Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лекции_7_диоды

.pdf
Скачиваний:
16
Добавлен:
23.02.2015
Размер:
463.8 Кб
Скачать

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Отрицательное сопротивление туннельного диода:

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Материал – сильнолегированный германий или арсенид галлия.

Условное обозначение и типы туннельных диодов:

3И101,3И104 – усилительные;

3И201-3И203 – генераторные;

3И306–3И309 – переключательные.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Применение. Туннельные диоды являются быстродействующими полупроводниковыми приборами и применяются в генераторах высокой частоты и импульсных переключателях.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

ТЕНЗОДИОД

Тензодиод – полупроводниковый диод, в котором

используется изменение ВАХ под действием механических

деформаций.

Примечание. В качестве тензодиодов обычно применяют

туннельные диоды, у которых отдельные участки

ВАХ

существенно зависят от деформации рабочего тела диода.

 

 

 

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

МАГНИТОДИОД

Магнитодиод–полупроводниковый диод, в котором используется изменение вольт-амперной характеристики под

действием магнитного поля.

Примечание. В качестве магнитодиодов используют выпрямительные диоды на основе германия или кремния с увеличенной толщиной полупроводникового материала.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Основным параметром магнитодиода является его чувствительность:

где U и В – приращение соответственно прямого напряжения и магнитной индукции.

Диапазон значений γ=(10÷50) 103 В / (Тл мА).

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

ФОТОДИОДЫ, ФОТОЭЛЕМЕТЫ И СВЕТОДИОДЫ

В этих типах диодов используется эффект

взаимодействия оптического излучения (видимого, инфракрасного или ультрафиолетового) с носителями

заряда в запирающем слое p–n перехода.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

 

 

В фотодиоде в результате освещения

p–n

перехода повышается обратный ток.

 

Вфотоэлементе при освещении p–n перехода возникает обратное напряжение.

Всветодиоде в режиме прямого тока в зоне p–n

перехода возникает видимое или инфракрасное излучение.

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ

Райков Д.В., кафедра экспериментальной физики

Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов и предназначены для применения в быстродействующих импульсных схемах.

Они также имеют ряд конструктивнотехнологических особенностей, обеспечивающих импульсный режим работы.