Лаб 7.1 ИССЛЕДОВАНИЕ полупроводникового диода в динамическом и импульсном режимах
.docxСанкт-Петербургский государственный университет телекоммуникации им. проф. М.А. Бонч-Бруевича
Кафедра электроники и схемотехники.
ОТЧЁТ
по лабораторной работе №7.1:
«Исследование
полупроводникового диода в динамическом и импульсном режимах»
по дисциплине «Электроника»
Выполнил:
Исследование полупроводникового диода в динамическом и импульсном режимах
Цели работы:
Освоить методику исследования полупроводниковых приборов в
динамическом и импульсном режимах.
Исследовать влияние частоты входного сигнала на работу полу-
проводникового диода в схеме выпрямителя.
Исследовать процесс восстановления закрытого состояния диода
в импульсном режиме.
Результаты работы:
1.Исследование полупроводникового диода
в динамическом режиме
1.2. Исследование амплитудно-частотной
характеристики выпрямителя
Схема установки:
UГ = 1 В Таблица 7.1
fГ |
КГц |
0,1 |
1,0 |
5,0 |
10,0 |
20,0 |
50,0 |
100 |
200 |
IО |
мА |
0,5 |
0,5 |
0,5 |
0,48 |
0,39 |
0,28 |
0,17 |
0,12 |
IО НОРМ |
- |
1 |
1 |
1 |
0,96 |
0,78 |
0,56 |
0,34 |
0,24 |
fпред=28кГц
График 7.1. АЧХ выпрямителя
Осциллограммы:
1 КГц:
10КГц:
100 КГц:
fПРЕД:
2.Исследование полупроводникового
диода в импульсном режиме
Схема установки:
Осциллограммы:
UГ= 2 В
UГ= 5 В
UГ = 10 В
Таблица 7.2
-
UГ
В
2
5
10
Uобр
В
6,6
13,8
21,2
tВОСТ
мкс
9
11
11
QПЕР
Кл*10-9
16.2
25.85
22
График 7.2. Зависимость tВОСТ и Qпер от величины размаха импульсов UГ.
Выводы:
Завал АЧХ на высоких частотах определяется инерционностью процессов, протекающих на самом транзисторе, т.е инерционностью движения носителя заряда
При увеличении размаха входного импульса величина заряда переключения увеличивается
В динамическом режиме выпрямительные свойства диода ухудшаются с увеличением частоты. Динамический режим начинается, когда начинает падать Iнорм .