Измерение ширины запрещенной зоны полупроводника методом температурного сканирования.-2

Ы

Э

(

)

Э

Ы

(Э )

Ы А

Ы

А

А

А

А

Я

«

ы

э

»

:

.

ы Э

ИИИИИИИ

ы

. .

« 27 » _

я____ 2013 .

(«

»).

,

,

.

,

(

).

–

.

кр ,

,

:

кр

Eg .

,

E

hc

,

(1)

g

кр

h –

, c

–

.

,

кр ,

(1)

.

,

:

-

,

,

(

),

.

;

-

,

.

,

,

.

.

,

,

P-N –

.

,

.

.

,

,

,

–

.

,

N-

.

,

,

P-

.

2.3. К

,

(

).

n-

,

p-

. Э

.

p-n

.

p-n

,

.

,

–

.

p-n

( . .

,

)

.

p-n

,

.

.

p-

,

– n-

.

p-n

,

,

.

Э

n-

p-

.

.

n- p-

,

,

.

.

,

,

,

.

Э

.

p-n

.

p-n

:

N

I

Sen2 D

1

,

(2.1)

0

i

S -

p-n

; e -

; ni

-

; D -

;

-

; N -

.

2.3.

Eg

T :

E

(2.2)

2k T

ni Nc Nv 1 2 EXP

g

Nc , Nv -

,

; k -

.

,

(2.1)

(2.2)

ni

: D, , Nc , Nv , Eg .

,

ni .

,

E

k T

I0 A exp

g

.

(2.3)

A -

.

,

.

(2.3):

ln I

ln A

Eg

1

.

(2.4)

0

k

T

Eg k T0

T0

T

ln I0

.

(2.7)

–

:

p-n

?

,

,

, «

-

»,

.

.

,

p-n

,

,

( .

.2).

:

-

p-n

,

p-n

. ..

-

I0 .

,

.

,

. Э

T ,

I0

f T .

p-n

.

(

.3)

-

;

-

;

-

;

-

;

-

,

p-Ч

;

-

p-Ч

,

;

-

.

2.

WORD

.

.

:

ARIAL – 12,

2

,

.

3.

.

4.

,

.