
- •654100 – Электроника и микроэлектроника
- •Оглавление
- •Часть первая. Микроэлектроника Глава 1. Общая характеристика микроэлектроники. Принципы функционирования элементов
- •1.1. Основные определения
- •1.2. Классификация изделий микроэлектроники
- •1.3. Физические явления, используемые в интегральной микроэлектронике
- •1.4. Процессы и явления, определяющие функционирование интегральных схем (ис)
- •1.5. Контактные явления в микроэлектронных структурах
- •1.6. Поверхностные явления в полупроводниках
- •1.7. Механизмы переноса носителей заряда
- •Глава 2. Базовые физико-химические методы создания микроэлектронных структур
- •2.1. Очистка поверхности пластин для ис
- •2.2. Получение полупроводниковых монокристаллов методом вытягивания из расплава
- •2.3. Термическое окисление
- •2.4. Эпитаксия
- •2.5. Фотолитография
- •2.6. Диффузия
- •2.7. Ионная имплантация (ионное легирование)
- •2.8. Металлизация
- •Глава 3.Типы подложек интегральных схем, их основные характеристики и процессы изготовления подложек
- •3.1. Изготовление подложек ис
- •3.3. Оптический метод ориентации полупроводниковых пластин
- •3.4. Шлифовка и полировка пластин
- •3.5. Строение нарушенного слоя после механической обработки пластины
- •Глава 4. Технология химической обработки подложек для интегральных микросхем
- •4.1. Механизм химической обработки кремниевых пластин
- •4.2. Термохимическое (газовое) травление
- •4.3. Ионно-плазменное травление
- •Глава 5. Диэлектрические пленки в ис. Методы их получения. Технологии изготовления гибридных ис
- •5.1. Конструктивно-технологические функции диэлектрических плёнок
- •5.2. Формирование плёнок SiO2термическим окислением кремния
- •5.3. Методы получения диэлектрических пленок в технологии гибридных ис
- •5.3.1. Термовакуумное реактивное испарение
- •5.3.2. Анодное окисление
- •5.3.3. Ионно-плазменное окисление
- •Глава 6. Ионное легирование полупроводников
- •6. 1. Общие принципы процесса ионного легирования
- •Для количественной оценки ф согласно (6.1) необходимо знать потенциал φ(u) взаимодействия частиц. В простейшем случае он равен кулоновскому потенциалу. Однако в реальном случае
- •6.2. Отжиг дефектов и электрические свойства слоёв
- •6.3. Импульсный лазерный отжиг
- •6.4. Маскирование в процессах ионного легирования
- •6.5. Маскирование фоторезистами
- •6.6. Маскирование пленками металлов
- •Глава 7. Элионные методы литографических процессов
- •7.1. Электронно-лучевая литография
- •7.2. Рентгенолучевая литография (рлл)
- •7.2.1. Особенности экспонирования в рлл
- •7.2.2. Технология рентгенолитографических процессов
- •7.2.3. Выбор резистов для рлл
- •Глава 8.Пленки в технологии ис, микросборок и коммутационных элементов
- •8.1. Металлические пленки для ис
- •8.2. Технология коммутационных элементов ис
- •8.3. Технология пленочных резисторов
- •8.4. Чистый металл и сплавы
- •8.5. Керметы (микрокомпозиционные пленки)
- •8.6. Изготовление тонкопленочных конденсаторов
- •8.7. Монооксид кремнияSiO
- •8.8. Пятиокись тантала Та2о5
- •8.9. Оксид алюминия Al2o3 и диоксид кремнияSiО2
- •8.10. Диоксид титана ТiО2
- •Глава 9.Монтаж кристаллов ис на носителях. Типы носителей. Особенности сборки ис в корпуса
- •9.1. Конструктивно-технологические варианты монтажа
- •9.2. Изготовление ленточных носителей
- •9.3. Получение внутренних выводов на кристаллах ис
- •9.4. Монтаж кристалла ис на гибкую ленту
- •9.5. Монтаж гибридных ис и микросборок
- •9.6. Особенности сборки сверхбыстродействующих ис и процессоров
- •Глава 10. Технология герметизации ис и мп
- •10.1. Пассивирующие и защитные покрытия ис
- •10.2. Принципы герметизации ис в корпусах
- •10.3. Герметизация ис в металлических корпусах
- •Часть вторая наноэлектроника
- •Глава 11. Теоретические основы наноэлектроники. Одноэлектронные приборы
- •11.1. Проблемы наноэлектроники (одноэлектроники)
- •11.2. Базовая теория кулоновской блокады
- •11.3. "Кулоновская лестница"
- •11.5. Квантовые размерные эффекты
- •11.6. Классификация одноэлектронных приборов
- •11.7. Одноэлектронный прибор на основе сканирующего туннельного микроскопа
- •11.8. Субмикронный вертикальный одноэлектронный транзистор (транзистор Остина)
- •11.9. Применение одноэлектронных приборов
- •Глава 12. Наночастицы и нанокластеры
- •12.1. Свойства наночастиц и их характеристики
- •12.2. Теоретическое моделирование наночастиц (модель ″желе″)
- •12.3. Геометрическая и электронная структуры нанокластеров
- •12.4. Реакционная способность наночастиц
- •12.5. Флуктуационные наноструктуры
- •12.6. Магнитные кластеры
- •12.7. Переход от макро- к нано-
- •12.8. Полупроводниковые наночастицы
- •12.9. Кулоновский взрыв
- •12.10. Молекулярные кластеры
- •12.11. Методы синтеза наночастиц
- •12.12. Химические методы синтеза наночастиц
- •12.13. Термолиз
- •12.14. Импульсные лазерные методы
- •Глава 13.Углеродные наноструктуры
- •13. 1. Природа углеродной связи
- •13.2. Малые углеродные кластеры – с60.
- •13.3. Неуглеродная шарообразная молекула
- •13.4. Углеродные нанотрубки
- •13.4.1. Методы получения нанотрубок
- •13.4.2. Электрические свойства нанотрубок
- •13.4.3. Колебательные свойства нанотрубок
- •13.4.4. Механические свойства нанотрубок
- •13.5. Применение углеродных нанотрубок
- •13.5.1. Полевая эмиссия и экранирование
- •13.5.2. Информационные технологии, электроника
- •13.5.3. Топливные элементы
- •13.5.4. Химические сенсоры
- •13.5.5. Катализ
- •13.5.6. Механическое упрочнение материалов
- •Глава 14.Объемные наноструктурированные материалы: разупорядоченные и кристаллизованные
- •14.1. Методы синтеза разупорядоченных структур
- •14.2. Механизмы разрушения традиционных материалов
- •14.3. Механические свойства наноструктурированных материалов
- •14.4. Многослойные наноструктурированные материалы
- •14.5. Электрические свойства наноструктурированных материалов
- •14.6. Нанокластеры в оптическом материаловедении
- •14.7. Пористый кремний
- •14.8. Упорядоченные наноструктуры
- •14.8.1. Упорядоченные структуры в цеолитах
- •14.8.2. Кристаллы из металлических наночастиц
- •14.8.3. Нанокристаллы для фотоники
- •Глава 15.Наноприборы и наномашины
- •15.1. Микроэлектромеханические устройства (mems)
- •15.2. Наноэлектромеханические системы (nems)
- •15.3. Наноактуаторы
- •15.4. Молекулярные и супрамолекулярные переключатели
- •Библиографический список Основной
- •Физические основы технологии микро- и наноэлектроники
- •620002, Екатеринбург, Мира, 19
- •620002, Екатеринбург, Мира, 19
12.10. Молекулярные кластеры
Нанокластеры могут образовываться также молекулами. Один из наиболее распространенных примеров такой среды – кластеризованная вода.
Еще в начале 1970-х гг., задолго до появления термина ″наночастица″, было показано, что вода состоит не только из изолированных молекул H2O. Доказательством этому послужил широкий рамановский спектр связи ОН в молекуле воды в жидкой фазе на частотах 3200-3600 см–1. Этот спектр состоял из множества перекрывающихся пиков, как от изолированных молекул воды, так и от молекул, связанных в кластеры посредством водородных связей.
Рис. 12.16. Структура молекулярного кластера на примере Н2О
При нормальных условиях 80% молекул воды связаны в кластеры, а при повышении температуры эти кластеры диссоциируют на отдельные молекулы. В комплексе молекул, показанном на рисунке 12.16, атом водорода удален от двух атомов кислорода, связанных с ним, на разные расстояния. Интересно предсказание исследователей, что в ударной волне при давлении 9 ГПа может образоваться новая форма воды, называемая водой с симметричными водородными связями, в которой атом Н равноудален от двух атомов кислород, то есть связи гибридизованы. Вполне возможно, что свойства такой воды будут существенно отличаться от свойств ″обычной″ воды.
12.11. Методы синтеза наночастиц
Ранее мы уже рассмотрели один из методов синтеза наночастиц с помощью лазерного испарения. Однако существуют и другие способы образования наночастиц, одним из которых является высокочастотный индукционный нагрев.
Рис. 12.17 иллюстрирует метод синтеза наночастиц с помощью плазмы, создаваемой радиочастотными нагревательными катушками. Изначально металл находится в виде прутка в откаченной камере. Далее металл разогревается выше точки его испарения высоковольтными радиочастотными
катушками, обмотки которых находятся снаружи вакуумной камеры. Затем в систему запускается газообразный гелий, что приводит к образованию в области катушек высокотемпературной плазмы. Атомы гелия выступают в качестве зародышей конденсации для атомов металлов, и затем эти комплексы диффундируют к охлажденному коллектору, где и образуются наночастицы.
Рис. 12.17. Схема установки для плазменного синтеза наночастиц
Частицы обычно пассивируют введением какого-либо газа, например кислорода, или, что значительно реже, азота.
12.12. Химические методы синтеза наночастиц
Самыми интересными и эффективными методами синтеза в смысле крупномасштабного применения являются, конечно, химические методы. Существует много разных химических методов, которые можно использовать для получения наночастиц металла, – например, метод применения различных типов восстановителей (NaBEt3H, LiBEt3H или NaBH4, где Et = (C2H5) – этиловый радикал). Другой метод – например, наночастицы молибдена (Мо) можно приготовить восстановлением с помощью NaBEt3H из растворенной в толуоле соли молибдена. Подобная реакция дает хороший выход наночастиц молибдена с размером 1-5 нм:
MoCl3 + 3NaBEt3H → Mo + 3BEt3 + (3/2)H2 (12.6)
Наночастицы алюминия можно получить разложением Me2EtNAlH3 в толуоле с последующим нагревом до 105оС в течение двух часов (Ме = СН3 - метил). В качестве катализатора такой реакции используется изопропоксид титана. Тип катализатора определяет размер образующихся наночастиц. Например, 80-нанометровые частицы можно получить при использовании титана. Для предотвращения слияния наночастиц могут быть добавлены поверхностно активные вещества, например олеиновая кислота.