Лекция 15

Пробой p-n перехода

1. Общая характеристика пробоя p-n перехода

Обратное напряжение, приложенное к диоду, падает на выпрямляющем электрическом переходе. При больших обратных напряжениях происходит пробой электрического перехода.

Пробой p-n перехода– это явление резкого уменьшения дифференциального сопротивления p-n перехода, сопровождающееся резким увеличением обратного тока, при достижении обратным напряжением критического для данного перехода значения.

Пробой приводит к выходу p-n перехода из строя лишь в том случае, когда возникает чрезмерный разогрев перехода и происходят необратимые изменения его структуры. Если же мощность, выделяющаяся в p-n переходе, не превышает максимально допустимую, переход сохраняет работоспособность и после пробоя. Поэтому для некоторых типов диодов пробой является основным рабочим режимом.

Напряжение, при котором наступает пробой перехода, зависит от типа p-n перехода и может иметь величину от единиц до сотен вольт.

В зависимости от физических явлений, приводящих к пробою, различают тепловой, лавинный и полевой пробои. Два последних вида пробоя p-n перехода относятся к электрическому пробою. Резкий рост обратного тока p-n перехода в режиме электрического пробоя происходит за счет увеличения числа носителей заряда в переходе при достижении напряженностью поля в переходе некоторого критического значения. При тепловом пробое число носителей заряда в переходе возрастает за счет термической ионизации атомов.

2. Тепловой пробой p-n перехода

Тепловой пробой характерен для широких p-n переходов, у которых база слабо легирована примесями. Данный тип пробоя обусловлен разогревом p-n перехода при протекании через него обратного тока. В режиме постоянного тока мощность, выделяемая в p-n переходе, определяется соотношением

.

Отводимая от p-n перехода мощность в результате теплопроводности и дальнейшего рассеяния теплоты в окружающую среду пропорциональна перегреву p-n перехода (Т_П-Т_ОКР) и обратно пропорциональна тепловому сопротивлению конструкции диодаR_Т:

.

Тепловое сопротивление диода R_Твыражается в градусах на ватт и определяет перепад температуры, необходимый для отвода 1 Вт мощности от p-n перехода в окружающую среду. Тепловое сопротивление тем меньше, чем больше теплопроводность материалаК_Т, площадь П_Ти чем меньше толщина слоя_Т, проводящего тепло:

.

Коэффициент теплопроводности К_Ту германия равен 0,52Вт/(смС), т.е. примерно в 7 раз меньше, чем у меди, отличающейся хорошей теплопроводностью. У кремния теплопроводность лучше:К_Т = 2,19 Вт/(смС).

В установившемся режиме мощность, выделяющаяся на p-n переходе, и мощность, отводимая от него, должны быть равны:

Р_ВЫД=Р_ОТВ.

Если количество тепла, выделяемого на p-n переходе, превышает количество тепла, отводимого от p-n перехода, то температура перехода начинает расти. Соответственно растет обратный ток, увеличение которого определяется тепловой генерацией электронно-дырочных пар атомами полупроводников в областях, прилегающих к p-n переходу, на расстоянии длины диффузии, как указано на рис. 1. Это приводит к дальнейшему росту Р_ВЫДи температуры переходаТ_П; тепловой режим перехода теряет устойчивость, температура и ток перехода неограниченно растут, возникает тепловой пробой.

Рис. 1. Структура p-n перехода

На рис. 1 обозначено:

SLn– объем диффузии неосновных носителей – электронов в полупроводнике p-типа, гдеS– площадь полупроводника, прилегающая к p-n переходу,Ln– длина диффузии электронов – неосновных носителей заряда полупроводника p-типа;

SLp– объем диффузии неосновных носителей заряда – дырок в полупроводнике n-типа, гдеLp– длина диффузии дырок.

Вид обратной ветви вольт-амперной характеристики (ВАХ) p-n перехода с тепловым пробоем представлен на рис. 2.

Рис. 2. Обратная ветвь ВАХ p-n перехода с тепловым пробоем

В точке А обратное напряжение на p-n переходе достигает значения напряжения теплового пробоя U_проб1, при котором начинается быстрый ростI_обр. ВАХ p-n перехода с тепловым пробоем имеет участок АВ, на котором дифференциальное сопротивление отрицательно:

r_ДИФ=dU_обр/dI_обр< 0,

так как концентрация носителей заряда резко увеличивается и электрическое сопротивление перехода уменьшается относительно быстрее, чем растет ток перехода.

Зависимость 1 рис. 2 приведена для температуры окружающей среды T₁ = +20С, тепловой пробой наступает при напряжении, равномU_проб1. Если температура окружающей среды возрастет до значенияT₂ = +40C, то обратная ветвь ВАХ p-n перехода принимает вид зависимости 2 рис.2. Известно, что с увеличением температуры тепловой ток возрастает экспоненциально (т.к. резко возрастает количество неосновных носителей заряда):

I₀=BSexp[-Wз /kT],

где – Т– температура;

S– площадь p-n перехода;

Wз – ширина запрещенной зоны полупроводника;

k= 1,3810-23 Дж/С – постоянная Больцмана;

В– коэффициент, зависящий от типа полупроводника и p-n перехода.

Поэтому при T = T₂тепловой пробой наступает раньше – при меньшем напряжении пробоя, равномU_проб2. Пробивное напряжение уменьшается, во-первых, в связи с увеличением выделяющейся мощности при тех же обратных напряжениях и, во-вторых, из-за ухудшения теплоотвода от p-n перехода. Это означает, что температурный коэффициент напряжения для теплового пробоя имеет отрицательное значение:

ТКН_ТЕПЛ=U_проб/Т0,

где U_проб=U_проб2–U_проб1– изменение напряжения пробоя при изменении температуры на величинуТ=Т₂–Т₁при фиксированном значении обратного тока.

Тепловой пробой – необратимый пробой, поскольку может привести к плавлению полупроводникового материала. Так как пробивное напряжение при тепловом пробое зависит от обратного тока через p-n переход, то в диодах с большими обратными токами даже при комнатных температурах создаются условия для теплового пробоя и он наступает раньше, чем лавинный пробой. Это справедливо для германиевых полупроводниковых диодов и мощных транзисторов. И наоборот, в кремниевых диодах из-за значительно меньших обратных токов напряжение теплового пробоя получается настолько большим, что раньше наступает лавинный пробой. Однако это не означает, что в кремниевых диодах не может быть теплового пробоя. Он может происходить при высоких температурах окружающей среды. Кроме того, пробой может начаться как лавинный, а затем, по мере увеличения обратного тока, перейти в тепловой пробой.

В связи с тем, что напряжение пробоя уменьшается с увеличением теплового сопротивления, следует обратить особое внимание на совершенство конструкции диода. Тепловой пробой наблюдается и тогда, когда имеет место плохой отвод тепла от корпуса полупроводникового прибора.