Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
219
Добавлен:
23.02.2015
Размер:
1.58 Mб
Скачать
    1. Генератор стабильного тока ду

На рис.2.6 приведена схема транзисторного генератора стабильного тока, которая часто применяется в ИМС. В схеме осуществляется управ­ление величиной тока I0 подачей сигнала на базу или эмиттер транзисто­раТЗ. Благодаря большому выходно­му сопротивлению ка­скада по переменному току в схеме ДУ обеспечивается хорошее подавление синфазной помехи. Компенсация влияния температуры на напряжение база - эмиттер транзистораТЗ осуществляется смещенным в прямом направлении диодомD. Вольт-амперная характеристика этого диода близка к входной характе­ристике транзистораТЗ. Поэтому можно считать, что падение напряжения на диоде . Это допущение тем вернее, чем ближе значения эмиттерного тока тран­зистораТЗ и тока через диодD.

Коллекторный ток транзистора ТЗ является питаю­щим токомI0 дифференциального каскада. На основа­нии законов Кирхгофа для схемы, приведенной на рис. 2.6, находим

.

(2.12)

Рис. 2.6. Принципиальная схема транзисторного генератора стабильного тока

При подаче на базу транзистора ТЗ относительно общей точки схемы малого переменного напряжения ,не содержащего постоянной составляющей, коллекторный ток равен

.

(2.13)

Здесь - крутизна каскада на транзисторе, определяемая его передаточной характеристикой. В рассматриваемом случае каскад представляет собой схему с общим эмиттером, охваченную отрицательной обратной связью по току за счет эмиттерного сопротивленияR7, которое и определяет . Как показано в [11], имеем

.

(2.14)

Выходное сопротивление каскада определяется так же, как для схемы ОЭ с отрицательной обратной связью по току, и может быть выражено, например, через h-параметры транзистораТЗ в схеме с ОЭ.

Практически со­противление Rэна низких частотах лежит в пределах от сотен килоом до единиц мегаом, с ростом частоты уменьшается.

Проведенный анализ позволяет сделать следующие выводы:

  1. Ток I0зависит от напряжения источни­ка питания –Еп (рис.2.2) и не зависит от +Еп . Поэтому основные параметры ДУ также не зависят от напряже­ния +Еп, которое определяет только постоянные состав­ляющие напряжений на коллекторах транзисторов дифференциального каскада. Это позволяет не предъяв­лять высоких требований к стабильности напряжения источника питания +Еп(особенно при использовании симметричного выхода ДУ) и облегчает развязку раз­личных каскадов по цепям питания источника +Еп. Таким образом, главное преимущество питания схемы ДУ от двух источ­ников по сравнению с питанием схемы от одного источ­ника состоит в упрощении блока питания.

  2. Крутизна передаточной характеристики генератора стабильного тока может регулироваться изменением со­противления R7и токаI0.

    1. Усилительные устройства на ду

Интегральную микросхему ДУ можно использовать для создания усилителей с различными характеристиками, изменяя коммутацию внешних выводов и применяя различные способы подключения источника усиливаемых сигналов и внешней нагрузки. В отдельных случаях к схеме можно подключать дополнительные навесные элементы.

Ниже рассматриваются схемы различных усилителей, основой которых является ДУ, и приводятся их качественные показатели и характеристики.

Соседние файлы в папке Лабораторные работы испр