- •654100 – Электроника и микроэлектроника
- •Оглавление
- •Часть первая. Микроэлектроника Глава 1. Общая характеристика микроэлектроники. Принципы функционирования элементов
- •1.1. Основные определения
- •1.2. Классификация изделий микроэлектроники
- •1.3. Физические явления, используемые в интегральной микроэлектронике
- •1.4. Процессы и явления, определяющие функционирование интегральных схем (ис)
- •1.5. Контактные явления в микроэлектронных структурах
- •1.6. Поверхностные явления в полупроводниках
- •1.7. Механизмы переноса носителей заряда
- •Глава 2. Базовые физико-химические методы создания микроэлектронных структур
- •2.1. Очистка поверхности пластин для ис
- •2.2. Получение полупроводниковых монокристаллов методом вытягивания из расплава
- •2.3. Термическое окисление
- •2.4. Эпитаксия
- •2.5. Фотолитография
- •2.6. Диффузия
- •2.7. Ионная имплантация (ионное легирование)
- •2.8. Металлизация
- •Глава 3.Типы подложек интегральных схем, их основные характеристики и процессы изготовления подложек
- •3.1. Изготовление подложек ис
- •3.3. Оптический метод ориентации полупроводниковых пластин
- •3.4. Шлифовка и полировка пластин
- •3.5. Строение нарушенного слоя после механической обработки пластины
- •Глава 4. Технология химической обработки подложек для интегральных микросхем
- •4.1. Механизм химической обработки кремниевых пластин
- •4.2. Термохимическое (газовое) травление
- •4.3. Ионно-плазменное травление
- •Глава 5. Диэлектрические пленки в ис. Методы их получения. Технологии изготовления гибридных ис
- •5.1. Конструктивно-технологические функции диэлектрических плёнок
- •5.2. Формирование плёнок SiO2термическим окислением кремния
- •5.3. Методы получения диэлектрических пленок в технологии гибридных ис
- •5.3.1. Термовакуумное реактивное испарение
- •5.3.2. Анодное окисление
- •5.3.3. Ионно-плазменное окисление
- •Глава 6. Ионное легирование полупроводников
- •6. 1. Общие принципы процесса ионного легирования
- •Для количественной оценки ф согласно (6.1) необходимо знать потенциал φ(u) взаимодействия частиц. В простейшем случае он равен кулоновскому потенциалу. Однако в реальном случае
- •6.2. Отжиг дефектов и электрические свойства слоёв
- •6.3. Импульсный лазерный отжиг
- •6.4. Маскирование в процессах ионного легирования
- •6.5. Маскирование фоторезистами
- •6.6. Маскирование пленками металлов
- •Глава 7. Элионные методы литографических процессов
- •7.1. Электронно-лучевая литография
- •7.2. Рентгенолучевая литография (рлл)
- •7.2.1. Особенности экспонирования в рлл
- •7.2.2. Технология рентгенолитографических процессов
- •7.2.3. Выбор резистов для рлл
- •Глава 8.Пленки в технологии ис, микросборок и коммутационных элементов
- •8.1. Металлические пленки для ис
- •8.2. Технология коммутационных элементов ис
- •8.3. Технология пленочных резисторов
- •8.4. Чистый металл и сплавы
- •8.5. Керметы (микрокомпозиционные пленки)
- •8.6. Изготовление тонкопленочных конденсаторов
- •8.7. Монооксид кремнияSiO
- •8.8. Пятиокись тантала Та2о5
- •8.9. Оксид алюминия Al2o3 и диоксид кремнияSiО2
- •8.10. Диоксид титана ТiО2
- •Глава 9.Монтаж кристаллов ис на носителях. Типы носителей. Особенности сборки ис в корпуса
- •9.1. Конструктивно-технологические варианты монтажа
- •9.2. Изготовление ленточных носителей
- •9.3. Получение внутренних выводов на кристаллах ис
- •9.4. Монтаж кристалла ис на гибкую ленту
- •9.5. Монтаж гибридных ис и микросборок
- •9.6. Особенности сборки сверхбыстродействующих ис и процессоров
- •Глава 10. Технология герметизации ис и мп
- •10.1. Пассивирующие и защитные покрытия ис
- •10.2. Принципы герметизации ис в корпусах
- •10.3. Герметизация ис в металлических корпусах
- •Часть вторая наноэлектроника
- •Глава 11. Теоретические основы наноэлектроники. Одноэлектронные приборы
- •11.1. Проблемы наноэлектроники (одноэлектроники)
- •11.2. Базовая теория кулоновской блокады
- •11.3. "Кулоновская лестница"
- •11.5. Квантовые размерные эффекты
- •11.6. Классификация одноэлектронных приборов
- •11.7. Одноэлектронный прибор на основе сканирующего туннельного микроскопа
- •11.8. Субмикронный вертикальный одноэлектронный транзистор (транзистор Остина)
- •11.9. Применение одноэлектронных приборов
- •Глава 12. Наночастицы и нанокластеры
- •12.1. Свойства наночастиц и их характеристики
- •12.2. Теоретическое моделирование наночастиц (модель ″желе″)
- •12.3. Геометрическая и электронная структуры нанокластеров
- •12.4. Реакционная способность наночастиц
- •12.5. Флуктуационные наноструктуры
- •12.6. Магнитные кластеры
- •12.7. Переход от макро- к нано-
- •12.8. Полупроводниковые наночастицы
- •12.9. Кулоновский взрыв
- •12.10. Молекулярные кластеры
- •12.11. Методы синтеза наночастиц
- •12.12. Химические методы синтеза наночастиц
- •12.13. Термолиз
- •12.14. Импульсные лазерные методы
- •Глава 13.Углеродные наноструктуры
- •13. 1. Природа углеродной связи
- •13.2. Малые углеродные кластеры – с60.
- •13.3. Неуглеродная шарообразная молекула
- •13.4. Углеродные нанотрубки
- •13.4.1. Методы получения нанотрубок
- •13.4.2. Электрические свойства нанотрубок
- •13.4.3. Колебательные свойства нанотрубок
- •13.4.4. Механические свойства нанотрубок
- •13.5. Применение углеродных нанотрубок
- •13.5.1. Полевая эмиссия и экранирование
- •13.5.2. Информационные технологии, электроника
- •13.5.3. Топливные элементы
- •13.5.4. Химические сенсоры
- •13.5.5. Катализ
- •13.5.6. Механическое упрочнение материалов
- •Глава 14.Объемные наноструктурированные материалы: разупорядоченные и кристаллизованные
- •14.1. Методы синтеза разупорядоченных структур
- •14.2. Механизмы разрушения традиционных материалов
- •14.3. Механические свойства наноструктурированных материалов
- •14.4. Многослойные наноструктурированные материалы
- •14.5. Электрические свойства наноструктурированных материалов
- •14.6. Нанокластеры в оптическом материаловедении
- •14.7. Пористый кремний
- •14.8. Упорядоченные наноструктуры
- •14.8.1. Упорядоченные структуры в цеолитах
- •14.8.2. Кристаллы из металлических наночастиц
- •14.8.3. Нанокристаллы для фотоники
- •Глава 15.Наноприборы и наномашины
- •15.1. Микроэлектромеханические устройства (mems)
- •15.2. Наноэлектромеханические системы (nems)
- •15.3. Наноактуаторы
- •15.4. Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
- •Библиографический список Основной
- •Физические основы технологии микро- и наноэлектроники
- •620002, Екатеринбург, Мира, 19
- •620002, Екатеринбург, Мира, 19
Библиографический список Основной
Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров / В.Н.Черняев М.: Радио и связь, 1987. 463 с.
Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника / Л. Росадо. М.: Высш. шк., 1991. 349 с.
Ефимов И.Е. Основы микроэлектроники / И.Е.Ефимов, И.Я. Козырь. М.: Высш. шк., 1983. 384 с.
Драгунов В.П. Основы наноэлектроники / В.П.Драгунов, И.Г.Неизвестный, В.А.Гридчин. Новосибирск: Интеграция, 2000. 331 с.
Пул Ч. Нанотехнологии / Ч.Пул, Ф.Оуэнс. М.: Техносфера, 2005. 327 с.
Физика низкоразмерных систем / А.Я.Шик, Л.Г.Бакуева, С.Ф.Мусихин, С.А.Рыков. СПб.: Наука, 2001. 148 с.
Оптические свойства наноструктур / Л.Е.Воробьев, Е.Л.Ивченко, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин. СПб.: Наука, 2001. 188 с.
Дополнительный
Курмаев Э.З. Рентгеновские спектры твердых тел / Э.З.Курмаев, В.М.Черкашенко, Л.Д.Финкельштейн. М.: Наука, 1988. 162.
Неупорядоченные полупроводники / А.А.Айвазов, Б.Г.Будагян, С.П.Вихров, А.И.Попов. М.: Высш. шк., 1995. 346 с.
Гусев А.И. Нанокристаллические материалы / А.И.Гусев, А.А.Ремпель. М.: Физматлит, 2001. 222 с.
Физика гидрогенизированного кремния: структура, приготовление и приборы / под ред. Дж. Джоунопулоса, и Дж.Люковски. М.: Мир, 1987. Вып.1. 356 с.
Курносов А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.И.Курносов, В.В.Юдин. М.: Высш. шк., 1986. 250 с.
Киреев В.Ю. Плазмохимическое и ионноплазмохимическое травление микроструктур / В.Ю.Киреев, Б.С.Данилин, В.Н.Кузнецов. М.: Радио и связь, 1985. 496 с.
Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы / Ю.И.Петров. М.: Наука, 1986. 368 с.
Гусев А.И. Нанокристаллические материалы: методы получения / Гусев А.И. Екатеринбург: УрО РАН, 1998. 200 с.
Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА / В.Н.Черняев. М.: Высш. шк., 1987. 376 с.
Боков Ю.С. Фото-, электронно- и рентгенорезисты / Ю.С.Боков. М.: Радио и связь, 1982. 135 с.
Пузырев В.А. Управление технологическими процессами производства микроэлектронных приборов / В.А.Пузырев, М.: Радио и связь, 1984. 160 с.
Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов / под ред. Дж.Р.Брюэра. М.: Радио и связь, 1984, 331 с.
Курсносов А.И. Основы полупроводниковой электроники. / А.И.Курсносов, В.А.Брук. М.: Высш. шк., 1980. 250 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С.Зи. М.: «Мир», 1984. 301 с.
Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В.В.Пасынков, В.С.Сорокин. М.: Высш. шк., 1986. 193 с.
Антипов Б.Л. Материалы электронной техники: задачи и вопросы / Б.Л.Антипов, В.С.Сорокин, В.А.Терехов; под ред. В.А.Терехова. М.: Высш. шк., 1990. 369 с.
Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники / Е.И.Манаев. М.: Радио и связь, 1985. 203 с.
Электронные приборы / под ред. Г.Г.Шишкина. М.: Энергоатомиздат, 1989. 213 с.
Носов Ю.Р. Оптоэлектроника / Ю.Р.Носов. М.: Радио и связь, 1989. 101 с.
Бейкер В.Д. Приборы с зарядовой связью / В.Д.Бейкер, Д.Ф.Барб. М.: Мир, 1982. 238 с.
Оптические методы контроля интегральных микросхем / под ред. Ю.С.Вартаняна, Н.С.Розинькова, Л.Г.Дубицкого [и др.] М.: Радио и связь, 1982. 134 с.
Валиев К.А. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронной технике / К.А.Валиев, А.В.Раков. М.: Радио и связь, 1984. 350 с.
Данилин Б.С. Магнетронные распылительные системы / Б.С.Данилин, В.К.Сырчин. М.: Радио и связь, 1982. 135 с.
Риссел Х. Ионная имплантация: пер. с нем. / Х.Риссел, Н.Хуге. М.: Наука, 1983. 125 с.
Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых наноструктур / Ж.И.Алферов // Физика и техника полупроводников. 1998. Т.32. №1. С.3 – 18.
Герасименко Н.Н. Наноразмерные структуры в имплантированных полупроводниках / Н.Н.Герасименко // Российский химический журнал. 2002. Т. 46. № 5. С. 30 – 41.
Котов Ю.А. Нанопорошки, получаемые с использованием импульсных методов нагрева мишеней / Ю.А.Котов // Перспективные материалы. 2003. № 4. С. 79 – 81.
Покропоивный В.В. Двухмерные нанокомпозиты: фотонные кристаллы и наномемьбраны (обзор) / В.В. Покропоивный // Порошковая металлургия. 2002. № 5/6. С. 45 – 54; № 7/8. С. 39 –53.
Реутов В.Ф. Ионно-трековая нанотехнология / Ф.В.Реутов, С.Н.Дмитриев // Российский химический журнал. 2002. Т. 46. № 5. С. 74 – 80.
Учебное издание
Дмитрий Анатольевич Зацепин
Сеиф Османович Чолах