Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ehlektronnye_pribory_i_ustrojstva

.pdf
Скачиваний:
5
Добавлен:
13.02.2015
Размер:
743.53 Кб
Скачать

Выпрямительные диоды

11

 

 

 

1.4. Неуправляемый выпрямитель трехфазного тока

1.4.1. Общие сведения

Потребители большой мощности питаются выпрямленным трехфазным переменным током. Несколько большая в сравнении с однофазным выпрямителем стоимость трехфазного выпрямителя многократно окупается за счет более простого сглаживания выходного напряжения.

В описанных ниже экспериментах используется источник трехфазного переменного напряжения.

1.4.2. Экспериментальная часть

Задание

Выпрямить выходное напряжение трехфазного источника посредством сначала трехфазного выпрямителя с нулевым выводом, а затем трехфазного мостового выпрямителя (так называемая схема Ларионова). Измерить и исследовать параметры обоих выпрямителей и сравнить с параметрами однофазных выпрямителей.

Порядок выполнения эксперимента

Соберите цепь трехфазного выпрямителя с нулевым выводом согласно схеме (рис.1.4.1) и подайте на ее вход переменное трехфазное напряжение 7 В, 50 Гц. На схеме V0 и V1 — входы коннектора. При сборке схемы обратите внимание на полярность электролитического конденсатора. В первом опыте С=0 (конденсатор отсутствует).

 

UA

 

UB

UC

Rн

UD

 

Рис.1.4.1

Включите виртуальные приборы V0 и V1 и осциллограф. Подключите два любых входа осциллографа к каналам V0 и V1. Установите развертку 5 мС/дел.

Перенесите на график (рис. 1.4.2) осциллограммы входного и выходного напряжений.

Сделайте измерения и запишите в табл. 1.4.1. значения: UВХ — действующее, Ud среднее, Uпульс , m = fпульс / fвх.

Рассчитайте и запишите в табл. 1.4.1 коэффициенты Ud / UВХ и kпульс.

12

Выпрямительные диоды

 

 

 

Параллельно нагрузочному резистору RН подключите сглаживающие

 

конденсаторы C с

емкостями, указанными в табл. 1.4.1, повторите измерения и

дорисуйте графики выпрямленного напряжения на рис.1.4.2.

Рис. 1.4.2

 

 

 

 

Таблица 1.4.1

 

 

 

 

 

C, мкФ

0

1

10

100

UВХ, В

 

 

 

 

Ud, B

 

 

 

 

U пульс , В

 

 

 

 

m

 

 

 

 

Ud / UВХ

 

 

 

 

kпульс

 

 

 

 

Теперь соберите цепь трехфазного мостового выпрямителя согласно схеме (рис. 1.4.3) и повторите все измерения, выполненные для трехфазного выпрямителя с нулевым входом. Результаты представьте в табл. 1.4.1. и на рис. 1.4.4.

UAB UCA

UD RН

10 кОм

UBC

Рис. 1.4.3

Выпрямительные диоды

13

 

 

 

20

15

10

5

-5

-10 -15 -20 -25

Рис. 1.4.4

Примечание: в стенде без компьютера все измерения можно проделать с помощью мультиметров и электронного осциллографа.

Вопрос 1: Какова частота пульсаций выходного напряжения uВЫХ трехфазного выпрямителя с нулевым выводом?

Ответ: ...........................

Вопрос 2: Каково отношение выходного напряжения постоянного тока UВЫХ к действующему значению входного напряжения переменного тока UВХ в трехфазном выпрямителе с нулевым выводом?

Ответ: ...........................

Вопрос 3: Какова частота пульсаций выходного напряжения uПУЛЬС в трехфазном мостовом выпрямителе?

Ответ: ............................

Вопрос 4: Каково отношение напряжения постоянного тока UВЫХ к действующему значению входного напряжения переменного тока UВХ в трехфазном мостовом выпрямителе?

Ответ: ............................

14

Диоды с особыми свойствами

 

 

 

Диоды с особыми свойствами

15

 

 

4.Биполярные транзисторы

4.1.Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных

транзисторов

4.1.1. Общие сведения

Транзистор (рис. 4.1.1) представляет собой полупроводниковый триод, у которого тонкий рпроводящий слой помещен между двумя nпроводящими слоями (npn транзистор) или nпроводящий слой помещен между двумя рпроводящими слоями (pnp транзистор).

pn переходы между средним слоем (база) и двумя крайними слоями (эмиттер и коллектор) обладают выпрямительным свойством, которое можно исследовать как в случае любого выпрямительного диода.

 

 

Б

К

К

К

 

 

Э

Б Б

Э Э

Рис. 4.1.1

4.1.2. Экспериментальная часть

Задание

Снять вольтамперные характеристики эмиттерного и коллекторного pn переходов транзисторов типа pnp и типа npn в прямом направлении. Убедитесь, что в обратном направлении токи через эти pn переходы ничтожно малы.

Порядок выполнения эксперимента

Соберите цепь согласно схеме (рис. 4.1.2а).

Поочередно устанавливая значения токов IПР регулятором напряжения источника, измерьте соответствующие значения напряжения на pn переходе UБЭ и занесите их в табл. 4.1.1.

16 Биполярные транзисторы

• Измените схему в соответствии сначала с рис. 4.1.2б, затем 4.1.2в и 4.1.2г и повторите все измерения.

R=1 кОм

Рис. 4.1.2

На рис. 4.1.3 постройте графики IПР(UПР) для каждого случая и убедитесь, что вольтамперные характеристики всех pn переходов практически совпадают.

Установите входное напряжение источника равным нулю, поменяйте его полярность (зажим «+» на «—») и увеличивая напряжение до 5 В (но не выше!), убедитесь, что ток в pn переходе практически остается равным нулю (не превышает 1 µА).

Проделайте этот с остальными pn переходами согласно схеме на рис. 4.1.2 при обратной полярности источника питания.

 

 

 

 

Таблица 4.1.1

 

 

 

 

 

IПР,

Транзистор n-p-n

Транзистор p-n-p

мА

UБЭ, В

UБК, В

UЭБ, В

UКБ, В

0

 

 

 

 

1

 

 

 

 

2

 

 

 

 

4

 

 

 

 

8

 

 

 

 

14

 

 

 

 

Биполярные транзисторы

17

 

 

 

Iпр

Uпр

Рис. 4.1.3

Вопрос 1: Каковы общие свойства обоих pn переходов транзисторов двух типов?

Ответ: ................................

Вопрос 2: Каковы отличия p-n переходов в двух типах транзисторов?

Ответ: ..............................

18

Биполярные транзисторы

 

 

 

4.2.Распределение тока в транзисторе

иуправляющий эффект тока базы

4.2.1.Общие сведения

Втранзисторе p-n-p типа (рис. 4.2.1) ток эмиттера к коллектору через базу обусловлен неосновными для базы носителями заряда – дырками. При положительном направлении напряжения UЭБ эмиттерный p-n переход открывается, и дырки из эмиттера проникают в область базы. Часть из них уходит к источнику напряжения UЭБ, а другая часть достигает коллектора. Возникает так называемый транзитный тока от эмиттера к коллектору. Он резко возрастает с увеличением UЭБ и тока базы.

Втранзисторе n-p-n типа (рис. 4.2.1б) транзитный ток через базу обусловлен также неосновными для нее носителями заряда – электронами. Там они появляются из эмиттера, если к эмиттерному p-n переходу прикладывается напряжение UБЭ, полярность которого показана на рис. 4.2.1б.

 

 

p

n

p

 

а)

IЭ

Э

Б

К

IК

 

 

 

UЭБ

 

 

UБК

 

 

 

 

IБ

 

 

 

 

 

б)

n

p

n

 

 

 

 

 

IК

К

Б

Э

IЭ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UБЭ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UКБ

 

IБ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.2.1

Токи эмиттера, коллектора и базы связаны между собой уравнением первого закона Кирхгофа:

IК = IЭ – IБ.

Биполярные транзисторы

19

 

 

 

Обычно ток базы существенно меньше IК и IЭ, но от него сильно зависит как IК, так и IЭ. Отношение приращения тока коллектора к приращению тока базы называется коэффициентом усиления по току:

β = IК IБ.

Он может иметь значения от нескольких десятков до нескольких сотен. Поэтому с помощью сравнительно малого тока базы можно регулировать относительно большие токи коллектора (и эмиттера).

4.2.2. Экспериментальная часть

Задание

Исследовать влияние тока базы на вольтамперную характеристику IК(UЭK) для n-p-n транзистора с помощью осциллографа.

Порядок выполнения эксперимента

Соберите цепь согласно схеме (рис. 4.2.2). В этой цепи в качестве источника синусоидального напряжения используется линейное напряжение трехфазного генератора, а диод включен для исключения обратного напряжения на транзисторе. Приборы А1 и V0 – входы коннектора, служащие для вывода тока IК и напряжения Uна виртуальный осциллограф. Миллиамперметр А служит для измерения тока базы и может быть как мультиметром, так и виртуальным прибором.

 

 

 

100 Ом

IК

 

 

 

 

 

А

 

 

 

 

А1

+ IБ

22

кОм

к

 

 

 

 

 

 

 

 

А

 

 

 

 

 

 

 

э

~U

 

 

 

 

UКЭ

 

0...15В

 

 

V0

12 В, 50Гц

 

-

В

Рис. 4.2.2

Включите виртуальные приборы А1, V0 и виртуальный осциллограф. На осциллографе установите режим XY. В качестве входа Y выберите ток коллектора, т.е. А1 (по умолчанию это канал 3). В качестве входа Х выберите U, т.е. V0 (по умолчанию – канал 1).

Установите регулятор постоянного напряжения на ноль и зафиксируйте кнопкой 1 осциллографа масштаб по напряжению. Затем установите регулятор постоянного напряжения на максимум и зафиксируйте кнопкой 3 осциллографа масштаб тока.

20

Биполярные транзисторы

 

 

 

Теперь при регулировании тока базы масштабы по осям осциллографа автоматически изменяться не будут.

Регулируя тока базы от 0 до максимального значения и наоборот, пронаблюдайте за изменением кривой IК(U) на осциллографе. При нескольких значениях тока базы (включая нулевое и максимальное) перерисуйте кривую IК(U) с осциллографа на рис. 4.2.2. Не забудьте указать масштабы по осям и токи базы для каждой кривой.

На семействе кривых IК(U) выберите какое-либо постоянное напряжение U(например, 5 В) и на рис. 4.2.3 постройте зависимость IК(IБ) для этого значения

напряжения U. Рассчитайте и на этом же рисунке постройте график β(IБ)= IК IБ. Нанесите шкалы по осям.

IК(…. мА/дел)

UКЭ (….В/дел)

Рис. 4.2.2.

IК

IБ

Рис. 4.2.3.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]