Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Введение в оптическую физику

..pdf
Скачиваний:
16
Добавлен:
05.02.2023
Размер:
7.23 Mб
Скачать

101

друг друга в точках, которые определяют направление оптической оси. Таким образом,

оптическая ось соответствует направлению волновой нормали, для которого фазовые скорости собственных волн (обыкновенной и необыкновенной) совпадают. Отметим,

что оптическая ось в одноосных кристаллах является единственной и совпадает с единственной осью симметрии 3-го, 4-го или 6-го порядков.

Если из одной точки отложить для всех направлений волновые векторы распространяющихся в кристалле волн одной частоты, то их концы образуют

поверхность волновых векторов. От поверхности показателей преломления она отличается только масштабом: отрезки, отложенные из начала координат, имеют длину

(λ) n(m) . Сечения поверхностей волновых векторов плоскостями xz и xy для оптически положительных ( ne > no ) и оптически отрицательных одноосных кристаллов

( no > ne ) показаны на рис. 6.6.

z

z

 

 

k0no

 

k0no

x

x

k0neord

k0neord

x

x

y

y

Рис. 6.6. Сечения поверхностей волновых векторов плоскостями xz и xy для одноосных кристаллов

102

6.8. Искусственная анизотропия

Врезультате воздействия на вещество упругими (акустическими),

электрическими и магнитными полями, имеющими частоту Ω ω , низкую по сравнению с частотой света, происходят изменения его структуры, очень незначительные. Однако малая длина световой волны и значительная длина оптического пути в веществе позволяет эффективно использовать эти слабые

наведенные

 

возмущения диэлектрической и магнитной

проницаемости среды

 

Deij

 

emm ,

 

mij

 

mmm для управления параметрами света.

Ниже мы ограничимся

 

 

 

 

анализом влияния на распространение света в веществе наведенной анизотропии диэлектрических свойств среды, полагая m = m0 .

6.8.1. Электрооптическая модуляция оптического излучения

Тензорное описание электрооптического эффекта

Перепишем материальное уравнение (6.5) в виде

 

 

 

 

 

1

ˆ

 

 

 

 

E =

 

b × D ,

(6.92)

 

 

e0

где

ˆ

ˆ

r

)

−1

- тензор диэлектрической непроницаемости среды.

Исторически

 

 

b = (e

 

 

 

 

сложилось, что действие внешних электрических полей на вещество принято рассматривать как наведение изменений тензора диэлектрической непроницаемости

 

 

ˆ

в следующем виде

среды для светового поля. Представим компоненты тензора b

b

= b0

+ Db (E0 ) ,

(6.93)

ij

ij

ij

 

где E0 - напряженность «низкочастотного» (по сравнению со световым)

электрического поля, прикладываемого к веществу. Если это поле далеко от порога разрушения или пробоя, оно приводит к небольшим изменениям оптических свойств среды, так что выполняются соотношения

Db

b0

,

(6.94)

ij

mm

 

 

(6.97)
bij , вкладом которых

103

где bmm0 − диагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости для

невозмущенной среды. Для случая диагонального тензора εˆ

0

ˆ

0

также является

 

, тензор b

 

диагональным:

 

 

 

 

 

 

 

 

1

0

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

εr

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11

 

 

 

 

 

 

 

0

=

1

δij

,

ˆ

0

=

0

1

0

 

,

(6.95)

bij

 

b

 

 

 

 

εijr

 

 

ε22r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

0

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε33r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и может быть найден по обычным правилам отыскания обратной матрицы.

Тензор bij , описывающий изменение диэлектрических свойств среды для светового излучения под действием «низкочастотного» электрического поля, можно представить в виде разложения по степеням E0 . Опыт показывает, что достаточно ограничиться линейными и квадратичными членами разложения:

b

= r

E0

+ R

E0 E0 .

(6.96)

ij

ijk

k

ijkl

k l

 

Здесь первый член описывает линейный электрооптический эффект Поккельса, а

второй – квадратичный электрооптический эффект Керра. Коэффициенты в разложении являются тензорами 3-го ( rijk ) и 4-го ( Rijkl ) рангов, а их компоненты называются соответственно электрооптическими и квадратичными электрооптическими постоянными.

Волновое уравнение, которое описывает распространение света в возмущенной среде, оперирует с тензором диэлектрической проницаемости εˆ = ε0ˆεr . Можно показать, что в пренебрежении квадратичными членами по можно пренебречь с большим запасом, выполняется соотношение

Δεijr = −εik0r ε0jlr bkl , εij = ε0 (εij0r + Δεijr ).

104

Линейный электрооптический эффект

В случае кристаллов без центра симметрии тензор 3-го ранга rijk отличен от нуля, и линейный электрооптический эффект (эффект Поккельса) является определяющим. В этом случае можно пренебречь в формуле (6.96) квадратичным

членом:

 

 

 

b

= r

E0 .

(6.98)

ij

ijk

k

 

Тензор 3-го ранга rijk

имеет в общем случае 27 компонент. Поскольку тензор εij

является симметричным,

εij = ε ji , то и тензор rijk симметричен по перестановке

первых двух индексов:

 

rijk = rjik .

 

(6.99)

Это дает возможность перейти от тензорных обозначений к матричным, заменив комбинацию индексов ij на один индекс (например, m) по правилам:

11 1, 22 ↔ 2, 33 ↔ 3; 23, 32 ↔ 4; 13, 31 ↔ 5; 12,21 ↔ 6. (6.100)

Эти правила легко запомнить для случая тензора второго ранга:

1

6

← 5

 

 

11

12

13

 

 

 

 

 

 

 

2

4 −

 

 

22

23

 

.

(6.101)

 

 

3 −

 

 

 

 

33

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таким образом, в общем случае матрица электрооптических коэффициентов может быть представлена в виде таблицы 6 × 3 . Симметрия кристалла накладывает ограничения на электрооптические коэффициенты. Многие из них оказываются равными нулю; некоторые коэффициенты связаны друг с другом определенными

соотношениями. Рассмотрим конкретный вид матрицы rmk для некоторых кристаллов.

Кубические нецентросимметричные кристаллы классов симметрии 23 и 43m

Имеют один независимый электрооптический коэффициент,

r123 = r213 = r231 = r312 = r321 = r132 . Таким образом, r41 = r52 = r63 , и

электрооптическому тензору соответствует следующая матрица:

 

 

 

 

 

 

105

 

 

0

0

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

0

0

0

 

 

rmk

=

0

0

0

.

(6.102)

 

 

r

0

0

 

 

 

 

41

 

 

 

 

 

 

0

r41

0

 

 

 

 

0

0

r41

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К кубическим

электрооптическим кристаллам относятся

GaAs, Bi12SiO20,

Bi12GeiO20, Bi12TiO20

и другие. Для кристаллов Bi12TiO20 и Bi12SiO20

r @ 5 ×10−12

м/В.

 

 

41

 

Для других кристаллов кубической сингонии электрооптические коэффициенты имеют меньшие значения.

Кристаллы симметрии 4mm

 

 

 

 

 

 

Являются

одноосными

и

характеризуются

тремя

независимыми

электрооптическими

 

коэффициентами:

r113 = r223

(r13 = r23 ) ,

r333 = r33 ,

r232 = r322 = r131 = r311 (r42 = r51 ) . Электрооптический тензор

изображается

матрицей

коэффициентов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

r13

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

0

r13

 

 

 

 

 

 

 

rmk =

0

0

r33

.

 

 

 

 

(6.103)

 

0

r

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

42

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r42

0

0

 

 

 

 

 

 

 

 

0

0

0

 

 

 

 

 

 

 

К данному классу симметрии относятся сегнетоэлектрические кристаллы BaTiO3;

стронций-бариевый

ниобат (SrxBa1-xNb2O6),

кратко SBN;

и другие. Для BaTiO3

r = 730×10−12

м/В,

r = 46 ×10−12

м/В,

r = 10, 2 ×10−12 м/В, то есть имеется большая

42

 

 

43

 

 

13

 

 

 

 

анизотропия электрооптического эффекта. «Недиагональный» коэффициент r42 в этом

кристалле более чем на 2 порядка превосходит электрооптический

коэффициент

кубических кристаллов.

 

 

Для SBN при x = 0, 75

максимален электрооптический

коэффициент

r33 = 237 ×10−12 м/В. Отметим, что эти коэффициенты зависят и от длины световой волны, то есть имеет место дисперсия электрооптических постоянных.

106

Кристаллы симметрии 3m

Данные кристаллы имеют одну ось симметрии третьего порядка, то есть являются одноосными. Наиболее широкое применение в различных областях оптики,

оптоэлектроники, интегральной оптики имеют монокристаллы этой симметрии ниобат лития LiNbO3 и танталат лития LiTaO3. Электрооптическому тензору для кристаллов симметрии 3m соответствует матрица коэффициентов

 

 

r22

r13

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

0

r22

r13

 

 

 

 

 

 

 

rmk =

0

0

r33

.

 

 

 

 

(6.104)

 

0

r

0

 

 

 

 

 

 

 

51

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r51

0

0

 

 

 

 

 

 

 

 

r22

0

0

 

 

 

 

 

 

 

Для кристалла

LiNbO3

на

длине

волны λ = 633 нм

электрооптические

коэффициенты

принимают

значения:

r = 3, 4×10−12

м/В,

r = 8, 6 ×10−12

м/В,

 

 

 

 

 

 

 

22

 

13

 

r = 30,8 ×10−12

м/В,

r = 28×10−12

м/В.

 

 

 

 

33

 

 

51

 

 

 

 

 

 

 

Распространение световых волн в среде с линейным двулучепреломлением при

однородном внешнем поле

Как и в

подразделе 6.7, ограничимся

анализом

распространения плоских

 

 

 

 

 

 

монохроматических волн с волновым вектором

k = k0nm

и

векторной амплитудой

E m = Eme , где единичные векторы волновой нормали m

и

поляризации

e имеют

компоненты mm

и ek (m, k = 1, 2, 3), соответственно. В этом случае, для

среды без

потерь и в отсутствие гиротропии волновое уравнение сводится (ср. с уравнениями

(6.55) и (6.81)) к следующей системе алгебраических уравнений для собственных волн:

n2

(δ

mk

m m

) − ε r e = 0 ,

(6.105)

 

 

m k

mk k

 

где в соответствии с соотношениями (6.97) компоненты тензора относительной диэлектрической проницаемости имеют вид

εr

= ε0r

− ε0r

ε0r r

E

0 .

(6.106)

mk

mk

mi

kj ijk

 

k

 

Здесь мы считаем поле Ek0 заданным и однородным, и пренебрегаем квадратичным

электрооптическим эффектом.

107

Рассмотрим распространение волн вдоль оси x в кристалле ниобата лития, к

которому внешнее поле приложено вдоль оси z (рис. 6.7).

Z

U(t)

 

d

x

 

0

Рис. 6.7.

В этом случае, в соответствии с формулами (6.97), (6.98) и видом электрооптического тензора (6.104), тензор возмущений относительной диэлектрической проницаемости внешним электрическим полем Δεˆ будет диагональным:

Δεr = −n4r E0

,

Δεr

= −n4r

E0 ,

Δεr = −n4r

E0

,

(6.107)

11

 

o 13

3

 

22

o 13

3

33

e 33

3

 

 

ε 0r = ε 0r

= n2

,

ε 0r = n2 ,

 

 

 

 

 

(6.108)

11

22

o

 

33

e

 

 

 

 

 

 

где n0 и ne

– обыкновенный и необыкновенный показатели преломления кристалла.

Поскольку вектор

m имеет компоненты

m1 = 1,

m2 = m3 = 0 , уравнение (6.105)

принимает вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

−ε r

e

= 0,

 

 

 

11 1

 

 

 

 

 

(n2 − ε r

)e = 0,

(6.109)

 

 

 

22

2

 

 

 

 

(n2 − ε r )e = 0.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

33

3

 

 

 

 

Отсюда находим, учитывая соотношения (6.107) и (6.108):

e1 = 0,

 

 

 

 

 

n2

= ε r

= n2

n4r E0

,

e(1) = 1;

(6.110)

1

 

22

o

o 13 3

 

2

 

n22

= ε33r

= ne2

ne4r33E30

,

e3(2) = 1.

 

Таким образом, одна

 

собственная волна имеет обыкновенную

поляризацию

(1)

направлен вдоль оси y) и показатель преломления n1:

 

(вектор e

 

 

108

n = n +

 

n

n3r

E0

= −

n3r

U

 

n ,

o 13

o 13

 

 

.

(6.111)

 

 

 

1 o

o

o

2

3

 

2

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

Вторая собственная волна имеет необыкновенную поляризацию (вектор e(2)

направлен вдоль оси z) и показатель преломления n2:

 

= n +

 

n

n3r

E0

= −

n3r

U

 

n

n ,

e 33

e 33

 

 

.

(6.112)

 

 

 

2

e

e

e

2

3

 

2

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В случае входной световой волны с произвольной поляризацией поле в кристалле будет представлять линейную суперпозицию двух собственных волн – обыкновенной и необыкновенной.

Фазовый электрооптический модулятор поперечного типа

Конструкция фазового модулятора поперечного типа имеет вид, изображенный

на рис. 6.7. В случае распространения необыкновенно поляризованной волны имеем

 

 

 

z 0 exp[it

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E(l, t) = E

n l)]exp[−i

 

n(t)l)] =

 

 

λ

 

 

3m

 

 

 

 

 

 

 

λ

 

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n3r

 

 

(6.113)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l

= E z 0 exp[it

 

 

n l)]exp[i

 

 

 

 

e 33

 

U (t)

 

].

λ

λ 2

 

 

3m

 

 

 

 

 

e

 

 

 

 

 

 

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таким образом, световая волна на выходе модулятора приобретает фазовую

модуляцию с величиной фазового сдвига

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n3r

 

 

 

 

 

l

 

 

 

 

 

ψ(t) = −

 

 

n(t)l =

 

 

 

 

e 33

U (t)

 

 

.

 

 

(6.114)

λ

 

 

λ

 

 

2

 

d

 

 

Качество материала модулятора, определяемое его физическими свойствами,

характеризуется

 

величиной

n3r .

Для ниобата лития рассмотренная ориентация

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e

33

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

внешнего поля и поляризация света являются оптимальными, поскольку r33 имеет самую большую величину.

При поляризации света вдоль оси y качество материала будет определяться

параметром n3r

, примерно в три раза меньшим, чем n3r .

 

 

o 13

 

e 33

 

 

Величина

l d определяется размерами кристалла

и светового пучка и для

объемного модулятора может

составлять 10 ÷ 30 , при

апертуре

пучка ~ 1 мм и

длине кристалла 10 ÷ 30 мм. Для электрооптических модуляторов

на полосковых

волноводах эта величина, l d , как минимум на порядок больше.

 

Очень часто в качестве характеристики фазового модулятора используют

полуволновое напряжение Uλ / 2

напряжение, при котором дополнительный фазовый

сдвиг ψ в модуляторе равен π . Обычно оно составляет сотни вольт.

 

109

Амплитудный электрооптический модулятор

Рассмотрим световую волну на входе устройства, изображенного на рис. 6.7, при

ее поляризации под углом 45 к осям z и y. В этом случае поле на выходе кристалла будет иметь две составляющие

E

 

(l, t) =

 

 

E

 

m

 

exp(iωt) exp(−i

 

 

 

n l) exp(−i

 

n l),

(6.115)

z

 

 

 

 

 

 

 

λ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

e

 

 

λ

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

(l, t) =

 

E

m

 

exp(iωt) exp(−i

 

 

n l) exp(−i

n l),

(6.116)

y

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

λ

 

 

o

 

 

λ

o

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

равные по амплитуде, и имеющие как постоянный фазовый сдвиг

Γ

 

 

=

(n

n )l,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(6.117)

oe

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

λ

o

 

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

так и зависящий от приложенного напряжения

 

 

 

 

 

 

 

Γ(t) =

[ n (t) −

n (t)]l =

 

 

(n3r

n3r

 

)

U (t)

l .

(6.118)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

λ

 

 

 

o

e

 

 

λ

 

 

e 33

o 13

 

 

 

2d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для нормальной работы амплитудного модулятора постоянный фазовый сдвиг

Γoe нужно довести до значения

 

 

πp , где p

 

 

 

 

целое число.

Это можно сделать с

помощью четвертьволновой пластинки, представляющей x- или y-срез одноосного

кристалла

с толщиной t = λ [4(no ne )] , осуществляющей

фазовую задержку в

Γm = π 2

между обыкновенной и необыкновенной волнами.

Чаще всего для этого

используют тонкие пластины слюды, толщину которых можно подобрать их расщеплением. Поворачивая такую пластину на некоторый угол, можно изменять

вносимый ею фазовый сдвиг от − π2 до π2 . Тогда на выходе системы (рис. 6.8)

будет иметь место линейная поляризация светового поля, которую можно подавить анализатором А.

Таким образом, при U = 0 интенсивность выходного излучения будет равна

нулю.

 

При

 

U = Uλ 2

она

будет

 

максимальна, а амплитудная характеристика

пропускания модулятора будет иметь вид

 

 

 

 

 

 

I

 

(t)

 

 

Γ(t)

 

 

 

 

 

 

 

 

T (t) =

вых

= sin2

= sin2

 

π U (t)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

(6.119)

 

 

 

Iвх

 

2 Uλ 2

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где U

λ 2

= λd [(n3r

n3r

 

)l].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e 33

o 13

 

 

 

 

 

 

 

 

 

110

 

 

z

λ

 

 

 

 

 

 

4

A

e

°

 

 

 

45

 

 

Входной

 

Выходной

 

пучок

пучок

 

 

 

 

 

 

 

y

 

 

 

Рис. 6.8.

 

T

1

Интенсивность 0.5 прошедшего

света

Uλ 4

Uλ 2

U

Модулирующее

напряжение

Рис. .68.9.9.

Амплитудная характеристика модулятора изображена на рис. 6.9, где для обеспечения линейности к модулятору приложено постоянное смещающее напряжение

Uλ4 .

6.8.2. Квадратичный электрооптический эффект

Когда линейный электрооптический эффект отсутствует (в кристаллах с центром симметрии и в изотропной среде), вклад в изменение оптических свойств среды под