Теория надежности.-1
.pdf
130
2.Соответствующие статистические оценки в таблице П.6.1 согласуются между собой, что говорит об адекватности проведенного исследования.
3.В ходе проведенного исследования подтверждена справедливость центральной предельной теоремы. Наличие в схеме активного ФНЧ двух независимых нормально распределенных параметров (сопротивление и емкость частотно-задающей цепи) приводит к нормальному распределению выходного параметра всего устройства – верхней частоты полосы пропускания.
Ответы на контрольные вопросы
1. Как формулируется центральная предельная теорема для одинаково
распределенных слагаемых? Если X1, X2, …, Xn – независимые случайные величины, имеющие одно и то же распределение с математическим ожиданием
m и дисперсией 2, то при увеличении n закон распределения суммы случайных величин неограниченно приближается к нормальному.
2. …………………………………………………………….
131
ПРИЛОЖЕНИЕ 7 – СООТВЕТСТВИЕ УСЛОВНЫХ ГРАФИЧЕСКИХ ОБОЗНАЧЕНИЙ НЕКОТОРЫХ ЭРЭ В РОССИИ И ЗА РУБЕЖОМ
Таблица
|
Обозначения, принятые в |
Обозначения, принятые в Mi- |
||
|
ЕСКД |
croCAP |
||
Название ЭРЭ |
Символ по- |
Условное |
Символ по- |
Условное |
|
зиционного |
графическое |
зиционного |
графическое |
|
обозначения |
обозначение |
обозначения |
обозначение |
Общий провод- |
--- |
|
--- |
|
ник |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Резистор посто- |
R |
|
R |
|
янный |
|
|
||
|
|
|
|
|
Резистор пере- |
R |
|
R |
|
менный |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Конденсатор по- |
C |
|
C |
|
стоянный |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Конденсатор по- |
|
|
|
|
стоянный поля- |
C |
|
C |
|
ризованный |
|
|
|
|
Катушка индук- |
L |
|
L |
|
тивности |
|
|
||
|
|
|
|
|
Диод выпрями- |
VD |
|
D |
|
тельный |
|
|
||
|
|
|
|
|
Стабилитрон |
VD |
|
D |
|
|
|
|
|
|
Биполярный |
VT |
|
Q |
|
транзистор n-p-n |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Биполярный |
VT |
|
Q |
|
транзистор p-n-p |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Полевой транзи- |
|
|
|
|
стор с p-n пере- |
VT |
|
J |
|
ходом и n- |
|
|
||
|
|
|
|
|
каналом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
132
Окончание таблицы
|
Обозначения, принятые в |
Обозначения, принятые в |
||
|
ЕСКД |
MicroCAP |
||
Название ЭРЭ |
Символ по- |
Условное |
Символ по- |
Условное |
|
зиционного |
графическое |
зиционного |
графическое |
|
обозначения |
обозначение |
обозначения |
обозначение |
Полевой транзи- |
|
|
|
|
стор с p-n пере- |
VT |
|
J |
|
ходом и p- |
|
|
||
|
|
|
|
|
каналом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
МДП-транзистор |
|
|
|
|
с встроенным n- |
VT |
|
M |
|
каналом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
МДП-транзистор |
|
|
|
|
с встроенным p- |
VT |
|
M |
|
каналом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
МДП-транзистор |
|
|
|
|
с индуцирован- |
VT |
|
M |
|
ным n-каналом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
МДП-транзистор |
|
|
|
|
с индуцирован- |
VT |
|
M |
|
ным p-каналом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Элемент питания |
GB |
|
V |
|
|
|
|
|
|