Лаб 8 Исследование биполярного транзистора
.docxОТЧЁТ
по лабораторной работе №8:
«Исследование биполярного транзистора в импульсном режиме»
по дисциплине «Электроника»
Выполнил:
Группа:
Проверил: Бочаров Е.И.
Исследование биполярного транзистора в импульсном режиме
Цель работы:
Освоить методику экспериментального исследования полупро-водниковых приборов в импульсном режиме.
Исследовать статические характеристики транзисторного ключа.
Измерить параметры, характеризующие инерционность работы транзисторного ключа.
Результаты работы:
1. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРНОГО КЛЮЧА
Таблица 8.1
UВХ |
В |
0 |
0,45 |
0,55 |
0,6 |
0,65 |
0,7 |
0,75 |
0,8 |
0,85 |
0,9 |
1,0 |
1,5 |
3,0 |
IБ |
мкА |
0 |
0 |
3 |
9 |
18 |
29 |
42 |
54 |
69 |
83 |
115 |
250 |
730 |
UВЫХ |
В |
5,0 |
5,0 |
4,9 |
4,5 |
3,8 |
2,95 |
1,75 |
0,65 |
0,15 |
0,10 |
0,08 |
0,05 |
0,03 |
График 8.1. Входная и придаточная характеристика
Данные по придаточной характеристике:
Открытое состояние ключа при Uвх от 0,82В до 3В
Закрытое состояние ключа при Uвх от 0В до 0,82В
Переключения ключа при Uвх от 0,82В до 3В
Iб мин=62мкА
2. ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ХАРАКТЕРИЗУЮЩИХ ИНЕРЦИОННОСТЬ ТРАНЗИСТОРНОГО КЛЮЧА
Схема установки:
Осциллограмма (Umax=2В):
График 8.2. Интервалы времен tз, tф, tp, tc
tз=0,8 мкс
tф=2 мкс
tp=0,2 мкс
tc=0,6 мкс
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТЕЙ ВРЕМЕНИ НАРАСТАНИЯ ФРОНТА И ВРЕМЕНИ РАССАСЫВАНИЯ ОТ ГЛУБИНЫ НАСЫЩЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА
Осциллограммы:
1)Umax=4В:
tз=0,6 мкс
tф=0,5 мкс
tp=1,2 мкс
tc=0,8 мкс
2)Umax=8В:
tз=0,4 мкс
tф=0,2 мкс
tp=1,7 мкс
tc=0,8 мкс
Iб = Uмакс / 2 R1
n = Iб / Iб мин
Таблица 8.2
Uмакс |
В |
2 |
4 |
8 |
tф |
мкс |
2 |
0,5 |
0,2 |
tр |
мкс |
0,2 |
1,2 |
1,7 |
Iб |
мкА |
303 |
606 |
1212 |
n |
- |
4,8 |
9,7 |
19,3 |
График 8.3. Зависимость tф и tр от глубины насыщения n.
Вывод:
При увеличении глубины насыщения время рассасывания увеличивается
При увеличении глубины насыщения время нарастания фронта уменьшается
Входная характеристика показывает, как растет Iб
Передаточная характеристика показывает, когда транзистор находится в режиме отсечки, то транзистор закрыт, а ключ разомкнут.