
- •Лабораторная работа №1 исследование характеристик и параметров электронно-дырочных переходов
- •Цель лабораторной работы
- •Схемы экспериментальных исследований
- •Лабораторное задание
- •Обработка результатов эксперимента
- •Содержание отчета
- •Вопросы для самопроверки
- •Библиографический список
- •Приложение 1
- •Приложение 2 Пример оформления титульного листа отчета по лабораторной работе
- •2008 Приложение 3
- •Приложение 4
Вопросы для самопроверки
Какой полупроводник называется собственным?
Какой полупроводник называется примесным?
Что такое энергия (уровень) Ферми?
Укажите и поясните расположение уровня Ферми для собственного полупроводника, примесных полупроводников p- и n-типов.
Как зависит положение уровня Ферми примесных полупроводников от концентрации примеси и температуры?
Как связаны концентрации основных и неосновных носителей заряда в полупроводнике n-типа?
Что такое равновесная концентрация электронов и дырок и как она зависит от материала полупроводника, температуры?
Как зависит концентрация основных и неосновных носителей заряда от степени легирования и температуры?
Объясните механизм образования p-n перехода.
Нарисуйте распределение объемных и подвижных зарядов, напряженности электрического поля и потенциала в области несимметричного p-n перехода в равновесном состоянии.
В чем заключаются условия равновесия p-n перехода?
Что такое контактная разность потенциалов и от чего она зависит?
Нарисуйте энергетическую диаграмму несимметричного p-n перехода в равновесном состоянии.
Нарисуйте энергетическую диаграмму прямосмещенного p-n перехода.
Как зависит ширина p-n перехода от концентрации примеси и от приложенного напряжения?
Что такое инжекция носителей заряда?
Нарисуйте энергетическую диаграмму обратносмещенного p-n перехода.
Что такое экстракция носителей заряда?
Запишите выражение для вольтамперной характеристики идеального p-n перехода.
Нарисуйте вольтамперные характеристики германиевого, кремниевого и арсенид-галлиевого переходов и объясните их отличие.
Объясните влияние температуры на ход вольтамперной характеристики p-n перехода.
Как влияет сопротивление базы на ход прямой ветви характеристики p-n перехода?
Как зависит величина обратного тока p-n перехода от концентрации примеси и температуры?
Объясните зависимость обратного тока в реальных p-n переходах от величины обратного напряжения.
Запишите выражение для вольтамперной характеристики идеального p-n перехода.
Объясните зависимость обратного тока в реальных p-n переходах от величины обратного напряжения.
Нарисуйте схему для экспериментальных исследований. Поясните назначение элементов схемы и порядок экспериментальной работы.
Библиографический список
Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов / Я.А. Федотов. М.: Сов. радио, 1969. 542 с.
Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов / В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. 5-е изд., испр. СПб.: Лань, 2001. 480 с.
Дулин В.Н. Электронные приборы: учебник / В.Н. Дулин, Н.А. Аваев, В.П. Дёмин и др.; под ред. Г.Г. Шишкина. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергоатомиздат, 1989. 496 с.
Булычев А.Л. Электронные приборы: учебник / А.Л. Булычев, П.М. Лямин, Е.С. Тулинов. М.: Лайт Лтд., 2001. 416 с.
Батушев В.А. Электронные приборы: учебник / В.А. Батушев. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1980. 383 с.
Елфимов В.И. Основы теории p-n-перехода: учебное пособие / В.И. Елфимов, Н.С. Устыленко. Екатеринбург: ООО «Издательство УМЦ УПИ», 2000. 55 с.
Ржевкин К.С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов / К.С. Ржевкин. М.: Изд-во МГУ,1986. 256 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи; пер. с англ. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Мир, 1984. Кн.1. 456 с.
Епифанов Г.И. Физика твердого тела: Учебное пособие для втузов / Г.И. Епифанов. М.: Высшая школа, 1977. 288 с.
Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков; под ред. В.А. Лабунцова. М.: Энергоатомиздат, 1990. 576с.
Гусев В.Г. Электроника: Учебное пособие / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев; 2-е изд., перераб. и доп М.: Высшая школа, 1991. 621 с.
Пасынков В.В. Материалы электронной техники: учебник для вузов / В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. СПб.: Лань, 2001. 368 с.
Жеребцов И.П. Основы электроники / И.П. Жеребцов. Л.: Энергоатомиздат,1990. 352 с.
Антипов Б.Л. Материалы электронной техники. Задачи и вопросы: учебное пособие для вузов / Б.Л. Антипов, В.С. Сорокин, В.А. Терехов; под ред. В.А. Терехова. 2-е изд. СПб.: Лань, 2001. 208с.
Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: справочник / Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1983. 744 с.
Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник / Под ред. А.В. Голомедова, 2-е изд., стер. М.: Радио и связь, изд. фирма "КУбК-а", 1994. 527 с.
Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. Изд.4-е, перераб. и доп. М.: Энергия, 1976. 744 с.
Транзисторы и полупроводниковые диоды: Справочник / Под общ. ред. И.Ф. Николаевского. М.: Связьиздат, 1963. 646 с.