреде­ ляется из выражения

G — Gо и а - U i

(IV. 40)

U,

 

справедливого для отдельного резонансного контура (рис. IV. 16), слабо связанного с генераторным контуром [120]. Здесь G0 и U0— начальные активная проводимость и напряжение при резонансе контура, когда преобразователь отключен; U\ — напряжение при резонансе с подключенным преобразователем. Величина Gq по-

96

стоянна и находится из выражения: G0 = - i- .

, где о

известное безиндуктивное (например, керамическое) сопротивле­ ние; U2 — напряжение при резонансе с подключенным парал­ лельно настроечному конденсатору сопротивлением R2. Отсчет напряжения может производиться ламповым вольтметром — ЛВ.

Принимая во внимание выражение (IV.40) и вводя обозна­ чения

jV[ = 4jt2fn/fi2Gg

iV2 = 4п2№01

получим:

К

Аналогичным путем после подстановки в выражение (IV.30) вместо G его значение из (IV.40) и последующих преобразова­ ний находим

« - й ) ‘ - м . ( т Н )

где B, = O0(l- fi/f 3 !, а В2= ОЩ;.

В табл. IV.2 представлены величины е для ряда жидкостей, определенные частотным методом с помощью уравнения (IV.39), и для сравнения включены литературные данные.

 

 

 

 

Таблица IV, 2

 

Значения е для некоторых жидкостей,

 

 

полученные частотным методом при 19°С

 

 

 

Опытные данные

Литературные

Вещество

данные

е

f-1 0 '6, Гц

8

 

 

Толуол .............................

 

2,35

16

2,39

[37

Ацетон .............................

спирт . . . .

19,1

9

21.3

[37

Этиловый

24,1

8.5

24,1

[38

Глицерин

.........................

41

8

42

[131

На рис. IV.17 изображена использованная при измерениях блок-схема. Она включает в себя блок генератора 1 (типа ГСС-6); измерительный параллельный экранированный контур 2, ламповый вольтметр 3 (типа ВЗ-4) и преобразователь ЯД4-БТМ. Два последних блока соединены параллельно. Частота генера­ тора контролировалась с помощью гетеродинного вольномера типа 526-У.

4 С. В. Усиков

97

Как видно из табл. IV.2 величину е каждого вещества следует определять при своей, строго фиксированной величине частоты электромагнитных колебаний. Следовательно, частотный метод может быть эффективен при исследовании е жидкостей только в квазистационарной части частотного спектра. В остальном же этому методу присущи все недостатки предыдущего. Основной

недостаток обоих методов заключается в том,

что в широком ди­

 

апазоне значений е й я для

жидко­

 

стей

(от диэлектриков

до

провод­

 

ников II рода) может

изменяться

 

приведенная паразитная емкость С'п

 

(частота /п) данного преобразова­

 

теля, найденная по одному эталону

 

(например, на основе жидкого ди­

 

электрика). Это можно связать с

 

изменением состояния

двойного

Рис. IV. 17. Блок-схема изме­

электрического

слоя.

Применение

рения при частном методе.

преобразователя,

следовательно,

шем диапазоне. Введение

будет возможно в несколько мень­

C'(fn)

не дает истинных значений ве-

личин Cj, Се, С0 для данного преобразователя. Однако это не умаляет значение этих методов, тем более, что практически дан­ ный преобразователь все же имеет значительный диапазон по е и к, в котором с высокой точностью сохраняется постоянство С'п. Кроме того, в особо точных измерениях можно использовать два значения С'п, найденные по двум эталонным образцам резко отличающихся по величинам е й к.

Метод определения е и к, основанный на изменении расстояния между электродами при S = const

Данный метод позволяет устранить ряд недостатков преды­ дущих бесконтактных методов. Он основан на перемещении изо­ лированных электродов (на изменении расстояния между элек­ тродами) при сохранении их площади постоянной [132].

На рис. IV. 18 представлен принципиальный вид преобразова­ теля с перемещающимся в осевом направлении изолированным электродом 1. Изолированный от жидкости электрод 2 неподви­ жен. Полная эквивалентная схема такой системы подобна пред­ ставленной на рис. 11.11 или 11.12. Конфигурация преобразова­ теля позволяет делать стенки сосуда 4 из материала с низкой диэлектрической проницаемостью, а прослойки, изолирующие поверхности электродов от исследуемой среды, — из материала с высокой диэлектрической проницаемостью. Очевидно, основными критериями выбора материала, изолирующего электроды, будет степень зависимости его диэлектрической проницаемости от тем­ пературы и стойкость к воздействию среды. Без учета потерь

98

ё диэлектрике и истинной паразитной емкости Сп полное сопро­ тивление эквивалентной схемы рис. 11.12 таково:

г

Я

,

Ад

,Г «А*2

,

«Сд/г|

,

1

1+

(сосу?)2

1 +

(соСд/^д)2

1 1 + ( g> C 2R ) 2

^

1+ (соСдЯд)2

+

соС, .

 

 

 

 

 

 

 

 

(IV. 41)

Из уравнения (IV.41) видно, что функциями расстояний ме­ жду электродами являются только С2 и /?, т. е. для расстояний d\ и d2 можно написать следующую систему уравнений:

1

со2C '2 ( R ' ) 2

^

со2СД# 2

t

1

Спос,

1 + (соC '2R ' f

+

1+ (соСд/?д)2

+

(IV. 42)

С,

1 _

^ С2 W')2

о2с Х

1

Сдоса

1+ «

' *

7 +

1+

+

С>

 

 

R'

 

 

R

 

/?пос‘ ~ 1+

(соC'2r J

+ 1 +

(соСд^д)2

 

R

1+

R"

 

I

* д

 

П0С2

(соC

" R " f

1+

(соСдЯд)2

 

Здесь Rnoc, Спос — составляющие полного сопротивления по­ следовательной эквивалентной схемы; С2, R', С2, R" — элек­ трические параметры жидкости при расстояниях d\ и d2.

Обозначая a2/di = п и имея в виду идеальный преобразова­ тель с плоскопараллельными изолированными электродами, по­ лучим:

С" = — С'

R" = nR'

(IV. 43)

п

 

 

Обозначим также: А

1

1

1

А/? 0 —

 

 

С„

У-»

> и1'ПОС -- л\ПОС2^^

— ^посг Тогда, подставляя

 

'пос2

Опос,

 

в (IV. 42), най­

выражение

(IV. 43)

дем, что:

 

 

 

 

 

1со2C'2(R ')2

Д------- = (/г — 1) ■

1

+

(сое;,/?')2

 

 

(IV. 44)

Д^ПОС -- (ft O' 1

 

R'

+

(соC'2R rf

Наконец, решением системы уравнений (IV. 44) относительно параметров R' и С2 будет:

 

^ n o c { l +

[

А(1/С„ос)

п

 

R'-

СОД^пос

(IV .45)

 

 

 

 

п ■

 

 

Со

 

п —1

 

 

СОД$пос

 

V

 

(IV.46)

 

 

 

 

Д-1/Сп

 

+ 1 1Д-1/.Спос

 

 

 

 

 

 

4*

 

 

 

 

99

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ