Заключение
В первой части работы была определена
область стехиометричности твердой фазы
– область, в которой протекает в прямом
направлении только основная реакция
(рисунок 9). По полученному результату
можно сделать вывод, что осаждение
арсенида галия из газовой фазы в данной
системе следует проводить при температуре
меньше 851 К и относительной влажности
водорода меньше 0.02.
Во второй части работы был рассмотрен
процесс последовательной диффузии
полупроводника при 2-х режимах диффузии
с различной температурой и временем.
По полученным результатам можно сделать
вывод, что чтобы получить необходимую
структуру необходимо правильно выбрать
время легирования и температуру для
каждого типа примеси. В 1-м режиме работы
удалось получить необходимую структуру
и рассчитать глубину залегания эмиттерной
и коллекторной примеси, на графике
суммарного распределения концентрации
(рисунок 11) видны характерные для n-p
и p-n переходов
падения концентрации. Во 2-м режиме
диффузии получить необходимую структуру
не удалось.
Список использованных источников
1.
Расчёт газотранспортных и диффузионных
процессов в технологии изделий электроники
и наноэлектроники/ сост.: С.П. Зубко, Н.Ю.
Медведева, А.А. Никитин, А.А. Семенов
СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2020. 32 с.
