Добавил:

MIRA_01 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"

Предмет:

Физико-химические основы технологии материалов электронной техники

Файл:

9201_Rauan(2 вариант).docx

Скачиваний:

Добавлен:

16.03.2023

Размер:

519.84 Кб

Скачать

☆

1 / 31 2 3 > Следующая >>>

_{МИНОБРНАУКИ
РОССИИ}

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра ФЭТ

Курсовая РАБОТА

по дисциплине «Физико-химические основы технологии изделий электроники и наноэлектроники»

Тема: Расчёт газотранспортных и диффузионных процессов в технологии электронных приборов

Вариант №2

Студент гр. 9201		Рауан М.
Преподаватель		Зубко С.П.

Санкт-Петербург

2021

ЗАДАНИЕ

на курсовую работу

Студент Рауан Мирас
Группа 9201
Часть 1. Химическое осаждение арсенида галлия из газовой фазы в системе GaAs – H₂O – H₂. Исходные данные: - Температурный интервал Т = (700 …. 1300 ) К - Относительная влажность водорода: 710^³…. 10^¹. - Суммарное давление в системе 510³ Па 1. Рассчитать и построить k_p₁(T); k_p₂(T); k_p₃(T). 2. Определить степень превращения в химической системе. 3. Рассчитать и построить зависимости p_H₂_O(T,a); p_Ga₂_O(T,a); p_As₂(T,a). 4. Рассчитать и построить температурные зависимости G₂(T,a) ; G₃(T,a) для заданных a. 5. Определить область равновесия газовой фазы и требуемой стехиометричной твердой фазы. Часть 2 Диффузионное легирование полупроводников Рассчитать профиль распределения концентрации примеси в n-p-n-структуре, полученной последовательной диффузией бора и фосфора в кремнии. Исходное удельное сопротивление в полупроводнике n-типа 0,15 Омсм. Режимы диффузии : 1. T_a= 1200С, t_a = 1 ч, T_д= 1100С, t_д = 2 ч. 2. T_a= 1100С, t_a = 2 ч, T_д= 1250С, t_д = 1 ч Поверхностная плотность атомов бора N_a = 510¹⁴ см ^– 2 , диффузия фосфора ведётся из неограниченного источника примеси с поверхностной концентрацией, равной предельной растворимости. Работа должна содержать выводы и технологические рекомендации
Содержание пояснительной записки: «Содержание», «Введение», «Химическое осаждение арсенида галия из газовой фазы в системе GaAs – H₂O – H₂», «Диффузионное легирование полупроводников», «Заключение», «Список использованных источников» Предполагаемый объем пояснительной записки: Не менее 25 страниц.
Дата выдачи задания: 01.11.2021
Дата сдачи реферата: 17.11.2021
Дата защиты реферата: 00.00.2000
Студент		Рауан М.
Преподаватель		Зубко С.П.

Аннотация

В данной курсовой работе будут рассчитаны параметры производственных процессов. Полученные результаты позволят оценить производительность процессов при заданных условиях.

Summary

In this course work, the parameters of production processes will be calculated. The results obtained will make it possible to assess the performance of the processes under the given conditions.

Содержание

	Введение	6
1.	Химическое осаждение арсенида галлия из газовой фазы в системе GaAs – H₂O – H₂.	7
1.1.	Расчет констант химического равновесия	7
1.2.	Расчет состава газовой фазы	13
1.3.	Определение области стехиометричности твердой фазы	15
2.	Диффузионное легирование полупроводников	18
2.1.	1-й режим диффузии	18
2.2.	2-й режим диффузии	21
	Заключение	23
	Список использованных источников	24

Введение

Целью данной курсовой работы является анализ таких технологических процессов, как химическое осаждение из газовой фазы и диффузионное легирование полупроводников. Для данных процессов будут рассчитаны основные термодинамические параметры и определены технологические особенности – определена область стехиометричности твердой фазы, область равновесия газовой фазы и условия их реализации, будет рассчитан профиль распределения концентрации примеси в n-p-n-структуре, полученной последовательной диффузией.