- •Казанский государственный университет физический факультет
- •Физика полупроводниковых приборов
- •Печатается по решению Научно-методического совета физического факультета
- •Предисловие (как работать с методическим пособием)
- •Введение: контактные явления в полупроводниках
- •При этих условиях уравнение Пуассона запишется в виде
- •5. Вольт-амперные характеристики диода и фотодиода
- •Задание
- •6. Биполярный транзистор
- •Задание
- •7. Полевой (униполярный) транзистор
- •Задание
- •8. Туннельный диод
- •Зона-зона
- •Задание
- •Список рекомендуемой литературы
Задание
В работе необходимо определить следующие параметры туннельного диода (см. рис. 1).
Значение тока Iрв максимуме вольт-амперной характеристики.
Соответствующее ему напряжение Vр.
Значение тока Ivв минимуме вольт-амперной характеристики.
Соответствующее ему напряжение Vv.
Дифференциальное сопротивление на падающем участке вольт-амперной характеристики.
Скачок напряжения V=Vpp–Vp.
Более подробные указания по выполнению работы содержатся в отдельной папке «Туннельный диод».
Список рекомендуемой литературы
Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1973.
Епифанов Г.Н., Мома Ю.А. Твердотельная электроника. М.: Высшая школа, 1986.
Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990.
Парфенов В.В., Закиров Р.Х. Физика полупроводников: Методич. пособие к практикуму по физике твердого тела. Казань: Изд-во КГУ, 2001.