Добавил:
Закончил бакалавриат по специальности 11.03.01 Радиотехника в МИЭТе. Могу помочь с выполнением курсовых и БДЗ по проектированию приемо-передающих устройств и проектированию печатных плат. Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лекции ТРЭС.pdf
Скачиваний:
54
Добавлен:
10.09.2023
Размер:
5.1 Mб
Скачать

5

Продолжение табл.5.1.

Техноло-

 

 

 

 

 

 

 

 

гия ме-

 

 

Краткая характеристика особенностей реализации

 

 

п/п

таллиза-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ции

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В вакуумной камере размещаются медные перфорированные электро-

 

 

ды, создается электрический разряд в специальной технологической

 

Плазмен-

среде, газ превращается в плазму,

из которой (а также с частично

-

3

распыляемых электродов)

медь осаждается на

стенки

отверстий.

ное оса-

Направление газового потока периодически меняется на противопо-

 

ждение

 

 

ложное. Производительность и однородность покрытия выше, чем при

 

 

использовании технологий 1 и 2. Рекомендуется в основном для метал-

 

 

лизации жестких нагревостойких диэлектрических оснований.

 

4

Лазерно-

Совмещение в одном процессе лазерного излучения и импульсного

 

электри-

электрического разряда (инициируемого лучом лазера) для создания

 

ческое

электроэрозионного потока в зоне, близлежащей от места формирова-

 

осажде-

ния покрытия. Рекомендуется для металлизации отверстий (на стенках

 

ние

отверстий

получены качественные

металлические покрытия без раз-

 

 

рывов и наволакиваний материала заготовки при средних толщинах

 

 

5…10 мкм)

 

 

 

 

 

5

Пироли-

Разложение тетракарбоната никеля Ni(CO)4 начинается при температу-

 

тическое

ре 45…600 С в вакуумном реакторе. Пленки имеют лучшую адгезию (в

 

разложе-

сравнении с получаемыми по технологиям 1…4) при температуре подо-

 

ние ме-

грева заготовок до 150…1800 С с применением дополнительной очист-

 

таллоор-

ки в низкотемпературной плазме высокочастотного разряда (частота

 

ганики

высокочастотного поля 13,5 МГц, мощность генератора 1 кВт).

 

(плазмо-

Наибольшая адгезионная прочность пленок получена при температуре

 

химиче-

нагрева подложки 1500 С. Рабочая

температура процесса

осаждения

 

ское оса-

130…180

0

С. О качестве металлизации отверстий сведения отсутству-

 

ждение)

 

 

 

ют.

 

 

 

 

 

 

 

6

Элек-

Максимальная толщина металлических пленок 10…15 мкм на неорга-

 

тронно-

нических основаниях. Нельзя использовать основания из полимерных

 

лучевое

материалов с низкой нагревостойкостью. Скорость

осаждения

 

испаре-

10…100 нм/с, энергия частиц 0,2 эВ. Удельное сопротивление ρv

в

 

ние

1,5…2 раза превышает ρv

массивной меди. О качестве металлизации

 

 

 

 

отверстий сведения отсутствуют.

 

 

 

 

7

Магне-

Можно получить толщину пленок большую, чем при использовании

 

тронное

технологии 6; ρv пленочной меди отличается от ρv

массивной меди не

 

распыле-

более, чем на 4 %. Пленки с высокой коррозионной стойкостью (ско-

 

ние (либо

рость окисления пленок меди только в 1,7 раза превышает скорость

 

ионно-

 

окисления пленок золота). Скорость осаждения 300 нм/с, энергия ча-

 

плазмен-

стиц 50 эВ, плотность плазмы 1023

см3 . Высокое качество пленок, да-

 

ное)

же на поверхностях с большим рельефом. Выбор материалов оснований

 

 

 

 

плат ограничивается их нагревостойкостью.

 

 

 

 

 

6

 

 

Окончание табл.5.1.

Техноло-

 

 

п/п

гия ме-

Краткая характеристика особенностей реализации

 

таллиза-

 

 

ции

 

 

8

Магне-

Высокая степень ионизации испаряемой меди (энергия частиц 1000 эВ,

 

 

тронное

плотность плазмы 1024 см3 ) обеспечивает получение слоев квазиа-

 

 

распыле-

морфной структуры с ρv , близким к ρv массивной меди. Скорость оса-

 

 

ние с

ждения меди 1…3 мкм/мин. Пленки имеют высокую адгезию в сравне-

 

 

плазмен-

 

 

нии с получаемыми по другим технологиям. Возможно осаждение на

 

 

ным

любые материалы оснований плат, в том числе с металлизацией отвер-

 

 

ускори-

 

 

стий. Исследования данной технологии направлены на решение задач

 

 

телем

 

 

по уменьшению температуры подложки (менее 1500 С), снижению доли

 

 

(с эрози-

 

 

капельной фазы в конденсате и др.

 

 

онным

 

 

 

плазмот-

 

 

 

роном

 

 

 

или

 

 

 

плазмот-

 

 

 

ронное

 

 

 

распыле-

 

 

 

ние)

 

 

9

Трафа-

Самая дешевая технология, аналогична традиционной толстопленочной

 

 

ретная

(толщина пленок 20-75 мкм) по технике реализации. Максимальное по-

 

 

печать

гонное сопротивление проводников 0,3…2,0 Ом/см, то есть несколько

 

 

электро-

большее, чем для получаемых по другим технологиям. Требует высоко-

 

 

прово-

нагревостойких диэлектрических оснований при традиционной ее реа-

 

 

дящих

лизации. Разработка новых полимерных электропроводящих паст поз-

 

 

паст

воляет использовать данную технологию и для некоторых органических

 

 

 

диэлектриков. Уменьшение ширины проводящих элементов менее 0,2

 

 

 

мм требует совершенствования трафаретов и технологии формирования

 

 

 

рисунка проводящих элементов.

 

Этим объясняется первоочередное освоение и внедрение данных технологий в производство ПП. Кроме того, химическая, гальваническая и химико-гальваническая технологии еще не исчерпали своих возможностей для создания плат и других коммутационных узлов с высокоплотной реализацией межсоединений.

Химическая металлизация обеспечивает осаждение пленок металлов с высокой равномерностью по толщине на любые поверхности разных материалов; используется как в качестве основного токопроводящего слоя, в котором формируют элементы коммутации, так и в качестве подслоя при гальваническом осаждении (в том числе с целью доращивания до нужной толщины) металлов (чаще всего селективном).

Для придания диэлектрику способности к металлизации (то есть каталитических свойств) и обеспечения адгезии химически осаждаемого металла на диэлектрик, производят сенсибилизацию и активацию его поверхности.

Сенсибилизация осуществляется для формирования на поверхности диэлектрика

пленки ионов двухвалентного олова Sn+2 , которые при последующей активации обеспечат восстановление ионов активатора (катализатора) металлизации. Заготовки в этом случае обрабатывают в растворе двухлористого олова SnCl2 и соляной кислоты HCl в течение

7

5…7 мин и промывают в дистиллированной воде, при этом происходит гидролиз хлористого олова по реакции:

SnCl2 + H 2O Sn(OH )Cl + HCl

Sn(OH )Cl + H 2O Sn(OH )2 + HCl

Активация заключается в том, что на поверхности диэлектрика, сенсибилизированной двухвалентным оловом, происходит реакция восстановления ионов каталитического металла (преимущественно палладия Pd ), способствующего последующему осаждению меди. Заготовки активируют путем их обработки в течение 5…7 мин в растворе, содержащем: двухло-

ристый палладий PdCl2 и аммиак (водный). При этом на диэлектрике происходит реакция:

Sn2+ + Pd 2+ Pd + Sn4+

Для улучшения качества металлизации часто применяют совмещенный сенсибилизую- ще-активирующий раствор, например, включающий двухлористый палладий PdCl2 ; соля-

ную кислотуHCl ; хлористый калий KCl и воду. После активирования и промывки заготовки поступают на химическое меднение.

Химическое осаждение меди происходит вследствие восстановления ионов двухвалентной меди на активированных поверхностях из ее комплексных солей. В состав растворов

для химического меднения входят соли меди, являющиеся источником катионов Cu +2 , соли никеля для более прочного сцепления меди с диэлектриком; щелочь; комплексообразователь, предотвращающий выпадение гидрооксида металла в растворе; формалин в качестве восстановителя; сода как буферная добавка, повышающая скорость меднения; стабилизаторы, и другие добавки, улучшающие качество медного слоя.

Химическое меднение ПП производят в специальных, чаще всего гибко автоматизированных или полуавтоматизированных, линиях с набором ванн необходимого размера, выполняемых из материалов, выдерживающих воздействие технологических сред. Ванны оборудованы устройствами фильтрации и дозирования растворов, системами контроля и под-

держания заданной температуры (с точностью ± 1 0 С), состава и других параметров технологических сред и объектов, а также приводом качания заготовок, размещаемых в групповых подвесках. В соответствии с заданной программой подвески с заготовками перемещаются с помощью манипулятора, управляемого ЭВМ. В ваннах должны проводиться операции подготовки поверхности, сенсибилизации, активации, меднения, промежуточные промывки и сушка объектов производства. В линиях для серийного и массового производства устанавливаются также специальные ванны – сборники дорогостоящих растворов.

Основными проблемами химической металлизация являются низкая производительность, сложность контроля и управления параметрами процесса, использование дорогостоящих материалов и неустойчивость к термоциклам осадков меди толщиной более 3 мкм. Для устранения указанных недостатков совершенствования данной технологии не прекращаются.

Гальваническая металлизация (чаще всего селективная) при производстве ПП применяется для усиления слоя химической меди; нанесения различных металлических покрытий (например, металлорезиста типа олово-свинец толщиной 8…20 мкм) с целью предохранения проводящего рисунка при травлении заготовок, защиты его от коррозии и обеспечения хорошей паяемости; создания на части проводящего рисунка (например, на концевых печатных контактах, то есть на ламелях) специальных покрытий (из палладия, золота, родия и т.п.) толщиной 2…5 мкм. Заготовки, закрепленные на специальных подвесках-токоподводах, помещают в гальваническую ванну с электролитом между анодами, выполненными из металла покрытия. Режим электрохимической металлизации выбирают таким образом, чтобы при высокой производительности были обеспечены равномерность толщины покрытия и его а д- гезия.

Равномерность толщины осажденных слоев зависит от: габаритных размеров металлизируемых заготовок (с их увеличением равномерность покрытий снижается, что может быть

8

частично скомпенсировано увеличением расстояния между анодами, а также подбором их положения в пределах гальванической ванны); диаметров металлизируемых отверстий (отношение диаметров к толщине заготовок должно быть не менее 1/3); расположения заготовок в ванне (для улучшения равномерности покрытия, заготовки размещают симметрично и параллельно анодам, площадь которых должна в 2-3 раза превышать площадь металлизации при расстоянии между электродами не менее 150 мм); рассеивающей способности электролитов; оптимальной плотности тока (при низких значениях уменьшается толщина покрытия в центре заготовки, при высоких происходит утолщение покрытия на углах и кромках заготовки); наличия специальных экранов между электродами.

Адгезия гальванического покрытия зависит от качества подготовки поверхности под металлизацию, длительности перерыва между подготовкой поверхности и нанесением покрытия, от соблюдения режимов процесса. Более пластичные и равномерные осадки получаются в сернокислых электролитах. Сравнительная характеристика основных показателей химически и гальванически осажденной меди (табл.5.2) показывает преимущества гальванической технологии.

 

 

 

 

 

Таблица 5.2.

 

Сравнительные характеристики пленок химически осажденной

 

 

и гальванической меди

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Материал ме-

Чистота Cu,

Плотность,

ρv ,×10

6 ,

Пластичность, *

 

таллического

вес. %

г/см3

Ом·см

 

покрытия

 

 

Химическая

97.7

8.63

1.75

 

3.5

 

Cu

 

 

 

 

 

 

 

 

Гальваниче-

99.996

8.92

1.72

 

12.6-16.0

 

скаяCu

 

 

 

 

 

 

 

 

* По отношению к фольге, получаемой прокаткой, и соответствует 2-м перегибам на 1800

Однако, гальваническое осаждение возможно только на электропроводящие поверхности и разброс по толщине осаждаемых пленок заметно больший, чем при химическом осаждении.

Одним из эффективных путей улучшения качества гальванических покрытий является использование нестационарных режимов электролиза (под действием периодических токов – импульсного, реверсивного, произвольной формы различной частоты и скважности), что позволяет сглаживать микрорельеф покрытия, повышать его равномерность по поверхности и в монтажных отверстиях заготовки.

Гальваническая, как и химическая металлизация чаще всего проводится на автооператорных линиях с автоматизированной системой управления по циклограммам, обеспечивающей управление температурными режимами ванн, включением-выключением установок фильтрации растворов, промывочных ванн и т.д. В настоящее время осваиваются гибкие автоматизированные линии, позволяющие быструю перенастройку режимов металлизации при изменении условий функционирования оборудования или показаний датчиков параметров качества процесса осаждения. Благодаря незначительной погрешности (0,5 %) обработки данных, ЭВМ способствует получению в таких линиях покрытий высокого качества.

Формирование рисунка коммутации в производстве ПП чаще всего осуществляется после создания слоя металлизации либо во время металлизации и заключается в получении (либо применении) защитной маски и реализации последующего селективного травления слоя металлизации в местах, не защищенных маской (либо селективной металлизации диэлектрического основания). Основными методами, применяемыми в промышленности для создания защитной маски (защищенного рельефа) являются офсетная печать, трафаретная печать и фотопечать. Выбор метода определяется конструкцией ПП, требуемыми точностью и плотностью коммутации, производительностью оборудования и экономичностью процесса.