
- •Применение однородных полупроводников
- •Варисторы
- •Принцип действия варисторов на основе карбида кремния
- •Основные параметры варисторов
- •Варисторы на основе оксида цинка.
- •Разновидности варисторов.
- •Область применения
- •Терморезисторы
- •Принцип действия терморезисторов
- •Принцип действия термисторов
- •Принцип действия болометров
- •Принцип действия позисторов
- •Параметры и характеристики терморезисторов
- •Разновидности и маркировка терморезисторов
- •Область применения
- •Фоторезисторы
- •Принцип действия фоторезисторов
- •Параметры и характеристики фоторезисторов
- •Разновидности и маркировка фоторезисторов
- •Область применения
Терморезисторы
Терморезистор (от греч. therme — тепло, жар; от лат. resisto — сопротивляюсь), – обычно так называют полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление которого существенно убывает или возрастает с ростом температуры. Для терморезистора характерны большой температурный коэффициент сопротивления (ТКС) (в десятки раз превышающий этот коэффициент у металлов), простота устройства, способность работать в различных климатических условиях при значительных механических нагрузках, стабильность характеристик во времени.
Термистор был открыт Самьюэлем Рубеном (Samuel Ruben) в 1930 году и имеет патент США номер #2,021,491.
Разработаны следующие разновидности терморезисторов:
Термистор – терморезистор, сопротивление которого с ростом температуры уменьшается.
Позистор – терморезистор, сопротивление которого с ростом температуры очень сильно возрастает.
Терморезистор прямого подогрева, температура и сопротивление которого определяются температурой окружающей среды и саморазогревом от протекающего через него тока.
Терморезистор косвенного подогрева, разогревается от специального дополнительного встроенного нагревателя.
Болометр – терморезистор, чувствительный к воздействию теплового и оптического излучений, содержащий в своем составе активную и компенсационную части.
Широко известны температурные зависимости электропроводности металлов, собственных и примесных полупроводников (германий, кремний и др.). Однако в терморезисторах эти материалы не нашли применения из-за:
недостаточно сильной зависимости подвижности носителей заряда от температуры в проводниках и примесных полупроводниках;
несоответствия типовому диапазону рабочих температур от -600С до +600С областей экспоненциального изменения концентрации носителей в примесных полупроводниках (область истощения примесей – менее 100 К, область перехода к собственной проводимости – более 400 К);
высокой нестабильности величин сопротивлений технически изготавливаемых собственных полупроводников.
Принцип действия терморезисторов
Температурная зависимость сопротивления является главной характеристикой терморезисторов, в значительной степени определяющей остальные характеристики этих изделий. Естественно, она аналогична температурной зависимости удельного сопротивления полупроводника, из которого изготовлен данный терморезистор.
Измерения показывают, что температурная зависимость сопротивления большинства типов отечественных терморезисторов с отрицательным ТКС с достаточной для практики точностью во всем рабочем интервале температур или в его части аппроксимируется выражением:
RT=А·eхр(B\T ),
где RT– величина сопротивления терморезистора при температуреТ, К, постояннаяА=А0·l\S– зависит от физических свойств материала и габаритов терморезистора (1– расстояние между электронами в см иS– площадь поперечного сечения полупроводникового элемента терморезистора в см ); постояннаяВзависит от физических свойств материала и может иметь одно или два значения в интервале рабочих температур.
Прологарифмировав выражение, получим lgRT=lgА+ 0,4343B\T. Это выражение в координатахRTи 1\Tпредставляет уравнение прямой, что значительно облегчает определение интервала температур, в котором формула с необходимой точностью аппроксимирует действительную зависимостьRT(Т). По результатам измеренийRTиТстроят график зависимости lgRT=f(1/T). Если через полученные экспериментально точки можно провести прямую, то считают, что в данном интервале температур выражение дляRTсправедливо.
Для практических расчетов удобно исключить постоянную А. Написав формулу для RT для двух температурТ1иТ2и разделив одно на другое, получим:
RТ2 =RТ1еxp(B·(Т1-Т2)/Т1·Т2)
Из этой формулы можно рассчитать величину сопротивления терморезистора при любой температуре Т2(в интервале рабочих температур), зная значение постояннойВи сопротивление образца при какой-то температуреТ1.
Величина Вопределяется экспериментально измерением сопротивления терморезистора при двух температурахТ1иТ2. Логарифмируя предыдущее выражение, легко получить
B= (2,303·ΔlgR)/ Δ(1/T),
где ΔlgR=lgRT2-lgRT1,а Δ(1/T) = 1/Т2-1/Т1. В – это коэффициент температурной чувствительности, чаще используется размерностьВ в Кельвинах.
Если определить ТКС терморезистора α как это обычно принято: ТКС = αT= (1/R)(dR/dT), то следует, что αT= -B/T2.
Для позисторов температурные зависимости сопротивления, снятые в широких интервалах температур, имеют сложный характер. При достаточно низких и высоких температурах сопротивление уменьшается при увеличении температуры по закону, близкому к экспоненциальному. В промежуточной области сопротивление Rрезко возрастает при повышении температуры. Крутизной графика, а, следовательно, и величиной ТКС, можно управлять в широких пределах различными технологическими приемами.
Для многих типов позисторов сопротивление в довольно большом интервале температур (порядка нескольких десятков градусов Цельсия/Кельвина) меняется строго по экспоненциальному закону:
RT=А·eхр(αT) ,
где А– постоянная, α – температурный коэффициент сопротивления при температуре 1°С в абсолютных единицах.