Твердотельная электроника.-2

,

7.0 10 5

U

фэ

4.9 10 3 .

Uфэ ys

q

1

exp y

s

2 ,

kT

exp ys

.

,

:

qU

фэ

qU

фэ

y

s

ln

2

k T

2 ln ln

k T

.

qU

qU

1

фэ

1

фэ

k T

k T

1.4

1010

qUфэ

1.6 10

19

4.9 10 3

1.4

1014

7.84 10 22

10 4

10

23 300

7

10 5

4.14 10 21

0.7 10 4

k T

1.38

0.189

1.43 0.27 .

:

1.4

1010

0.27

3

0.27

ys 2 ln

ln

2 ln 10

ln

1.4

10

1

0.27

0.73

6 ln 10 ln

0.73

6 2.3 ln 2.7 13.8 1.0 12.8

0.27

,

:

ys

12.8 .

,

yinv 2 ln .

,

141

1.

,

-

n -

N 2.4 1014

c 3

d

S 2.5 10 2

2 ,

,

Si3N4

0.1

.

2.

,

-

n -

N 3.8 1014

c 3

d

S 4.5 10 2

2 ,

,

SiO2

0.1

.

3.

,

-

p -

N 3.8 1015

c 3

a

S 5.5 10 2

2 ,

,

SiO2

0.1

.

4.

,

-

n -

N

4.8 1013

c 3

d

9.

-

-

S 3.4 10 2

2 ,

,

SiO2

Si3N4

0.2

0.5

,

Сmin 225

.

10.

-

,

p -

N 1.4 1015

3

S 0.5 10 2 2 ,

,

d 0.07

Si3N4 ,

- 0.6 .

11.

-

,

p -

N

2 0 1014

3

S 1.5 10 2 2 ,

,

d 0.87

SiO2 ,

+0.2 .

12.

-

,

n

-

N

5.4 1013

3

d

S 0.5 10 2 2 ,

,

SiO2

Si3N4

0.3

0.5

,

-

0.6 .

13.

-

,

n

-

N

3.8 1015

3

S 0.75 10 2 2 ,

,

SiO2

Si3N4

0.4

0.8

,

-

1.2 .

14.

,

p

S 1.5 10 2 c 2

ys

10 ,

С0

225

,

С 452

,

s

p

0,01.

ni

15.

,

n

S 1.25 10 2 c 2

ys

7 ,

С0

120

,

С

520

,

s

p

0,025 .

ni

16.

-

,

n

S 1.5 10 2 c 2

ys

15 ,

С0

325

,

С

550

,

s

12 . «

»

,

:

.

.

.

, . .

.

«

»

(

.

. 11, , ).

(

.

11, ).

,

.

.

,

( .

11, ).

«

–

»

( . 11,

).

,

n

,

.

.

,

,

.

,

Q. Ф

–

.

.

,

:

.

.

,

,

.

.

.

,

,

.

,

:

,

,

.

.

z

.

,

3600,

.

ы

э

ы

.

:

.

,

. 12.

1 –

, 2 –

,

.

–3

-

.

,

.12

.

12,

,

–

.

,

,

,

-

.

«

»

,

-

.

,

.

,

.

.

-

.