Дифракция в кристаллах
1. Условие дифракции Брэгга
Дифракция в кристаллах
2. Условие дифракции Лауэ
3.Эквивалентность формулировок 
Брэгга и Лауэ
Уравнение Лауэ для амплитуды рассеяния
|
|
k |
A k e |
ir |
|
mnp |
|
|
mnp |
|
|
A dV n r e
k ~ ( )
ir k
Структурный фактор базиса
|
rj xj a1 y j a2 z j a3 |
K |
f j exp i2 (x j h y j k z jl) |
|
|
|
j |
Структурный фактор ОЦК решетки
(hkl) f 1 exp i (h k l)
6
6
Структурный фактор ГЦК решетки
(hkl) f 1 exp i (k l) exp i (h l) exp i (h k)
6
6
6
6
Атомный фактор рассеяния
f j dVc j ( ) exp( i k )
Форм-фактор углерода
Форм-фактор алюминия
z |
|
2 2 |
(r) sin 4 r(sin ) / dr |
f 6 |
4 r n |
||
|
|
4 r(sin ) / |
|
n 1 0 |
|
||
|
6 |
|
|
|
6 |
|
|
|
6 |
|
|
Температурная зависимость линий отражения
J J0 |
|
|
1 |
u |
2 |
K |
2 |
|
exp |
3 |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Множитель Дебая-Уоллера |
|
|
1 |
u |
2 |
K |
2 |
|
exp |
3 |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Температурная зависимость интенсивности дифракционных максимумов (h00) для алюминия
6
Экспериментальные методы рентгеновского спектроскопического анализа
Построение Эвальда
Монохроматическое |
|
излучение (λ = сonst) |
Немонохроматическое |
6 |
излучение ( 1 2 ) |
|
6
6
6
МЕТОД ЛАУЭ
Схема камеры Лауэ
Дифракционная картина
МЕТОД ВРАЩАЮЩЕГОСЯ КРИСТАЛЛА
Схема камеры в методе 
вращающегося кристалла
Построение Эвальда для метода вращающегося 
кристалла