ОТЧЁТ

по лабораторной работе №8:

«Исследование биполярного транзистора в импульсном режиме»

по дисциплине «Электроника»

Выполнил:

Группа:

Проверил: Бочаров Е.И.

Исследование биполярного транзистора в импульсном режиме

Цель работы:

1. Освоить методику экспериментального исследования полупро-водниковых приборов в импульсном режиме.

2. Исследовать статические характеристики транзисторного ключа.

3. Измерить параметры, характеризующие инерционность работы транзисторного ключа.

Результаты работы:

1. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРНОГО КЛЮЧА

Таблица 8.1

UВХ	В	0	0,45	0,55	0,6	0,65	0,7	0,75	0,8	0,85	0,9	1,0	1,5	3,0
IБ	мкА	0	0	3	9	18	29	42	54	69	83	115	250	730
UВЫХ	В	5,0	5,0	4,9	4,5	3,8	2,95	1,75	0,65	0,15	0,10	0,08	0,05	0,03

График 8.1. Входная и придаточная характеристика

Данные по придаточной характеристике:

Открытое состояние ключа при Uвх от 0,82В до 3В

Закрытое состояние ключа при Uвх от 0В до 0,82В

Переключения ключа при Uвх от 0,82В до 3В

Iб мин=62мкА

2. ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ХАРАКТЕРИЗУЮЩИХ ИНЕРЦИОННОСТЬ ТРАНЗИСТОРНОГО КЛЮЧА

Схема установки:

Осциллограмма (Umax=2В):

График 8.2. Интервалы времен tз, tф, tp, tc

tз=0,8 мкс

tф=2 мкс

tp=0,2 мкс

tc=0,6 мкс

3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТЕЙ ВРЕМЕНИ НАРАСТАНИЯ ФРОНТА И ВРЕМЕНИ РАССАСЫВАНИЯ ОТ ГЛУБИНЫ НАСЫЩЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА

Осциллограммы:

1)Umax=4В:

tз=0,6 мкс

tф=0,5 мкс

tp=1,2 мкс

tc=0,8 мкс

2)Umax=8В:

tз=0,4 мкс

tф=0,2 мкс

tp=1,7 мкс

tc=0,8 мкс

I_б = U_макс / 2 R1

n = I_б / I_{б мин}

Таблица 8.2

Uмакс	В	2	4	8
tф	мкс	2	0,5	0,2
tр	мкс	0,2	1,2	1,7
Iб	мкА	303	606	1212
n	-	4,8	9,7	19,3

График 8.3. Зависимость tф и tр от глубины насыщения n.

Вывод:

1. При увеличении глубины насыщения время рассасывания увеличивается

2. При увеличении глубины насыщения время нарастания фронта уменьшается

3. Входная характеристика показывает, как растет Iб

4. Передаточная характеристика показывает, когда транзистор находится в режиме отсечки, то транзистор закрыт, а ключ разомкнут.