Твердотельная электроника.-2

14.

p-n

V 0.2 ,

S 10 1 2 .

0

p- n-

2.4 1015 3 .

15.

p-n

V 0.1 ,

S 10 2 2

0

j0 10 7 А /

2 .

p-

n-

2.4 1016

3 .

16.

-

p-n

V 0.1 ,

S 10 2 2

0

j0 10 8 А /

2 .

p-

n-

4.8 1014

3 .

17.

,

,

V 0.2 B

C 587

,

S 2.5 10 2 c 2 ,

N

3.8 1014

3 .

d

18.

,

,

V 0.1 B (

)

R 7.8 102

,

S 2.5 10 2 c 2 ,

d

N 3.8 1014

3 .

d

19.

p

n

S 7.7 10 4

2 ,

,

n

p

,

V 0.15

4.8 102

.

20.

p

n

S 7.5 10 4 2 ,

,

f

2 105 ц

,

n

p

,

0.66 .

.

х,

t,

-

:

I( x )

I0 1 R exp

α x .

(8.1)

R -

,

,

-

.

,

,

? –

:

I x 1 R I0 exp αx ,

(8.7)

R -

,

-

,

x 10 6

1

x2 2 10 6

,

I x2

I0 exp

αx2 .

,

x2

x1

I x2 x1

I x1 I x2

I0 exp

αx1 I0 exp αx2 ,

I x2

x1

exp αx1 exp αx2 .

I0

,

:

I x2 x1

exp 106 106

exp 106 2 10 6

I0

0,23 .

exp 1 exp 2

1

1

1

1

1

exp 2

exp

2.7

7.3

:

23%

.

,

,

99%

10 5 .

.

–

,

x

I x

:

I x 1 R

I0 exp αx .

R

0 .

,

N :

α

N .

(8.8)

,

x0 10 5

1%.

-

I x0

exp

N x0 0.01.

I0

:

1

ln 0.01

1

ln 10 2

2

ln 10 .

(8.9)

N x0

N x0

N x0

(

),

.

N 5 1022

3 ,

(6.9)

:

2

2

5 1022

10 5

ln 10

10 17 2.3 9.2 10 18

2 .

5

,

:

9.2 10 18

2 .

З

3.

x 10 4

,

,

0

1

x1 2,1 10

4

85%

.

.

–

.

:

P x0

1

R

P0 exp

αx0 ,

R 0, P 1

.

x 10 4

0

0

,

,

–

:

P x1

P0 exp

αx1

:

1

α

ln

P x1

.

x1

P0

x0

P x0

P x0

P0 exp

ln

.

(8.10)

x1

P0

P x

1 exp 2,1 ln 0.15 exp 2,1 1.9

1

1

1,8 10 2

.

0

exp 4

54

:

10 4

1,8 10 2 .

З

4.

,

10.6

GaAs

10

4

,

,

50%

,

1,8 10

2

-3

1

I L

1

I

0

N

ln

ln

.

L

L

I0

I L

.

.

,

N N

1012 -3

0

ф

100 .

,

:

ф

1

1

.

α

N0