
- •Лекция 1
- •Цели и задачи курса
- •Контрольные вопросы к лекции 1.
- •Лекция 4.
- •Конструкторско-технологические разновидности ПП.
- •Конструкционные материалы для изготовления ПП
- •Основные конструкционные материалы для производства ПП
- •Основные составляющие слоистых пластиков для изготовления ПП
- •Лекция 5
- •Основные этапы изготовления ПП
- •Ручная химическая и электрохимическая подготовка поверхности проводится в ваннах с различными растворами при покачивании заготовок и последующей их промывкой, а механизированная – на автооператорных линиях модульного типа по заданной программе.
- •Увеличение шероховатости диэлектрических поверхностей и клеевых композиций (слоев адгезива, например, в виде акрилбутадиенстирольного каучука) достигается механической (гидроабразивной) или химической обработкой.
- •Продолжение табл.5.1.
- •Окончание табл.5.1.
- •Для придания диэлектрику способности к металлизации (то есть каталитических свойств) и обеспечения адгезии химически осаждаемого металла на диэлектрик, производят сенсибилизацию и активацию его поверхности.
- •Таблица 5.2.
- •Сравнительные характеристики пленок химически осажденной
- •и гальванической меди
- •* По отношению к фольге, получаемой прокаткой, и соответствует 2-м перегибам на 180
- •Однако, гальваническое осаждение возможно только на электропроводящие поверхности и разброс по толщине осаждаемых пленок заметно больший, чем при химическом осаждении.
- •Офсетная печать состоит в изготовлении печатной формы, на поверхности которой формируется рисунок слоя (рис. 5.1).
- •Рис.5.1. Схема установки офсетной печати: 1 – диэлектрик; 2 – медная фольга; 3 – основание установки; 4 – печатная форма; 5 – офсетный цилиндр; 6 – валик для нанесения краски; 7 – краска; 8 – прижимной валик.
- •Рис.5.2. Принцип трафаретной печати: 1 – рама; 2 – фиксатор подложки; 3 – фольгированный диэлектрик; 4 – основание; 5 – трафаретная краска; 6 – трафарет;7 – напечатанный рисунок; 8 – ракель.
- •Проявление, окрашивание и задубливание жидких фоторезистов проводят в конвейерных струйных установках модульного типа, оснащенных устройствами подачи растворов с их фильтрацией и регулировкой давления; роликовым конвейером, соединяющим все модули.
- •Контроль качества изготовленной ПП осуществляют визуально и с помощью специальных контрольно-измерительных средств, при этом определяют:
- •Основные технологии изготовления печатных плат.
- •В зависимости от технологий формирования слоев металлизации и получения рисунка коммутирующих элементов различают следующие технологии изготовления ПП:
- •Лекция 6
- •Общие сведения о сборке и монтаже электронных устройств
- •Подготовка конструктивов к сборке и монтажу ячеек ЭВС
- •Лекция 9
- •Контактолы в виде ненаполненных полимеров.
- •Лекция 10
- •Лекция 11
- •Специфика регулировки микропроцессорных устройств
- •Герметизирующие конструкции и методы их герметизации. Технологические требования, предъявляемые к качеству герметизации.
- •Герметизирующие конструкции с учетом методов герметизации можно условно разделить на две группы:
- •Вне зависимости от метода герметизации для обеспечения качества и эффективности защиты электронных устройств (ЭУ) необходимо выполнять следующие условия:
- •- процессы приготовления герметизирующих смесей не должны загрязнять исходные материалы. Растворители в составе защитных лаков и эмалей следует удалять полностью при полимеризации полученных покрытий.
- •Выбор оптимального технологического процесса (ТП) герметизации ЭВС зависит от степени устойчивости изделия к влиянию климатических факторов, от условий эксплуатации изделия и от экономических факторов.
- •Общая структурная схема реализации ТП герметизации ЭРК, сборочных единиц и ЭУ приведена на рис.14.1. Важно рассмотреть входящие в состав ТП основные его этапы.
- •При входном контроле оцениваются технологические и другие характеристики и (или) параметры используемых материалов и конструктивов герметизируемых изделий.
- •Удаление влаги из герметизируемых изделий происходит путем их нагрева выше температуры кипения воды. В этом случае влага перемещается от зоны с большей влажностью к менее увлажненной и от зоны с большей температурой к менее нагретой.
- •В зависимости от способа нагрева герметизируемых изделий различают: конвекционную, радиационную и индукционную сушки.
- •Защиту изделий органическими материалами также осуществляют разными методами, например, пропиткой и обволакиванием, заливкой, опрессовыванием, переносом капли и др.
- •Рис. 14.4. Схема установки для вакуумной пропитки
- •Рис. 14.5. Схема установки для нанесения полимерных покрытий в электростатическом поле.
- •Рис. 14.6. Примеры герметизации с использованием капсул и жидкого компаунда (а); прессованной таблетки (б): 1 - капсула; 2 – основание платы микросборки; 3 - герметизирующий компаунд; 4 - выводы
- •Основные этапы ТП изготовления вакуумплотного корпуса, общая сборка и монтаж, а также герметизация конструктивов МЭА в корпусе приведены на рис.14.8.
- •Рис. 14.8. Основные этапы изготовления деталей вакуумплотных корпусов, сборка, монтаж и герметизация в них.
- •Рис. 14.9. Методы получения герметичных выводов в герметичных корпусах: а - сваркой; б - пайкой; в - спеканием.
- •Стабилизация параметров внутрикорпусной среды.
- •- испытание диэлектрика на пробивное напряжение проводится до и после термоциклов и циклов пребывания во влажной атмосфере. На тестовые образцы подается синусоидальное напряжение 1500 В частотой 50 Гц в течение 60 с;
- •После испытаний изделия проверяют на наличие: обрывов и коротких замыканий токопроводящих элементов; следов коррозии; различных дефектов в полимерных покрытиях.
- •Контрольные вопросы к лекциям 14 и 16.
- •1. Какие критерии используют при выборе материалов для герметизации?
- •2. Составьте типовую структуру ТП герметизации ЭВС и их конструктивов.
- •3. Приведите примеры и дайте технологическую характеристику органическим материалам, укажите методы герметизации с их применением.
- •4. Охарактеризуйте неорганические материалы и приведите примеры их использования для герметизации изделий электронной техники.
- •5. Какие и с какой целью осуществляют подготовительные операции перед герметизацией с использованием органических и неорганических материалов?
- •6. Какие методы пропитки применяют в производстве МЭА? Каким образом они реализуются?
- •7. Как производят заливку и обволакивание изделий?
- •8. Перечислите основные виды изделий, опрессовываемых пластмассой. Изложите суть изготовления монолитных пластмассовых корпусов.
- •9. В каких случаях используют и как осуществляют герметизацию изделий в металлополимерных корпусах?
- •10. Назовите методы герметизации изделий в вакуумплотных корпусах и кратко их охарактеризуйте.
- •11. Изобразите схему основных этапов герметизации МЭА в вакуумплотных корпусах с учетом изготовления корпусов, сборки и монтажа конструктивов в корпусе и контроля герметичности.
- •12. С какой целью и какими средствами обеспечивают стабилизацию параметров внутрикорпусной среды?
- •13. Как контролируют качество герметизации?
- •15. Составьте последовательность разных видов испытаний герметизирующих полимерных покрытий на ПП ответственных конструкций.
- •Лекция 15
5
Продолжение табл.5.1.
№ |
Техноло- |
|
|
|
|
|
|
|
|
гия ме- |
|
|
Краткая характеристика особенностей реализации |
|
|
||||
п/п |
таллиза- |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
ции |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В вакуумной камере размещаются медные перфорированные электро- |
|||||||
|
|
ды, создается электрический разряд в специальной технологической |
|||||||
|
Плазмен- |
среде, газ превращается в плазму, |
из которой (а также с частично |
- |
|||||
3 |
распыляемых электродов) |
медь осаждается на |
стенки |
отверстий. |
|||||
ное оса- |
Направление газового потока периодически меняется на противопо- |
||||||||
|
ждение |
||||||||
|
|
ложное. Производительность и однородность покрытия выше, чем при |
|||||||
|
|
использовании технологий 1 и 2. Рекомендуется в основном для метал- |
|||||||
|
|
лизации жестких нагревостойких диэлектрических оснований. |
|
||||||
4 |
Лазерно- |
Совмещение в одном процессе лазерного излучения и импульсного |
|||||||
|
электри- |
электрического разряда (инициируемого лучом лазера) для создания |
|||||||
|
ческое |
электроэрозионного потока в зоне, близлежащей от места формирова- |
|||||||
|
осажде- |
ния покрытия. Рекомендуется для металлизации отверстий (на стенках |
|||||||
|
ние |
отверстий |
получены качественные |
металлические покрытия без раз- |
|||||
|
|
рывов и наволакиваний материала заготовки при средних толщинах |
|||||||
|
|
5…10 мкм) |
|
|
|
|
|
||
5 |
Пироли- |
Разложение тетракарбоната никеля Ni(CO)4 начинается при температу- |
|||||||
|
тическое |
ре 45…600 С в вакуумном реакторе. Пленки имеют лучшую адгезию (в |
|||||||
|
разложе- |
сравнении с получаемыми по технологиям 1…4) при температуре подо- |
|||||||
|
ние ме- |
грева заготовок до 150…1800 С с применением дополнительной очист- |
|||||||
|
таллоор- |
ки в низкотемпературной плазме высокочастотного разряда (частота |
|||||||
|
ганики |
высокочастотного поля 13,5 МГц, мощность генератора 1 кВт). |
|||||||
|
(плазмо- |
Наибольшая адгезионная прочность пленок получена при температуре |
|||||||
|
химиче- |
нагрева подложки 1500 С. Рабочая |
температура процесса |
осаждения |
|||||
|
ское оса- |
130…180 |
0 |
С. О качестве металлизации отверстий сведения отсутству- |
|||||
|
ждение) |
|
|||||||
|
|
ют. |
|
|
|
|
|
|
|
6 |
Элек- |
Максимальная толщина металлических пленок 10…15 мкм на неорга- |
|||||||
|
тронно- |
нических основаниях. Нельзя использовать основания из полимерных |
|||||||
|
лучевое |
материалов с низкой нагревостойкостью. Скорость |
осаждения |
||||||
|
испаре- |
10…100 нм/с, энергия частиц 0,2 эВ. Удельное сопротивление ρv |
в |
||||||
|
ние |
1,5…2 раза превышает ρv |
массивной меди. О качестве металлизации |
||||||
|
|
||||||||
|
|
отверстий сведения отсутствуют. |
|
|
|
|
|||
7 |
Магне- |
Можно получить толщину пленок большую, чем при использовании |
|||||||
|
тронное |
технологии 6; ρv пленочной меди отличается от ρv |
массивной меди не |
||||||
|
распыле- |
более, чем на 4 %. Пленки с высокой коррозионной стойкостью (ско- |
|||||||
|
ние (либо |
рость окисления пленок меди только в 1,7 раза превышает скорость |
|||||||
|
ионно- |
||||||||
|
окисления пленок золота). Скорость осаждения 300 нм/с, энергия ча- |
||||||||
|
плазмен- |
стиц 50 эВ, плотность плазмы 1023 |
см−3 . Высокое качество пленок, да- |
||||||
|
ное) |
же на поверхностях с большим рельефом. Выбор материалов оснований |
|||||||
|
|
||||||||
|
|
плат ограничивается их нагревостойкостью. |
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
Окончание табл.5.1. |
|
№ |
Техноло- |
|
|
п/п |
гия ме- |
Краткая характеристика особенностей реализации |
|
таллиза- |
|
||
|
ции |
|
|
8 |
Магне- |
Высокая степень ионизации испаряемой меди (энергия частиц 1000 эВ, |
|
|
тронное |
плотность плазмы 1024 см−3 ) обеспечивает получение слоев квазиа- |
|
|
распыле- |
морфной структуры с ρv , близким к ρv массивной меди. Скорость оса- |
|
|
ние с |
ждения меди 1…3 мкм/мин. Пленки имеют высокую адгезию в сравне- |
|
|
плазмен- |
|
|
|
нии с получаемыми по другим технологиям. Возможно осаждение на |
|
|
|
ным |
любые материалы оснований плат, в том числе с металлизацией отвер- |
|
|
ускори- |
|
|
|
стий. Исследования данной технологии направлены на решение задач |
|
|
|
телем |
|
|
|
по уменьшению температуры подложки (менее 1500 С), снижению доли |
|
|
|
(с эрози- |
|
|
|
капельной фазы в конденсате и др. |
|
|
|
онным |
|
|
|
плазмот- |
|
|
|
роном |
|
|
|
или |
|
|
|
плазмот- |
|
|
|
ронное |
|
|
|
распыле- |
|
|
|
ние) |
|
|
9 |
Трафа- |
Самая дешевая технология, аналогична традиционной толстопленочной |
|
|
ретная |
(толщина пленок 20-75 мкм) по технике реализации. Максимальное по- |
|
|
печать |
гонное сопротивление проводников 0,3…2,0 Ом/см, то есть несколько |
|
|
электро- |
большее, чем для получаемых по другим технологиям. Требует высоко- |
|
|
прово- |
нагревостойких диэлектрических оснований при традиционной ее реа- |
|
|
дящих |
лизации. Разработка новых полимерных электропроводящих паст поз- |
|
|
паст |
воляет использовать данную технологию и для некоторых органических |
|
|
|
диэлектриков. Уменьшение ширины проводящих элементов менее 0,2 |
|
|
|
мм требует совершенствования трафаретов и технологии формирования |
|
|
|
рисунка проводящих элементов. |
|
Этим объясняется первоочередное освоение и внедрение данных технологий в производство ПП. Кроме того, химическая, гальваническая и химико-гальваническая технологии еще не исчерпали своих возможностей для создания плат и других коммутационных узлов с высокоплотной реализацией межсоединений.
Химическая металлизация обеспечивает осаждение пленок металлов с высокой равномерностью по толщине на любые поверхности разных материалов; используется как в качестве основного токопроводящего слоя, в котором формируют элементы коммутации, так и в качестве подслоя при гальваническом осаждении (в том числе с целью доращивания до нужной толщины) металлов (чаще всего селективном).
Для придания диэлектрику способности к металлизации (то есть каталитических свойств) и обеспечения адгезии химически осаждаемого металла на диэлектрик, производят сенсибилизацию и активацию его поверхности.
Сенсибилизация осуществляется для формирования на поверхности диэлектрика
пленки ионов двухвалентного олова Sn+2 , которые при последующей активации обеспечат восстановление ионов активатора (катализатора) металлизации. Заготовки в этом случае обрабатывают в растворе двухлористого олова SnCl2 и соляной кислоты HCl в течение
7
5…7 мин и промывают в дистиллированной воде, при этом происходит гидролиз хлористого олова по реакции:
SnCl2 + H 2O → Sn(OH )Cl + HCl
Sn(OH )Cl + H 2O → Sn(OH )2 + HCl
Активация заключается в том, что на поверхности диэлектрика, сенсибилизированной двухвалентным оловом, происходит реакция восстановления ионов каталитического металла (преимущественно палладия Pd ), способствующего последующему осаждению меди. Заготовки активируют путем их обработки в течение 5…7 мин в растворе, содержащем: двухло-
ристый палладий PdCl2 и аммиак (водный). При этом на диэлектрике происходит реакция:
Sn2+ + Pd 2+ → Pd + Sn4+
Для улучшения качества металлизации часто применяют совмещенный сенсибилизую- ще-активирующий раствор, например, включающий двухлористый палладий PdCl2 ; соля-
ную кислотуHCl ; хлористый калий KCl и воду. После активирования и промывки заготовки поступают на химическое меднение.
Химическое осаждение меди происходит вследствие восстановления ионов двухвалентной меди на активированных поверхностях из ее комплексных солей. В состав растворов
для химического меднения входят соли меди, являющиеся источником катионов Cu +2 , соли никеля для более прочного сцепления меди с диэлектриком; щелочь; комплексообразователь, предотвращающий выпадение гидрооксида металла в растворе; формалин в качестве восстановителя; сода как буферная добавка, повышающая скорость меднения; стабилизаторы, и другие добавки, улучшающие качество медного слоя.
Химическое меднение ПП производят в специальных, чаще всего гибко автоматизированных или полуавтоматизированных, линиях с набором ванн необходимого размера, выполняемых из материалов, выдерживающих воздействие технологических сред. Ванны оборудованы устройствами фильтрации и дозирования растворов, системами контроля и под-
держания заданной температуры (с точностью ± 1 0 С), состава и других параметров технологических сред и объектов, а также приводом качания заготовок, размещаемых в групповых подвесках. В соответствии с заданной программой подвески с заготовками перемещаются с помощью манипулятора, управляемого ЭВМ. В ваннах должны проводиться операции подготовки поверхности, сенсибилизации, активации, меднения, промежуточные промывки и сушка объектов производства. В линиях для серийного и массового производства устанавливаются также специальные ванны – сборники дорогостоящих растворов.
Основными проблемами химической металлизация являются низкая производительность, сложность контроля и управления параметрами процесса, использование дорогостоящих материалов и неустойчивость к термоциклам осадков меди толщиной более 3 мкм. Для устранения указанных недостатков совершенствования данной технологии не прекращаются.
Гальваническая металлизация (чаще всего селективная) при производстве ПП применяется для усиления слоя химической меди; нанесения различных металлических покрытий (например, металлорезиста типа олово-свинец толщиной 8…20 мкм) с целью предохранения проводящего рисунка при травлении заготовок, защиты его от коррозии и обеспечения хорошей паяемости; создания на части проводящего рисунка (например, на концевых печатных контактах, то есть на ламелях) специальных покрытий (из палладия, золота, родия и т.п.) толщиной 2…5 мкм. Заготовки, закрепленные на специальных подвесках-токоподводах, помещают в гальваническую ванну с электролитом между анодами, выполненными из металла покрытия. Режим электрохимической металлизации выбирают таким образом, чтобы при высокой производительности были обеспечены равномерность толщины покрытия и его а д- гезия.
Равномерность толщины осажденных слоев зависит от: габаритных размеров металлизируемых заготовок (с их увеличением равномерность покрытий снижается, что может быть
8
частично скомпенсировано увеличением расстояния между анодами, а также подбором их положения в пределах гальванической ванны); диаметров металлизируемых отверстий (отношение диаметров к толщине заготовок должно быть не менее 1/3); расположения заготовок в ванне (для улучшения равномерности покрытия, заготовки размещают симметрично и параллельно анодам, площадь которых должна в 2-3 раза превышать площадь металлизации при расстоянии между электродами не менее 150 мм); рассеивающей способности электролитов; оптимальной плотности тока (при низких значениях уменьшается толщина покрытия в центре заготовки, при высоких происходит утолщение покрытия на углах и кромках заготовки); наличия специальных экранов между электродами.
Адгезия гальванического покрытия зависит от качества подготовки поверхности под металлизацию, длительности перерыва между подготовкой поверхности и нанесением покрытия, от соблюдения режимов процесса. Более пластичные и равномерные осадки получаются в сернокислых электролитах. Сравнительная характеристика основных показателей химически и гальванически осажденной меди (табл.5.2) показывает преимущества гальванической технологии.
|
|
|
|
|
Таблица 5.2. |
|
|
Сравнительные характеристики пленок химически осажденной |
|||||
|
|
и гальванической меди |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Материал ме- |
Чистота Cu, |
Плотность, |
ρv ,×10 |
−6 , |
Пластичность, * |
|
таллического |
вес. % |
г/см3 |
Ом·см |
|
||
покрытия |
|
|
||||
Химическая |
97.7 |
8.63 |
1.75 |
|
3.5 |
|
Cu |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
Гальваниче- |
99.996 |
8.92 |
1.72 |
|
12.6-16.0 |
|
скаяCu |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
* По отношению к фольге, получаемой прокаткой, и соответствует 2-м перегибам на 1800
Однако, гальваническое осаждение возможно только на электропроводящие поверхности и разброс по толщине осаждаемых пленок заметно больший, чем при химическом осаждении.
Одним из эффективных путей улучшения качества гальванических покрытий является использование нестационарных режимов электролиза (под действием периодических токов – импульсного, реверсивного, произвольной формы различной частоты и скважности), что позволяет сглаживать микрорельеф покрытия, повышать его равномерность по поверхности и в монтажных отверстиях заготовки.
Гальваническая, как и химическая металлизация чаще всего проводится на автооператорных линиях с автоматизированной системой управления по циклограммам, обеспечивающей управление температурными режимами ванн, включением-выключением установок фильтрации растворов, промывочных ванн и т.д. В настоящее время осваиваются гибкие автоматизированные линии, позволяющие быструю перенастройку режимов металлизации при изменении условий функционирования оборудования или показаний датчиков параметров качества процесса осаждения. Благодаря незначительной погрешности (0,5 %) обработки данных, ЭВМ способствует получению в таких линиях покрытий высокого качества.
Формирование рисунка коммутации в производстве ПП чаще всего осуществляется после создания слоя металлизации либо во время металлизации и заключается в получении (либо применении) защитной маски и реализации последующего селективного травления слоя металлизации в местах, не защищенных маской (либо селективной металлизации диэлектрического основания). Основными методами, применяемыми в промышленности для создания защитной маски (защищенного рельефа) являются офсетная печать, трафаретная печать и фотопечать. Выбор метода определяется конструкцией ПП, требуемыми точностью и плотностью коммутации, производительностью оборудования и экономичностью процесса.