
- •Глава 4 конструкции и методы изготовления печатных плат
- •Глава 4 конструкции и методы изготовления печатных плат 1
- •4.2.3. Дпп на металлическом основании
- •Глава 4 конструкции и методы изготовления печатных плат 1
- •4.2.6. Ритм-платы
- •Глава 4 конструкции и методы изготовления печатных плат 1
- •4.З.1.5. Метод послойного наращивания
4.2.3. Дпп на металлическом основании
При изготовлении теплонагруженных ДПП для отвода теплоты в качестве основания применяют металлические листы из алюминия, меди, стали или титана толщиной 0,1...3,0 мм, покрытые изоляционнйм слоем. При этом наиболее ответственным моментом является процесс нанесения изоляционного слоя с требуемыми параметрами изоляции. Чаще всего применяют эпоксидное покрытие толщиной 40... 150 мкм, которое наносят в ввде нескольких слоев эпоксидной пасты или порошка с оплавлением каждого слоя при температуре (180 ± 5) °С.
Основными этапами изготовления ДПП на Металлическом основании являются (табл. 4.14):
сверление отверстий;
нанесение изоляционного слоя;
получение токопроводящего рисунка ДПП аддитивным или электрохимическим методами.
Таблица
4.14.Основные
этапы ТП изготовления ДПП на металлическом
основании
Применение теплопроводных ПП на металлическом основании в связи с постоянным ростом функциональной сложности и тепловыделения ЭРИ и ПМК становится наиболее актуальным.
ДПП общего применения на термопластичном основании
ДПП на термопластичном основании можно изготовить:
электрохимическим методом (см. табл. 4.10);
методом фотоформирования (см. табл. 4.12);
с применением активирующих паст (см. табл. 4.13).
Таблица 4.15. Основные этапы изготовления ДПП на термопластичном основании методом фотоформирования Основные этапы Отливка заготовки из термопластичного материала (литье под давлением) Нанесение адгезионного слоя и фотоактиватора на заготовку Получение рисунка схемы методом фотоселективной активации: а) УФ-экспонирование; б) проявление рисунка Толстослойное химическое меднение Нанесение паяльной маски Лужение Отмывка флюса Маркировка, контроль
Контроль электрических параметров |
Основные этапы изготовления ДПП на термопластичном основанииметодом фотоформирования приведены в табл. 4.15.
Технология изготовления ДПП на термопластичном основании в настоящее время требует доработки.
М.5. Рельефные платы
Авторами конструкции и технологии изготовления рельефных плат РП) в нашей стране являются А. В. Богданов и Ю. А. Богданов. Рельеф- ис платы получили свое название благодаря рельефной форме проводников, которые расположены в изоляционном основании платы и в сечении [шеют форму трапеции (рис. 4.8). Эта конструкция проводника за счет вы- экой прочности сцепления меди с основанием в значительной степени эвышает стойкость к перепайкам (до 50 перепаек), хотя в 2—3 раза мень- це по ширине по сравнению с обычным печатным проводником при одом и том же сечении по меди.
Металлизированные монтажные отверстия РП имеют форму сдвоенной воронки без цилиндрической части, что позволяет отказаться от контакт- ых площадок (рис. 4.9). Такая форма отверстий обеспечивает прочное сцепление слоя металлизации с диэлектриком, повышает Надежность РП ри эксплуатации.
а а а а
1 2 3 4 5
Рис.
4.10. Рельефная плата в разрезе: 1— проводник;2— переходное отверстие;3— монтажное отверстие;4— глухое отверстие; 5 — ламель;В1иB2— ширина проводника и ламели на
поверхности РП;dp1иdр2— ширина проводника и ламели в глубине
РП;Н— толщина заготовки РП;h1иh2— глубина
проводника и ламели;D1,D2,Dз
— диаметр переходного, сквозного
монтажного и глухого отверстий на
поверхности;D01,D02,D0з—
диаметр
переходного, сквозного монтажного и
глухого отверстий в глубине РП
соответственно; а — угол конуса
Отсутствие контактных площадок, малая ширина проводников, расположение переходных металлизированных отверстий, диаметр которых не превышает ширины проводника в шаге трассировки, позволяют изготавливать РП повышенной плотности монтажа, эквивалентные 6—10-слойным МПП в зависимости от шага трассировки, и располагать 4—5 проводников между отверстиями диаметром 0,8 мм и межцентровым расстоянием 2,5 мм [40],
Все виды элементов проводящего рисунка РП представлены на рис. 4.10.
Ортогональное расположение проводников (в продольном направлении на, одной стороне и в перпендикулярном на другой) позволяет размещать переходные отверстия в любой точке пересечения трасс с шагом 0,3 мм, что укорачивает электрические связи, снижает уровень помех, паразитные связи и т. п. Роль экранов в РП выполняют шины земли и питания, которые чередуются с проводниками логических связей. Проектирование РП осуществляется с помощью систем автоматизированного проектирования на базе пакетов прикладных программ типа ПРАМ 5/3, PCAD4.5—8.5, СПРИНТ,DisignLab,RELEFи др.
Преимущества РП:
сверхвысокая плотность монтажа ЭРИ на ПП, габариты и функциональные возможности которой эквивалентны МПП при уплотненной компоновке;
высокий класс точности (4 или 5);
возможность применения как традиционной элементной базы, так и ПМК;
низкая трудоемкость проектирования РП за счет применения простого алгоритма трассировки;
высокая эксплуатационная надежность РП;
• возможность замены фольгированных стекловолокнистых диэлектриков лучшими по качеству полимерными нефольгированными материалами, имеющими более низкую стоимость;
отсутствие экологически вредных фотохимических процессов нанесения защитного рельефа, процессов изготовления оригиналов, фотошаблонов и соответствующего оборудования;
возможность наиболее полной механизации и автоматизации ТП изготовления и контроля РП;
общее число операций ТП изготовления РП примерно в 10 раз меньше, чем при изготовлении МПП;
•. электрическое сопротивление проводника по постоянному току в 1,5 раза меньше, чем у МПП;
высокая устойчивость к изгибам (возможен прогиб РП до 40...50 % относительно длины).
Конструирование рельефных плат
Конструирование РП выполняется в той же последовательности что и конструирование ОПП, ДПП, МПП и ГПП (см. выше).
Выбор типа конструкции ПП (РП).
Выбор класса точности (4, 5 — для РП).
Выбор материала основания (СТАМ для РП ТУ16-503.240—83, СТЭФ).
Выбор габаритных размеров РП. При этом возможны следующие варианты:
а) при использовании базовых несущих конструкций (БНК) 1-го уровня (ячейки и РП) предпочтительными являются размеры 170 х 200; 170х150; 170х110; 170x75;
б) при разработке оригинальной конструкции модуля 1-го уровня необходимо, чтобы установочные и присоединительные размеры позволяли устанавливать ячейку в БНК более высоких конструктивных уровней;
в) при разработке ячейки и РП оригинальной конструкции.
Во втором и третьем варианте рассчитывают площадь РП с учетом установочных площадей ЭРИ, ПМК, шага и варианта их установки. Коэффициент заполнения РП и прочие размеры сторон РП подбирают по' ГОСТ 10317-79.
Максимальную толщину РП выбирают в зависимости от выбранного шага трассировки, который равен минимальному расстоянию между центрами переходных металлизированных отверстий.
Установка соединителей. Электрические соединители устанавливают вдоль большей стороны РП или вдоль той стороны, перпендикулярно которой проходит большинство трасс проводников.
Выбор варианта установка, формовки ЭРИ по ОСТ4010.030Л-81 и
ПМК по РД107.460000.019—90, а также номенклатуры применяемых монтажных отверстий (рис. 4.11—4.17). <
Для установки ЭРИ с планарными выводами на РП изменяют типовую формовку выводов. Поскольку ЭРИ имеют большую установочную площадь, то их устанавливают в сквозные и глухие отверстия (как показано на рис. 4.12, 4.13, 4.14 и 4.17), что сокращает установочную площадь на
.25 %.
Рис.
4.13. Установка и пайка ЭРИ с плоскими
планарными выводами, формованными
для установки в глухое круглое монтажное
отверстие и пайки встык
Рис. 4.11. Установка и пайка ЭРИ с плоскими планарными выводами и ПМК в металлизированную ламель
Рис; 4.12. Установка и пайка ЭРИ с плоскими планарнымй выводами, формованные для установки в сквозное круглое монтажное отверстие
Рис. 4.15. Установка и пайка ЭРИ с плоскими планарными выводами в глухое О-образное монтажное отверстие
Рис. 4.14. Установка и пайка эрис плоскими планарными выводами, формованными для установки в сквозное О-образное монтажное отверстие РП
Рис. 4.17. Установка и пайка ЭРИ с круглыми штыревыми выводами в сквозное круглое монтажное отверстие
Рис. 4.16. Установка и пайка ЭРИ с плоскими штыревыми выводами в сквозное круглое ионтажное отверстие
Наибольшую плотность монтажа обеспечивают варианты установки ЭРИ в глухие отверстия.
Размещение и трассировка ЭРИ (ПМК). При этом основными требованиями являются: обеспечение минимальной длины связи, минимального количества переходов с одной стороны на другую, исключения паразитных связей между проводниками и пр. Для выполнения этих требований наиболее целесообразно однотипные ЭРИ и ПМК располагать рядами, а монтажные отверстия разнотипных ЭРИ, ПМК и ламели — в одну линию.
За начало отсчета при конструировании принимают левый нижний угол РП. Трассировка рисунка схемы может проводиться с шагом 0,3; 0,4; 0,5; 0,625 мм. Пример варианта трассировки представлен на рис. 4.18 и 4.19. Малый шаг трасрировки в сочетаний с переходными отверстиями в шаге трасг сировки позволяют получать высокие трассировочные возможности РП.
Выбор шага координатной сетки. Особенностью РП является возможность использования постоянных и переменных шагов трассировки,
2,5
2
Рис.
4.18. Пример трассировки РП: 1— проводник шириной 0,25 мм;2— переходные отверстияD\
=0,25 мм;
минимальный шаг трассировки — 0,5 мм;
сквозные монтажные отверстия в шаге
2,5 мм —d=1,2 мм; элементная база — микросхемы в
корпусе ЩР
Рис.
4.19. 1— переходные отверстия;2— проводник шириной 0,2 мм;3— глухие отверстия; минимальный шаг
трассировки — 0,4 мм; глухие монтажные
отверстия в шаге 1,25 мм — </=0,8мм; элементная база — микросхемы с
планарными выводами, сформированными
перпендикулярно плоскости
основания; проводники первого
слоя; проводники
второго
слоя .
что повышает трассировочные возможности за счет симметричного прохождения трасс через большинство монтажных точек. Выбор шага выполняют в соответствии с шагом ЭРИ (ПМК), устанавливаемых на РП. Например, при использовании ЭРИ с шагом выводов 1,25 используют переменные шаги трассировки S= 0,4 + 0,4 + 0,45 = 1,25 мм; при шаге выводов ЭРИ равном 1,0 мм —S=0,33 + 0,33 + 0,34 = 1,0 мм и т. д.; шаг трассировки зависит также от толщины заготовки (табл. 4.16).
Таблица 4.16.Основные параметры проводников РП
Параметр проводника РП | ||||
Шаг трассировки S, мм |
Ширина В1, мм |
Глубина h1, мм |
Угол конуса а, град |
Толщина 1 заготовки Я, мм |
0,3 |
0,15 |
0,1 |
32 |
0,5...0,8 |
0,4 |
0,2 |
0,12 |
32 |
0,8-1 |
0,5 |
0,25 |
0,15 |
32 |
1,0... 1,2 |
0,625 |
0,3 |
0,15 |
40 |
1,2...1,5 |
Расчет элементов проводящего рисунка РП:
а) расстояние между элементами проводящего рисунка и краем РП должно быть не менее 0,3 мм;
б) расстояние от края паза, выреза, неметаллизированного отверстия до элементов проводящего рисунка должно быть не менее 0,3 мм;
в) расстояние между элементами проводящего рисунка — не менее 2 мм;
г) расчет ширины печатных проводников. Выполняется в соответствии с допустимой токовой нагрузкой по ГОСТ 23751—86 (см. разд. 3.12.4);
д) расчет наименьшего номинального расстояния между двумя проводниками. Выполняется с учетом значений рабочих напряжений по ГОСТ 23751-86 (см. разд. 3.12.6).
Расчет параметров рельефного рисунка при фрезеровании и сверлении отверстий РП.
Ширину проводников В1 и ламелейВ2рассчитывают следующим образом (см. рис. 4.10):
B=dp+2tgα/2h, (4.1)
где dp — наименьшее номинальное значение ширины проводника, рассчитанное с учетом рабочих напряжений и токов;
h— глубина проводника (см. табл. 4.16) или ламели (табл. 4.20).
Диаметры переходных, монтажных и глухих отверстий определяют по формуле
D=D0+2tgα/2H. (4.2)
Здесь Н— толщина заготовки РП (см. табл. 4.16) или глубина сверления глухих отверстий (табл. 4.19);
D0(D0l, D02,Z) — диаметр переходного, сквозного монтажного и глухого отверстий в глубине РП (см. табл. 4.17, 4.18, 4.19 или формулу (4.3)).
Основные параметры проводников, переходных монтажных, глухих от-; верстий и ламелей представлены в табл. 4.16—4.20.
Таблица 4.17.Основные параметры переходных отверстий
Шаг трассировки РП S, мм |
Толщина заготовки РП H, мм |
Диаметр переходного отверстия на поверхности заготовки D1, мм |
Диаметр переходного отверстия в глубине РП D01, мм |
Угол конуса пе- рехедного отверстия а, град |
0,3 |
0,5...0,8 |
0,16 |
0,11 |
6 |
0,4 |
0,8 1,0 |
0,22 0,22 |
0,13 0,16 |
12 6 |
|
0,8 1,0 1,2 1,5 |
0,25 0,25 0,3 0,3 |
0,16 0,13 0,18 0,15 |
12 12 12 12 |
U,OZJ |
0,8 1,0 1,2 1,5 |
0,3 0,3 0,3 0,35 |
0,2 0,19 0,18 0,13 |
12 12 12 12 |
Таблица 4.18.Основные параметры монтажных отверстий РП дляt„ =0,025 мм иf, = 0,1 мм
Диаметр монтажного отверстия на поверхности заготовки D2,мм
Диаметр монтажного отверстия в глубине РП Д)2, мм
Угол конуса монтажного отверстия а, град
|
0,7 |
1,0 |
1,2 |
1,5 |
|
0,5 |
0,65 |
0,71 |
0,75 |
0,82 |
|
0,6 |
0,75 |
0,81 |
0,85 |
0,92 |
|
0,7 |
0,85 |
0,91 |
0,95 |
1,02 |
|
0,8 |
0,95 |
1,01 |
1*05 |
1,12 |
|
0,9 |
1,05 |
1,11 |
1,15 |
1,22 |
|
1,0 |
1,15 |
1,21 |
1,25 |
1,32 |
24 |
1,1 |
1,25 |
1,31 |
1,35 |
1,42 |
|
1,2 |
1,35 |
1,41 |
1,45 |
1,52 |
|
1,3 |
1,45 |
1,51 |
1,55 |
1,62 |
|
1,4 |
1,55 |
1,61 |
1,65 |
1,72 |
|
1,5 |
1,65 |
1,71 |
1,75 |
1,82 |
|
Толщина
заготовки
,
мм
Таблица
4.19.Основные
параметры глухих отверстий
Шаг трассировки РП S, мм |
Диаметр глухого отверстия на поверхности Z>3, мм |
Диаметр основания глухого отверстия в глубине РП D0з, мм |
Угол конуса глухого отверстия а, град |
Глубина сверления глухого отверстия h, мм |
0,3 |
0,65 |
0,48 |
|
|
0,4 |
0,8 |
0,65 |
|
|
0,5 |
0,65 0,8 |
0,5 0,65 |
24 |
0,4 |
0,625 |
0,8 |
0,63 |
|
|
Таблица 4.20.Основные параметры ламелей
Шаг трассировки РП S, мм |
Ширина ламели на поверхности B2, мм |
Глубина фрезерования ламели h2, мм |
Угол конуса ламели а, град |
0,3 |
0,65 |
|
|
0,4 4 |
0,8 |
|
24 |
0,6 |
0,65 |
0.2 | |
.0,625 |
0,8 |
|
|
Допускается уменьшение ширины проводящего рисунка по сравнению с шириной рельефного рисунка, при этом минимально допустимая ширина проводящего рисунка должна быть не менее 0,15 мм для проводников шириной 0,25 мм и 0,65 мм для проводников шириной 0,8 мм. :
Уменьшение размеров остальных элементов проводящего рисунка не должно превышать 0,15 мм.
Диаметр монтажных и глухих отверстий D0в глубине РП, в которые ус-’ танавливают ЭРИ, рассчитывают по формуле:
D0=dK+2(tм+a) (43)
где dK— диаметр описанной окружности вывода ЭРИ;
tм— толщина металлизации; >
tз— минимальный зазор между выводами ЭРИ и металлизированным монтажным или глухим отверстием.
Значения D02приведены в табл. 4.18 дляtм= 0,025 мм иt3= 0,1 мм.
Пример 4.1. Рассчитать параметры рельефного рисунка, полученного фрезерованием и сверлением заготовки РП: ширину В\й глубинуh\проводника, выбрать минимальный шаг трассировкиS,толщину заготовкиН, параметры переходных отверстий, форму монтажных (сквозных или глухих) отверстий; рассчитать диаметр монтажных отверстий Дп и диаметр на поверхности заготовкиD\для установки
ИМС в корпусе 201.14-8 (DIP) при ширине проводника в глубине РПdp =0,15 мм (рис. 4.20).
Решение. Рассчитаем ширину проводника 5, на поверхности РП по формуле (4.1)
В1=dp+2tgα/2h1
при dр= 0,15 мм — ширина проводника в глубине РП;h1= 0,12 мм — глубина проводника; а = 32° — угол конуса проводника (см. табл. 4.16):
В1= 0,15 + 2tg16° • 0,12 = 0,15 + 2 • 0,28 • 0,12 = 0,21 мм.
По табл. 4.16 выбираем основные параметры проводника дляширины проводника 2?, = 0,2 мм — минимальный шаг трассировкиS=0,4; толщину заготовкиH= 0,8 мм.
По табл. 4.17 выбираем основные параметры переходных отверстийдля шага трассировкиS=0,4, толщины заготовкиН=0,8 мм. Диаметр переход-
ного отверстия на поверхности заготовки Dt =0,22 мм; диаметр переходного отверстия в глубине РПDm= 0,13 мм; угол конуса переходного отверстия а = 12°. ,
Для выбора основных параметров сквозных монтажных отверстий,пр табл. 4.18 необходимо определить диаметр монтажного отверстия на поверхности заготовкиD2по формуле (4.2)
D2 =D02+ 2tgα/2h1
где диаметр монтажного отверстия в глубине заготовки D02рассчитывают по формуле (4.3):
D0 =dk+ 2(tM +t3)
Поскольку микросхемы в корпусах 201.14-8 имеют плоские выводы размером 0,5 х 0,3 мм, диаметр описанной окружности вывода равен dK= 0,58 мм,tM =0,025 мм,t3= 0,1 мм, то
D02 =0,58 + 2 • (0,025 + 0,1) = 0,58 + 2 - 0,125 = 0,58 + 0,25 * 0,83 мм.
Диаметр монтажного отверстия на поверхности заготовки при угле конуса а =24° (см. табл. 4.18) равен
А = 0,83 + 2tg12° • 0,8 = 0,83 + 2 • 0Л21 • 0,8 = 1,16 мм, -v
Установка и пайка микросхемы в корпусе 201.14-8 е плоскими штыревыми выводами в сквозное круглое монтажное отверстие производится в соответствии с рис. 4.16.
Технология изготовления рельефных плат
Существуют Следующие методы получения рельефного рисунка схемы (канавок, отверстий и ламелей):
фрезерование на станках с ПУ граверными резцами;
прессование диэлектрика на специальных рельефных пресс-формах с последующим досверливанием отверстий на координатно-сверлильных станках;
литье под давлением эпоксидной пластмассы, при этом получаются канавки под проводники и сквозные отверстия платы.
Токопроводящие участки РП можно изготавливать субтрактивным, по- луадцитивным и аддитивным методами.
Субтрактивный методсостоит из следующих этапов.
Получение заготовки из материала СТЭФ.
Получение фиксирующих (базовых) отверстий.
Получение канавок, монтажных и переходных отверстий.
Мативирование (зачистка) поверхности заготовок.
Химическое меднение заготовок (толщина 3...7 мкм).
Гальваническое меднение заготовок (толщина меди 25...40 мкм).
Нанесение защитного резиста (жидкой спиртоканифольной смеси) на всю поверхность металлизированной заготовки.
Зернение (удаление защитного резиста с пробельных мест).
Травление меди с пробельных мест.
Лужение,
Контроль.
Мативирование поверхности гидроабразивной обработкой необходимо для очистки поверхности и отверстий от стружки после фрезерования и сверления, для создания шероховатости пробельных мест, для очистки от Загрязнений и обеспечения равномерности покрытия химической медью.
В результате нанесения защитного резиста и испарения спирта из спиртоканифольной смеси при повышенной температуре вся поверхность заготовки покрывается равномерной канифольной пленкой.
Операцию зернения проводят в вибробункере, в котором керамические шарики оббивают канифольную пленку с пробельных мест.
При лужении в расплавленном припое канифольная пленка выступает в роли флюса и способствует осаждению припоя на проводящий рисунок РП.
Полуаддитивный методсостоит из следующих операций.
Получение заготовки из материала СТЭФ.
Получение фиксирующих (базовых) отверстий.