Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
89
Добавлен:
23.02.2015
Размер:
735.74 Кб
Скачать
  1. Вопросы для самопроверки

  1. Какой полупроводник называется собственным?

  2. Какой полупроводник называется примесным?

  3. Что такое энергия (уровень) Ферми?

  4. Укажите и поясните расположение уровня Ферми для собственного полупроводника, примесных полупроводников p- и n-типов.

  5. Как зависит положение уровня Ферми примесных полупроводников от концентрации примеси и температуры?

  6. Как связаны концентрации основных и неосновных носителей заряда в полупроводнике n-типа?

  7. Что такое равновесная концентрация электронов и дырок и как она зависит от материала полупроводника, температуры?

  8. Как зависит концентрация основных и неосновных носителей заряда от степени легирования и температуры?

  9. Объясните механизм образования p-n перехода.

  10. Нарисуйте распределение объемных и подвижных зарядов, напряженности электрического поля и потенциала в области несимметричного p-n перехода в равновесном состоянии.

  11. В чем заключаются условия равновесия p-n перехода?

  12. Что такое контактная разность потенциалов и от чего она зависит?

  13. Нарисуйте энергетическую диаграмму несимметричного p-n перехода в равновесном состоянии.

  14. Нарисуйте энергетическую диаграмму прямосмещенного p-n перехода.

  15. Как зависит ширина p-n перехода от концентрации примеси и от приложенного напряжения?

  16. Что такое инжекция носителей заряда?

  17. Нарисуйте энергетическую диаграмму обратносмещенного p-n  перехода.

  18. Что такое экстракция носителей заряда?

  19. Запишите выражение для вольтамперной характеристики идеального p-n перехода.

  20. Нарисуйте вольтамперные характеристики германиевого, кремниевого и арсенид-галлиевого переходов и объясните их отличие.

  21. Объясните влияние температуры на ход вольтамперной характеристики p-n перехода.

  22. Как влияет сопротивление базы на ход прямой ветви характеристики p-n перехода?

  23. Как зависит величина обратного тока p-n перехода от концентрации примеси и температуры?

  24. Объясните зависимость обратного тока в реальных p-n переходах от величины обратного напряжения.

  25. Запишите выражение для вольтамперной характеристики идеального p-n перехода.

  26. Объясните зависимость обратного тока в реальных p-n переходах от величины обратного напряжения.

  27. Нарисуйте схему для экспериментальных исследований. Поясните назначение элементов схемы и порядок экспериментальной работы.

  1. Библиографический список

  1. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов / Я.А. Федотов. М.: Сов. радио, 1969. 542 с.

  2. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов / В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. 5-е изд., испр. СПб.: Лань, 2001. 480 с.

  3. Дулин В.Н. Электронные приборы: учебник / В.Н. Дулин, Н.А. Аваев, В.П. Дёмин и др.; под ред. Г.Г. Шишкина. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергоатомиздат, 1989. 496 с.

  4. Булычев А.Л. Электронные приборы: учебник / А.Л. Булычев, П.М. Лямин, Е.С. Тулинов. М.: Лайт Лтд., 2001. 416 с.

  5. Батушев В.А. Электронные приборы: учебник / В.А. Батушев. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1980. 383 с.

  6. Елфимов В.И. Основы теории p-n-перехода: учебное пособие / В.И. Елфимов, Н.С. Устыленко. Екатеринбург: ООО «Издательство УМЦ УПИ», 2000. 55 с.

  7. Ржевкин К.С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов / К.С. Ржевкин. М.: Изд-во МГУ,1986. 256 с.

  8. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи; пер. с англ. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Мир, 1984. Кн.1. 456 с.

  9. Епифанов Г.И. Физика твердого тела: Учебное пособие для втузов / Г.И. Епифанов. М.: Высшая школа, 1977. 288 с.

  10. Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков; под ред. В.А. Лабунцова. М.: Энергоатомиздат, 1990. 576с.

  11. Гусев В.Г. Электроника: Учебное пособие / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев; 2-е изд., перераб. и доп М.: Высшая школа, 1991. 621 с.

  12. Пасынков В.В. Материалы электронной техники: учебник для вузов / В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. СПб.: Лань, 2001. 368 с.

  13. Жеребцов И.П. Основы электроники / И.П. Жеребцов. Л.: Энергоатомиздат,1990. 352 с.

  14. Антипов Б.Л. Материалы электронной техники. Задачи и вопросы: учебное пособие для вузов / Б.Л. Антипов, В.С. Сорокин, В.А. Терехов; под ред. В.А. Терехова. 2-е изд. СПб.: Лань, 2001. 208с.

  15. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: справочник / Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1983. 744 с.

  16. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник / Под ред. А.В. Голомедова, 2-е изд., стер. М.: Радио и связь, изд. фирма "КУбК-а", 1994. 527 с.

  17. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. Изд.4-е, перераб. и доп. М.: Энергия, 1976. 744 с.

  18. Транзисторы и полупроводниковые диоды: Справочник / Под общ. ред. И.Ф. Николаевского. М.: Связьиздат, 1963. 646 с.

Соседние файлы в папке Лаб. работы